TW200405838A - Method and system for removing thin metal film - Google Patents

Description

200405838 玖、發明說明： [發明所屬之技術領域] 本發明係關於一種例如由蒸鍍或電鍍所形成之金屬薄 膜在不滿足品質管理基準的情況下，自基板將該金屬薄膜 加以除去之方法以及用以實施該方法之裝置。 [先前技術] 在光學性能（穿透率等）、機械性能（平坦度等）優異之高 功能玻璃基板係用於例如平面面板顯示器。但是，由於價 格φ貝，當其表面所形成之金屬薄膜不滿足品質管理基準 的情況下，乃希望將該金屬薄膜除去而再利用。 此金屬薄膜之除去方法有藉由化學_來除去之方法 。此方法係如帛18圖所示般，將表面形成有欲除去之金 屬薄膜的基板2浸潰於可將金屬薄膜以化學反應來溶解之 化予液1中，藉此除去金屬薄膜（可參見例如曰本特開平 6-321581號公報、日本特開平9_86968號公報）。 仁疋以化予蝕刻來除去之方法，由於使用強酸或強 鹼之化學液，所以有以下問題： 1) 由於使用上必須特別注意，作業性乃變差。 2) 必須對裝置賦予耐蝕性，成分會增加。 3) 化學液基本上係用完即丟棄，會產生大量廢液。 4) 使用後，化學液之廢液處理困難。 本發明係馨於上述以往之問題所做的？文良，丨目的在 於提供-種無須使用強酸或強驗之化學液且無須進行精密 之位置控制即可以原則上非接觸方式將金屬薄膜高效率除 200405838 去之方法以及用以實施此方法之裝置。 [發明内容] 本發明之第1金屬薄膜之除去方法，係使用由金屬平 板電極(呈傾斜狀配置，用以引導電解液之流下）、輔助電 極(位於金屬平板電極21之上游側或下游側，以一部分會 浸潰於電解液中所配置者)以及直流電壓電源(對前述兩； 極施加電壓）所構成之本發明之第u屬薄膜之除去裝置， 在金屬平板電極與輔助電極被施加直流電壓的狀態下，使 得自該金屬平板電極上流下之電解液與絕緣物表面之金屬 薄膜衝撞，來將金屬薄膜除去。 依據第1本發明，無須使用強酸或強鹼之化學液且無 須進行噴嘴電極對絕緣物表面之金屬薄膜之精密位置控： ，即能以非接觸方式將金屬薄膜高效率除去而不會損及絕 緣物。 2 ’本發明之第2金屬薄膜之除去方法，係使用本發 月之第2至屬薄膜之除去裝置（為前述本發明之第1金屬薄 膜之除去裝置中，以橫跨金屬平板電極與輔助電極間的方 弋j此兩電極之下方配置底面電極，此底面電極亦被直流 電壓電源施加與輔助電極呈同極之直流電壓），在前述本發 月之第1金屬薄膜之除去方法中，在絕、緣物之背面侧所配 置之底面電極亦被施加直流電壓的狀態下，使得自該金屬 平板電極上流下之電解液與絕緣物表面之金屬薄膜衝撞， 來將金屬薄膜除去。 藉此’可更加助長第1本發明之作用效果。 & &述第1或 得浸漬於電艇^ Λ 心月中，若設置一移動機構，使 者相對於另—彳 < 絕緣物以及金屬平板電極中之至少一 移動的同以ί做移動，在絕緣物與金屬平板電極做相對 。 ^去除金屬薄膜，則可除去廣範圍的金屬薄膜 入 夏或第’本發明之帛3金屬薄膜之除去方法，係於前述第 机有 《明中，使用在金屬平板電極之絕緣物進入側 人侵構件之本發明之帛3金屬薄膜之除去 來抑料期之電解液對絕緣物端部側之入侵。 藉此，可防止麻點狀之金屬薄臈的發生。 广本發明之第4金屬薄媒之除去方法，係於前述第 第3本叙明中，使用將金屬平板電極做成旋轉自如的電 極’並在此電極之金屬薄膜接觸料置研磨基材、或是且 備可對電極之金屬薄膜接觸部供給研磨基材之供給機構之 本發明之第4金屬薄膜之除去裝置，以位於此電極之金屬 薄膜接觸部之研磨基材來擦過金屬薄膜之表面。 此第4本發明，可將電解熔解析出所殘留之薄膜完全 去除。 [實施方式] 為了更詳細地說明本發明，乃參照所附圖式做說明。 首先，本發明之第1金屬薄膜之除去裝置之一例係示 於第1圖〜第3圖。 於第1圖〜第3圖中，21係與後述之絕緣物24具有大 致相同寬度、在電解液26之上方以傾斜狀直立設置之金 200405838 屬平板電極，22係一下端部浸潰於電 ，7么士、六+广 解〆夜26之輔助電極 23係直流電麼電源，24健潰於加 例如人酿丄 子曰25内之電解液（ 例如食鹽水）26中之絕緣物，其表面 ts m 0/| 成有待除去之金屬 4膜24a。又，M係表示電解熔解析出部，V係表干閥 第^圖所示之例係藉由果28將電解液槽^内不之電解 金屬平板電極Μ，輔助電極22係-圓柱狀之物 讯置勿24之表面之金屬薄膜24a呈非接觸狀態做直立 又：第2圖與第3圖所示之例’辅助電極Μ係形成為 …疋轉自如之輥狀而與金屬平板電極2"敁平行配置 觸使得此辅助電極22與絕緣物24表面之金屬薄膜％接 電解2如第3圖所示般’加卫後之電解液26係回收於 4 27,所回收之電解液以過遽器％㈣後送往金 屬平板電m，藉此，電解液26可循環使用。又，親狀 ，輔助電極22亦能以與絕緣物24表面之金屬薄膜…呈 非接觸狀態來固定配置。 上述第1本發明係基於以下原理來除去金屬薄膜2“ Ο ①使電解液26自金屬平板電極21朝金屬薄膜24a流 動，形成電性連續流26a。 \ ^孟屬平板電極2 1，則會形成由直流電壓電源23 %金屬平板電極21〜連續流26a一金屬薄膜2乜一電解液 輔助電極22~直流電壓電源23所構成之封閉電路。 旦形成前述電路，則電壓與電流會成為第4圖所 10 200405838 ::曲線。一旦超過此第4圖中之A電壓，則金屬平板電 極21以及金屬薄膜2钩 扳電 — 衣面開始產生虱、氧離子以及微 仲， 旦超過B電壓’則電流開始急速地上升， + 1W於此氣泡之產生量也會急速地增加。 二，:旦超過c„’則電壓與電流大致成 _係，下述①式所示之庫倫定律大致成立，可見 溥膜之熔解析出，金屬镇 ^ ^ x 、屬 金屬溥膜24a之除去加工乃得以進行。 I緣物24當然不會發生電解炼解析出。又，〇電 係金屬熔解析出之最小電壓值，#即分解電壓，由電極* 料（表面活性度）、電解液濃度 w==?7l· ^2-k-I-t 77 1 :熔解析出效率（％) β 2 :電流效率（％) k :電化學當量（mg/c) I :電解電流（A) t :電解時間（sec) 上述第1本發明（第2

