TW200400780A - X-ray generating device - Google Patents

Description

200400780 玖、發明說明： (一） 發明所屬之技術領域 本發明係關於一種產生X射線之X射線產生裝置，用以 將電子射線照射於標IE (t a r g e t)者。 (二） 先前技術 以X射線對被檢查物照射，取得透過被檢查物之X射線 的影像，而遂行被檢查物之檢查，此種方式之檢查裝置爲 已知。而此種檢查裝置之X射線源係採用X射線產生裝置 爲之。X射線產生裝置係把電子射線照射於標耙而產生X 射線。X射線之量係依電子射線之加速電壓，電子射線之 電流値等變動，或依標靶之損傷、標靶支持構件之熱變形 等而變動。 照射於被檢查物之X射線量有變動時，透過被檢查物X 射線之影像即有變化。此種狀況，誠無法判別該變化究係 被檢查物之特性所引起或係照射之X射線的變化所引起， 因之，乃無法以高精度對被檢查物作檢查。 爲了解決此一問題，於特開昭5 5 - 1 2 4 9 9 7號公報中即揭 示了一種X射線產生裝置，其係以半導體X射線檢出器監 視由X射線管之出射窗所出射X射線之線量，藉著將檢出 器之輸出以回授（feedback)之方式，保持X射線之線量爲一 定。 (三） 發明內容 近年’對電子組件等小型且高密度被檢查物之檢查，係 以X射線爲之，隨此，乃希望可獲得較高擴大率之X射線 -5- 200400780 影像。而前述之日本特開昭5 5 - 1 2 4 9 9 7號案之X射線產生 裝置，因係低減了 X射線之線量，故難以獲得較高擴大率 之X射線影像。 本發明之目的係爲解決上述問題而提供一種X射線產生 衣置’除可令X躬線之線量爲—'定外，並可取得較局擴大 率之X射線影像。 依本發明之X射線產生裝置，係具備有：電子槍，用以 放出電子射線；產生X射線用之標靶（target)，其配置係可 供來自電子槍之電子射線入射；第1出射窗，可透過依電 子射線之入射而自標靶所產生之X射線；及X射線監視器 ’係接受來自標靶之X射線而監視該X射線之狀態。該X 射線監視器係配置在第1出射窗所出射X射線路徑之外。 因X射線監視器係對X射線之狀態作即時（real time)之 監視，故可保持X射線之狀態爲一定。因X射線監視器係 配置在第1出射窗所射出X射線的路徑以外，故當以第1 出射窗所出射之X射線對被檢查物照射之際，X射線監視 器並不妨礙第1出射窗與被檢查物之接近。因之，第1出 射窗即可貼近被檢查物而可取得高擴大率之X射線影像。 第1出射窗具有出射面，可出射來自標靶之X射線。X 射線監視器係以不突出該出射面作配置。據此，第1出射 窗乃可易於接近被檢查物。 X射線產生裝置最好可具備用以出射來自標靶之X射線 的第2出射窗。第2出射窗係配置在：與來自標靶，朝向 第1出射窗之X射線路徑不同之X射線路徑上。X射線監 -6 - 200400780 視器係接受透過第2出射窗之X射線。此較諸接受透過框 體之壁等障礙物之X射線的X射線監視器而言，因可接受 較局強度之X射線’故此種X射線監視器對X射線之監視 精度自屬較高。 第2出射窗之配置，以面割電子射線入射於標靶表面之 部分爲最佳。因來自標耙之電子射線入射部及其近傍之X 射線所產生之強度最強，故將第2出射窗對該部分設置， 則自第2出射窗出射之X射線可依良好效率的入射於X射 線監視器，藉此，對X射線之監視精度即可提高。 · 第2出射窗可爲保持貫通電子槍之端子的桿板（s t e ηι plate)。本發明之X射線產生裝置可使用例如含有電子槍及 標靶之X射線管製造之。