TW200403702A - Image display apparatus - Google Patents
Image display apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- TW200403702A TW200403702A TW092118747A TW92118747A TW200403702A TW 200403702 A TW200403702 A TW 200403702A TW 092118747 A TW092118747 A TW 092118747A TW 92118747 A TW92118747 A TW 92118747A TW 200403702 A TW200403702 A TW 200403702A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- metal back
- layer
- resistance
- back layer
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/08—Electrodes intimately associated with a screen on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted or stored, e.g. backing-plates for storage tubes or collecting secondary electrons
- H01J29/085—Anode plates, e.g. for screens of flat panel displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
Landscapes
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Description
200403702 (1) 政、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於影像顯示裝置,特別是關於,可以抑制 從金屬背層的外周緣部的放電,耐壓特性優異的影像顯示 裝置。 【先前技術】 近年開發的下一代影像顯示裝置包括有,具備多數電 場放射型電子放射元件,稱作場致放射型顯示裝置(以下 稱作FED)的平面型影像顯示裝置。再者,FED中,特別 是具有表面傳導型的電子放射元件的顯示裝置,也被稱作 表面傳導型電子放射顯示裝置(SED)。在本發明使用的 FED是包含SED的總稱。 一般來講,FED的構造是:備有螢光面的前面基板 (face pi ate)與備有電子放射元件的背面基板(rear plate), 分開規定空隙成面對面配置的構造,前面基板與背面基板 的周緣部是經由矩形框狀的側壁相接合,而構成真空外圍 器。真空外圍器內部是保持在氣壓較1 0 — 4 Pa低的高真 空度。同時,在前面基板與背面基板之間配置有複數個支 持構件,以支持加在此等基板的大氣壓力形成的負荷。 前面基板的螢光面具有,在玻璃基板的內面分別形成 紅(R)、綠(G)、藍(B)的3色螢光體層與吸收層,其上面 形成有鋁薄膜等的金屬背層的構造。而,在如此構成的螢 光面的金屬背層施加陽極電壓,藉由該陽極電壓,將電子 (2) (2)200403702 放射元件放射的電子加速。被加速的電子束碰撞螢光面, 各色的螢光體被激發而發光。以此方式顯示影像。 在具有這種構造的FED,因爲能夠將前面基板與背面 基板間的空隙設計成數mm以下,因此,較之陰極射線管 (CRT)方式的影像顯示裝置,可以達成大型化、薄型化及 輕量化。 然而,F.ED是在前面基板與背面基板間的極狹窄的空 隙施加有1 〇 KV前後的高壓,形成強電場,因此存在有 ,長時間形成影像時,很容易產生放電(真空電弧放電)的 問題。 同時,爲了節省空間,在前面基板的施加高壓的金屬 背層與外側的接地部分之間保留有寬度5 mm前後的間隔 ,這部分的玻璃基板具有高電阻的空隙部分的功能。此高 電阻空隙部分也會形成強電場,也有可能會放電。 而當發生異常放電時,便會舜間流通數A至數100 A 的放電電流,因此,陰極部的電子放射元件或陽極部的螢 光面有受到破壞或受到損傷的危險。 另一方面,萬一發生放電也希望不要影響到電子放射 元件等,因此也在硏究能抑制放電規模的對策。