TW200408916A - Stripper composition for photoresist - Google Patents

Description

200408916 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種光阻之剝除劑組合物，明確言之係 關於-種可簡化一 TFT_LCD線路與一半導帛ic等之閘線 路製程之光阻之剝除劑組合物。 ' 【先前技術】 LCD線路與半導體IC具有非常細的結構。這些細結構 線路係藉由下列步驟加以製備：均勻地塗佈或施加一光阻 於一基板上之一絕緣層（如一金屬氧化層）或一傳導層（如一 鋁合金層）上；曝光與顯影該光阻以形成一圖案；及使用一 光罩蝕刻金屬層或絕緣層。而後，移除光阻圖案以獲致線 路。 一雙傳導層而非一單金屬層，一般至少包含由鋁或如 鋁-鉉之鋁合金材料形成之一上層（第一傳導層），與由鉻、 鉬、或其之合金材料所形成之一底層（第二傳導層），其係用 於如一 LCD之組件甲之閘線路之傳導金屬層。 近來，具有比鋁-鈥較佳反射性之銀（Ag)係常作為反射 電極。此即為，隨著用於攜帶式行動電話與pda(個人數位 助理)之中尺寸或小尺寸TFT_LCD的成[銀係被使用於反 射型LCD卩改善基板的特性。然而，銀比紹更不易加工， 且因銀具不好的化學抗性而易被腐蝕。此外，銀的釋出引 起化學槽之污染並影響接續製程’而引起層厚的縮減與cd 之知失。 4 200408916 此問線路之圖案化製程之實例係包含沉積一雙金屬層 半導體基板上，施加一光阻，曝光，顯影，蝕刻第一 傳—層，硬烘烤與去灰，光阻剝除（PR strip)，及第二傳導 層之餘刻。然而’因為光阻剝除於硬烘烤與去灰後實施， 此製程耗費相當多的時間。 用於移除光阻圖案之剝除劑應在高溫與低溫均具有良 好的剝除能力。剝除劑也應不遺留雜質於基板上或不腐蝕 如紹或銀之金屬層。此外，剝除劑係較佳符合環保需求並 對人類不造成傷害。 為了滿足這些需求，數種光阻之剝除劑組合物已被建 立與使用。用於一般生產線之光阻之剝除劑組合物係含有 單異丙醇胺（monoisopropanolamine;MIPA)、N-曱基四氫说 咯烷酮（N-methylpyrrolidone;NMP)、及卡必醇（carbitol)。雖 然此組合物不遺留反應性雜質，但其無法簡化閘製程。對 於銀層，過量腐蝕也造成其無法使用此組合物。 用於一般大量生產線之光阻之剝除劑組合物係含有單 乙醇胺（monoethanolamine;MEA)、N-甲基四氫。此口各烧酮（N-methylpyrrolidone;NMP)、丁四醇（butyldiglycol;BDG)、及 二曱基亞諷（dimethylsulfoxide;DMSO)。然而，此組合物係 遺留反應性雜質且無法簡化閘製程。此外，無法移除含於 剝除劑之DMS0。 用於另一方法之光阻之剝除劑組合物係含有單異丙醇 胺（MIPA)、N-甲基四氫吼p各烧酮（NMP)、卡必醇、颯 (sulfones)、及乙二醇（δ1)^013)。雖然此組合物不遺留反應 200408916 性雜質，自無法簡化閘製程。其價格昂貴且無法於生產線 之一 20公升容器中製備β 此外有光阻之剝除劑組合物係含有一有 有機溶劑如 DMF、及—田^ 久一界面活性劑之數種成分。然而，雖 然此組合物具有良好&各丨认& ^ 野的剝除能力，但無法實現製程之簡化。 【内容】 本發明係考慮先前技術之問題而完成，本發明之-目 的係k供光阻之n效能剝除劑組合物，該組合物藉由降 低大於50%之剝除時間以具有簡化tft_lcd或半導體ic 之雙傳導層之閑製程之能力，以改善產率與降低成本。 本發明另一目的係經閘製程簡化以有效地改善產率且 不腐蝕如銀之金屬層之一製備半導體裝置的製程。 本發明另一目的係提供藉由上述之方法製備之一半導 體裝置。 為了實現這些目的，本發明係提供光阻之剝除劑組合 物，其係包含20至60重量百分比之單乙醇胺、15至5〇重 量百刀比之N，N 一曱基乙醯胺（N，N-dimethylacetamide)、1 5 至5〇重量百分比之卡必醇、及oj至1〇重量百分比之沒食 子酸（gallic acid)。 此外，本發明係提供一製備半導體裝置之製程，其係 包含使用含有20至60重量百分比之單乙醇胺、15至5〇重 量百分比之N，N-二甲基乙醯胺、15至5〇重量百分比之卡 必醇、及0.1至10重量百分比之沒食子酸之一種$剝除劑組 200408916 合物之光阻剝除步驟。 此外，本發明係提供光阻之剝除劑組合物，其係包含 20至60重量百分比之單乙醇胺、15至50重量百分比之N，N-二曱基乙醯胺、及15至50重量百分比之卡必醇。

