TW200419166A - Active matrix display circuit substrate, display panel including the same, inspection method thereof, and inspection device thereof - Google Patents

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玖、發明說明： 【明片^ 】 發明領域 本發明有關液晶顯示器或有機E L顯示器面板之生產階 段之電性的特性試驗，特別是有關適合於薄膜電晶體（以下 稱TFT)向列之電性的試驗之探針裝置及使用該裝置之顯示 器基板試驗裝置。 發明背景 於液晶顯示器技術上，正追求著高像素數化與大晝面 化，近年來為了實現高影像品質，使用TFT(Thin FUe Transistor、或薄膜電晶體）之動態矩陣方式乃成為主流。 又，對於必需有背光（back light)之液晶顯示器，自行發 光型之有機 EL(或稱為 〇LED[Organic Light Emitting

Diode])具有液晶顯示器所未有的優點，近年來正急速開發 著0 TFT方式之液晶顯示器於有機乩顯示器之生產上，將 TF7向列形成在玻璃基板上的階段，即封入液晶或於有機乩 塗布步驟之前，進行電性的試驗已完成之TFT向列是否電性 的動作，即進行所謂TFT向列測試的情形，在提昇顯示器生 產中的最後完成品之製成率上乃非常的重要。在TFT向列測 试階段若疋發現驅動特定之像素（pixel)之TFT電路有電性 上不良的情形，則依據TFT向列測試的資訊而於其不良為可 回復的情形下，施予缺陷的修正處理。又，當不良處多而 於事前顯示器組裝後之出貨檢查中判斷為不良的情形下， 能停止之後的步驟。即，對於如此不良製品於液晶方式的 情形下與濾色器接著及封入液晶步驟，於有機EL方式的情 形下具有能省略有機EL之塗布步驟等之後花費成本之步驟 的優點。 於習知液晶顯示器用基板之驅動電路中，在封入液晶 之前為了進行該檢查，可採用測定液晶之表面電位的方 法。即，由於液晶以電壓驅動，故於封入液晶前作動驅動 電路的話，連接於液晶之電極的電位會改變，而藉著測定 此表面電位之變化的狀態而能進行判定驅動電路的良否。 但是，若為自發光型之EL顯示器的情形下，由於採取電流 驅動方式，因此一旦不對各驅動電路供給電流，則無法判 定驅動電路中之能動元件之動作的良否。因此，以習知所 使用之定電壓驅動電路之特性評價為對象之液晶用向列測 試，無法對應有機EL顯示器的評價。 用以解決該等問題之方式的一例可得知有在電極表面 配置暫時性的導電膜，藉由此導電膜而對驅動電路提供電 流，並於確認動作之後去除此導電膜的方法（參照特開2〇〇2 一 108243號公報）。但是，此方法要形成及去除檢查用膜會 花費時間，又，也將形成會產生乩材料與電極之間的連接 不良的要因。而且，可得知有於驅動電路内配置電容元件， 而以讀取充電於此容量元件之電荷的狀態，而間接地評價 能動元件之動作的良否（參照特開2〇〇2 —32035號公報）。但 疋，此方法畢竟係間接地評價元件的動作者，由於並非直 200419166 接確認能動元件之動作的方法，因此有必要更高可靠度的 評價方法。而且，為了檢查顯示器用之基板，乃有照射光 線而增加漏電流的方法（參照特開平7— 151808號公報）。但 是，漏電流並非能定量地控制者，因此，於測定上必要的 5 電流值存在有門檻值的情形下，無法保證測定的可靠度。 因此，本發明之第1目的在於提供可解決該問題、可靠度高 之可檢查之顯示器基板、以及使用該基板之檢查方法·檢 查裝置。 另一方面，經完成之EL顯示器在包含多數光源之el元 10 件之點乃與液晶顯示器不同。