例如,目 前揭示有一種,在設於螢光面的金屬背層設缺口,以提高 螢光面的電感或電阻的技術(參照日本特開2000 - 3 1 1 642 號公報)。 但是,這種方法對從金屬背層的外周緣部的放電,卻 幾乎沒有抑制效果。 -6 - (3) (3)200403702 本發明是爲了解決這種問題而完成,其目的在提供’ 可藉由抑制從金屬背層的外周緣部的放電,防止電子放射 元件或螢光面的破壞、劣化’能夠獲得高亮度、高品位的 顯示的影像顯示裝置。 【發明內容】 本發明的第1形態是影像顯示裝置,備有:設有可放 射電子的電子源的陰極基板;面向該陰極基板配置的陽極 基板。而,上述陽極基板分別備有:透光性基板;形成在 該透光性基板的周緣部的接地部;由形成在上述透光性基 板內面的上述電子源放出的電子所激發而發光的螢光體層 :爲了將上述電子加速而施加有高電壓的金屬背層;及圍 繞該金屬背層狀配置在該金屬背層與上述接地部之間的高 電阻部,上述高電阻部有1 . 0〜1 5 . 0 μπι的表面粗糙度, 爲其特徵。 本發明的第2形態是影像顯示裝置,備有:設有可放 射電子的電子源的陰極基板;面向該陰極基板配置的陽極 基板。而,上述陽極基板分別備有:透光性基板;形成在 該透光性基板的周緣部的接地部;由形成在上述透光性基 板內面的上述電子源放出的電子所激發而發光的螢光體層 ;爲了將上述電子加速而施加有高電壓的金屬背層;及圍 繞該金屬背層狀配置在該金屬背層與上述接地部之間的高 電阻部,上述局電阻部具有,表面電阻率1 xlO9〜1 X 10 15 Ω/ □ (square ;以下同)的高電阻被覆層,爲其特 (4) (4)200403702 【實施方式】 茲參照附圖,說明將本發明的顯示裝置應用在FED 的實施形態。再者,本發明並非限定在以下的實施形態。 此FED是如第1圖所示,分別備有矩形狀玻璃基板 的背面基板1與前面基板2。此等基板是分開規定間隔( 例如2 mm)成面對面配置,其周端部則分別經由玻璃構成 的矩形框狀的側壁(支持框)3接合在一起,而形成真空外 圍器4。並且,在真空外圍器4內,爲了維持基板間的空 隙,分開規定間隔配置有多數間隔件(未圖示)。間隔件是 呈板狀或柱狀。 在背面基板1內面安裝有,形成有多數用以放射激發 螢光體的電子束的表面傳導型電子放射元件的電子產生源 5 〇 前面基板2的內面形成有螢光體屏幕6。螢光體屏幕 6備有,形成爲條紋狀或點狀的黑色顏料(例如黑鉛)構成 的光吸收層,及紅(R)、藍(B)、綠(G)3色的螢光體層,螢 光體層上形成有鋁薄膜等的金屬背層7。 如第2圖所示,在前面基板2,金屬背層7的外周緣 部與外側的接地部8之間,存在有寬5 mm程度的高電阻 空隙部9。而,在第1實施形態,高電阻空隙部9的玻璃 基板表面(內面)具有1· 〇〜15· 0 μιη的表面粗糙度(表面 平均粗糙度Ra)。這種表面粗糙度是在玻璃基板的表面施 -8- (5) (5)200403702 加噴砂之類的粗面化處理而形成。 再者,圖中的記號10表示金屬背層7的陽極電壓供 應部,記號1 1表示具有電極功能的導電層。導電層1 1可 以使用跟黑鉛構成的光吸收層相同者。 將高電阻空隙部9的表面粗糙度限定在上述範圍的理 由如下。亦即,高電阻空隙部9的表面粗糙未滿1,〇 μπι 時,藉由延伸沿面距離抑制放電的效果幾乎沒有,相反的 ,當表面粗糙度超過15. 0 μιη時,前面基板2(玻璃基板) 的熱應力及彎曲應力便顯不足,製成率會降低。 如此構成的第1實施形態,因爲在玻璃基板的表面施 加粗面化的處理,高電阻空隙部9具有1 . 0〜1 5 . 0 μ m的 表面粗糙度,因此,較之傳統的具有表面平滑的高電阻空 隙部的影像顯示裝置,沿金屬背層7的外周緣部至接地部 8之面的距離(沿面距離)會較長。其結果,從金屬背層的 外周緣部的沿面放電可受到抑制,耐壓性提高。因此,可 以防止電子放射元件或螢光面的破壞、損傷或劣化,能夠 獲得長期簡穩定的顯示特性。 其次說明本發明的第2至第6實施形態.。 第3圖是放大表示第2實施形態的主要部分(高電阻 空隙部及其近旁,相當於第2圖的A部。)的平面圖。第 4圖是放大表示第3實施形態的主要部分的平面圖。 在第2圖及第3圖的實施形態,如第3圖及第4圖所 分別表示,高電阻空隙部9具有’以圍繞金屬背層7狀配 置成相似形的複數個領域9a、9b、9c.....(第3圖表示 -9- (6) (6)200403702 兩個領域,第4圖表示3個領域),各領域分別有1 . 〇〜 1 5 · 0 μπι的表面粗糙度。而,此等領域是從接近金屬背層 的外周緣的內側向外側,分別爲第1領域9a、第2領域 9 b、第3領域9 c-----,各領域的粗糙度分別爲R1、R2 、R3.....