此外，本發明係提供一製備半導體裝置的製程，其係 包含使用含有20至60重量百分比之單乙醇胺、15至50重 量百分比之N，N-二甲基乙醯胺、及15至50重量百分比之 卡必醇之一種剝除劑組合物之光阻剝除步驟。 此外，本發明係提供藉由上述之方法製備之一半導體 裝置。 【實施方式】 本發明現將更詳細地加以闡述。 為了解決傳統光阻之剝除劑組合物之問題，本發明人 明確指明使用有機胺與有機溶劑及調節它們的含量以改善 剝除能力。所產生之光阻之剝除劑組合物係可縮減於閘製 程中之剝除時間並簡化TFT-LCD之閘製程線等。 φ 本發明用於光阻之剝除劑組合物係包含20至60重量 百分比之單乙醇胺（monoethanolamine;MEA)、15至50重量 百分比之 N，N-二甲基乙醯胺（N，N-dimethylacetamide)、15 至50重量百分比之卡必醇（carbitol)、及0.1至10重量百分 比之沒食子酸（gallic acid)。 單乙醇胺於閘製程中剝除光阻而不遺留雜質顆粒。單 乙醇胺較佳之含量係為總剝除劑組合物之20至60重量百 200408916 刀比’更佳之含量係為35至45重量百分比。若含量低於2〇 重1百分比’剝除能力會不足且留下光阻顆粒，但若含量 超過60重量百分比，對光阻之吸收會降低。 N，N_二甲基乙醯胺（DMAc)係為一強溶劑，而其較佳之 含量係為總剝除劑組合物之15至5 〇重量百分比，更佳之 含量係為25至35重量百分比。若含量低於15重量百分比， 會產生低的光阻溶解度，而若含量超過5〇重量百分比，剝 除能力會不足。 本發明用於光阻之剝除劑組合物係含有卡必醇，其係 為二乙二醇單乙醚（diethylene glycol monoethyl ether)。其 作為溶解光阻之溶劑，並進一步改善剝除能力。卡必醇之 含量較佳為15至50重量百分比，更佳之含量係為25至35 重量百分比。若含量低於15重量百分比，剝除劑組合物無 法被吸收於光阻壁中，而若含量超過50重量百分比，剝除 能力會不足。 本發明用於光阻之剝除劑組合物係也含有沒食子酸。 沒食子酸係防止於閘製程間作為反射層之銀（Ag)的釋出，藉 此防土銀的腐飿。沒食子酸較佳之含量係為總剝除劑組合 物之〇.1至ίο重量百分比，更佳之含量係為15至3 5重 量百分比。若含量低於〇·1重量百分比，銀的腐蝕問題會上 升，但若含量超過1 0重量百分比，剝除能力會不足。 本發明之一較佳實施例中，剝除劑組合物係包含35至 45重量百分比之單乙醇胺、25至35重量百分比之ν，ν•二 曱基乙酿妝、25至35重量百分比之卡必醇、及ι·5至2·5 200408916 重量百分比之沒食子酸。剝除劑組合物更佳係包含4〇重量 百分比之單乙醇胺、30重量百分比之N，N-二甲基乙醯胺、 3 〇重量百分比之卡必醇、及2重量百分比之沒食子酸。 本發明用於光阻之剝除劑組合物係也包含20至6〇重 1百分比之單乙醇胺、15至50重量百分比之N，N•二甲基 乙酿胺、及15至50重量百分比之卡必醇。 單乙醇胺（ME A)於閘製程中剝除光阻而不遺留雜質顆 粒。單乙醇胺較佳之含量係為總剝除劑組合物之2〇至6〇 重量百分比，更佳之含量係為35至45重量百分比。若含 量低於20重量百分比，剝除能力會不足且留下光阻顆粒， 但若含量超過60重量百分比，對光阻之吸收會降低。 N，N-二甲基乙醯胺（DMAc)係為一強溶劑。其較佳之含 量係為總剝除劑組合物之15至5〇重量百分比，更佳之含 篁係為25至35重量百分比。若含量低於15重量百分比， 會產生低的光阻溶解度，而若含量超過5〇重量百分比，剝 除能力會不足。 本發明用於光阻之剝除劑組合物係含有卡必醇於有機 溶劑中’其係為二乙二醇單乙醚。卡必醇係作為溶解光阻 之溶劑’並進一步改善組合物之剝除能力。卡必醇之含量 較佳為15至50重量百分比，更佳為25至35重量百分比。 若含量低於1 5重量百分比，剝除劑組合物無法被吸收於光 阻壁中，而若含量超過5〇重量百分比，剝除能力會不足。 一半導體裝置，較佳為一 TFT-LCD，係可使用本發明 之剝除劑組合物藉由移除光阻圖案而加以製備。 200408916 為了此目的，本發明藉由旋轉塗佈一常見光阻組合物 以形成一薄光阻膜於一半導體（玻璃）基板上，其中一傳導性 金屬層已形成於該基板上。對於具有一傳導金屬層之一玻 璃基板’其係可使用一具有一雙傳導層之常見基板、一具 有一 ITO層之基板、與一具有一銀反射層之基板，其中具 有一雙傳導層之常見基板係包含由鋁或如銘_鉉之鋁合金材 料形成之第一傳導層（上層），與由鉻、鉬、或其之合金材料 所形成之第二傳導層（底層）。在這些中間，基板係較佳具 有一銀反射層，但本發明並不侷限於此類基板。 而後，於半導體基板上之光阻薄膜係暴露於常規曝光 條件舉例而s，可使用之光源諸如ArF與KrF雷射、電 子束（E-beam)、X-ray、Euv、及 Duv。 曝光後之光阻4膜而後係使用一鹼性溶液加以顯影 而光阻圖案係使用本發明之剝除劑組合物並藉由一常見 法諸如沉浸或錢加以移除以製備—半導體裝置。而後 半導體裝置係以一有機溶齋丨士切 奋劑如超純水、丙酮或乙醇清洗 去除雜質並乾燥。關於驗神、为、六 槪〖生洛液，可使用之常見鹼性溶 諸如無機驗（如氫氧化鈉）或金> 奶季銨溶液（如氫氧四甲銨）。但 侷限於此類溶液。 ·〜、风货一艮好之圖案形成 曝光之前或之後甚至不需硬棋烤與去灰製程。 "t上所述’本發明用於光阻之剝除劑組合物係使 當含篁之特定有機胺類與特金 将又有機溶液。其具有良好 能力、無雜質遺留、且經由始# & 田縮減剝除時間與簡化製程

10 200408916 硬烤與去灰製程）提供一具經濟效益之優點。此外，本發明 之剝除劑組合物係可實施於各式DVC(數位錄影機），諸如 Falcon、反射/半反半射型技術、pvA、TV等。 之後將經由實例與相較之實例加以詳細描述。然而， 下述實例僅用於瞭解本發明但並不侷限本發明。 實例 [實例1與相較實例1 ] 用於一實例1與相較實例1之光阻之剝除劑組合物係 藉由表1所示之組合物與含量製備。 [實驗實例丨] 實例1與相較實例1之剝除剩組合物係實施於一般使 用之TFT閘製程。具13〇〇埃厚度之薄膜光阻係藉由旋轉塗 怖於具有銀沉積之兩玻璃基板上而形成，而薄膜係藉由曝 光並钱刻銀顯影以獲得一特定圖案。加熱至60。(：之玻璃基 板而後藉由分別噴灑實例1與相較實例1之剝除劑組合物 於其上而剝除’並以超純水加以清洗。剝除劑之比例示於 表1 〇 、 [表1] 含量 (重量百分比 類 ------— 實例1 相較實例1 MIPA1 細 10 _ MEA2 40 • _ NMP3 _ 55 __DMAc4 30 類 —--- 實例1 相較實例1 200408916 卡必醇 30 35 沒食子酸 2 - 浸泡1/2 = 浸泡1 / 2 = 剝除時間（秒） 120,7120" 240ff/240ff (註解） 1. MIPA :單異丙醇胺（monoisopropanolamine) 2. MEA :單乙醇胺（monoethanolamine)

3. NMP : N-甲基四氫说洛烧酮（N-methylpyrrolidone) 4. DMAc ·· N，N-二甲基乙醢胺（N，N-dimethylacetamide) 如表1所示，本發明（實例1)之剝除時間（120"/120")係 為相較實例1之一半。 [相較實例2與3] 現在用於大量生產蟓之剝除劑組合物係藉由表2所示 之組合物與含量加以製備。

[實驗實例2] 實例1與相較實例1至3之剝除劑組合物係實施於以 銀作為反射層之一 TFT閘製程。銀之釋出量（於7〇°C、沉浸 形式，單位=ppb)係藉由ICP分析隨時間之變化，而其結果 示於表2中。可被處理之光阻沉積玻璃基板數目係也示於 表2 〇 [表2] 12 200408916 分類 實例1 相較實 例1 相較實 例2 相較實 例3 含量 (重量百分比） MIPA1 - 10 - 10 MEA2 40 - 20 - NMP3 - 55 40 50 DMAc4 30 • - - 卡必醇 30 35 - 13 BDG5 - - 20 - DMSO6 - - 20 - 1，1 -二氧化 四氫雇吩 - - 圃 20 TEG7 - _ - 7 沒食子酸 (重量百分比） 2 - - - 銀釋出量 (PPb) 1 0分鐘 61 3872 225 177 30分鐘 155 8793 876 352 24小時 174 100% 釋出 12983 1451 可處理基板 數目 1500 500 100 0 (註解） 13 1 MIPA :單異丙醇胺（monoisopropanolamine) 2 MEA :單乙醇胺（monoethanolamine) 3 NMP : N-甲基四氫 0此 0各烧嗣（N-methylpyrrolidone) 200408916 4. DMAc : N，N-二曱基乙醯胺（N，N-dimethylacetamide) 5. BDG ·_ 丁四醇（butyldiglycol) 6. DMS0 :二甲基亞颯（dimethylsulfoxide) 7. TEG :三甘醇（triethylene glycol) 如表2所示，銀的釋出量隨時間增加。於相較實例1 中，銀於24小時後100%釋出，而相較實例2與3係也釋 出過量的含量。此外，相較實例中之可處理之玻璃基板數 目係僅0至500。 相反地，於實例1中，使用沒食子酸係抑制銀的釋出。 因此，相較於相較實例1至3，實例1之剝除組合物係具有 較佳的銀抗腐蝕性。此外，可處理之玻璃基板數目也遠大 於相較實例1至3之數目。 [實驗實例3 ] 具20,000埃厚度之薄膜光阻係藉由旋轉塗佈於具有銀 沉積之一玻璃基板上而形成，而薄膜係藉由曝光並蝕刻銀 顯影以獲得一特定圖案。加熱至60。C之玻璃基板而後藉由 喷灑實例1之剝除劑組合物於其上而剝除，而玻璃基板係 以超純水加以清洗並以電子顯微鏡觀察。第1 a圖至第1 e圖 係為玻璃基板之左上、左下、中間、右上與右下部分之電 子顯破鏡照片（x300) ’其中玻璃基板上於實例1中製備之剝 除劑組合物係實施於純銀反射層。 第la圖至第ie圖係顯示無雜質顆粒存在且剝除步驟 已成功地完成。偏壓值分別為5.87μιη、5.89μηι、5.91μιη 、 14 200408916 5·83μηι、及5·87μπι，而於此區域間無顯著的差異產生。 [實驗實例4] 實例1與相較實例3之剝除劑組合物係於〇、i、3、6 及24小時等時間間隔加以蒸發，並施以剝除測試。測量隨 時間變化之偏壓，而其結果示於表3。 [表3] ----- 、 _分類 起始 1小時 3小時 6小時 24小時 實例1 5.83 5.84 5.88 5.86 5.89 實例3 5.89 5.81 5.86 5.93 7.29 __ (單位：μιη) 如表3所示，本發明（實例1)之剝除劑組合物係比相較 實例3具有更佳之時間穩定性。 [實驗實例5] 實例1之剝除劑組合物係用於真正的TFT-LCD製作程 序中，由起使步驟至TFT完成，以獲致一 15.0吋PVA與一 3·5吋反射型 DVC(數位錄影機）。實施EDS(electric die sorting電子晶粒排序）測試於產品上，而其結果示於第2圖 與第3圖。如第2圖與第3圖所示，使用實例1之剝除劑 組合物製備之15.0吋PVA DVC與一 3.5吋反射型DVC係 具有良好的電流-電麈（J-V)特性。 [實例2與相較實例4] 對於使用實例1之剝除劑組合物製備之一銀反射層基 板係測量其反射性三次（實例2)。而對於使用傳統剝除劑組 合物（相較實例4)製備之銀·敍反射層係測量其反射性二次。 200408916 (LCD 5 000 ; BaS04表面反射性=100%)。結果示於表4 [表4] 分類 實例2 樣本編號 #1 #2 #3 反射性（％) 246 234 240

如表4所示，本發明（實例1)之剝除劑組合物所製備之 基板比傳統銀-鈦基板係具有較佳反射性（234至246%)

[實例3與相較實例5] 實例3與相較實例5之光阻之剝除劑組合物係藉由表5 所示之組合物與含量加以製備。 [實驗實例6] 實例3與相較實例5之剝除劑組合物係實施於一般使 用之TFT閘製程。具1300埃厚度之薄膜光阻係藉由旋轉塗 佈於具有銀沉積之一玻璃基板上而形成，而薄膜係藉由曝 光並餘刻銀顯影以獲桴一特定圖案。加熱至60°C之玻璃基 板而後藉由分別喷灑實例3與相較實例5之剝除劑組合物 於其上而剝除，並以超純水加以清洗。剝除劑之比例示於 表5。 [表5] ---~分類 實例3 相較實例5 含量 MIPA1 . 10 (重1百分比） 16 200408916 MEA2 40 NMP3 • 55 DMAc4 30 - 卡必醇 30 35 沒食子酸 2 自 剝除時間（秒） ^--- 浸泡1/2 = 120V120" 浸泡1/2 = 240V240"

(註解） 1. MIPA :單異丙醇胺（monoisopropanolamine) 2. MEA :單乙醇胺（monoethanolamine) 3. NMP : N-甲基四氫说嘻烧酮（N-methylpyrrolidone) 4. DMAc ·· N，N-二甲基乙酿胺（N，N-dimethylacetamide) 如表5所示，用於實例3之基板之剝除時間（120"/120") 係為相較實例5之一半。 [相較實例6與7] 現在用於大量生產線之剝除劑組合物係藉由表6所示 之組合物與含量加以製備。 [實驗實例7] 實例3與相較實例5至7之剝除劑組合物係實施於以 銀作為反射層之一 TFT閘製程。銀之釋出量（於70°C、沉浸 形式，單位==ppb)係藉由ICP分析隨時間之變化，而其結果 示於表6中。可被處理之光阻沉積玻璃基板數目係也示於

17 200408916 表6 〇 [表6] 分類 實例3 相較實 例5 相較實 例6 相較實 例7 含量 MIPA1 - 10 - 10 (重量百分比） MEA2 40 - 20 - NMP3 - 55 40 50 DMAc4 30 - - 卡必醇 30 35 - 13 BDG5 - - 20 - DMSO6 - - 20 1，1·二氧化 四氫遠吩 - - 20 TEG7 - - - 7 銀釋出量 1 0分鐘 61 3872 225 177 (ppb) 30分鐘 155 8793 876 352 24小時 174 100% 12983 1451 可處理基板 數目 1500 500 100 0 (註解） 1. MIPA ··單異丙醇胺（monoisopropanolamine) 2. MEA :單乙醇胺（monoethanolamine) 3. NMP : N-甲基四氫0此洛烧酮（N-methylpyrrolidone) 4. DMAc : N，N-二甲基乙醯胺（N，N-dimethylacetamide) 18 200408916 5. BDG: 丁四醇（butyldiglycol) 6. DMSO:二甲基亞颯（dimethylsulfoxide) 7. TEG:三甘醇（triethylene glycol) 中 出 目 如表6所示，銀的釋出量隨時間增加。於相較實例 5 ，銀於24小時後100%釋出，而相較實例6與7係也釋 過量的含量。此外，相較實例中之可處理之玻璃基板數 係僅0至500。

[實驗實例8] 沉顯 噴 以 之值 而 具20,000埃厚度之薄膜光阻係藉由旋轉塗佈於具有銀 積之一玻璃基板上而形成，而薄臈係藉由曝光並蝕刻銀 影以獲得一特定圖案。加熱至6〇〇c之玻璃基板而後藉由 灑實例3之剝除劑組合物於其上而剝除，而玻璃基板係 超純水加以清洗並以電子顯微鏡觀察相同於實驗實例 區域無雜質顆粒存在且剝除步驟已成功地完成。偏 分別為5·87μηι、5 89_、5 9ΐμπχ、5⑴㈣及5心叫 於此區域間無顯著的差異產生。

[實驗實例9 ] 24 間 耳例與相較會 貫例7之剝除劑組合物係^ 小時等時問pq ⑦間間搞加以蒸發，並施以剝除 變化之偏壓，而甘_ 其、、Ό果不於表7。 [表7] 1、3、6 及 。測量隨時 19 200408916 (單位：μπι) __分類 起始 1小時 3小時 6小時 24小時 _實例3 5.83 5.84 5.88 5.86 5.89 相較實例7 5.89 5.81 5.86 5.93 7.29 如表7所示，實例3之剝除劑組合物係比相較實例7 具有更佳之時間穩定性。 [實驗實例10]

實例3之剝除劑組合物係用於真正的TFT-LCD製作程 序中，由起使步驟至TFT完成，以獲致一 15.0吋PVA與一 3.5叫·反射型 DVC(數位錄影機）。實施E〇S(electric die sorting電子晶粒排序）測試於產品上，而其結果顯示1 5.0吋 PVA DVC與一 3.5吋反射型DVC係具有良好的電流-電壓 (I-V)特性。 [實例4與相較實例8]

對於使用實例3之剝除劑組合物製備之一銀反射層基 板係測量其反射性三次（實例4)。而對於使用傳統剝除劑組 合物（相較實例8)製備之銀-斂反射層係測量其反射性二次。 (LCD 5000; BaS04表面反射性=100 %)。結果示於表8。 [表8] 分類 實例4 相較實例8 樣本編號 #1 #2 #3 #1 #2 反射性（％) 246 234 240 195 159 如表8所示，本發明（實例4)之剝除劑組合物所製備之 基板比傳統銀-鈦基板具有較佳反射性（234至246%)。 20 tft-lcd製作程序時，合物當實施於 良好剝除能力而無遺留 除時間。其係也因 省欢而質顆粒，且因硬烤與去灰製裎的 ’略而可化閘製程線 、去火製程的 以銀_作為反·本。此外，當其實施於 層之剝除能力與抗腐餘性層之一製程時，其係提供純銀 【圖式簡單說明】 第1 a圖顯示本發 璃基板之左 片（x3〇〇)。 明用於光阻之剝除劑組合物，其施於一上"卩份之一純銀反射層之電子顯微鏡 破照

顯示本發明用於光阻之剝除劑 ----'-列「尔粑組甘物，兵施於一 板之左下部份之一純銀反射層之電子顯微鎖 片（x3〇〇)。 肩不本發明用於光阻之剝除劑組合物，其施於一 土板之中間部份之一純銀反射層之電子顯微鎖 片（x3〇〇)。

第Id圖龜-丄心 ·’、、不本發明用於光阻之剝除劑組合物，其施於一玻 土反之右上部份之一純銀反射層之電子顯微鏡照 片（x3〇〇)。 第1e圖顯示本發明用於光阻之剝除劑組合物，其施於一玻 填基板之右下部份之一純銀反射層之電子顯微鏡照 片（x3〇〇)。 ”、、貝示使用本發明用於光阻之剝除劑組合物之一 1 5 . 〇 " 21 200408916 PVA DVC(數位錄影機）之EDS(I-V)特性。 第3圖顯示使用本發明用於光阻之剝除劑組合物之一 3.5" 反射型DVC(數位錄影機）之EDS(I-V)特性。

22

Claims (1)

1. 200408916 拾、申請專利範圍 1. 一種光阻之剝除劑組合物，該組合物至少包含： (a) 20 至 60 重量百分比之單乙醇胺 (monoethanolamine)； (b) 15至50重量百分比之N，N-二甲基乙醯胺 (Ν,Ν-dimethylacetamide)； (c) 1 5至50重量百分比之卡必醇（carbitol);及 (d) 0·1 至 10重量百分比之沒食子酸（gallic acid) 〇 2. 如申請專利範圍第1項所述之光阻之剝除劑組合物，該組 合物至少包含： (a) 35至45重量百分比之單乙醇胺； (b) 25至35重量百分比之N，N-二甲基乙醯胺； (c) 25至35重量百分比之卡必醇；及 (d) 1.5至2·5重量百分比之沒食子酸。 3. —種製備一半導體裝置之方法，該方法至少包含使用一剝 除劑組合物之一光阻剝除步驟，該剝除劑組合物至少包含20 至60重量百分比之單乙醇胺、15至50重量百分比之Ν，Ν-二甲基乙醯胺、15至50重量百分比之卡必醇、及0.1至10 重量百分比之沒食子酸。 23 200408916 4·如申請專利範圍第3項所述製備一半導體裝置之方法， 其中上述之半導體裝置係含有一銀反射層。 5 ·如申請專利範圍第3項所述製備一半導體裝置之方法，其 中該方法至少包含使用ArF、KrF、DUV、電子束（E-beam) 或X-ray之一曝光步驟。

   6 · —種光阻之剝除劑組合物，該組合物至少包含： (a) 20至60重量百分比之單乙醇胺； (b) 15至50重量百分比之N，N-二曱基乙醯胺； 及 (c) 1 5至50重量百分比之卡必醇（carbitol)。 7·如申請專利範圍第6項所述之光阻之剝除劑組合物，該組 合物至少包含： (a) 35至45重量百分比之單乙醇胺；

   (b) 25至35重量百分比之N，N-二甲基乙醯胺； 及 (c) 25至35重量百分比之卡必醇。 8· —種製備一半導體裝置之方法’該方法至少包含使用一剝 除劑組合物之一光阻剝除步驟，該剝除劑組合物至少包含2〇 至60重量百分比之單乙醇胺、15至5〇重量百分比之N，N-二曱基乙醯胺、及i 5至5〇重量百分比之卡必醇。 24 200408916 9. 如申請專利範圍第8項所述製備一半導體裝置之方法，其 中上述之半導體裝置係含有一銀反射層。 10. 如申請專利範圍第8項所述製備一半導體裝置之方法， 其中該方法至少包含使用ArF、KrF、DUV、電子束或X-ray 之一曝光步驟。 11. 一種半導體裝置，其係藉由如申請專利範圍第3項或第 8項所述之方法製備而成。 25