TW200526072A - Method for making a display panel, and the display panel - Google Patents

Description

200526072 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於有機電場發光（E1 ectro

Luminescence’ EL)顯示板等顯示板之製造，尤其關於顯示 板之封裝構造。 【先前技術】 时電漿顯示器（Plasma Dlsplay Pane卜PDP)、液晶顯示 态（Llquid Crystal Display，LCD)等業已普及作為薄型的 平面顯示板，而有機EL板亦已進入實用化。 ^在此有機EL板中，係湘有機物質於各畫素之發光材 料等而由於此有機材料含有水分時會使其壽命縮短，因 此必須儘可能地減少各晝素所存在空間的水分。是故，乃

It庙'3有=機EL兀件之顯示晝素形成為矩陣狀的乩基板 封二=預疋間隔使封裝基板相對向’且以樹脂製的 封衣材將該等基板之周邊部分密閉封裝，以使水分不致侵 入内部’㈣又於㈣”收容乾燥劑，俾去除水分。 在此，以封裝材而言，雖係使用 硬化樹脂等，衅而係以At 4本切θ 矛外線 、㈣以此進一步S昇密閉性者為佳。 於’EL基板、封裝基板通常係使用玻璃基板，而對 (玻^=間的接合則有採用將玻璃加熱炫融而予以接合 m妾）的方法。如彻此玻璃溶接以 利用樹脂封裳材進行的封裝相比 、上、 庐。尤豆《 , b，'鈿鬲氣岔性的封 二使用雷射光之玻璃的炫接，則可較為 合易地接a玻璃基板的周邊部。 ..... 卜關於利用雷射光的 316583 5 200526072 玻$的接合，係揭示於專利文1 。 [專利文獻1]日本專利㈣17〇29〇 [發明所欲解決之問題] 在此’於EL基板的周邊邻八▲ 部之視訊信號等的端子部刀山、：用以接收來Μ =不=’通常此端子―等之㈣ 題。 j進订忒邛为的玻璃熔接之問 【發明内容】 [解決問題之方案] 本务明係一種顯示板之萝 透之材料所形成且顯示晝素形偷陣:::有=射穿 以包圍該顯示區域之周邊區域的書素基板區域與用 的接合界面，藉由，昭射+ ” 土 以及封裝基板 存在於前述晝素基板之接縣者，其特徵為·· 部分之配線，係由透=周4域之作為使雷射穿透的 八你田透明導體所形成。 此外，本發明係一種顯 之材料所形成且顯示書抑成、’ ^括.具有使雷射穿透 包圍該顯干F竹夕田:陣狀之顯示區域與用以 固豕”、、員不£域之周邊區域 基板之接合界面藉由照射雷“=以及與前述畫素 特徵為：存在於前述書辛2= 封裝基板，其 射穿透的部分之配線:係二 =周邊區域之作為使雷 ^你田遗明導體所形成。 此外，前述透明導體係以no(indlura_Tlnoxn 3】6583 6 200526072 :銦鋅氧化物）為 錫氧化物）或 IZO(Indium_Zlne_〇xide 佳。 體為：外’以在前述接合界面形成有用以吸收雷射之吸收 此外，前述吸收體係以藉由真空蒸鑛、錢鑛或化學氣 相沈積法（Chenncal Vap〇r DepGsitl〇n，CVD)的成膜、有 色塗料的塗佈、或是藉由離子植入的著色之任一者而對前 述晝素基板或封裝基板形成者為佳。 此外，使前述雷射穿透的材料係以玻璃為佳。 [發明之功效] 依據本發明，係以藉由照射雷射的熔接方式接合晝素 :板/、封衣基板。因此，可以較小的面積進行確實的封裝， Z時可獲得增大實際可進行顯示之顯示區域，並縮小顯示 态的尺寸。此外，由於藉由熔接方式，因此可確實防止水 刀的侵入，又可減少或消除封入於内部之乾燥劑的量。而 且，藉由透明導體以形成畫素基板之通過雷射的配線部 分，而可使雷射穿透該部分。 【貫施方式】 以下’根據圖式說明本發明之實施形態。 第1圖及第2圖係顯示基板接合的實施形態。該實施 形態係將作為形成晝素之晝素基板的EL基板1 〇、與用以 封裳EL基板1 〇之上面的封裝基板12予以對向配置。再 者’封t基板12係由不透明的玻璃等用以吸收雷射之吸收 體所構成。在此，不需將整體的封裝基板12均作成不透 316583 7 200526072 明’只要使要熔接的部分發揮吸收體之作用即可。例如， 封衣基板12係藉由離子植入或離子交換法而摻雜金屬之 方式形成不透明，而不透明基板12即發揮吸收體作用。在 雜子父換法係將經圖案化的阻劑（Resist)形成於封^ 基板12,並浸潰於含有預定之金屬的溶液以對於封裝基二 1壯2内的離子（例如鈉）進行離子交換，並以將金屬擴散於封 才土板12中俾將封裝基板12作成吸收體之方式來進行。、 ^外，在任一方法中雖均可將封裝基板12之全區域厚度方 =形成為不透明，然而亦可僅將封裝基板12的表面部分， 從表面到預定的深度形成為不透明。 ^外，亦可於封装基板12内上方形成吸收體。例如： 屬:猎由真空蒸鑛、CVD(化學氣相沈積法）、濺鑛而疊層i 板12不透明物質’或塗佈有色塗料而形成吸收體於封裝3 、^士。再者，由於吸收體只要存在於邊界面即可，因此4 沒有問題時亦可形成於晝素基板側。 口此^ 採用卜在本貫施形態中，作為吸收體之用的金屬雖相 屬二能作成不透明則亦可採用銀、鐵等其㈣ 俨。的透光率係以例如550随的光10%以下為 _牙於金===輸出的雷射。此外，上述情形 狀態下，從E‘側: 咖_)則採用10至谓;射右田射。此雷射如為⑽雷射 316583 8 200526072 藉此，在封裝基板12的雷射照射區域令，光即被吸 收且此#伤即加熱炫融。在此，此雷射照射區域係以加 熱至6GG至7GGt左右為理想，藉此可使封裝基板12之雷 射照射區域炫融而使該部份隆起。而且，該隆起部分之前 端係與EL基板i0接觸而熔接。另外，雷射光係採用普通 々光占狀者’藉由掃描此光點，而可藉由炫接方式將虹 基板10與封裝基板」2在其周邊部予以封裝。 在此EL基板1 0的大部分係成為顯示畫素配置成矩 陣狀的顯示區域，而周邊部分配置有驅動器等。再者，由❿ :影像信號及電源等係由外部供給’因此具有與外部連接 用的端子部16。此端子部16係由用以與外部連接之複數 2墊部分構成’而在此焊墊部分係連接有用以與内側電 路進仃電性連接的複數個配線部。 八再者’在此端子部16的焊墊及連接於該處的配線部 二通常雖係由鋁等金屬所形成，然而以在此端子部Μ 雷射穿透的部分而言，則係由透明導體的ιτ〇所形 Ρΐ ，•田⑴几牡鳊于邵16亦將穿透 =1G而照射至封裝基板12，且使此雷射照射區域加 ‘而封=部18即隆起，而使兩基板1〇、12藉由玻璃炫接 t-來，藉由使用雷射的玻璃炫接，即可將 =基板12予以炫接。由於藉由照射雷 “分加熱，因此幾乎不會加熱因為封裝而形成的内部空 316583 9 200526072 :’故内部空間的溫度與外部空間的溫部不太會有什麼變 。因此，容易將封裝後之内部空間設定成較適#的壓力， 此外，由於此封裝實際±係在無水分的氮環境下 藉由玻璃料的封裝具有非常高的密閉狀態，因此即使在 之後大氣環境的❹狀態τ，水分侵人㈣空間的可能性 亦極低。因此’可以不必在内部收容乾燥劑，而且即使收 :乾燥劑時，也只要非常少的量即可。再者，採 μ射的玻璃溶接時，可將EL基板10與封裝基板12之 :份的寬度縮小’而且也不會因為接合而造成接觸面賴 曰。因此’可將EL基板的周邊部分之用作封I之區域的面 積縮小，且可將顯示板小型化。 /再者在本貫施形態中，EL基板1〇的雷射穿透 係，含端子部16且為透明。因此，隔著EL基板1〇，對於 封裝基板12之周邊部以四角框狀照射雷射光，而形成 形的封裝部18即可將兩基板1〇、12予以封裝。 第3圖係顯示將複數個(此時係為6個)顯示板部分設 置於1個玻璃基板之狀態。如此，隔以駭間隔而將四^ 框狀的封裝部18形成在1片玻璃基板。之後，藉由雷射切 副機例如採用二氧化碳雷射（i Q. 6 # m)5帽將個別的顯示 板切開，即可以相同步驟同時製作複數個EL基板10，、並 且貼合、切割亦可以1個步驟即能有效進行。 第4圖係顯* i晝素之發光區域與驅❺tft之部分的 構成剖面圖。另外，各晝素係分別設有複數個TFT，且驅 動TFT係為用以控制從電源線供給至有機el元件之電流的 316583 10 200526072 破璃基板3G上係全面形成由Si_ SlQ2之遇芦所 於預二讀層”，且於其上方形成有多晶矽的主動二2 於預疋的區域（形成TFT之區域）。 q 22 n :蓋主動層22及緩衝層η而全面形成閉極絕緣膜 ?。此開極絕緣膜13係例如疊物2編而；^ =極絕緣膜13上方亦即通道區域22c之上形成例如Cr 声f;極24 :再者’以閘極24為遮罩，將雜質摻雜至主動r 曰，而對於此主動層22，在中央部分之間極24之下方 有之通道區域22c，且於其兩側形成摻雜 有濰貝之源極區域22s以汲極區域22d。 :後，覆蓋閘極絕緣膜13以及閘極24而 間絕緣膜15’並於此層間絕緣膜15内部的源極區域2:層 及極區域22d之上部形成接觸孔，並透過此接觸孔，形 ^置於層間絕緣膜15之上面的源極53、以及汲極26。另 外’亚對源極53連接電源線（未圖示）。在此，以此方式形 ，之驅動TFT在此例中雖設定為p通道m，然而亦可設 定為η通道。 覆蓋層間絕緣膜15以及源極53、沒極％，而全面形 成平坦化膜17，並在此平坦化膜Π之上面的發光區域之 位置’設有作為陽極之用的透明電極6卜此外，在汲極Μ 之上㈣平坦化膜Π’形成貫通該等之接觸孔，並透過此 接觸孔，將透明電極61與汲極26連接。 另外’對於層間絕緣膜15以及平坦化膜17，通常係 利用丙烯酸樹脂等有機膜，然而亦可利用丽(Tetra 316583 11 200526072 二y^th〇SUlc—酸四乙醋)等無機膜。此外，源 =汲極26係利用㈣金屬，而透明電極61通常係利 :透”極61通常係形成於各晝素之大部分的區 域’整體而言大致為 名 八在而與②極26連接㈣接觸部 刃’、J 為大出部，並延伸至接觸孔内。 在此透明電極61的上方，係 , 係形成有王面形成的電洞傳 $成較發光區域猶大的有機發光層63、由全面形 成之包子傳輪層64所構成之右嬙展 八hw 再攻之有械層65、以及全面形成之 至屬（例如鋁）的對向電極66作為陰極。 方2::極61之周邊部分上之電洞傳輸層62的下 ^ t 坦_ 67 ’並藉由此平坦化膜67界定夂 晝素之發光區域在透明電極61上 疋口 透明電極61直接鄰接的部八寻輸層62與 外，平坦化膜67通常雖利用刀 ，P成為發光區域。另 亦可利用職等之無_。 手之有㈣，然而 另外，對於電洞傳齡爲β 1 層64係使用通常用於有0 ::機發光層63、電子傳輸 =材料(通常係為_物)決定發光色。例如 :ΒΑ:層Τ)62係使用ΝΡβ，而紅色的有機發光層63則為 監色的有機發先層63則為TB刪 為Alq3等。 包卞得輸層64則 在此種構成中，係佑妙 '、依據閘極24之設定電壓，當驅動 316583 12 200526072 TFT導通時，則來自電源線的電流即從透明電極6丨流向對 向電極66，且由於此電流而在有機發光層63產生發光， 而此光係向圖中的下方射出。 第5圖係顯不另一構成，在此例中係於封裝基板丄2 之與EL板之周邊部抵接的部分，以框狀形成不透明區域 14作為吸收體。因此’藉由將雷射照射至該不透明區域 14’則可與上述情況相同進行玻璃熔接。再者，依據此例， 封I基板12之與EL基板1 〇的顯示區域對應的區域即成為 透明。因此，可自封裝基板丨2射出光線，且可將el基板φ 1〇設為頂部發光型（T〇P Emission Type)。 第6圖係顯不頂部發光型時之晝素部分的構成。如 此透月屯極61的下面形成有反射膜69。此反射膜的係 由銀等所形成。另-方面’對向電極66係由⑽等透明導 體所形成。因此，有機層所產生的光係由反射膜69所反 射，而從對向電極66向圖中的上方射出。封裝基板^之 顯不區域所對應的部分則為透明，光㈣透過封裝基板Μ 而向外部射出。 響 陣20，並“在此例中係於各晝素之邊界部分形成有黑色矩 、:稭此以獲得更為鮮明的顯示。另外，此黑 20係以與不透明區域14相同步驟形成為佳。 :二：藉由設定為頂部發光型即可於m的上方亦形 先區域，且即使利用設置複數個m之書辛電路 …(么先£域之比例)而容易形成明亮的面板。 圖係顯示^基板1G之電路的概略構成。周邊電 316583 13 200526072 路係設有水平驅動器4G、垂直驅動器42，而其内側係成為 顯示區域。從水平驅動器4〇與各行的晝素對應而朝垂直方 向設置數據線DL及電源線PL，且從垂直驅動器42與各列 的畫素對應而朝水平方向設置閘極線讥。另外，電源電 壓、動作時脈、影像數據係從外部透過 平驅動器4〇、垂直驅動器42。 仏、、、Π至水 。旦素係設有η通道之選擇TFT 1、ρ通道之驅動TF 持電容3、有機EL元件4。選擇TFT1係為汲極連福 '據、線D L、閘極連接於閘極線G L、源極連接於驅動了厂 電？;卜對於此驅動m 2之閘極係連接有保持 的你柱+ &㈣持電容3之另—端則連接於預定電位 持琶容線。驅動TFT 2之源極係連接於電源線PL，而 ^極則係連接於有機EL元件4之陽極。再者，有機 牛4之陰極係連接於低電Μ的陰極電源、。 再者，藉由將閘極線G丨抓中 1導通，在此狀能下，η 使其列的選擇ΤρΤ ,,. 〜、 错由將數據電壓設定於數據蝮m :其電壓保持於保持電容3,將驅動m2與數 應的電流，從電源線PL流動至 包i對 數據電壓對應的發光。 兀，而產生與 m红I 不’封裝部18係於周邊邱犯 四角框狀。尤其是此封妒邱 疋，如上所述，與封裝部彳 上方 ^ go ,, ^應的端子部1 6之導f — 透明的ΙΤ0或ΙΖ0形成。 基板1〇。 α此’雷射在此部份亦可穿这 316583 14 200526072 弟8圖係顯示端子部 ΤΤΠ ^ . b之構成例。在此例中係藉由 八目丨丨山力口 / V P刀80，而其他導體部 刀、、，斤形成。換言之，僅先將紹配 80之雷射穿透部分切齡，、，# Y月且1刀 所亚猎由覆蓋此部份以形成IT0之 導體部分80俾維持電性連接。 珉1]〇之 另外’如上所述’在端子部16中雖設有雷射穿透部 分’然而在將雷射穿透部設置於到達端子部的配線部分 時，亦同樣可採用ITG等透明導體而構成。 另外，在EL基板1〇之端子部16等配線部分，如為可 使田射光牙透且可將EL基板1〇之透明部分加熱之構成， 則不以上述之構成為限，亦可將金屬配線作成網狀而局部 地使雷射穿透，或將厚度變薄作成半透明。 此外，如上所述，本實施形態係於EL基板1〇以及封 I基板12採用玻璃基板。但是，如能由封裝基板12本身 或形成層狀的吸收體吸收雷射，且藉由其能量進行熔接， 則基板的材料並不以玻璃為限，亦可利用各種的樹脂薄膜 專作為基板。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示EL基板與封裝基板周邊部之構成圖。 第2圖係顯示雷射照射圖。 第3圖係顯示封裝部之配置圖。 弟4圖係顯示底部發光（bottom emission)型之一書素 分之構成圖。 弟5圖係頒不不透明區域之配置圖 316583 15 200526072 第6圖係顯示頂部發光（top emission)型之一畫素分 之構成圖。 第7圖係顯不電路構成圖。 第8圖係顯示雷射穿透部分之構成圖。 【主要元件符號說明】 1 選擇TFT 2 驅動TFT 3 保持電容 4 有機EL元件 10 EL基板 11 緩衝層 12 封裝基板 13 閘極絕緣膜 14 不透明區域 15 層間絕緣膜 16 端子部 17 平坦化膜 18 封裝部 20 黑色矩陣 22 主動層 22c 通道區域 22d >及極區域 22s 源極區域 24 閘極 26 >及極 30 玻璃基板 40 水平驅動器 42 垂直驅動器 53 源極 61 透明電極 62 電洞傳輸層 63 有機發光層 64 電子傳輸層 65 有機層 66 對向電極 67 平坦化膜 69 反射膜 DL 數據線 GL 閘極線 PL 電源線

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Claims (1)

1. 200526072 、申請專利範圍·· 1. 所 兮觀-r 1 ，貝不&域與用以包圍 =區：周邊區域的畫素基板、以及封裳基板:接 "存在：射雷射而予以炫接封裝者，其特徵為: 射晝素基板之前述周邊區域之作為使雷 射牙透的錯之配線，係由透明導體所形成。 2. 如申^專利範圍第！項之顯示板之製造方法，其中， 則述透明導體係錮錫氧化物(_或銦鋅氧化物 C1Ζ0) 〇 3. 如申請士利範圍第！項之顯示板之製造方法，其中， 於丽述接合界面形成用以吸收雷射的吸收體，且萨 ^此吸收體將前述雷射吸收加熱，以進行前述炫接封日 4·如申請專利範圍帛2項之顯示板之製造方法，其中， 於刖述接合界面形成用以吸收雷射的吸收體，且藉 由此吸收體將前述雷射吸收加熱，以進行前述熔接封 裝。 5·如申明專利範圍第3項之顯示板之製造方法，其中， 刖述吸收體係以對於封裝基板摻雜不透明物質，或 疋對於封裝基板上藉由真空蒸鍍、濺鍍、化學氣相沈積 (CVD)或塗佈不透明物質而形成膜的任一者所形成。、 6·如申睛專利範圍第4項之顯示板之製造方法，其中， 前述吸收體係以對於封裝基板摻雜不透明物質，或 316583 17 200526072 是對於封裝基板上藉由直空 (CVD)或塗、# M ^ …π、濺鍍、化學氣相沈積 /飞土佈不透明物質而形成膜 7.如申請專利範圍第！項至第6 二者斤'成。 造方法，其中， 、节任—項之頦不板之製 8. =述雷射穿透的材料係為破璃。 mill ? ^ ^ # # ^ ^ 一 之，、、、員不區域與用以包圚岑顧 不區域之周邊區域的書Mu 乂已圍^ 接人—素基板，以及與前述晝素基板之 為^面稭由照射雷射而炫接封農之封裝基板，其特徵， 射述晝素基板之前述周邊區域之作為使雷 二 =部分之配線，係由透明導體所形成。 .如申:專利範圍第8項之顯示板，其中， 前述透明導體係IT〇或IZ〇。 10.如申請，範圍第8項之顯示板，其中， u h於别速接合界面形成有用以吸收雷射的吸收體。 U.如申料利範圍第9項之顯示板，其中， ^ < 於刚述接合界面形成有用以吸收雷射的吸收體。 2. 如申請專利範圍»10項之顯示板，其中， θ、，前述吸收體係以對於封裝基板摻雜不透明物質，或 疋對於封1基板上藉由真空蒸鑛、減鑛、CVD或塗佈 透明物質而形成膜的任—者所形成。 3. 如申^專利範圍第U項之顯示板，其中， 月述吸收體係以對於封裝基板摻雜不透明物質，或 316583 18 200526072 疋對於封裝基板上藉由真空蒗 、泰QD “、、錢、濺鍍、CVD或塗佈不 透明物質而形成膜的任一者所形成。 飞土仰不 4·如申請專利範圍第8項至第丨3 其中， 員中任一項之顯示板， 使前述雷射穿透的材料係為破螭。 316583 19