時,R1<R2<R3.....。再者,在第2及 第3實施形態,其他部分與第1實施形態相同,因此說明 從略。 在如此構成的第2及第3實施形態’沿金屬背層7的 外周緣的面的放電(沿面放電)較第1實施形態獲得更有效 的控制,可以提高耐壓特性。 第5圖是放大表示第4實施形態的主要部分的平面圖 。在本實施形態,金屬背層7的外周緣部與接地部8間的 高電阻空隙部9,在玻璃基板的內面有表面電阻率1 X 1 〇 9〜1 X 10 15 Ω/ □的高電阻層12。再者,其他部分與第 1實施形態相同,因此說明從略。 在此,具有1 X 1〇9〜1 X 1〇15Ω/ □表面電阻率的 高電阻層12可以有,從八1、111、311、:8卜3丨、31)中選 擇的至少一種金屬等的氧化物層。同時,也可以使用例如 A1Ν等的金屬氮化物層。此高電阻層12的厚度以200〜 5 0 0 n m較佳。 形成Al、In、Sn、Bi、Sb等金屬的氧化物層作爲高 電阻層1 2時,可以採用例如以下所示的方法。亦即,以 5x10 - 5 〜3xl〇-4Torr(6.7xlO_3 〜 4·〇χ1〇 一 2 Pa)的高真空度,在電漿放電下以0.5〜4 L/分的比 (7) (7)200403702 率導入氧,同時蒸著A^In、Sn、Bi、gM* ?)等金屬。 如此,將導入的氧活性離子化,以活性離子化的的氧使蒸 著物連續氧化’藉此’便可以形成上述金屬的氧化物層。 適當調整氧的導入量,便可以控制所形成的金屬氧化物層 的表面電阻率的値。 再者,蒸著方法有:高頻感應加熱蒸著法、電阻加熱 蒸著法、電子線加熱蒸著法、濺射蒸著法或離子塗敷法等 〇 而,要形成Si氧化物或A1N層時,可以使用濺射等 方法。 在如此構成的第4實施形態,配置在金屬背層7外周 緣部與接地部8間的高電阻空隙部9具有1 X 1 0 9〜1 X 10 13 Ω/ □的高表面電阻率的高電阻層12,因此可以抑 制從金屬背層7外周緣部的沿面放電,可以提高耐壓特性 。因此,可以防止電子放射元件或螢光面的破壞、損傷或 劣化,可以獲得具有穩定而良好的顯示特性的顯示裝置。 第6圖是放大表示第5實施形態的主要部分的平面圖 。在第5實施形態,高電阻空隙部9具有,以圍繞金屬背 層7狀配置成相似形的的複數個領域(第6圖是兩個領域) ’各領域分別有具1 X 1〇9〜1 X 1〇15Ω/ □的高表面電 阻率的高電阻層1 2 a、1 2 b。而,使此等領域從接近金屬 背層的外周緣的內側向外側,分別爲第1領域、第2領 域.....,第1領域的高電阻層1 2 a的表面電阻率爲r i ’第2領域的高電阻層丨2 b的表面電阻率爲r 2.....時 -11 - (8) (8)200403702 、成爲 rl<r2-----。 在如此構成的第5實施形態,配置在金屬背層的外周 緣部與接地部間的高電阻空隙部是如以下方式構成。亦即 ,高電阻空隙部的玻璃基板藉由如噴砂的施加粗面化處理 ,使其具有1·〇〜15·0 μιη的表面粗糙度,並且在其上形 成,具有1 X 1〇9〜1 X 1〇15Ω/ □表面電阻率的高電阻 層。高電阻層的形成與第5實施形態相同。 在如此構成的第6實施形態,從金屬背層的外周緣部 的沿面放電可以獲得較第1至第5實施例更有效的抑制, 具有極優異的耐壓特性。 其次說明具體實施例。 實施例1 在預定形成Α1膜(金屬背層)的外周緣部,與接地部 間的高電阻空隙部,預先在玻璃基板表面施加噴砂處理, 使表面粗糙度(表面平均粗糙度)爲6 μιη。 接著,在玻璃基板上藉由光平版印刷法形成黑色顏料 構成的的條紋狀的光吸收層後,在遮光部與遮光部之間形 成,相鄰接的紅(R)、綠(G)、藍(Β)3色的條紋狀螢光體層 。各色螢光體層的圖案是藉由光平版印刷法形成。如此形 成螢光面。 接著,在螢光面上形成金屬背層。亦即,在螢光面上 塗抹以亞克力樹脂爲主成分的有機樹脂溶液,乾燥而形成 有機樹脂層後,藉由真空蒸著形成Α1膜(厚度100 nm), -12- (9) (9)200403702 接著以450 °C的溫度加熱、燒成3〇分鍾’分解有機分去 除掉。 接著,將如此具備形成有金屬背層的螢光面的玻璃基 板當作前面基板使用,以普通的方法製作FED。首先,將 基板上成矩陣狀形成有多數表面傳導型電子放射元件的電 子產生源,固定在玻璃基板’製作背面基板。接著’令此 背面基板與上述前面基板,經由支持框及間隔件配置成面 對面,使用燒結玻璃(f r i t g 1 a s s )密封。前面基板與背面基 板間的空隙是2 mm。接著,施加真空排氣、封裝及必要 的處理,完成FED。 