於X射線管中，電子槍與驅動電 子槍之裝置兩者係成電氣性之連接，而上述桿板則作層次 之連接。桿板係可令X射線輕易透過之材料，例如可由絕 緣性之陶瓷（c e 1· a m i c s )構成。倘第2出射窗爲可透過X射線 之桿板基板時，則不須對具有桿板基板之既有X射線管施 以大幅改造，即可製造本發明之X射線產生裝置。 ® 第2出射窗與X射線監視器之間，最好設置可遮斷X射 線之遮斷器，則由產生X射線伊始，而不必控制X射線之 狀態時’如藉該遮斷器對X射線之遮斷，乃可防止該X射 線監視器遭受X射線所致爆裂之虞，因而可延長X射線監 視器之壽命。 X射線產生裝置可另設以一框體，用以設置該電子槍、 第1出射窗、標靶及X射線監視器等。此一狀況，可令x 200400780 射線產生裝置之構造簡略化，同時，對x射線產生裝置之 設置亦較容易。 此外，亦可將入射有該標靶表面上之電子射線之部、電 子槍、及X射線監視器等收容於可抽真空之一外圍容器內 。此一狀況，對X射線監視器之溫度、濕度等的管理較爲 容易’如是，更可提高X射線之監視精度。X射線監視器 係以面對可入射該標靶表面上之電子射線的部分作配置方 式設置在外圍容器內。因標靶之電子射線入射部及其近傍 所產生之X射線強度較強，故將第2出射窗設置成面對該 等部分，則其所出射之X射線可依良好效率的入射於X射 線監視器。依此，乃可提高X射線之監視精度。 X射線產生裝置可再另具有一 X射線狀態控制機器，係 基於以X射線監視器所監視之X射線的狀態，而將來自標 革巴所發射之X射線狀態，例如X射線量者，控制爲一定値。 本發明將配合所附圖面詳予說明之，惟此間所了解者， 乃本發明所附圖面僅爲舉例說明而已，並非限定僅如所陳。 又以下之說明’亦僅就代表性實施例加以說明，以例證 本發明之可行實施形態，但並非限制僅如所舉之特定實施 例’熟習此技藝者均知，在本發明之創新思想及精神下的 其他技術性修改或變更，應均屬本發明專利保護範疇。 (四）實施方式 以下，即配合附圖詳細說明本發明之各實施例。又，於 圖面之說明中’係以相同符號表示相同元件，如有重複， 則省略其說明。 -8- 200400780 第1實施例： 第1圖爲含有本發明第1實施例X射線產生裝置之非破 壞性檢查系統裝置之槪略圖。該非破壞性檢查系統（裝置， 下稱系統）8 0係用以對被檢查物5之非破壞性檢查，系統 8 0具有移動台（s t a g e ) 2、微對焦（m i c r 〇 f 〇 c u s )型之X射線產 生裝置1 0 0、及X射線攝像頭1。移動台2可依水平方向作 移動’其上可載置多數之被檢查物5。χ射線產生裝置丨〇〇 係設置於移動台2之下方，X射線係照射該移動台2。χ射 線攝像頭1係用以檢出透過移動台2及被檢查物5之χ射 線，而取得X射線影像。 構成X射線產生裝置1 00之主要要素，包括χ射線管j 〇 、X射線監視器3 0、及電流電壓控制裝置4〇等。χ射線管 1 〇係把反射型標靶2 7所產生之χ射線朝上方放出。χ射 線監視器30係用以測定Χ射線管1〇所產生之χ射線的線 量。而電流電壓控制裝置40屬χ射線管1〇之驅動設備， 係司供給所定之電流及電壓於χ射線管丨〇使其產生X射 線。 在χ射線管1 〇之外邰，係構成有一約成圓筒形、其可抽 真二之外®容器2 〇，此一外圍容器係上下延伸，同時並可 抽成真二之封止狀悲。真空外圍容器2 0之上部，係以銅等 玉屬形成之外圍容器本體2 ；!。外圍容器本體2丨具有一縱 ^圓筒狀之主體邰2 1 a，用以收容反射型標靶2 7。外圍容 器本體21另具有一橫型圓筒狀之電子槍收容桶，係以 到主體部2 1 a成九十度之方向作連接。主體部2丨a與電子 - 9- 200400780 槍收容桶2 1 b兩者係相連通。 在電子槍收容桶2 1 b內，位於主體部2 1 a相反側位置上 之端部處，設置以陶瓷（ceramics)製之桿板（stem plate)24 。如後述，該桿板24係可透過標靶27所發射之X射線者 。在電子槍收容桶2 1 b內，於朝向主體部2 1 a之中心軸方 向，設置以可約以水平出射電子射線之電子槍2 3。電子槍 23係以一邊貫通桿板24 —邊保持桿板24之桿梢（stem pin) 2 5加以支持。該桿梢2 5係電子槍2 3之驅動電力供給用的 端子者。桿梢2 5除與電子槍2 3內之電極及燈絲（f i 1 a m e n t) 作電氣性連接外，亦與電流電壓控制裝置4 0作電氣性之連 接。電流電壓控制裝置4 0係將所定電壓及電流供給於系統 2 5中之電子槍2 3，將該電子槍2 3驅動之。 外圍容器2 0之下部爲以玻璃或陶瓷等絕緣體形成之閥 件22。閥件（valve)22具有與主體部21a同軸之約圓筒形狀 ，並連接於該主體部2 1 a。由閥件2 2之下端起，循閥件2 2 之中心軸方向而插入於閥件22者，爲約成圓筒形狀之導電 性標靶支持體26。該標靶支持體26係延伸至主體部2 ! a 上端近傍爲止。 在標祀支持體2 6之上端部中、於入射有來自電子槍2 3 之電子射線的部分及其周邊處，係形成有依朝向電子槍2 3 作傾斜之斜面。鎢等之反射型標靶27係設置於該斜面上。 標靶2 7係介由標靶支持體2 6和電流電壓控制裝置4 〇作 電氣性連接。由控制裝置4 0以所定之正電壓施加於電子槍 23上。 200400780 在主體部2 1 a之上壁中，於面向標靶2 7之部分，設以第 1出射窗3 1。自標靶2 7產生之X躬線，係透過第〗出射窗 3 1而朝真空外圆容器2 〇之外的上方出射。以下，把出射X 射線之第1出射窗3 i的上面稱之爲X射線出射面3丨a。 X射線產生裝置i 〇 〇，如第1及第2圖所示者，係設有X 射線監視器3 0，用以監視來自標耙所產生之X射線線量。 X射線監視器3 〇係設在外圍容器2 0之外部並與桿板2 4內 對向。如第1圖所示，X射線監視器3 0係配置在第1出射 窗3 1所出射X射線路徑之外，同時，其配置亦不突出於χ 射線之出射面3 1 a。X射線監視器3 0之上面係比X射線出 射面3 1 a還下方，亦即，係位在X射線出射面3丨a之標靶 2 7側。X射線監視器3 0係用以檢出來自標耙2 7、透過桿 板24之X射線，且可即時（real time)的測定X射線之線量。 X射線產生裝置1 〇 〇尙含有X射線線量控制裝置4 1。X 射線線量控制裝置4 1係用以控制X射線狀態之設施者。χ 射線線量控制裝置4 1係控制電流電壓控制裝置4 0以使標 靶2 7所產生之X射線線量爲一定。具體言之，控制裝置 4 1係基於X射線監視器3 0所取得之X射線線量而令χ射 線線量爲一定，電流電壓控制裝置4 0則係控制施加於標革巴 2 7及電子槍2 3上之電壓與電流設定値。 爲了可令X射線產生裝置〗〇 〇之構造簡化並降低設置成 本，故將X射線管1 〇、電流電壓控制裝置4 0、X射線線釐 控制裝置4 1及X射線監視器3 0等均予設置在一框體4」二。 -11- 200400780 以下，說明非破壞性檢查系統8 0及X射線產生裝置1 〇 〇 之作用暨優點等。 以電流電壓控制裝置4 G將所定之電流及電壓施加於X 射線管1 0之電子槍2 3與標靶2 7時，電子射線即自電子槍 2 3出射。電子射線入射於標靶2 7即產生X射線。另一方 面，把所希之被檢查物載置於移動台2上，載置有被檢查 物5之移動台2係依對向於第1出射窗3 1之方向移動。 由標靶2 7所發射之X射線，係沿著和電子射線之行進方 向約成90度之方向透過第1出射窗31，之後，透過移動 台2及被檢查物5。以X射線攝像頭〗檢出透過之X射線 而取得X射線影像。依對該X射線影像之目視，或藉對該 X射線影像作二進位化之數位處理等影像處理的實施等， 即可實行對被檢查物5之非破壞性檢查。 依本實施例’由標靶2 7所產生之X射線線量，係以X 射線監視器3 0作即時的監視。而X射線線量控制裝置4 1 ，則係基於以監視器3 0所監視之線量，而控制電流電壓控 制裝置40，使標靶27所產生之X射線線量爲一定者。結 果，對於因標靶2 7之發熱所致標靶支持體2 6的熱膨脹、 因電子射線之照射所致標靶27之表面損傷、或電流或電壓 產生了非預期之變動、等等因而導致了所產生X射線線量 之變動時’可立刻的把該變動作回授（feedback)補正。藉此 ’由第1出射窗3 1照射於被檢查物5之χ射線線量即成爲 一定。依此’以X射線攝像頭取得之X射線影像的背景（back ground)乃約爲一定。如是，就實施而言，即可基於χ射線 -12- 200400780 #仏佧目視之檢查。又，其實施如係就x射線影像遂行影 像處理以作檢查時，亦可甚容易的設定最適當之閾値。惟 無論何種狀況，均可利用X射線影像作最適宜之非破壞性 檢查。 因X射線監視器3 0之配置係不突出X射線出射面3 ! a ’故x射線監視器3 0並不妨礙對向於X射線出射面3 ! a 作運動之移動台2，亦不妨礙被檢查物5對X射線出射面 3 1 a之接近。因之，乃可將移動台2及被檢查物5配置爲 近接X射線之出射面3 1 a。由是，即可以X射線攝像頭取 0 问in率之X射線影像。此對電子組件等小型且高密度之 被檢查物的非破壞性檢查尤其益處。 本實施例中’係使用所謂的反射型Χ射線管1 〇。一般之 此種X射線管1 〇 ’爲了自外部將電源供給於X射線管1 〇 內之電子槍23，乃具有以桿梢（stem pin)25保持之桿板24 。如第1圖所示，榫板24係配置在與由標靶27朝向第！ 出射窗3 1所發射X射線路徑不同之X射線路徑上。結果 ，X射線監視器3 0，在比較來自標靶2 7、通過框體*之壁馨 等障礙物而取恰X射線之狀況下，其所檢出之強度自屬較 咼。依此，對X射線之監視精度自較高。又，依本實施例 ，亦毋須對習用之X射線管加以改造，即可製成χ射線產 生裝置者。 第2實施例： 以下，配合第3及第4圖說明χ射線產生裝置2〇〇之第 2實施例。此一 X射線產生裝置2〇〇與第丨實施例之X射 -13- 200400780 線產生裝置1 0 0之不同點爲，以χ射線管1 1取代了 X射 線管1 0。X射線管1 1具有第2出射窗5 〇，用以將反射型 標耙2 7所產生之X射線出射於外部。隨此，X射線監視器 3 〇乃非位於桿板24之對向，而係對向於第2出射窗5 〇。 第2出射窗5 0係以B e等高X射線透過率物質形成，而 嵌入於真空外圍容器2 0主體部2 1 a之側壁。此處，對第2 出射窗5 0之位置並無特別之限定，只要之可出射最強之X 射線，面對其可入射標靶2 7表面上之電子射線的部分等之 位置均可。 第4圖中具體的繪示第2出射窗5 0及X射線監視器3 〇 之較佳位置。倘X射線監視器3 0係可由X射線管n之上 方可見及時，則其配置位置最好係在：標靶2 7與電子槍 23所連結之直線6 1、及標靶27與X射線監視器3 〇所連接 之直線62、該兩直線所構成角度±90度範圍的位置上。倘 直線62係位在自直線61作±90度之範圍內時，第2出射 窗5 0以配置在該直線6 2通過之位置上爲宜。 X射線產生裝置200中，由標靶27所產生之X射線，係 與第1實施例中、自桿板2 4所出射之X射線同等以上之強 度通過第2出射窗5 0而入射於X射線監視器3 0。因之， 本實施例之X射線監視器3 0亦係以高精度監視X射線之狀 態。 第3實施例： 茲以第5圖說明第3實施例之X射線產生裝置3 00。X 射線產生裝置3 0 0與第2實施例之不同點，係以透過型之 -14- 200400780 x射線管1 2取代反射型之X射線管1 1。X射線管1 2係取 代X射線管1 1中之反躬型標靶2 7及第1出射窗3 1，並具 - 有透過型標6 0，其係以約成水平的嵌入於主體部2 ；[ a之 上壁。透過型標靶6 〇兼具第2實施例中之標靶2 7及第1 出射窗3 1。標靶6 0之上面爲X射線出射面6 0 a，下面則爲 電子射線入射面6 0 b。 因應上述構成，電子槍2 3乃位在主體部2 ；! a內、標靶 6〇之下方’且設置成朝向電子射線入射面6〇b之上方放出 電子射線之方式。第2出射窗5 0則係面對電子射線入射面 鲁 6 〇 b而設置於主體部2〗a之側壁上。 X射線產生裝置3 0 0中’由電子槍2 3所出射之電子射線 係入射於標靶6 0之電子射線入射面6 0 b。自標靶6 0所發 射之X射線，則由X射線出射面6 0 a出射。又，自標靶6 0

所發射之一部分X射線，係透過第2出射窗5 0而入射於X 射線監視器3 0。依此，即可檢出X射線之線量。如是，此 一具有透過型X射線管1 2之X射線產生裝置3 〇 〇乃具有

與第2實施例相同之優點。 I ❿ 第4實施例： 其次，以第6圖說明第4實施例之X射線產生裝置4 〇 〇 。第4實施例之X射線產生裝置4〇〇與第2及第3實施例 相異之點爲’在第2出射窗5 0與X射線監視器3 〇間設有 一遮斷器（shuttei·) 70者。該遮斷器70係依所須可遮斷由第 2出射窗5 0所出射之X射線者。 一旦産生X射線伊始’如不須控制X射線之線量時，倘 把遮斷器7 0關閉，X射線即被遮斷，而不入射於χ射線監 -15- 200400780 視器3 0。依此，乃可防止X射線監視器3 〇遭多爆裂，因 而可延長X射線監視器3 0之壽命。 第5實施例： 接著，以第7圖說明第5實施例之X射線產生裝置5 0 0 。此一 X射線產生裝置5 0 0與第3及第4實施例之不同點 係，以開放式外圍容器1 0 1取代封止爲真空狀態之真空外 圍容器2 0者。該開放式外圍容器丨〇丨係收容透過型標靶 6 〇之電子射線入射面6 0 b。如有須要，亦可將其內部抽成 真空狀態，而在大氣壓下成開放者。開放式外圍容器1 0 1 可例如以不銹鋼製成。 對此，X射線產生裝置5 00乃設有排氣幫浦1〇2及線圈 1 03。排氣幫浦1 02係用以在X射線照射時，把內部氣體抽 出排氣，以使開放式外圍容器1 0 1內保持真空狀態。而線 圈1 0 3則係成環狀圍繞著由電子槍2 3朝向標靶6 0所發射 電子射線之通路，依此，即可調節電子射線之焦點。如是 ，在所謂的開放型X射線產生裝置中，即可令裝置內部之 電子槍23及透過型標靶60作互換。 X射線產生裝置5 0 0與第3及第4實施例不同點，係X 射線監視器3 0爲收容於外圍容器1 〇 1內者。又，於本實施 例中，亦可把X射線監視器3 0設置於面對透過型標靶6 0 之電子射線入射面60b的位置上。 X射線產生裝置5 0 0具有與上述實施例同樣之優點。此 外，於X射線產生裝置5 0 0中，因X射線監視器3 0係收 容於開放式外圍容器1 01內，故照射X射線時，X射線監 4 \ -16- 200400780 視器3 0係皰於真空環境中。因此，乃可易於管理χ射線監 視器3 0之溫度、濕度等，因而以χ射線監視器對X射線 狀態之監視精度即可更進一步的提高。 本發明之X射線產生裝置當不僅局限於上陳之諸實施例 ’自可有其他各種之變形實施態樣。 上述貫施例中，X射線控制裝置4 1係控制電流電壓控制 裝置4 0之輸出電壓及輸出電流，以使χ射線之線量爲一定 。但是’倘X射線之線量超低時，即可因考量標靶之壽命 而作出判斷’使電子射線偏向，令電子射線照射於標靶之 別的部分上’而可將X射線之線量控制爲一定之回復線量 。又’亦可使標靶作自動式的交換。 上述實施例中’ X射線監視器3 0係基於X射線之線量而 監視X射線之狀態。惟亦可監視χ射線之其他特性，例如 ’爲了產生複數之波長的X射線，而採用了含有數種胚材 之複合標靶時，亦可用以監視X射線之波長。 第1實施例中之桿板2 4係以陶瓷製成。惟桿板2 4亦可 用具絕緣性而可容易透過X射線之其他材料製作，該種材 料舉一例言之，如玻璃即可。 於第2〜第4實施例中，爲了使標靶27或60所產生之X 射線朝向X射線監視器3 0作最適當之出射，乃將標靶2 7 或6 0表面上入射電子射線之部分面對第2出射窗5 0之位 置設置之，惟如係反射型標靶2 7所產生之X射線強度爲十 分強勁時，可將第2出射窗5 0設於其他位置。 第2〜第4實施例中，倘X射線管1 0、1 1及1 2爲較大 200400780 時，可將X射線監視器3 〇設置在真空外圍容器2〇內。此 一狀況’與第5實施例同樣的，可將X射線監視器3 0面對 標祀之電子射線入射面設置之。又，第5實施例中，X射 線監視器3 0係配置於開放式外圍容器1 0 1之外部，則此一 X射線監視器3 0可接受通過設於開放式外圍容器1 〇丨之第 2出射窗的X射線。 第1〜第4實施例中，爲了以良好之精度監視X射線， 乃設置以出射X射線之第2出射窗5 〇或桿板2 4，或是， τΚί* X射線監視器3 〇設置在開放式外圍容器1 〇 1內。惟如由 0 標耙所產生之X射線爲極強勁時，則可將X射線監視器3 〇 口又置在外0谷益之外部，乃可監視不介由窗等而係透過外 圍容器之出射X射線的狀態。 上述貫施例中，係對透過被檢查物5之X射線的影像作 攝影。但亦可對例如依C Τ (譯註：斷層掃瞄）等之斷層影像 作攝影。此一狀況，因可提高擴大率，且因可基於依穩定 之X射線所獲得之X射線影像遂行演算，故亦提高了斷層 攝影之精確度。 · 產業上之利用可能性： 如前述，依本發明之X射線產生裝置，係以X射線監視 器對標靶所產生之X射線狀態即時的作監視者。依X射線 監視器所取得χ射線狀態而控制施加於電子槍及標靶之電 流及電壓，或是藉由移動標靶之電子射線入射位置等，即 可令標靶所產生之χ射線狀態成爲一定。據此，則自第1 出射窗即可穩定的放出χ射線。 200400780 x射線監視器係配置於來自標靶之x射線、入射於第1 出射窗之路徑之外，故由第1出射窗將X射線照射於被檢 查物之際，該X射線監視器不會妨礙第1出射窗與被檢查 物之接近，不致成爲令人厭惡之障礙物。因之，第1出射 窗和被檢查物可作最大之貼近，結果，可獲得極大擴大率 之X射線影像。 由是，本發明所提供之X射線產生裝置，乃可令X射線 之線量爲一定，亦可取得高擴大率之X射線影像者。 (五）圖式簡單說明 第1圖爲具有本發明X射線產生裝置第1實施例之非破 壞性檢查系統設備部分剖面圖。 第2圖爲第1圖X射線產生裝置之頂視圖。 第3圖爲第2實施例之X射線產生裝置，其標靶周邊之 縱向剖面圖。 第4圖爲第3圖X射線產生裝置之頂視圖。 第5圖爲具有本發明χ射線產生裝置第3實施例之非破 壞性檢查系統裝置部分剖面圖。 第6圖爲第4實施例之χ射線產生裝置，其標靶周邊之 縱向剖面圖。 第7圖爲X射線產生裝置第5實施例之部分剖面圖。 主女：口卩分之代表符號說明 1 X射線攝像頭 2 移動台 4 框體 19- 被檢查物 X射線管 X射線管 X射線管 真空外圍容器 外圍容器本體 閥件 電子槍 桿板 桿梢 標靶支持體 反射型標靶 X射線監視器 第1出射窗 電流電壓控制裝置 X射線線量控制裝置 第2出射窗 標靶 直線 直線 遮斷器 非破壞性檢查系統設備 X射線產生裝置 開放式外圍容器 -20- 200400780 1 02 排 氣 幫 浦 103 線 圈 200 X 射 線 產 生 裝 置 300 X 射 線 產 生 裝 置 400 X 射 線 產 生 裝 置 500 X 射 線 產 生 裝 置

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Claims (1)

1. 200400780 拾、申請專利範圍： 1. 一種X射線產生裝置，具有： 電子槍，用以放出電子射線； 產生X射線用之標，其配置係可供來自該電子槍之 電子射線的入射； 第1出射窗，係依該電子射線之入射，而供來自該標 靶所發射之X射線透過；及 X射線監視器，可接受來自該標靶之X射線， 該X射線監視器係配置在該第一出射窗所出射X射線 · 路徑之外者。 2. 如申請專利範圍第1項之X射線產生裝置，其中該第1 出射窗係具有出射面，用以出射來自該標靶之X射線；而 該X射線監視器係以不突該出射面配置。 3 ·如申請專利範圍第1或第2項之X射線產生裝置，其中 係另具有第2出射窗，可透過來自該標靶之X射線， 該第2出射窗係配置在：與自該標靶朝向該第1出射 窗之X射線路徑爲不同之X射線路徑上，而 泰 該X射線監視器係接受透過該第2出射窗之X射線。 4 .如申請專利範圍第3項之X射線產生裝置，其中該第2 出射窗係面對其可入射該標靶表面上之該電子射線部分 作配置。 5 ·如申請專利範圍第3項之X射線產生裝置，其中該第2 出射窗係保持貫通該電子槍之端子的桿板。 6 ·如申請專利範圍第3項之X射線產生裝置，其中於該第 -22- 200400780 2出射窗及該X射線監視器之間，具有可遮斷之χ射線 之遮斷器（shutter)。 7如申請專利範圍第1項之X射線產生裝置，其中具有用 以設置該X射線監視器，該電子槍，該第1出射窗及該 標靶之框體。 8 .如申請專利範圍第1項之X射線產生裝置，其中該可入 射該標靶表面上之該電子槍之部分，該電子槍，及該X 射線監視器等係收容在可抽成真空之外圍容器內。 9 ·如申請專利範圍第8項之X射線產生裝置，其中該X射 線監視器係面對可入射該標靶表面上之電子射線之部分 作配置，且係設置在該外圍容器內。 1 0 ·如申請專利範圍第1項之X射線產生裝置，其中尙具有 X射線狀態控制器，係基於以該X射線監視器對該χ射 線所監視之狀態，而控制由該標靶所發射之X射線的狀 態成爲一定。

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