即，依據使用液晶之平面板 顯示器的話，由於液晶本身並非發光物，故大部分情形下 具有使用冷陰極管或白色LED作為光源而供給顯示器全面 均一之光強度的構成構造。液晶亦具有調節該光之強度之 濾光器的作用。因此，在EL顯示器的情形下，因外部因素 15而使各個EL元件之特性呈經時性的變化，而於該發光強度 產生不均的情形下，顯示器就無法維持實用上的耐用性 能。爰此，最好有以像素單位檢查完成後之顯示器性能的 方法，依據其結果可控制各元件的發光。於是本發明之第2 目的在於提供該檢查機構。 20 而且，液晶或EL型顯示器於電腦等資訊終端機器中的 顯示功能之外，亦有期望構成輸入機構之一部分之功能的 情形，可得知例如市面販售而已實用化之觸控面板或筆輸 入型裝置。該等情形下，若是能使顯示器基板本身具有該 等追加之功能的話，則追加之製造處理過程亦能省略，在 7 衣k處理過矛壬上本有效。又，由於EL顯示器如前述那般為 自發光型顯裝置’故可得知具有簡易掃描等其他功能的機 構作為輸人衣置之發展型。因此，本發明之第3目的在於以 顯示器基板來實現於習知顯示器追加功能所獲得的功能。 5 【明内】 發明概要 本^明係提供用以解決上述課題之新的檢查機構者。 依據本發明，光控制開關接近顯示器基板之各驅動電路的 能動元件而形成。光控制開關僅在接受到光等光照射的情 10 ^/下將電氣性的通路設成⑽狀態。即，—邊將對應預定像 素之驅動電路設成動作狀態，而一邊將光照射於驅動電路 所包含之控制開關，藉此，能設成僅照射時間之際電流可 通過光控制開關的狀態。藉由閘線或其他配線而將此電流 抽出於外部而測定，藉此，能直接性地評價驅動電路中之 15 能動元件的動作。 即’本發明提供一種檢查方法，係檢查設置於顯示器 電路基板之像素驅動電路之動作的方法，其特點在於包含 有：對於對應前述顯示器電路基板上之各像素單位之驅動 電路’提供能確認該驅動電路中之預定能動元件之大小之 20電流的步驟；將光提供至連接於前述驅動電路之預定位置 之光控制開關，而將前述光控制開關設成⑽狀態的步驟； 及於前述光控制開關設成0N狀態時，測定通過前述光控制 開關之電流的步驟。 本發明提供一種電路基板，係設成液晶或EL顯示器用 8 之動悲矩陣電路基板，為了檢查或是為了其他應用而具備 應合光之開關或檢測器。開關或檢測器設置於每個對應顯 示器之各像素之驅動電壓的單位。應答光之檢查用的開關 子於·ι區動電路單位中預定的能動元件而串聯地配置。檢 查動作係於配置液晶或EL材料之前階段進行。不使用開關 的狀怨，即開關為OFF的狀態下，可維持在高電阻的絕緣狀 恶。设成可對驅動電路提供預定電流值之電流，而在此狀 恶下使具有必要時間幅之光照射開關。藉此，開關被設成 ON狀怨而使電流從被作動之能動元件通過開關而輸出至外 部。藉著測定輸出之電流而能直接評價驅動電路的動作。 本t明所構成之電路基板所具有之檢測器，配置液晶 或EL材料而以完成顯示器面板的狀態能從乩元件接受光。 各檢測器對應像素而設置，故對於從各像素之EL元件來的 發光评價以檢測器檢測的光強度，而能確認對應各像素之 光源是否適切地動作。 而且，具有本發明所構成之電路基板的檢測器，能以 顯示器面板的完成狀態而檢測從内外接受的光。例如，將 物體配置於面板表面附近的情形下，能於對應於對應其位 於附近之其他像素之驅動電路單位而設£之檢測器來檢測 在預定像素之元件的發光。因此，以此物體作為人的指或 筆用構件的狀態而能此為指示裝置，或是能利用作為 讀取位於顯示器近旁之平面花紋等簡易的掃描器。 上述光應答之開關及檢測器最好是作為共用的元件。 如此一來，能提供可將顯示器面板之開口面積弄得較大， 且附加追加之有用的功能之顯示器基板及包含此基板之晨貝 示器面板。