對如此獲得的FED測量其耐壓特性。耐壓特性之測 量是,在金屬背層與接地部之間施加電壓,測量從金屬背 層的外周緣部至接地部發生沿面放電的最大電壓。而以此 最大電壓値作爲沿面耐壓。 實施例1的沿面耐壓値是8 . 0 kV。不在玻璃基板施 加粗面化處理的傳統構造者的沿面耐壓是4. 0 kV,因此 可以知道實施例1的耐壓特性已大幅提高。 實施例2 在螢光面形成A1膜後,在A1膜(金屬背層)的外周緣 部’與接地部間的高電阻空隙部,於玻璃基板的表面形成 ’具有· 5 X 1〇 12 Ω/ □表面電阻率的A1氧化物構成的高 電阻層。高電阻層的形成是以高真空度在電漿放電下導入 氧氣,同時蒸著A1而完成。 -13- i!l H- i;.i (10) (10)200403702 將如此附有金屬背層的螢光面的玻璃基板當作前面基 板使用,與實施例1同樣製作FED。 與實施例1同樣測量如此獲得的FED的耐壓特性, 不致於放電的最大電壓(沿面耐壓)値是1 1 kV。可以看出 耐壓特性較實施例1更爲提高。 實施例3 與實施例1同樣,在螢光面形成A1膜前,在預定形 成A1膜(金屬背層)的外周緣部,與接地部間的高電阻空 隙部,對玻璃基板表面施加噴砂處理,使表面粗糙度Ra 爲6 μιη。接著,在螢光面形成A1膜後,在經過粗面化的 表面粗糙度Ra爲6 μπι的玻璃基板上,形成Α1氧化物構 成的具有5 X 10 12 Ω/ □表面電阻率的高電阻層。高電阻 層的形成是以高真空度在電漿放電下導入氧氣,同時蒸著 Α1而完成。 接著,將如此附有金屬背層的螢光面的玻璃基板當作 前面基板使用,與實施例1同樣製作FED。 與實施例1同樣測量如此獲得的FED的耐壓特性, 不致於放電的最大電壓(沿面耐壓)値是16 kV。可以看出 耐壓特性較實施例1及實施例2更爲提高,具有極優異的 耐壓特性。 如以上所說明,依據本發明時,因爲可以抑制從前面 基板的金屬背層外周緣部的沿面部分的放電,因此可以防 止電子放射元件或螢光面的被破壞、劣化,可以獲得高亮 -14- (11) (11)200403702 度、能夠有高品位的顯示的影像顯示裝置。 【圖式簡單說明】 第1圖是表示將本發明的影像顯示裝置應用在FED 的第1實施形態的截面圖。 第2圖是表示第1實施形態的前面基板內面的架構的 平面圖。 第3圖是放大表示第2實施形態的前面基板內面的架 構的平面圖。 第4圖是放大表示第3實施形態的前面基板內面的架 構的平面圖。 第5圖是在第4實施形態的前面基板,放大表示其內 面的架構的平面圖。 第6圖是在第5實施形態的前面基板,放大表示其內 面的架構的平面圖。 【圖號說明】 1 :背面基板 2 :前面基板 3 :側壁 4 :真空外圍器 5 :電子產生源 6 :螢光體屏幕 7 :金屬背層 -15- (12) (12)200403702 8 :接地部 9 :高電阻空隙部 1 〇 :陽極電壓供應部 1 1 :導電層 1 2 :高電阻層
織Λ -16-
Claims (1)
- (1) (1)200403702 拾、申請專利範圍 1 · 一種影像顯示裝置,備有:設有可放射電子的電子 源的陰極基板;面向該陰極基板配置的陽極基板,其特徵 爲, 上述陽極基板分別備有:透光性基板;形成在該透光 性基板的周緣部的接地部;由形成在上述透光性基板內面 的上述電子源放射的電子所激發而發光的螢光體層;爲了 將上述電子加速而施加有高電壓的金屬背層;及圍繞該金 屬背層狀配置在該金屬背層與上述接地部之間的高電阻部 j 上述高電阻部有1 . 0〜1 5 . 0 μιη的表面粗糙度。 2 ·如申請專利範圍第1項所述之影像顯示裝置,其中 上述高電阻部由具有1 . 〇〜15. 0 μιη的表面粗糙度的 複數個領域構成,且此等領域是配置成,表面粗糙度從接 近上述金屬背層的外周緣的內側向外側,依序變粗。 3.—種影像顯示裝置,備有:設有可放射電子的電子 源的陰極基板;面向該陰極基板配置的陽極基板,其特徵 爲, 上述陽極基板分別備有:透光性基板;形成在該透光 性基板的周緣部的接地部;由形成在上述透光性基板內面 的上述電子源放射的電子所激發而發光的螢光體層;爲了 將上述電子加速而施加有高電壓的金屬背層;及圍繞該金 屬背層狀配置在該金屬背層與上述接地部之間的高電阻部 -17- (2) (2)200403702 上述高電阻部具有,表面電阻率1 xl〇9〜1x10^ Ω/ 口 (square;以下同)的问電阻被覆層 4 ·如申請專利範圍第3項所述之影像顯示裝置,其中 上述高電阻部具有表面粗糙度1 · 0〜1 5 · 0 μπι的粗面 部,該粗面部上形成有上述高電阻被覆層。 