線路電阻等所決定 • · · Φ 圖所示之例除外）由於為非 觸之加工法’所以不會對絕緣物造成損傷。再者，電極 金屬薄膜間無須高精度之位置控制。又，非化學除去而 利用電解炫解析出之加卫，只要為可流通電流之電解液 可’乃可使用NaN03、NaC1等之中性鹽電解液，所以作 性優異、電解液之廢液處理亦可輕易進行。又，第2 3 所示之第1本發明之接觸也僅是輥狀之辅助電極22，基上與前述相同。

11 另—方面，前述第】 動來除去金屬薄膜 " ，例如隨著絕緣物24移 所示般，金=a而成為最終端的情況，如第5圖⑷ 、屬4膜24a與辅助電極22間之μ奋〜 =:r:r—=: 會殘留於下游側(第5圈=::)’。最终金讓叫 是以’於第1本發明中，σ 结 緣物24之下游側（第 /、 α第6圖所示般，在絕 24之ST厚度之導電體^ 31，則即使絕緣物 之最、、S舳通過輔助電極22， 23-^ M 糟由形成由直流電壓電源 :屬千板電極21—連續流26a—金 ==液^辅助電極22-直流電壓電源心 成之封閉電路，可防+雪、、ώ 4、办 傅 會殘留於下游側端d ’金屬薄膜⑷不 予惻鳊一。又，為了形成上述 體板31在電極移動方向之 電 辅助電極22間之間隔3為長。金屬平板電極21與 ^又，即使是取代第6圖所示之在絕緣物24之下游側端 =置與絕緣物24呈大致相同厚度之導電體板η，改為 弟八7圖⑷所示般將電㈣解析出所使用之電極以陰極（例 置 =平二電極广陽極(例如辅助電極22)交互複數配 $疋。弟7圖（b)所示般以圓筒32之内側為卜極 、外側為陽極者複數個配置之物，亦可達成與設置導； 板3 1同樣的作用效果。 — 又’第7 所示者係陰極與陽極以絕緣體&做連 12 200405838 結之物。 其次，本發明之第2金屬薄膜之除去裝置之—例示於 第8圖。於第8圖中’ 29係橫跨金屬平板電極21盘輔助 電極22間之在該等電極21，22下方配置之底面電極，其他 構成係與第3圖所示之例相同。

^另-方面，在該等第1、第2本發明中，由於陽極部 分正下之金屬薄膜24a熔解析出，隨著熔解析出的進行， 陽極與薄膜之距離會遠離，電流會逐漸消失而不復進行熔 解析出，所以當絕緣物24表面寬廣的情況下，無法將表 面所形成之金屬薄膜24a整體加以除去。 是以，在第1、第2本發明中，設置使得浸潰於電 液中之絕緣物24或是金屬平板電極21中至少一者相對j 另一者做移動之移動機構，一邊令絕緣物24與金屬平 電極21做相對移動一邊除去金屬薄膜2乜，則可除去廣 圍的金屬薄膜24a。此時，在第i與第2本發明中，若

金屬平板電極21之寬度為w(cm)、以相對移動速度 v(cm/min)、以電流為I(A)，則以具有 又 0.1^ I/(W X v) ^ 0.03 關係之範圍的相對移動速度來移動為佳。 使得此金屬平板電極21相對於另—者移動之際，在第 1與第2本發明巾’例如使得被施加正電壓之輔助電極22 位於被施加負電壓之金屬平板電極21之上游側、亦即以 輔助電極22較金屬平板電極21先通過絕緣物2 金屬薄臈24a的方式來配置為佳。 13 200405838 其理由在於，電解熔解析出係被施加正電 :出:見炫解析出’所以金屬薄膜24a之炼解析出係自接二 電壓之處、例如在第1圖〜第3圖、第5圖以及 圖、弟8圖所示之例子中自位於金屬平板電極2 方之金屬薄膜24a處熔解析出之故。亦即，若往 動二金屬薄膜24…解析出部分會通過電極間，= 法形成前面所提到之封閉電路，而無法進行連於 …

二二敷為了防止陽極之溶解析出’對陽極電二以/I 顧之鍍敷乃為所希望者。 A 於前述第1、第2本發明中，當金屬平板電極2ι 於絕緣物24移動之際，若輔助電極22被固定，則電 距離會隨著金屬平板電極21的移動而改變，電壓—電： 會發生變化，無法進行金屬薄膜24a之均一的除去。机 在這種情況下，將輔助電極22如第2圖二3。 般與金屬平板電極21平行配置，使得兩者同時移動即； 解決此問題。 了秒動即可 又’在第1、第2本發明中，若金屬薄膜24a之 免理進订中電解液26漏浅而被覆於絕緣物24上，則解 物24之端部在通過金屬平板電極2ι或輔助電極2 = 便=始發生電解熔解析出。此乃由於雖通常電極間之電： 電流集中強度）最強’㈣析出僅在電極間發生，惟浸、主二 電解液26之絕緣物24的端部處會產生電場集中^ 電極間同等電場強度之故。 攻為與 再者，在絕緣物24之端部的電場不均一，金屬 14 200405838 24a之除去也會不均一，於是金屬薄膜24a在絕緣物24之 端部會如第9圖所示般以麻點狀殘留。又，第9圖中之 24b係顯示呈麻點狀殘留之金屬薄膜。 即使此穠殘留麻點狀金屬薄膜24b之部分通過金屬平 板電極21，金屬薄膜也會因麻點狀部分無法做連續性熔解 析出’而無法形成前面所提到之封閉電路，金屬薄膜24b 將無法除去而殘留。 是以，在第1或第2本發明中，在金屬平板電極21之 絕緣物24進入側設置抑制電解液26入侵構件，例如使得 具有與絕緣物24寬度大致相同寬度的第1〇圖所示之橡膠 製壁34a以儘量接近絕緣物24表面的方式來設置，或是將 具有與絕緣物24寬度大致相同寬度的第11圖所示之橡膠 製輥34b以彈簧35壓貼於絕緣物24之表面來設置，則可 抑制電解液26早期人侵於絕緣物24之端部側，可防止麻 點狀金屬薄膜24b之發生。此乃第3本發明。 ，由於電流經由電解液 之電流會造成金屬薄膜 又，在前述第1〜第3本發明中 26流動’所以在電解液26中流動 24a之熔解析出的惡化。 卞奴，，， 八文你地琢物 24表 =之金屬曰平板電極21與輔助電極22之間如第12圖所 ，以“接近絕緣物24表面的方式設置諸如具有與絕 勿24之ι度大致相同寬度之絕緣物壁刊， 電解液26之電流，可姐止人Η # '了提升至屬薄膜24a之熔解析出效率 在刖述第1〜第3本發明中，雖有在避免損傷絕 200405838 物24的前提下高效率地除去金屬薄膜24a的情況，惟亦有 由於在電解液26中流動之電流將金屬薄膜24a熔解析出而 除去金屬薄膜24a，結果在電解熔解析出殘留殘量之膜的 情況。 疋以’在第1〜第3本發明中，可取代金屬平板電極 21，採用旋轉自如之電.極37,且在此電極37之與金屬薄 臈24a接觸部設置研磨基材，或是具備可對電極37與金屬 薄膜24a之接觸部供給研磨基材之供給機構。依據此種構 成’能以位於電極37與金屬薄膜24a之接觸部的研磨基材 擦過金屬薄膜24a表面，將電解熔解析出中所殘留之膜完 全除去。此為第4本發明。 。、彳彳如弟13圖所示的例子中，係顯示了對外圍部配置 可通水之研磨基材的旋轉自如的棒狀電極37中心部， 電解液槽27供給電解液26,使得電解液26自棒狀電 37—之外圍部流出之例子。又，第14圖所示之例子中， 將=13圖所示之輔助電極22與棒狀電極37做平行配 /弟15圖所示之例子中，係將第13圖所示之棒狀電極 =為下面配置有可通水之研磨基材之旋轉自如的碟狀電 又，第16圖所示之例子係將第14圖所示之輔助電 2形成輥狀而與絕緣物24表面之金屬薄膜2钧接觸， =圖所示之例子，係取代對電極37之内部供給電解液 S為自外部供給電解液26。 在以上之例子中係顯示了在電極37之與金屬薄膜2 、接觸部配置研磨基材之情況，但亦可於電極27不配 200405838 研磨基材’而對電極37之與金屬薄膜24a的接觸部供給研 磨基材。 以下’針對用以確認本發明效果所進行之實施結果做 說明。 A ·第1本發明之實施例（之一） 使用第3圖所示構成之本發明之第丨金屬薄膜之除去 装置（金屬平板電極之寬度：1000mm)，以下述的加工條件 來實施本發明之第丨金屬薄膜之除去方法，結果可將在 1000mmXl〇〇〇mm之玻璃基板上所蒸鍍之1〇〇〇\1〇.1()茁厚 度之紹薄膜有效地除去，可進行玻璃基板之再生。又，除 了將輥狀之辅助電極以相對於玻璃基板呈非接觸的方式來 固定配置’將電流變更為30〇Α以外，以相同之加工條件 來實施本發明之第2金屬薄膜之除去方法，結果與前述同 樣’可將在玻璃基板上所蒸鍍之鋁薄膜有效地除去，可進 4亍玻璃基板之再生。 [加工條件]

電解液：20%NaCl 喷出流量：約30L/min 施加電壓：約100V 電流：150A 玻璃基板移動速度·· 1 m/min B.第1本發明之實施例（之二） 使用第3圖所示構成之本發明之第1金屬薄膜之除去 裝置’如第6圖所示般，在l〇〇〇mmx i〇〇〇mm之玻璃基板 17 200405838 (厚度0.7随）之終端設置有相同厚度之碳板的狀態下，以 下述加工條件’實施本發明之第1金屬薄膜之除去方法， 結果可將在玻璃基板上所蒸鍍之厚度ι〇〇〇χι〇·、之鋁薄 臈有效地除去直到端部，可進行玻璃基板之再生。 ， [加工條件]

電解液：5%NaCl 噴出流量：約30L/min 施加電壓··約1〇〇V 電流：300A 玻璃基板移動速度：1 m/min C.第3本發明之實施例（之一） 使用第10圖所示構成之本發明之第3金屬薄膜之除去 裝置’以下述加工條件，實施本發明之第3金屬薄膜之除 去方法，結果可將在l〇〇〇mmxi〇00nim之玻璃基板（厚度 0.7mm)上所蒸鍍之厚度i〇〇〇xi〇，m之鋁薄膜有效地除去 直到端部，可進行玻璃基板之再生。 [加工條件]

電解液：5%NaCl 喷出流量：約30L/min 施加電壓：約100V 電流：300A 玻璃基板移動速度：lm/min 抑制入侵構件：橡膠製壁 D·第3本發明之實施例（之二） 200405838 使用第12圖所示構成之本發明之第3金屬薄膜之除去 裝置，以下述加工條件，實施本發明之第3金屬薄膜之除 去方法，結果即使相較於其他實施例提高丨〇%移動速度， =可將在1000mmxl000mm之玻璃基板（厚度〇_7mm)上所 瘵鍍之厚度1000 X 10-]Gm之鋁薄膜有效地除去，可進行玻 璃基板之再生。 [加工條件] 電解液：5%NaCl 噴出流量：約30L/min

施加電壓：約1〇〇V

電流：300A 玻璃基板移動速度：Mm/min 絕緣物壁：氯乙烯製壁 E.第4本發明之實施例 使用第16圖所示構成之本發明之第4金屬薄膜之除去 咸置以下述加工條件，實施本發明之第4金屬薄膜之除 去方法，結果可將在l〇〇〇mmX10〇〇mm之玻璃基板上所蒸 鍍之厚度1000X 10-iGm之鋁薄膜完全除去而無殘留，可進 4亍玻璃基板之再生。 [加工條件] 電解液：20%NaCl 供給流量：約30L/min 棒狀電極旋轉數·· 600rpm 研磨劑磨粒·· #3000氧化銘磨粒（混合於電解液中供給） 200405838

施加電壓：約1 00V 電流：300A 玻璃基板移動速度：1 m/min 上述實施例雖未與所有的申請專利範圍對應，惟不言 而喻的，即使是未在實施例中舉出之申請專利範圍的發；

，亦可將絕緣物上所形成之金屬薄膜有效地除去，可進疒 絕緣物之再生。 T 產業上可利用^ 如上所述，本發明無須使用強酸或強鹼之化學液且無 須進行電極對絕緣物表面之金屬薄膜之精密位置控制，；; 能以原則上非接觸方式將金屬薄膜高效率除去而不會損及 絕緣物’可達成半導體領域所使用之昂貴之功能性二璃基 板之再生利用。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 第1圖係顯示用以實施第！本發明之金屬薄膜之除去 裝置之一例之示意構成圖。 第2圖係顯示用以實施第！本發明之金屬薄膜之除去 裝置之第2例之示意構成圖。 第3圖係第2圖之整體構成圖。 六第4圖係顯示以直流電麼電源—金屬平板電極—連續 流-金屬薄膜—加工槽内之電解液—辅助電極—直流電壓 電源形成封閉電路時之電壓與電流之關係圖。 第5圖⑷係第！本發明中在終端部殘留金屬薄膜之原 200405838 因之說明圖 之圖。 ，第5圖（b)係在終端部殘留金屬薄 膜之絕緣物 第6圖係用以說明第！本發明中避免在終端部發生金 屬薄臈殘留之方法之圖。 第7圖⑷⑻係用以說明第i本發明中避免在終端部發 生金屬薄膜殘留之另一態樣之圖。 " 第8圖係顯示用以實施第2本發明之金屬薄膜之除去 裝置之一例之示意構成圖。 第9圖係用以說明在絕緣物之端部以麻點狀殘留之 屬薄膜之圖。 士第10目係顯示用以實施第3本發明之金屬薄膜之除去 裝置之一例之示意構成圖。 第11圖係顯示用以實施第3本發明之金屬薄膜之除去 装置之其他例之示意構成圖。 ★第12 8M系顯示用以實施第3本發明之其他實施例之金 屬薄膜之除去裝置之一例之示意構成圖。 第13圖係顯示用以實施第4本發明之金屬薄膜之除去 _ 裝置之一例之示意構成圖。 第14圖係顯示用以實施第4本發明之金屬薄膜之除去 裝置之第2例之示意構成圖。 第15圖係顯示用以實施第4本發明之金屬薄膜之除去 裂置之第3例之示意構成圖。 第16圖係顯示用以實施第4本發明之金屬薄膜之除去 裝置之第4例之示意構成圖。 21 200405838 第1 7圖係顯示用以實施第4本發明之金屬薄膜之除去 裝置之第5例之示意構成圖。 第1 8圖係以化學蝕刻來除去金屬薄膜之方法的說明圖 (二 )元件代表符號 1 化學液 2 基板 21 金屬平板電極 22 輔助電極 23 直流電壓電源 24 絕緣物 24a，24b 金屬薄膜 25 加工槽 26 電解液 26a 連續流 27 電解液槽 28 泵 30 過濾器 31 導電體板 32 圓筒 33 絕緣體 34a 橡膠製壁 34b 橡膠製輥 35 彈簧

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36 37 Μ V 絕緣物壁 電極 電解熔解析出部 閥

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Claims (1)

1. 200405838 拾、申請專利範圍： 1·一種金屬薄膜之除去方法，其特徵在於：在對以傾 斜狀配置之金屬平板電極、以及辅助電極(位於此金屬平板 電極之上游側或下游側、以一部分會浸潰於電解液中所配 置者）施加直流電壓的狀態下，使得自該金屬平板電極上流 下之電解液與絕緣物表面之金㈣膜衝撞，來將金屬薄膜 除去。 、 2·如申請專利範圍第丨項之金屬薄膜之除去方法，其 中，在該、絕緣物之背面側配置橫跨該金屬平板電極與辅助 電極間之底面電極，在此底面電極亦被施加與輔助電極呈 同極之直流電壓的狀態下，使得自該金屬平板電極上流下 之電解液與絕緣物表面之金屬薄膜衝撞，來將金屬薄膜除 去。 3·如申請專利範圍第丨或2項之金屬薄膜之除去方法 ，其中，係在絕緣物與金屬平板電極做相對移動的同時將 金屬薄臈除去。 4·如申請專利範圍第i或2項之金屬薄膜之除去方法 籲 其中，在金屬平板電極之絕緣物進入側設置抑制電解液 入侵構件，來抑制電解液之早期的入侵。 5·如申請專利範圍第3項之金屬薄膜之除去方法，其 中，在金屬平板電極之絕緣物進入側設置抑制電解液入侵 構件’來抑制電解液之早期的入侵。 又 6·如申請專利範圍第丨或2項之金屬薄膜之除去方法 ，其中，係將金屬平板電極做成旋轉自如的電極，以在此 24 200405838 電極之金屬薄膜接觸部所設置之研磨基材來擦過金屬薄膜 之表面。 7·如申請專利範圍第4項之金屬薄膜之除去方法，其 中，係將金屬平板電極做成旋轉自如的電極，以在此電極 之金屬薄膜接觸部所設置之研磨基材來擦過金屬薄膜之表 面0 8 ·如申請專利範圍第5項之金屬薄膜之除去方法，其 中，係將金屬平板電極做成旋轉自如的電極，以在此電極 之金屬薄膜接觸部所設置之研磨基材來擦過金屬薄膜之表 面0 9·如申請專利範圍第3項之金屬薄膜之除去方法，其 中，係將金屬平板電極做成旋轉自如的電極，以在此電極 之金屬薄膜接觸部所設置之研磨基材來擦過金屬薄膜之表 面。 10.—種金屬薄膜之除去裝置，其特徵在於：係由 金屬平板電極，其呈傾斜狀配置，用以引導電解液之 流下； 輔助電極’其位於金屬平板電極之上游側或下游側， 以一部分會浸潰於電解液中所配置者；以及 直w電壓電源，其對前述兩電極施加電壓； 所構成者。 y U ·如申叫專利範圍第10項之金屬薄膜之除去裝置， 係以杈跨金屬平板電極與辅助電極間的方式在此兩電極之 下方配置底面電極’此底面電極亦被直流電壓電源施加與 25 200405838 輔助電極呈同極之直流電壓。 12·如申請專利範圍第10或11項之金屬薄膜之除去裝 置’係設有一移動機構，可使得浸潰於電解液中之絕緣物 以及金屬平板電極中之至少一者相對於另一者做移動。 13·如申請專利範圍第10或11項之金屬薄膜之除去裝 置，係在金屬平板電極之絕緣物進入側設置抑制電解液入 侵構件。 14·如申請專利範圍第12項之金屬薄膜之除去褒置， 係在金屬平板電極之絕緣物進入側設置抑制電解液入侵構 件。 15. 如申請專利範圍第10或11項之金屬薄膜之除去裝 置’其中，係將金屬平板電極做成旋轉自如的電極，並在 此電極之金屬薄膜接觸部設置研磨基材、或是具備可對電 極之金屬薄膜接觸部供給研磨基材之供給機構。 16. 如申請專利範圍第12項之金屬薄膜之除去裝置， 其中’係將金屬平板電極做成旋轉自如的電極，並在此電 極之金屬薄膜接觸部設置研磨基材、或是具備可對電極之 金屬薄膜接觸部供給研磨基材之供給機構。 17·如申請專利範圍第13項之金屬薄膜之除去事置， 其中，係將金屬平板電極做成旋轉自如的電極，並在此電 極之金屬薄膜接觸部設置研磨基材、或是具借可對電極之 金屬薄膜接觸部供給研磨基材之供給機構。 18.如申請專利範圍第14項之金屬薄膜之除去裂置， 其中’係將金屬平板電極做成旋轉自如的電極，並&此t 200405838 極之金屬薄膜接觸部設置研磨基材、或是具備可對電極之 金屬薄膜接觸部供給研磨基材之供給機構。 拾壹、圖式： 如次頁

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