開關或檢測器之形成以形成驅動電路之一連串 的半導體製造步_進行，其絲可麟賴關或檢剛器 内藏於驅動電路的構造。 圖式簡單說明 第1圖表不代表性的有機EL顯示器用TFT(對膜電晶體） 動態矩陣電路基板之構造的概略圖。第2圖表示本發明之較 佳貫施樣態之電路基板之構造的概略圖。第3圖係就第！圖 之略像素單位電路表示各構成要素的概略平面圖。第4圖係 就像素單狀電路麵各構成要素找置之概略之斷面構 造的概略圖。第5圖表示本發明第2較佳實施樣態之電路基 板而類似於第2圖的概略圖。第6圖表示本發明之第2較佳實 施樣悲所構成之電路基板而類似第3圖之概略平面圖。第7 圖^示本發明之第2較佳實施«所構成之電路基板而類 似第4圖之斷面圖。第8圖表示本發明之較佳實施樣態所構 成之配置EL材料前試驗m顯示器基板之裝置。第9圖表示 基板保持裝置之詳細的平面®。第1_表示光照射裝置之 詳、、田的側面圖。第丨1®翻以表示顯示器之試驗順序的說 明，。第12®細明包含本發明所構成之顯示，板之顯 示器面板之應用的_例。第13圖係說明包含本發明所構成 之顯不器基板之顯示H面板之應用之其他的-例。 L· ^ 較佳實施例之詳細說明 乂下 > 所附圖式詳細地說明本發明之較佳實施樣態 200419166 所構成之動悲矩陣顯示器電路基板、包含此基板之顯示哭 面板、其檢查方法、以及其檢查裝置。 第1圖表示代表性的有機EL顯示器用TFT(對膜電晶體） 動態矩陣電路基板之構造的概略圖。圖式所示者係對應單 5 一之像素的電路。標號11、12、13之各配線分別表示資料 線（m)、電源線、閘線（n)。此等線決定顯示器之驅動電路 的像素單位。於各像素單位設置TFT(薄膜電晶體）15、16及 電容元件17。如圖式所示，已完成之有機乩顯示器面板， 在電路上於薄膜4晶體之沒之前的位置而沿著基板面形成 10之電極41上配置EL材料18。即，形成EL材料18藉著通過薄 膜電晶體15之電流而發光的構成。 如上所述，木發明提供於配置EL材料18之前，檢查薄 膜電晶體基板的方法。因此，本發明係為了進行檢查而構 成並獲得不存在EL材料18的狀態下的電流匯流排者。第2圖 15表示本發明之第1較佳實施樣態之電路基板之構造的概略 圖。如圖所示，配置可光控制之開關51以能對電極41導通。 此開關51串聯連接薄膜電晶體16，而開關51之相對端連接 於鄰接之驅動電路之單位中的閘線（n+1)。因此，當開關 51呈oN狀態時，通過能動元件之薄膜電晶體16及開關51而 2〇從鄰接之驅動電路之閘線14來的輪出能測定輸出電流。 即，選擇對應於特定之像素之驅動電路而能確認適當之電 流輸出的話，驅動f路為可正常地動作者，而能確認非產 生像素之缺陷者。 光控制之開關51之典型的例子為光導電性開關。光導 11 200419166 電性開關之情形之構造的具體例記載如第3圖及第4圖。第3 圖係就第1圖之略像素單位電路表示各構成要素的概略平 面圖。又’弟4圖係其斷面構造的概略圖。 第3圖中標號2卜22、23分別表示像素單位之資料線、 5電源線及閘線。圖中合併表示橫方向鄰接之像素單位之電 源線29及縱方向鄰接之像素單位之閘線24。又，圖中以標 號27表示者為電容電極，連接於el材料之no電極以標號28 表示。光控制之開關以標號51表示。如圖所示開關η沿著 閘線24之長度方向而於ΙΤ0電極28與閘線24之間形成細長 1〇 的部分。 第4圖1之概略斷面圖具體地表示構成各電路要素之電 路的層構造。標號31、32、33、34、35、36、37、38分別 表示玻璃基板、第1絕緣層、第2絕緣層、第3絕緣層、第4 絕緣層、第5絕緣層、遮光金屬膜、IT〇電極之各層。又， 15標號41、42、43、44、45、46、47分別表示半導體薄膜、 閘電極、絕緣膜、>及側配線、金屬電極、光導電性開關、 閘線。如圖所示’光導電性開關之主要部分位於閘線47之 底側，惟，以與構成薄膜電晶體之半導體薄膜41相同材料 來構成，故製造處理步驟也不會複雜。金屬電極45於高度 20方向上朝向上方延伸而連接於ΙΤ0電極38。藉此可實現第2 圖所示之電路構造。 第5圖至第7圖表示本發明之第2較佳實施樣態所構成 之笔路基板的構造。第5圖表示類似第2圖之概略圖。與第1 貝施樣態之不同點在於進一步與光開關1〇1串聯地附加電 12 200419166 阻元件102者。光導電性開關之電流一電壓特性一般為非線 性，至於電晶體之電壓之前為線性地變化，惟，=等以上 的電壓表示電流飽和的特性。此非線性的特性對於τρτ之試 驗項目加以限定。即，要測定在某範圍連續性地施加電壓 5時之電流值的情形下，不能無視光導電性開關之特性的影 響。因此，以串聯地連接具有遠大於光導電性開關ι〇ι之電 阻值之電阻元件102的狀態下具有能解除其影響的優點。 第6圖及第7圖亦就第2實施樣態進行說明，其分別為類 似第3圖之概略平面圖、類似第4圖之斷面圖。依據第6圖， 10屯阻元件102為鄰接的像素單位，且設在光控制之開關^設 成ON時輸出電流之閘線24之近旁。第7圖表示其至成之一 例。如圖所示，半導體層46之中間部分藉著絕緣體而絕緣， 並藉著形成金屬層49的狀態而能形成電阻元件ι02。但是， 電阻元件102之形成方法也可不限於此方法，例如以藉著變 15更半導體層之一部分之不純物添加量的狀態亦可形成而獲 得。 第8圖表示本發明之較佳實施樣態所構成之配置虹材 料前試驗TFT顯示器基板之裝置。圖中的標號71係配置顯示 器基板之基板保持裝置，標號72表示光照射裝置。基板保 20持裝置之詳細如第9圖以平面圖表示，光照射裝置72如第1〇 圖以側面圖表示。 基板保持裝置71具有設置於固定台73上的移動機構 68 ’於其上配置包含顯示器部分66之基板67且能支持基 板。第8圖及第9圖表示包含4個顯示器部分之基板的例子。 13 200419166 移動機構68在固定台上能朝向上下左右、或朝向旋轉方向 移動，故能因應必要而將固定台73上的被測定顯示器66移 動至所希望的位置。於被測定之顯示器部分66可配置探針 裝置65。探針裝置65對基板供給電流，為了確認其輸出而 5連接於設置在被測定基板上的電極。此電極最妤是用以檢 查而設置。 第8圖包含被照射裝置保持機構β3所支持之光照射機 構80。保持機構63可將照射機構80置於固定位置，惟，亦 可因應必要而設成可動。如第1〇圖所示，光照射機構8〇包 10含標號82Α至82Ε所示之多數半導體雷射、吸熱裝置Μ、準 直透鏡83、光束形狀變換機84、以及聚焦用透鏡85。從半 導體雷射82Α至82Ε以至於聚焦用透鏡85之構成主要以光均 一的混合為目的者，而可以其他機構代用。本實施樣態依 此構成寬度100#m、長度數十cm之等級的細長照射光束， 15 藉此’例如對於各列照射光線而能進行驅動電路的評價。 第11圖係用以說明顯示器之試驗順序的說明圖。例如 前述之細長光束構成可經常照射像素之全列且至少2行的 形狀。現在可考量將全部C行的像素予以試驗。即，從（c、 1)開始進行至（c、η)。在各像素之中，光導電性開關配置 20 於較下部。於最初，為了試驗（C、1)之像素，乃將光點配 置於92的位置。結束（c、1)之像素試驗之後，以（c、2)、···、 (c、η)的順序進行試驗。光束於其間亦以朝方向料的方向 前進。為了使光線對上c行之光導電性開關，於進行最後之 (c、π)像素之试驗日寸使光束位於9 3的位置，必須移動1行份 14 200419166 量（圖中為易於理解而將光束的位置朝向橫方向錯開一些 來表示）。因此，將每一像素之縱方向長度設為1[m]，每一 像素之測試時間設為t[s]，每一行之像素數設為_，則光 束之速度S旎以s=l/(t*m)[m/s]表示。使用此方法的話能 5連續地進行光束的移動而能縮短試驗時間。但是，此方法 為其一例，可得知有其他各式各樣的方法。又，光束之形 狀可非為細長的形狀而可為其他形狀，也可以掃描更小徑 度之光束的方法。 第12圖係說明包含本發明所構成之顯示器基板之顯示 1〇裔面板之應用的一例。如上所述，本發明所構成之顯示器 基板係以包含可作為光檢測器利用之光開關而獲得，故利 用此基板可提供解決像素之間之亮度不均的機構。第12圖 表示對應已鄰接之二個像素（晝素）的電路圖。 即’本實施樣態為了抑制像素之間的亮度不均，乃以 15光導電性開關作為光檢測元件而測定光的強度，藉此調節 受度。光強度之測定並非於顯示器顯示中經常進行，係於 每次起動時或任意的時間進行。例如可考慮使像素12〇A之 EL元件118A發光而以像素120B之光檢測器119B來受光。於 此應用型中，光檢測器119A、119B之單侧的端子分別連接 20於新設置之檢測線114A、114B。使TFT115A開啟（0N)以達到 像素120A之EL元件呈on的狀態，而對電容元件117A施加電 壓VI而被充電以達到吓^“呈⑽的狀態。此時，檢測線 114A為開放狀態。另一方面，在像素120B對於電容元件117B 充電之電壓係施加不足夠使EL元件118B發光的電壓V2。但 15 200419166 疋，以此電壓能在TFT汲一源之間流通某程度的電流。以此 狀態從EL元件118A來的光使相鄰之像素12〇B之光檢測器 119B受光，以此光所造成之減少電阻而從受光側端子114β 測定透過TFT116B之電流的狀態，能檢測像素ι2〇α之光量。 5依據此方法，在從一個像素來的光為可不重視程度之微弱 領域内，使一個像素發光時在相鄰之像素測定其強度，而 進行與母一像素所需要之設定強度的比較，若是偏移的 話，調整施加於電容元件117Α之電壓以達到設定強度。以 此方法測定全部像素的情形下可提高顯示器的穩定性。 1〇又，與前述之實施樣態相同，光導電性開關於有機EL顯示 器面板之完成前亦可使用於未配置有機EL狀態之基板的動 作試驗。 本發明所構成之顯示器基板的其他應用例可為讀取應 用位於接近顯示器面板之位置的外部構件。即，依據此原 15理可貫現觸控面板、筆輸入或簡易型之掃抽器。光源使用 EL元件而以光檢測器或光開關來檢測其放射之光在對象物 反射之光的狀態，能實現觸控面板、掃描器的功能。發光 與受光如前節所述分別使用鄰接的二個像素。受光側之像 素的檢測機構藉著追加於顯示器基板之其他配線而能將電 20 流抽出於外部。此檢測機構亦可使用於上述液晶或el材料 配置前之顯示器基板的檢查。 第13圖例示此應用例。從像素Α之EL元件之發光元件 133A放射之光（標號135)以對象物134反射（標號136)而以 像素B之光導電性開關132B受光。顯示器之El元件由紅、 16 200419166 藍、綠之三色所構成，故如一般使用之掃描器那般無必要 於光檢測器之前段使用遽色器。又’為了不藉由對象物而 刪除於光開關受光之光，乃有必要於對象物測定前先測定 在無對象物狀態之受光特性。觸控面板之方法亦相同。檢 5 測對從象物來的反射光強度之後，以運算系統、顯示器控 制機構進行信號處理。以此方法特別可期待是行動式個人 電腦之功能的大幅提昇。以此方法可達到不會增加體積、 重量而達到PC的多功能化。又，發光·受光之像素可為鄰 接的像素，也可不必要鄰接。 10 如上所述，已詳細說明了本發明之動態矩陣顯示器電 路基板、包含該基板之顯示器面板、其檢查方法、以及其 檢查裝置，惟，此等均為例示之說明，本發明並非限定於 此’而係依據業者可作各種各樣的變至形、變更。 就上述本發明之較佳實施樣態來說明本發明，本發明 15係提供一種動態矩陣顯示器電路基板，其特點在於：係設 成具有對應各個像素之驅動電路之液晶或EL顯示器用之動 恕矩陣電路基板，且設置光控制開關，該光控制開關接近 各個前述驅動電路而於設成開啟狀態時，控制成提供前述 驅動電路與外部配線之間的電流通路。 較it隋开>，係别述光控制開關串聯地連接於前述驅動 電路中之能動元件，在製造步驟中之配置液晶或乩材料之 m的階段，使預定位置之前述驅動電路作動，且藉著從外 部來的光而將所對應之前述光控制器設成開啟狀態，藉 此使别述驅動電流通過前述光控制開關，以測定通過之 17 200419166 電流而能檢查前述驅動電路内之預定能動元件的動作。 較佳情形，係前述動態矩陣電路基板設為EL顯示器用 基板，前述光控制開關作為直接檢測從設於前述動態矩陣 電路基板上之EL發光元件來之光的檢測元件。 5 較佳情形，係前述動態矩陣電路基板設為EL顯示器用 基板，前述光控制開關作為檢測從設於前述動態矩陣電路 基板上之EL發光元件來之光藉著外部對象物而反射所構成 之反射光的檢測元件。 較佳情形，係前述動態矩陣電路基板之前述光控制開 ίο關，作為檢測從外部瞒準裝置來之發光的檢測元件。 較佳情形，係前述光控制開關對於設在對應鄰接於設 置可述光控制開關之像素單位之其他像素單位之驅動電路 的其中任何配線。 較佳情形，係前述光控制開關對於設在對應鄰接於# 15置前述光控制開關之像素單位之其他像素單位之驅動電路 的閘線。 較佳情形，係前述光控制開關對於追加於驅動電路的 配線。 較佳情形’係前述光__設為光導電性開關。 20車乂佳清开v係構成相對於前述光控制開關串聯地附加 電阻。 較佳情形，係前述光控制開關與前述驅動電路相同而 包含以半導體材料為基體的半導 較佳情形，係前述半導體材料為非晶詩❹結晶石夕。 18 200419166 又，本發明提供一種顯示器面板，該顯示器面板之特 點在於，包含前述任何動態矩陣電路基板與配置於該電路 基板上的EL材料層。 又，本發明提供一種檢查方法，係檢查設置於液晶或 5 EL顯示器用之動態矩陣電路基板之像素驅動電路之動作的 檢查方法，其特點在於：包含有提供電流步驟，係將能作 動確認該驅動電路中之預定的能動元件之大小的電流，提 供至對應於配置液晶或此材料之前之前述電路基板之各像 素單位的驅動電路；設成開啟狀態步驟，係將光提供至連 10接於前述驅動電路之預定位置之光控制開關而將前述光控 制開關設成開啟狀態；及測定電流步驟，係於前述光控制 開關設成開啟時，測定通過前述光控制開關之電流。 較佳情形，係前述將電流提供至前述驅動電路的步 驟、前述將光提供至前述光控制開關的步驟、以及前述測 I5定前述電流的步驟，設成前述光掃描前述電路基板而對於 前述驅動電路順序地進行。 較佳情形，係前述光僅用以對於對應一個像素單位之 光控制開關照射而集光。 較佳情形，係前述光對於對應矩陣狀之像素單位之一 2〇列或在多數列内對應多數像素單位之前述驅動電路之前述 光控制開關照射。 較佳情形，係前述光之照射時間設定成在單位時間内 之照射，可確認前述動能元件之驅動程度之電荷量可通過 前述能動元件。 19 200419166 又，本發明提供一種液晶或乩顯示器用之動態矩陣電 路基板之檢查裝置，其特點在於具有：支持要配置液晶或 EL材料之前之顯示器電路基板的支持構件；對於前述顯示 器電路基板上之各像素驅動電路，提供可確認該驅動電路 5中之預定之能動元件之大小之電流的電源裝置；在前述顯 不器電路基板上，對於連接於各像素驅動電路而構成之光 控制開關提供光的光源裝置；I則定前述光提供至前述光 控制開關而呈開啟狀態時之電氣特性的測定機構。 較佳情形，係前述光源裝置設為雷射光源。 10 較佳情形，係前述測定機構測定通過前述光控制開關 的電流。 【圖式簡單說^明】 第1圖表示代表性的有機EL顯示器用TFT(對膜電晶體） 動怨矩陣電路基板之構造的概略圖。 15 第2圖表示本發明之較佳實施樣態之電路基板之構造 的概略圖。 第3圖係就第1圖之略像素單位電路表示各構成要素的 概略平面圖。 第4圖係就像素單位之電路表示各構成要素之配置之 20 概略之斷面構造的概略圖。 第5圖表示本發明第2較佳實施樣態之電路基板而類似 於第2圖的概略圖。 第6圖表示本發明之第2較佳實施樣態所構成之電路基 板而類似第3圖之概略平面圖。 20 200419166 第7圖表示本發明之第2較佳實施樣態所構成之電路基 板而類似第4圖之斷面圖。 > 第8圖表示本發明之較佳實施樣態所構成之配置ELM 料前試驗TFT顯示器基板之裝置。 5 第9圖表示基板保持裝置之詳細的平面圖。 第10圖表示光照射裝置之詳細的側面圖。 第11圖係用以表示顯示器之試驗順序的說明圖。

第12圖係說明包含本發明所構成之顯示器基板之顯示 器面板之應用的一例。 10 第13圖係說明包含本發明所構成之顯示器基板之顯示 器面板之應用之其他的一例。 【圖式之主要元件代表符號表】

11 資料線 12 電源線 13、 14 閘線 15、 16 薄膜電晶體(TFT) 17 電容元件 18 EL材料 21 資料線 22 電源線 23、 24 閘線 27 電容電極 28 ITO電極 29 電源線 21 200419166 31 玻璃基板 32 第1絕緣層 33 第2絕緣層 34 第3絕緣層 35 第4絕緣層 36 第5絕緣層 37 遮光金屬膜 38 ITO電極 41 電極 41 半導體薄膜 42 閘電極 43 絕緣膜 44 汲側配線 45 金屬電極 46 光導電性開關 47 閘線 49 金屬層 51 開關 63 照射裝置保持機構 65 探針裝置 66 顯示器部分 67 基板 68 移動機構 71 基板保持裝置

22 200419166 72 光照射裝置 73 固定台 80 光照射機構 81 吸熱裝置 82A〜82E 半導體雷射 83 準直透鏡 84 光束形狀變換機 85 聚焦用透鏡 101 光開關 102 電阻元件 114A、114B 檢測線 115A、116A TFT 116A、116B TFT 117A、117B 電容元件 118A、118B EL元件 119A、119B 光檢測器 120A、120B 像素 132A、132B 光導電性開關 133A、133B 發光元件 134 對象物 135 光 136 反射

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Claims (1)

1. 拾、申請專利範圍： 1.-種動態_電路騎，其特徵在於： M設成具⑽應各個像素之_電路之液晶 或EL顯示 為用之動歧陣電路基板，錢置光控侧關，該光控 制開關接近各個所述驅動電路而於設成開啟狀態時，控 制成提供則述驅動電路與外部配線之間的電流通路。 2·如申靖專利圍第i項所述之動態矩陣電路基板，其中 刖述光控制開’聯地連接於前述驅動電路巾之能動元 件’在製造步驟中之配置液晶或EL材料之前的階段，使 預#述驅動電路作動，且藉著從外部來的光而 將所對應之前述光㈣ϋ設«啟狀態，藉此，使前述 驅動電流通過前述光㈣開關，以敎通狀電流而能 檢查岫述驅動電路内之預定能動元件的動作。 3·如申明專利範圍第1項所述之動態矩陣電路基板，其中 15 則述動態矩陣電路基板設為EL顯示器用基板，前述光控 制開關作為直接檢測從設於前述動態矩陣電路基板上之 EL發光元件來之光的檢測元件。 4·如申請專利範圍第丨項所述之動態矩陣電路基板，其中 絀述動怨矩陣電路基板設為EL顯示器用基板，前述光控 2 〇 制開關作為檢測從設於前述動態矩陣電路基板上之E L發 光兀件來之光藉著外部對象物而反射所構成之反射光的 檢測元件。 5.如申請專利範圍第1項所述之動態矩陣電路基板，其中 前述前述動態矩陣電路基板之前述光控制開關，作為檢 24 200419166 測從外部瞄準裝置來之發光的檢測元件。 6. 如申請專利範圍第2項所述之動態矩陣電路基板，其中 前述光控制開關對於設在對應鄰接於設置前述光控制開 關之像素單位之其他像素單位之驅動電路的其中任何配 5 線。 7. 如申請專利範圍第6項所述之動態矩陣電路基板，其中 前述光控制開關對於設在對應鄰接於設置前述光控制開 關之像素單位之其他像素單位之驅動電路的閘線。 8. 如申請專利範圍第1項所述之動態矩陣電路基板，其中 ίο 前述光控制開關對於追加於驅動電路的配線。 9. 如申請專利範圍第1項所述之動態矩陣電路基板，其中 前述光控制開關設為光導電性開關。 10. 如申請專利範圍第1項所述之動態矩陣電路基板，其中 前述構成相對於前述光控制開關串聯地附加電阻。 15 11.如申請專利範圍第1項所述之動態矩陣電路基板，其中 前述光控制開關與前述驅動電路相同而包含以半導體材 料為基體的半導體層。 12.如申請專利範圍第11項所述之動態矩陣電路基板，其 中前述半導體材料為非晶質矽或多結晶矽。 20 13. —種顯示器面板，其特徵在於： 包含有如申請專利範圍第1、2、3、4、5、6、7、8、 9、10、11或12項所述之動態矩陣電路基板、及配置於該 電路基板上的EL材料層。 14. 一種檢查方法，係檢查設置於液晶或EL顯示器用之動 25 200419166 態矩陣電路基板之像素驅動電路之動作的檢查方法，其 特徵在於包含有： 提供電流步驟，係將能作動確認該驅動電路中之預 定的能動元件之大小的電流，提供至對應於配置液晶或 5 EL材料之前之前述電路基板之各像素單位的驅動電路； 設成開啟狀態步驟’係將光提供至連接於前述驅動 電路之預定位置之光控制開關而將前述光控制開關設成 開啟狀態；及 測定電流步驟，係於前述光控制開關設成開啟時， ίο 測定通過前述光控制開關之電流。 15·如申請專利範圍第14項所述之檢查方法，其中前述將 電流提供至前述驅動電路的步驟、前述將光提供至前述 光控制開關的步驟、以及前述測定前述電流的步驟，設 成前述光掃描前述電路基板而對於前述驅動電路順序地 15 進行。 16·如申凊專利範圍第14項所述之檢查方法，其中前述光 僅用以對於對應一個像素單位之光控制開關照射而集 光。 17·如申請專利範圍第14項所述之檢查方法，其中前述光 20 對於對應矩陣狀之像素單位之一列或在多數列内對應多 數像素單位之4述驅動電路之前述光控制開關照射。 18·如申請專利範圍第14項所述之檢查方法，其中前述光 之照射時間設定成在單位時間内之照射，可確認前述動 能元件之驅動程度之電荷量可通過前述能動元件。 26 200419166 19· 一種液晶或EL顯示器用之動態矩陣電路基板，其特徵在 於具有： 支持構件，其係支持要配置液晶或EL材料之前之顯 示器電路基板； V 5 電源裝置，其係對於前述顯示器電路基板上之各像 素驅動電路，提供可確認該驅動電路中之預定之能動元 件之大小之電流；

   光源裝置，其係在前述顯示電路基板上，對於連 接於各像素驅動電路而構成之光控制開關提供光；及 10 測定機構，其係測定前述光提供至前述光控制開關 而呈開啟狀態時之電氣特性。 20·如申請專利範圍第19項所述之液晶或此顯示器用之動 態矩陣電路基板，其中前述光源裝置設為雷射光源。 21·如申請專利範圍第19項戶斤述之液晶或顯示器用之動 15 態矩陣電路基板，其中前述測定機構測定通過前述光控

   制開關的電流。 27