5 ·如申請專利範圍第3項或第4項所述之影像顯示裝 置,其中 上述高電阻部由具有表面電阻率1 xlO 9〜1x10 15 Ω/ □的高電阻被覆層的複數個領域構成,且此等領域是 配置成,表面電阻率從接近上述金屬背層的外周緣的內側 向外側,依序變高。 -18-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002205818A JP2004047368A (ja) | 2002-07-15 | 2002-07-15 | 画像表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200403702A true TW200403702A (en) | 2004-03-01 |
TWI243392B TWI243392B (en) | 2005-11-11 |
Family
ID=30112778
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092118747A TWI243392B (en) | 2002-07-15 | 2003-07-09 | Image display apparatus |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060043878A1 (zh) |
EP (1) | EP1544891A1 (zh) |
JP (1) | JP2004047368A (zh) |
KR (1) | KR100680090B1 (zh) |
CN (1) | CN1669106A (zh) |
TW (1) | TWI243392B (zh) |
WO (1) | WO2004008474A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20060094271A (ko) * | 2005-02-24 | 2006-08-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
US7728501B2 (en) * | 2006-01-17 | 2010-06-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus and video signal receiving and display apparatus |
KR100766925B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2007-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 및 이 발광 장치를 백 라이트 유닛으로 사용하는액정 표시 장치 |
KR20120079319A (ko) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 유기 발광 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4115051B2 (ja) * | 1998-10-07 | 2008-07-09 | キヤノン株式会社 | 電子線装置 |
JP3780182B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2006-05-31 | キヤノン株式会社 | 画像形成装置 |
JP4046959B2 (ja) * | 2000-09-04 | 2008-02-13 | キヤノン株式会社 | 電子線発生装置及び画像形成装置 |
-
2002
- 2002-07-15 JP JP2002205818A patent/JP2004047368A/ja not_active Abandoned
-
2003
- 2003-07-09 TW TW092118747A patent/TWI243392B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-07-10 US US10/519,849 patent/US20060043878A1/en not_active Abandoned
- 2003-07-10 KR KR1020057000680A patent/KR100680090B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-07-10 EP EP03741302A patent/EP1544891A1/en not_active Withdrawn
- 2003-07-10 CN CNA038170167A patent/CN1669106A/zh active Pending
- 2003-07-10 WO PCT/JP2003/008743 patent/WO2004008474A1/ja not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1544891A1 (en) | 2005-06-22 |
CN1669106A (zh) | 2005-09-14 |
KR20050011010A (ko) | 2005-01-28 |
KR100680090B1 (ko) | 2007-02-08 |
WO2004008474A1 (ja) | 2004-01-22 |
TWI243392B (en) | 2005-11-11 |
JP2004047368A (ja) | 2004-02-12 |
US20060043878A1 (en) | 2006-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2003019608A1 (fr) | Visualisateur d'images et procede de production s'y rapportant | |
US20060170329A1 (en) | Image display device | |
TWI243392B (en) | Image display apparatus | |
JP2005166631A (ja) | 平板表示素子とその製造方法 | |
US7291963B2 (en) | Image display device | |
JP2004063202A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP2004335346A (ja) | 画像表示装置 | |
TWI287817B (en) | Image display and method for manufacturing the same | |
WO2006041129A1 (ja) | 画像表示装置 | |
JP2000348647A (ja) | 画像形成装置 | |
EP1429367A1 (en) | Image display unit | |
JP2003109524A (ja) | 画像表示装置 | |
US20100060140A1 (en) | Flat panel display apparatus and method for manufacturing the same | |
JP2006066332A (ja) | 画像表示装置、及び画像表示装置の製造方法 | |
JP2004071294A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
WO2006035806A1 (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 | |
JP2008181857A (ja) | 画像表示装置、画像表示装置の製造方法、及び、機能付きフィルム | |
US7477011B2 (en) | Cathode substrate for electron emission device and electron emission device with the same | |
JP2005243529A (ja) | 画像表示装置、及び、画像表示装置の製造方法 | |
JP2006100226A (ja) | 画像表示装置の製造方法 | |
JP2004303458A (ja) | 画像表示装置 | |
JP2005243586A (ja) | 画像表示装置 | |
US20070093166A1 (en) | Image display device and method of manufacturing the same | |
JPWO2004013886A1 (ja) | 画像表示装置の製造方法および製造装置 | |
JP2004296107A (ja) | 画像表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |