TW200400776A - Depositing an emissive layer for use in an organic light-emitting display device (OLED) - Google Patents
Depositing an emissive layer for use in an organic light-emitting display device (OLED) Download PDFInfo
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Description
200400776 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 參照2002年1月23日提出申請之Kay等人之共同受讓之美 國專利申請案第1〇/〇55,579號,標題為「在利用熱傳製造 OLED裝置中使用多通道線性雷射光束(Using a Multichannel Linear Laser Light Beam in Making OLED Devices by Thermal Transfer)」,及2001年12月21日提出申請之Phillips等人之 共同受讓之美國專利申請案第10/021,410號,標題為「使有 φ 機材料可自供體轉移而形成OLED裝置中之層的裝置 (Apparatus for Permitting Transfer of Organic Material From a Donor to Form a Layer in an OLED Device)」,將其之揭示 内容以引用的方式併入本文中。 本發明係關於在OLED基材上沈積發光層。 【先前技術】 在具有彩色像素諸如紅色、綠色、及藍色像素(一般稱為 RGB像素)之陣列的彩色或全色有機電發光(EL)顯示器中, 鲁 需要將產生顏色之有機EL介質精確圖案化,以產生RGB像 素。基本的EL裝置一般具有陽極、陰極、及夾於陽極與陰 極之間的有機EL介質。有機EL介質可由一或多層有機薄膜 所組成,其中之一層主要負貴光產生或電發光。一般將此 特殊層稱為有機EL介質之發光層。存在於有機EL介質中之 其他有機層主要可提供電子輸送功能,將其稱為電洞輸送 層(對於電洞輸送)或電子輸送層(對於電子輸送)。在形成全 色有機EL顯示面板中之RGB像素時,需要設計出一種將有 85313 -6- 200400776 機EL介質之發光層或整個有機el介質精確圖案化的方法。 典型上’電發光像素係利用諸如示於US-A-5,742 129中之 孔板(shadow masking)技術形成於顯示器上。雖然此技術有 效,但其有數項缺失。其很難使用孔板獲致像素尺寸的高 ~析度。此外’要將基材與孔板對準,以致於適當的位置 中形成像素將極具挑戰性。當希望增加基材尺寸時,愈來 愈難操縱孔板作為對準方法的部分,以形成經適當設置的 像素。孔板方法的再一缺點為孔板孔洞會隨時間而被阻 擊 塞。孔板上之經阻塞的孔洞會導致在EL顯示器上之無作用 像素的不期望結果。 孔板方法更有當製造在一侧上具有多於數英吋之尺寸之 EL裝置時變得尤其明顯的再一問題。其極難製造具有準確 形成EL裝置所需之精確度的較大孔板。 在Grande等人之共同受讓之US_A_5,851,7〇9中揭示一種 將高解析度有機EL顯示器圖案化之方法。此方法包括下列 的步騾順序:1)提供一具有相對之第一及第二表面的基 _ 材,2)在基材之第一表面上方形成一透光性的熱絕緣層; 3)在熱絕緣層上方形成一吸光層;4)提供基材自第二表面延 伸土熱纟巴緣層之開口的阵列;5)提供形成於吸光層上之可 轉移、形成顏色的有機供體層;6)使供體基材與顯示器基 材以在基材中之開口與在裝置上之相對彩色像素之間的取 向關係精確對準,及7)使用在開口上方之吸光層產生足夠 為之糕射源’以使供體基材上之有機層轉移至顯示器基 材。Grande等人之方法的一問題為需要將供體基材上之開 85313 200400776 口之陣列圖案化。如此產生許多與孔板方法相同的問題, 包括需要在供體基材與顯示器基材之間的精確機械對準。 再一問題為供體圖案經固定,且無法容易地改變。 使用未經圖案化之供體片材及精密光源,諸如雷射,可 將圖案化供體所見的一些困難移除。Wolk等人之一系列的 專利(US-A-6,1 14,088 ; US-A-6,140,009 ; US-A-6,214,520 ; 及118-八-6,221,553)教示一種可經由利用雷射光加熱供體之 選定部份,而自供體片材將EL裝置之發光層轉移至基材之 φ 方法。Wolk等人評論使用光可為較佳的熱轉移形式,其中 其可實現在大型裝置之製造中所需的精確對準。雖然雷射 熱轉移可實現精確對準,但光束需經瞄準及導引,以使基 材之正確區域接受經轉移的供體材料。 【發明内容】 因此,本發明之一目的為提供一種使雷射光束圖案與 OLED基材之像素部分對準,及校正橫向及角度位移和熱膨 脹之效應,而沒有由習知之微影術或孔板方法或使用圖案 籲 化供體材料所加諸之限制之方法。 此目的由一種沈積用於有機發光顯示裝置(OLED)之發光 層之方法達成,其包括下列步騾: (a) 提供一 OLED基材,其具有至少一可用於將OLED基 材之位置及取向定位,以使發光層相對於OLED基材之像素 部分適當沈積的可識別特徵; (b) 提供一光源,此光源提供可橫向及角度移動至選定 位置之光束,以改變由此光源所產生之光束的相對位置; 85313 200400776 (C)提供一未經圖案化之供體元件,其包括發光材料且 具有一能量吸收層,其係經設置成當將供體元件相對於 OLED基材適當設置時,光束可被能量吸收層吸收,以加熱 發光材料及使此發光材料轉移至OLED基材; (d) 將供體元件以對OLED基材之轉移關係設置; (e) 偵測OLED基材上之可識別特徵的位置,以測定 OLED基材相對於光源的位置及取向;及 (f) 使光束移動角度,然後再使光束於第一橫向中移 動,直至到達第一終點為止,然後使光束於垂直方向中移 動’及再次使光束在與第一方向平行但相對的第二方向中 橫向移動至第二終點,及根據OLED基材之偵測得的位置及 取向,經由改變當光束移動至不同橫向位置時之引動定 時,而使橫向移動之光束在第一或第二方向或兩方向中引 動。 此方法之一優點為其提供形成具有較少瑕疵之發光層的 有效方法。再一優點為本發明可基於基材由於環境溫度變 化所造成之尺寸變化作調整。此方法之再一優點為其可在 大的EL面板上維持EL點精確度,此點很難或無法利用現有 的方法達成。再一優點為此方法可快速及容易地放大至任 何尺寸的EL面板及/或不同的像素尺寸,而不需等待製造出 不同尺寸的孔板,且可較其他方法更容易地放大,而製造 較大的顯示為單元。再一優點為此方法可完全自動化,包 括供體及基材介質的操作。本發明尤其適合在具有許多 OLED顯示裝置之大面積上形成有機層,因而提高出料量。 85313 200400776 【實施方式】 使用術浯「顯示器」或「顯示面板」於指示可電子顯示 視頻影像或文字的螢幕。術語「像素」在其之經技藝認可 的用途中係用於指示可經刺激,而發射與其他區域無關之 光 < 顯示面板的區域。術語「0LED裝置」係以包括有機發 光二極體作為像素之顯示裝置之其之經技藝認可的意義使 用。衫色OLED裝置發射至少兩顏色之光。使用術語「多色」 於說明可在不同區域中發射不同色相之光的顯示面板。尤 其,其係用於說明可顯示彩色影像之顯示面板。此等區域 並不一定為相連。術語「全色」係使用於說明可在可見光 譜之紅色、綠色、及藍色區域中發射,及在範圍寬廣的色 相或色相之組合中顯示影像的多色顯示面板。紅色、綠色、 及藍色構成三原色,可經由將此三原色適當混合,而產生 所有其他顏色。術語「色相」係指在可見光譜内之光發射 的強度分佈,不同的色相展現顏色之視覺上可識別的差 異。一般使用像素或次像素於指示顯示面板中之最小的可 編址單元。對於單色顯示器,在像素或次像素之間並沒有 區別。術語「次像素」係使用於多色顯示面板,且係用於 指示可獨立編址’以發射特定顏色之像素的任何部分。舉 例來說,藍色次像素係可編址而發射藍色光之該部分的像 素。在全色顯示器中’像素一般包括三原色次像素,即藍 色、綠色、及紅色。術語「節距」係用於指示在顯示面板 中分離兩像素或次像素之距離。因此,次像素節距係指兩 次像素之間的分離。 85313 -10- 200400776 小像素裝置所需之嚴格對準容許度顯示圖案化供體材料 可能不週當,且可能需要對來自基材之環境或其他溫度變 化之熱膨脹的校正。現參照圖la,其顯示〇led基材ι〇之頂 視圖其包括像素邵分12之陣列。此種像素部分12各與電 極、、、"口,且可為具有電極之重疊列及欄之所謂被動顯示器 的#刀,或具有共同陽極及個別薄膜電晶體(TFT)之主動顯 示w的峥刀。各像素邵分12可為像素(對於單色顯示器)或次 像素(對於全色顯示器)。在此等裝置中可能希望在個別像素 或次像素之間之距離係低於1〇〇微米。 基材1〇可為提供自供體接受發光材料之表面的有機固 ^ 無機固體、或有機及無機固體之組合。基材10可為硬 貝或了挽’且可將其加工成為分離的個別物件,諸如片材 或晶圓’或為連續捲筒。典型的基材材料包括玻璃、塑膠、 金屬、陶瓷、半導體、金屬氧化物、半導體氧化物、半導 體氮化物、或其之組合。基材10可為材料之均勻混合物、 材料之複合物、或材料之多層。基材10可為基材,其 係般用於t備〇LED裝置之基材,例如,主動陣列低溫多 晶矽TFT基材。基材丨〇可視光發射之預計方向而為透光性或 不透明。對於透過基材觀看EL發射須要透光性質。在此種 情況中一般使用透明玻璃或塑膠。對於透過上方電極觀看 EL發射之應用,底部支承物之透射特性不重要,因此,其 可為透光性、吸光性或光反射。使用於此情況之基材包括, 但不限於,玻璃、塑膠、半導體材料、陶瓷、及電路板材 料。對於本發明’基材10為OLED基材較佳,且術語「基材 85313 -11 - 200400776 及「OLED基材」將可交替使用。 圖la另顯示基材10上之可識別特徵。可識別特徵係可利 用例如1學、電容之方式,或利用其他方式偵測得之基 材10上之特徵,且可使用其於將基材1〇之位置及取向定 位,以使發光層以明顯的方式相對於像素部分12適當設 置。在此例子中將此種可識別特徵示為兩分隔開的基準符 號40及42,其之-或多者係當製造基材1〇時形成於已知之 位置中。基準符號40及42係經設計於可辨識基材1{)上之特 定點,且其可為許多形狀’包括相交的十字型(⑽sshairs)、 三角形、圓形、方形、相交的三角形、Γχ」、或可利用於 界定點之任何其他形狀。對於本發明,將交替使用術語「可 識別特徵」及「基準符號」。 圖U另顯示可使㈣達成本發明之基材1()及照相機特徵 的一具體實施例。可使用照相機系統之十字型於界定基準 符號40及42之位置。第一照相機包括十字型料,其係要在 校正錯誤對準之程序中將基準符_定位。第二照相機包 括在照相機之視野中界定一固定參考的方式,諸如十字型 46,其係要在校正錯誤對準之程序中將基準符號“定位。 照相機可為裝設透鏡系統,以捕捉基材基準之影像,及裝 設内部標識器或固定參考諸如整合十字型及/或刻線的攝 影機。選擇照相機及透鏡系統之解析度,以致所得之解析 度在影像平面或基材表面係在丨微米以下左右較佳。此種照 相機系統可購自’例如,s〇ny、Princet〇n Inst_她、 M1Cr〇_LumetiCS、及 Aegls Eiectronics Gr〇up。 85313 -12- 200400776 現參照圖ib,其顯示可使用於達成本發明之基材ι〇及照 相機特徵的另一具體實施例。在此具體實施例中,像素部' 分係可識別特徵。可使用照相機系統之十字型於界定美材 上之其他特徵的位置。在此另一具體實施例中,十字二44 係要將像素部分50之角落51定位,以界定錯誤對準。^字 型46係要將像素部分52之角落53定位,以界定錯誤對準。+ 圖2係會促成在十字型44及46與基材上之相對之可識別 特徵(基準符號40及42或角落51及53)之間之錯誤對準之數 個因素的示意圖。首先,基材1〇可能在横向錯誤對準,即 係在一般所稱的X及y方向,其如由錯誤對準的基材i〇a所 示。其次,基材10可在角度上錯誤對準,其如由錯誤對準 的基材10b所示。第三,基材10可能隨由環境所造成之溫度 變化或其他溫度改變及變化而膨脹或收縮,其如由錯誤= ‘ 準的基材10c所示。基材10之錯誤對準可歸因於此等因素的 任何一者或任何組合。說明於此之方法可將所有此等種類 的錯誤對準定量及校正。(其他錯誤對準的原因,諸如不適鲁 當設置的基準符號40及42 ,係將使基材10遭淘汰的瑕疵, 而不需加以校正)。 圖3a顯示來自根據本發明將得到之基材/供體元件組合 · 照射光束之光源1〇〇之光束24的橫剖面圖。光源1〇〇可為可 · 使用於此方法中之任何光的來源,例如,雷射、閃光燈等 等。光源100為雷射較佳,及為發射調節多通道線性雷射光 東《多迎道雷射最佳,其之用途由Kay等人說明於以上引述 心共同受讓之美國專利申請案第1〇/〇55,579號中。為清楚起 85313 -13 - 200400776 見而未將微定位裝置示於圖中。將供體元件16以與基材1〇 的轉移關係設置,即將供體元件16設置成與基材1〇接觸(未 不万;圖中)5或與基材10保持經控制的分離。供體元件16係 藉由加壓構件96而固定位。加壓構件96可為透明支承物, 或可為經氣體加壓,以使供體元件16與基材1〇獲致緊貼關 係的A 9如由Phillips等人教授於以上引述之共同受讓之美 國專利申請案第10/021,410號中。 光源100透過透鏡94發射可為多通道的光束24,即線性雷春 射光束之多個調節通道。為清楚說明起見,將光束24繪成 系列的線條,以強調其可為雷射光之複數個可個別編址 心通道的多通遒性質。當明瞭此等通道可相連,及在照射 時的行為如同雷射光的連續帶。光束24透過透明的加壓構 件96導引於供體元件16上,並衝擊供體元件16的非轉移表 面。可經由調節光束24之通道,同時提供在光束24與所得 之基材/供體元件98之間的相對移動,而得到期望的圖案。 現參照圖3b,其顯示OLED基材及在實施本發明時相對於籲 基材適當設置之供體元件的橫剖面圖。供體元件16及基材 1〇係處於轉移關係,即供體元件16係置於基材10上或與其 接近。供體元件16包括支承物18、能量吸收層2〇、及一層 發光材料22。供體元件16未經圖案化,即能量吸收層2〇和 發光材料22係均勻地塗佈於支承物18之表面上。經由利用 光束24選擇性地照射供體元件16之非轉移表 餘处 \ /、、、'工月6 量吸收材料20之選定部分吸收並將其加熱,因而加熱發光 材料22的選定部分),而使發光材料22自供體元件16之轉移 85313 -14- 200400776 表面28轉移至基材10。發光材料22之選定部分當轉移至基 材10時蒸發或昇華,而成為發光層32。 現參照圖3c,其顯示彩色〇LED基材及供體元件之橫剖面 圖。在形成彩色OLED顯示器之情況中,可形成各可產生不 同顏色光的多個發光層。各不同顏色的發光層需要具有能 量吸收層及可發射各別顏色之光之發光材料之未經圖案化 的供體元件。舉例來說,可如下連續沈積三不同顏色的發 光層:可利用包括發射藍色之發光材料22之第一供體元件馨 16在第一像素邵分12a形成發射藍色之發光層,可利用 包括發射綠色之發光材料22之第二供體元件16在第二像素 邵分12b形成發射綠色之發光層32b,及可利用包括發射紅 色之發光材料22之第三供體元件16在第三像素部分12〇形 成發射紅色之發光層32c。發射藍色及發射綠色之層係在稍 早的步驟中形成’此圖係說明發射紅色之發光層32〇的形 成。 支承物18可由滿足至少下列需求之數種材料的任何材科 製成 支承物必需充分可撓,且具有適當的拉伸強度,以 可,受預塗伟步驟及在實施本發明時之支承物的輥對輥或 堆疊片材輸送。支㈣必需可在邊於—侧上加壓的光錢 引發轉移㈣中,及在任何考慮祕移轉發性成份諸如' 預熱步驟中維持結構完整性。另外,支承物必需 :在表面上接党有機供體材料之相當薄的塗層,及在經 望伟支承物之預期的儲存期間中滯留此塗層,而不降解。二 滿足此等需求之支承物材料包括,例如,金屬落、特定的 85313 -15- 200400776 強化的_。雖然適當支承物材料之 實施本發明之1承=万法,但當明瞭當構造作為有用於 進-步的考::::,選::::材料之 牛q來說,支承物在預塗佈可 料之前可能需要多步驟清潔及表面製備方 機材 料係輻射透射性材科, 7支承物材 閃光或來自適當雷射之上,當閃光燈之赛射之 田W射光時,將輻射吸收材料加入至 支承物中或於其表面上可有利於更有效地加熱支 2 ^供可轉移有機供體材料自支承物至基材之相對增進的轉 月匕T吸收層20可吸收光钱. 尤阳心預疋部分中之輻射及產生 户、、。能量吸收層20可為婆料4 4 一 為木科邊如明不於共同受讓之 US-A_5,578,416中之染料,麵料嗜 斤— 願科者如奴,或金屬諸如鎳、鈦 寺寺。 典型的OLED裝置可包括通常依照下列順序的下列層:陽 極、電洞注射層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層、陰 /、《任何者或全體可包含可為電洞注射材料、電洞 輸送材料、電子輸送材料、發光材料、主體材料、或此等 材科〈任何組合的有機材料。在此等材料之中,本發明之 實施主要侧於包含發光材料22之有機材料及將此種材料 準確轉移至基材上之期望位置的方法。 發光材料 -、决有用作為各光材料22之發光材料。如更完整說明於 共同受讓之 US-A-4,769,292 及 US-A-5,935,721 中,有機 EL 元 85313 -16 - 200400776 件之發光層(LEL)包含發光或螢光材料,其中由於在此區域 中之電子-電洞對再結合之結果而產生電發光。發光層可包 含單一材料,但其更常由經摻雜一或多種客體化合物之主 體材料所組成,其中光發射主要係來自摻雜劑且可為任何 顏色。發光層中之主體材料可為如以下所定義之電子輸送 材料、如以上所定義之電洞輸送材料、或另一支援電洞-電 子再結合之材料。摻雜劑通常係選自高度螢光染料,但磷 光化合物,例如,如說明於WO 98/55561、WO 00/18851、 WO 00/57676、及WO 00/70655中之過渡金屬錯合物亦有 用。摻雜劑典型上係以0.01至10重量%塗佈至主體材料中。 選擇染料作為摻雜劑之一重要關係係比較經定義為在分 子之最高佔用分子軌域與最低未佔用分子軌域之間之能量 差的能帶隙位能。對於自主體至摻雜劑分子之有效率的能 量轉移,必需的條件為摻雜劑之能帶隙較主體材料之能帶 隙小。 已知有用的主體及發光分子包括,但不限於,揭示於共 同受讓之118-人-4,768,292、118-八-5,141,671、113-八-5,150,006 、US-A-5,151,629、US-A-5,294,870、US-A-5,405,709、 US-A-5,484,922 、US-A-5,593,788 、US-A-5,645,948 、 US-A-5,683,823 、US_A-5,7 55,999 、US-A-5,928,802 、 US-A-5,935,720、US-A-5,935,72卜及US-A-6,020,078 中者。 8-羥基喹啉及類似衍生物(化學式E)之金屬錯合物構成一 種可支援電發光的有用主體化合物,且其特別適用於波長 大於500奈米之光發射,例如,綠色、黃色、橙色、及紅色。 85313 -17- 200400776
其中 Μ代表金屬; η係1至3之整數;及 Ζ在各次出現時分別代表完成具有至少兩稠芳環之核 的原子。 由前述說明,明顯可見金屬可為單價、二價、或三價。 金屬可為,例如,驗金屬,諸如鐘、#3、或卸;驗土金屬, 諸如鎂或鈣;或土族金屬,諸如硼或鋁。一般而言,可使 用任何已知為有用钳合金屬之單價、二價、或三價金屬。 Ζ完成包含至少兩稠芳環,其中至少一個為唑或畊環的雜 環核。若需要,可使额外的環,包括脂族環及芳環兩者, 與兩必需的環稠合。為避免未改良功能而增加分子體積, 通常將環原子之數目維持在18以下。 有用之钳合類8-輕0奎琳(oxinoid)化合物的說明例如下: CO-1 :叁(8-羥喳啉)鋁[別名,叁(8-喳啉醇基)鋁(III)] CO-2:雙(8-羥喳啉)鎂[別名,雙(8-喹啉醇基)鎂(II)] CO-3 :雙[苯并琳醇基]鋅(II) CO-4:雙(2-甲基-8-喹啉醇基)鋁(ΙΙΙ)-μ-酮基-雙(2-甲基 -8-喳啉醇基)鋁(III) CO-5 :叁(8-羥喹啉)錮[別名,叁(8-喳啉醇基)錮] 85313 -18- 200400776 CO-6 :叁(5-甲基-8_羥喳啉)鋁[別名,叁(5-甲基_8_峻 啉醇基)鋁(III)] CO-7 :畚(8_經峻琳)J里[別名,(8-ντ奎琳醇基)|里] 9,10-二_(2-萘基)蒽之衍生物(化學式F)構成一種可支援 電發光的有用主體,且其特別適用於波長大於400奈米之光 發射,例如,藍色、藍色、綠色、黃色、橙色或紅色。
第1群:氫、或1至24個碳原子之烷基; 第2群:5至20個碳原子之芳基或經取代芳基; 第3群·完成蒽基、蕞基、或笸基之稠芳環所需之4至 24個碳原子; 第4群·完成呋喃基、嘍吩基、吡啶基、喳啉基或其 他4衮系統之稠雜芳環所需之5至24個碳原子之 雜芳基或經取代雜芳基; 第5群:1至24個竣原子之垸氧胺基、燒胺基、或芳胺 基;及 第6群:氟、氯、溴或氰基。 如13 200400776 的有用 例如, 吲哚衍生物(化學式G)槿忐s 、* W 、 成另―種可支援電發光 之光發射 王體’且其特別通用於波長大於400奈米 藍色、藍色、綠色、黃色、橙色或紅色
G 其中: η係3至8之整數; Ζ係Ο、NR或S ;及 · R’係氫;1至24個碳原子之烷基,例如,丙基、第三丁 基、庚基等等;5至20個碳原子之芳基或經雜原子 取代之芳基,例如,苯基及苯基、呋喃基、嚓吩基、 吡啶基、喳啉基及其他雜環系統;或鹵基諸如氯 基、氟基;或完成稠芳環所需之原子; L係由烷基、芳基、經取代烷基、或經取代芳基所組成 之鏈結單元,其共軛或非共軛地將多個吲哚連接在 鲁 <起。 有用钥嗓之一例子為2,2,,2”-(1,3,5-伸苯基)參[1_苯基_111- 苯并咪咬]。 適用的螢光摻雜劑包括蒽、四莘、二苯并哌喃、笸、2,3· 苯并蒽、薰草素、玫瑰紅、喹吖啶酮、二氰亞甲基哌喃化 合物、硫旅喃化合物、聚次甲基(polymethine)化合物、正喊 喃離f(pyriHum)及正嘧哌離子(thiapyrilium)化合物、及2-經TT奎淋化合物之衍生物。 85313 -20- 200400776 有用摻雜劑之說明例包括,但不限於,以下化合物:
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Ο Η
X R1 L9 0 Η L10 0 Η L11 〇 甲基 L12 〇 甲基 L13 0 Η L14 〇 第三丁基 L15 0 第三丁基 L16 S Η L17 S Η L18 S 甲基 L19 S 甲基 L20 S Η L21 S -第三丁基 L22 S 第三丁基 R2 基基 基基 丁丁 丁丁 基 基三 三 基基三 三 Η甲Η甲第Η第Η甲Η曱第Η第 X R1 R2 L23 0 Η Η L24 〇 Η 甲基 L25 〇 甲基 Η L26 〇 甲基 甲基 L27 〇 Η 第三丁基 L28 0 第三丁基 Η L29 0 第三丁基 第三丁基 L30 S Η Η L31 S Η 甲基 L32 S 甲基 Η L33 S 甲基 甲基 L34 S Η 第三丁基 L35 S 第三丁基 Η L36 S 第三丁基 第三丁基
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其他的有機發光材料可為聚合物質,例如,聚伸苯基伸 乙烯基衍生物、二烷氧基-聚伸苯基伸乙烯基、聚對伸苯基 衍生物、及聚第衍生物,如由Wolk等人教示於共同受讓之 春 US-A-6,194,119B1及其中之參考文獻中。 一重要的問題係確保光束24適當地照射供體元件16,以 致將發光材料22轉移至像素部分12,而不至介於其間的部 分14。由於像素部分12之間之距離可能低於100微米,因而 此可能係重要的問題。在橫向及角度上之基材10之設置的 較小誤差,以及由環境溫度之變化所造成之熱膨脹效應會 對雷射輻射及像素部分之對準有負面的影響。錯誤對準導 致製造時的較高瑕疵率或較低品質的裝置。其係基於前述 85313 -24- 200400776 對準因素而維持光束與基材之對準的重要問題。 圖4&顯不具有可識別特徵且顯示照相機十字型的基材, 且亦顯示各種尺寸偏差。當明瞭圖4a係為清楚說明而描 繪’且照相機十字型44及46將僅可於照相機系統上看見, 而不可於基材1 〇上看見,且透過此一照相機系統將僅可看 見在十+型内之邯分的基材1〇。可透過在裝置之製造過程 中王宰輻射源之移動的精密計量裝置由χ方向48及乂方向49 界疋χ-y座標系統92。在此座標系統中以x&y座標描述照相 $ 機十字型,即照相機十字型44<Xei、yei及照相機十字型杯 《〜2、y。2。此等位置可透過將照相機設置於χ兮座標系統内 之系統校準程序建立。在本說明中當可明白此程序之步騾。 在χ-y座標系統92内之基材10錯誤對準的定義係仰賴可 識別特徵之位置的定義,即基準符號4〇及42相對於照相機 十字型44及46。照相機十字型44自基準符號40偏離ΔΧι 62 及Ayi 64。照相機十字型46自基準符號42偏離Δχ2 66及八力 68。x-y座標系統92中之基準符號的位置係由照相機十字型籲 之已知位置及在十字型與相對基材基準符號之間之偏差計 算知。计算彳于 <位置可以其之x&y座標描述··基準符號4〇 係在位置xn、yfl及基準符號42係在Xf2、yf2。 現參照圖4b,可看見由可識別特徵所定義之線之位置及 與標稱線之比較。偵測線74係由其之終點定義,即由基準 40及42足義。可計算偵測線74之實際長度%,且其代表在 兩可識別特徵之間的實際間隔。標稱線8〇具有代表在兩可 誠別特徵之間足標稱間隔的標稱長度78。標稱線8〇及其之 85313 -25 - 200400776 尺寸係預先在預定條件下自已知之基材1〇測得。偵測線74 之實際長度76及標稱長度78之比係尺寸變化的量度,將其 稱為基材10之放大。亦可將此比稱為校正因子。假設基材 1 〇係均勻地膨脹,則在偵測線74之偵測中點82與標稱線80 之標的中點84之間之偏差將呈現Δχί88及Δη9〇之橫向偏 差。偵測線74之角度相對於標稱線8〇之角度定義基材丨❹之 角度偏差86。 可將AxL 88及AyL 90之橫向位移及相當於角度偏差料之 f心角度位移應用至任何要校正角度及橫向偏差之基材, 至固定印刷頭之輸送系統,或至待印刷之影像資料。校正 程度將視提供此相對運動之系統的準確度及精密度而定。 在影像檔案之產生過程中或在印刷過程中可校正與因熱膨 脹所致之放大相關的誤差;將後者稱為動態校正。在動態 权正具體實施例中,在輻射源之引發中說明因基材放大所 致之誤差。 現參照圖5及亦參照圖4a,其顯示包括可移動光源及實行 說明於此之方法之微定位裝置之輸送裝置〗i 6的一具體實 施例。輸送裝置116包括經由移動光源1〇〇而移動光束24之 I置’即彳政走位裝置102、1〇6、及1〇8、及車架112。此裝 置由Kay等人說明於以上引述之共同受讓之美國專利申請 案第10/055,579號中,將其之揭示内容以引用的方式併入本 文中。 、 光源100可以現將說明之方式橫向及角度移動至選定位 置,以改變光束24之相對位置。可移動光源i⑽係裝置於微 85313 -26 - 200400776 定位裝置102上。光源100可為,例如,如由Kay等人教授於 以上引述之共同受讓之美國專利申請案第1〇/〇55,579號中 之雷射印刷頭。微定位裝置1〇2可以次微米左右的解析度將 光源100於橫向104中移動及定位。微定位裝置1〇2可於市面 購自諸如Dover Instruments Corp之製造商。車架112呈現微 定位裝置102之可移動部分。微定位裝置ι〇2可於一方向, 例如圖4b中之X方向48中調整橫向位移,因此而使光源100 可於橫向移動,以調整光源1〇〇相對於互呈轉移關係之基材 φ 1〇及供體元件16的位置。 微定位裝置102係安裝至微定位裝置ι〇6及微定位裝置 1〇8。後兩者與微定位裝置ι〇2類似,但係以對微定位裝置 102正交之方式設置,因此其可使微定位裝置1〇2之各端於 垂直方向110中移動。微定位裝置1〇6及微定位裝置1〇8可協 同移動’以在與微定位裝置1〇2正交之方向,例如,圖仆中 之y方向49中調整橫向位移。在微定位裝置1〇6、1〇8、及1〇2 之間之機械連結亦可容許在由橫向1〇4及垂直方向ι1〇所界 _ 足之平面内的有限角度調整。換言之,微定位裝置1〇6及i 〇8 可於相反方向中移動,以調整角度誤差86,因此而使光源 1〇〇及光束24移動角度。 圖6顯示用於完成照相機位置之偵測、基準之偵測、及錯 或對準之校正之電光學次系統的方塊圖。輸送系統152包括 動作控制電子元件246及微定位裝置102、106、及108。微 走k裝置102、106、及108控制光源100之移動及位置。在 此以連接270象徵此控制。來自動作控制電子元件246之驅 85313 -27- 200400776 動信號252、254、及256分別控制微定位裝置1〇2、1〇6、及 1 〇8之私動’及因而控制光源1 〇〇之移動。精密反饋信號 258、260、及262分別使動作控制電子元件246可監測微定 位裝置102、106、及108之位置,因而監測光源1〇〇之位置。 此種反饋信號可包括由當光源100移動時之各別微定位裝 置之位置或移動所決定之預定的脈衝。預定的脈衝可為, 例如’當各別微定位裝置移動預定距離時產生一脈衝的脈 衝序列。此種脈衝可由精密計量裝置,諸如線性編碼器或 雷射干涉計,或任何其他技藝中熟知之精密計量裝置所產 生。此種精密計量裝置可為微定位裝置之一部分,例如, 精在计f裝置251可為微定位裝置102之一部分或可安裝至 其上。精密計量裝置251可包括一或多個可定義光源1〇〇之 位置的精密感測器。此種精密感測器亦可定義x_y座標系統 92 〇 系統可包括一或多個經設計於偵測可識別特徵,例如, 基材10上之基準符號40及42之影像,且視需要可具有預定 之χ-y觀看座標系統的偵測器,例如,數位照相機248。數 位照相機248產生與χ-y觀看座標系統相關的數位影像。可 將數位影像資料轉移至影像處理器250,此影像處理岑25Q 包括用於處理此種數位影像資料的處理演算法,且其可計 算基準符號40及42相對於各別數位照相機248之中心的位 置。數位照相機248可經校準,以致影像處理器25〇可報生 預足之x-y座標系統92中之位置。數位照相機248亦可觀看 光束24於基材10上之位置,並將其報告給影像處理器乃〇。 85313 -28- 200400776 可將描述基準符號40及42相對於各別數位照相機248之 中心之位置的資料自影像處理器250轉移至主PC 150,其可 使用該資訊於計算橫向及角度偏差以及基材10之放大。主 PC 1 50可指示動作控制電子元件246,以將微定位裝置 102、106、及108,及因此將光源100移動至任何期望位置, 且可藉由來自動作控制電子元件246之反饋監測此種移動 及位置。將動作控制電子元件246程式化,以接受角度偏 差,諸如角度誤差86,作為來自主PC 150之輸入,及將其 春 維持直至經引導以移除角度偏差為止。此外,將動作控制 電子元件246程式化成接受來自主PC 150之橫向偏差校正 信號,以調整微定位裝置102、106、及108,以致在基材之 曝光過程中產生適當的驅動信號。藉由此種控制,主PC 150 可指示動作控制電子元件246,以基於來自影像處理器250 之資料而調整光源100之起始位置及角度偏差。主PC 150亦 可指示動作控制電子元件246,以使光源100掃描,而將發 光材料轉移至基材。系統板154亦可包括計數暫存器146及 春 誤差累積器148,其可使用於控制光源100之驅動。 在使發光材料轉移至基材所需之動作過程中,微定位裝 置102、106及108受分別產生驅動信號252、254及256及監 測來自微定位裝置102、106及108之精密反饋信號258、260 及262的動作控制電子元件246控制。動作控制電子元件246 中之閉環控制可產生驅動信號252、254、及256,以致得到 反饋信號258、260及262的期望值。此外,如反饋信號258、 260及262之現值偏離期望值,則可透過驅動信號252、254 85313 -29- 200400776 t256連續進行校正,以維持期望的位置。在裝置之曝光過 二中,作控制電子元件246可以對微定位裝置102、106及 108下指令,而以光柵方式掃描印刷區域之方式連續更新期
望的位置D 此外在|置< 掃描及曝光過程中,系統板154適當地驅 動光源⑽。系統板154基於自主% 15()接收得之影像資料 及自動作控制電子元件246接收得之動態校正信號264而引 導光源100發光或不發光。動態校正信號264可包括重複信 ^諸如編碼II脈衝及非重複信號諸如觸發器信號。如所說 明,在裝置之曝光過程中,動作控制電子元件246控制光源 1〇〇<移動,以致其以光柵方式橫越印刷區域。 熟心技蟄人士當明白可有其他提供在光束24與基材⑺之 間之相對移動的方式。舉例來說,可將光源1〇〇固定。接著 可經由移動基材10而提供此種相對移動。或者,反射鏡或 光柵之設置可經由改變光束24衝擊於基材1〇上之位置而提 供相對移動。 現參照圖7及亦參照圖乜及扑,可看見在基材對準程序中 所涉及的整體步驟,即使基材和輸送系統對準。圖7中之實 際上係多個步驟的步騾以粗黑框表示,其如解說所示,且 其將於其他圖中作進一步論述。在程序開始時(步驟122), 系統將1號照相機定位,即其將十字型44於乂_丫座標系統92 中之位置定位(步騾124,其可稱為照相機定位程序)。系統 接著將2號照相機定位,即其將十字型仆於乂^座標系統” 中之位置足位(步驟126,其可稱為照相機定位程序)。接下 85313 -30- 200400776 來,將供體元件16及基材10置於系統中(步騾123)。將基材 ίο相對於數位照相機248設置,以致數位照相機248可產生 具有經適當定位供處理用之基準符號4〇及42的數位影像, 八之丨生貝將明顯可見。所謂適當定位係指可識別特徵係位 於數位照相機248之視野内,且以在影像之中心2〇%内較 佳。系統接著測得第一基準符號4〇相對於十字型44之偏差 (步驟128,其可稱為基準定位程序)及第二基準符號^相對 於十竽型46之偏差(步騾13〇,其可稱為基準定位程序)。系 統如此偵測基材10上之可識別特徵相對於x_y座標系統% 心位置。王PC 150計算基準符號4〇及42於、丫座標系統%中 <位置(步騾132),接著熱膨脹補償演算法比較在兩可識別 特徵之間之實際間隔76及標稱間隔78並產生一校正因子, 其係實際間隔76與標稱間隔78之比。系統接著計算基材ι〇 <角度及中心(步騾134)。系統如此測定基材1〇相對於光束 24之位置及取向。 若須要,則其可以重覆的程序完成。在此情況,動作抄 制電子元件將藉由提供的橫向及角度偏差而實際對動作 指令’且將重複此等偏差之計算。舉例來說,如選擇重複(步 驟136),則系統使x_y座標系統92之中心與偵測中點^對準 (步驟138),然後由主PC 15〇將角度誤差%之角度對準校正 應用至x-y座標系統92 ’將—信號送至動作控制電子元件 246,此信號代表設立角度校正所需之微定位裝置⑽及⑽ 之所需偏差’而使光束24移動角度(步驟丁重複步驟 128至134,以更求精準。 85313 -31 - 200400776 如基準付旒40及42之影像具有足夠的品質,且微定位裝 置102 1〇6、及108及相關的精密計量裝置具有測量及控制 位置,以致單一組的測量提供在將發光層適當沈積於 基材上所需之誤差邊界内之定位資訊的足夠能力,則將不 需要重複的程序。 毛取、、';的重複過程之後,或如未使用重覆的程序(步驟 136),則系統將校正因子及剩餘的橫向及角度偏差提供至 系統板及輸送系統(步騾142),然後在程序結束(步騾之 前對起始位置(步騾144)及角度(步騾145)進行最終的調 整。一些此等步驟將進一步詳述於隨後的圖及說明中。 現參照圖8及亦參照圖6,可更詳細看到在x_y座標系統中 在照相機定位程序中所涉及之步騾,即圖7中之步驟124及 126。此等步驟係仰賴使光束24移入至各照相機之視野内的 程序。在此程序之開始時(步騾156),主pc 15〇對其他系統 下才曰令。王PC 150對系統板154下指令,以使光源1〇〇之操 作功率自其之正常書寫功率降至足以將光束24之照明位置 定位之較低功率(步騾158)。如光源1〇〇係多通道光源,則主 PC 150對系統板154下指令,以打開光源1〇〇之單一通道(步 驟160)。主pC指示動作控制電子元件246,以經由微定位裝 置102、106、及108而使光源1〇〇移動至最後知曉的照相機 中〜位置(步驟162)。最後知曉的照相機中心位置係最後一 次進行照相機定位程序時,光源將置於照相機中心之光源 的位置。如先前未進行照相機定位程序,則可能需要手動 的足位程序,以建立起始的最後知曉之照相機中心位置。 85313 -32 - 200400776 步騾162可於步騾158及160之前、之中、或之後發生。步騾 162有效地將光束24相對於數位照相機248設置,以致數位 照相機248可產生具有經適當定位供處理用之發射光的數 位影像,其之性質將明顯可見。所謂適當定位係指發射光 係位於數位照相機248之視野内,且以在影像之中心2〇%内 較佳。 主PC 150接著對影像處理器250下指令,以捕捉來自數位 照相機248之影像資料(步驟164)。影像處理器25〇自動計算 由光源1〇〇發射之通道影像之質量中心(步驟168>然後將自 照相機之中心至通道影像之質量中心之乂及乂的偏差報告至 主PC 15〇(步騾170)。光束24之位置可由,例如,以上之定 位程序,或由將位置資料轉移至主PC 15〇之輸送系統152而 知曉。知曉數位照相機248及光束24於x_y座標系統92中之位 置,因此亦知曉數位照相機248之位置相對於光束24之現時 位置。 一旦影像資料經捕捉、計算,及偏差經報告,則主pC i 5〇 將自照相機之中心至通道影像之質量中心之x&y的偏差傳 輸土輸送系統152(步驟174)。輸送系統152,及明確言之係 動作控制電子元件246,將χ-y座標系統92中之現時照相機 ^置计算及儲存為最後知曉的照相機位置(步驟丨8〇)。同 時主pC 150指示系統板154將光源100之通道關掉(步驟 178),及使光源100之功率設定回到正常的書寫值(步驟 182)。程序接著結束(步驟184),其可包括來自系統板154或 輸送系統152或至主PC 150之準備就緒的信號。 85313 -33 · 200400776 •子第一及任何後績的照相機系統重複此程序,以致知曉 在x-y座標系統92中之照相機十字型之位置。 料照圖9及亦參照圖la及圖6,可看到更詳細顯示在基 準足位私序即在偵測基材10上之可識別特徵相對於偵測 …、相機〈位置中所涉及之一些步驟的方塊圖。目此,圖9係 圖7中之步,¾ 128及13G的更詳細圖示,且係用於處理可識別 特徵〈數位影像的處理演算法。在步驟⑽中,影像處理器 250自數位照相機248擷取影像資料,其包括在圖i神之十 + 土44或46内之區域且包括基準符號(4〇或42)。影像處理器 250使用影像資料於計算基準符號之質量中心(步驟叫。影 像處理斋250接著將來自照相機系統像素單元之基準符號 位置轉變成實際尺寸,因此定義基準符號中心之位置,及 因此疋我基材10相對於x_y座標系統92之位置及取向(步驟 194)。此時可測定基材_對於光束24之位置及取向。 現參照圖10及亦參照圖4b、圖5、及圖6,可看到更詳細 〜、示在此程序中在计算一些重要參數時所涉 及之一些步驟 的万塊圖。因此’圖i〇係圖7中之步騾134的更詳細圖示。 在步驟200中,主PC 150計算偵測線74之長度,其係由位於 基準付#U4G及42之質量中心的兩點所界定,其中位置係於 χ-y座標系統内表示。接著計算中點82 (步騾2〇2),及由主pc 150彳算距期望中點84之橫向偏差(步騾2〇4)。主15〇計算 、'泉74及8H角度偏差86 (步驟雇)。結果係角度偏差^ 及以Δχ[ 88及Ayi 90表示之橫向偏差。在步騾2〇8中,主pc 150计算板正因子,其係線74之長度對線80之長度之比。主 85313 -34- 200400776 距及放大(步驟 PC 150接著計算距標稱線節距之實際線節 212)。 見品論述用於製造OLED裝置之影像㈣的構造。影像標 案係包含待寫人之各像素部分之值的資料構案。在系统現 狀中’各通道可為開或關。術語「通道」係指多通道光源 之單一通道,其如由Kay等人說明於以上引述之共同受讓之 吴國專财請案第丨_55,579號中。將此影像資料組織成稱 為長列(swaths)之條狀物。視期望影像而定,將長列構造成 具有特定長度及寬度。為協調此影像之曝光與圖案化基材 對齊需先使基材與χ-y座標系統對準,然後需使主pc丨咒及 輸送系統152將數件資訊提供至系統板154。首先,系統板 154必需具有影像及線節距之格式。其亦需具有基材相對於 x-y系統之其餘角度偏差。其亦需具有與在書窝程序中沿長 列行進之距離相關的資訊,其亦稱為計量資訊。 現參照圖11及亦參照圖3b、圖5、及圖6,可看見顯示在 書寫私序中I步騾的方塊圖,其包括亦稱為熱膨脹補償演 算法之供放大調整用之動態對準。在書窝程序中,經由改 變當光源100移動至不同橫向位置時之引動定時,而根據基 材之偵測得的位置及取向引動橫向移動的光源J 00。引動光 源100則引動光束24。以此方式,光束24照明供體元件16之 不同部分,及在此一程序中,將複數個發光層,例如,發 光層32及33,沈積於基材1〇上。計量資訊使系統板154可補 償基材10之熱膨脹。此外,由於計量資訊之解析度與像素 位置之節距可能不同步或不為相同解析度,因而必需包括 85313 -35- 200400776 用於追蹤及補償累積誤差之熱膨脹補償演算法。 在開始時(步騾216),光源1〇〇經由微定位裝置1〇2而於第 一方向,例如第一橫向105中移動(步驟218)。此使光束24 於第一方向中移動。微定位裝置1〇2向動作控制電子元件 246發出關於其位置之信號,例如經由包括來自精密計量裝 置251之預定脈衝,即當光源1〇〇移動預定距離時所產生之 脈衝之精岔反饋信號258。熱膨脹補償演算法使用精密反饋 仏唬258<脈衝於準確引動橫向移動的光源1〇〇。輸送系統 152在預疋的點經由校正信號264觸發系統板154,而開始書 冩程序(步驟220)。動作控制電子元件246將計量脈衝送至系 統板154,其將脈衝累積於計數暫存器146中(步驟功)。熱 膨脹補償演算法將累積脈衝(其係距離之量度)與線節距(其 係經校正因子(其經定義為實際間隔76及標稱間隔78之比、 =像素部分12之標稱間隔)作比較。如累積計數低於線 =步驟叫,則系統板154繼續將計量脈衝累積於計數暫 2子2二:中(步驟Μ.如累積計數等於或大於線節距(步驟 列未下一組預疋像素部分之書寫(步驟226)。如長 〜禾凡成(步驟228),即如 、上丄丄 待蚩富,卩如在弟—万向中有額外的像素部分 θ 4將計數與線節距作比較 線節距,目彳Μ ^ , 敉(步騍229)。如計數等 則由系統板154將計數暫存 騾230),涔繼0 |、 于时夂计數凊除(步 二)及繼㈣寫及累積計量脈衝之程序。 以 如計數不等於線節距,即如計 此誤差累積。叶营呷激由、、 …、泉即距’則必需將 U6中之n主厂㈣(步驟231),將計數暫存哭 <叶數清除(步驟232),及將^ ^ ^ 及將决差暫存器148增加計算 85313 -36- 200400776 =誤差(步驟234)。如誤差暫存器148中之累積誤差低於 / = 236) ’則系、统板154重新開始將計量脈衝累積於計數 予TO 146中〈程序(步驟222)。如累積誤差大於或等於1, =計數暫存器146中之計數增加誤差暫存器148中之值的 正數部分(步驟238),及將誤差暫存器i辦之累積誤差減小 相同的量(步驟240)。系統板154接著重新開始將計量脈衝累 積於計數暫存器146中之程序(步驟222)。 、 如經印刷之長列完成(步騾228),即如光源100到達第一終 = 則系統板154將計數暫存器146中之計數及誤差暫存 奋148中 < 累積誤差清除(步驟242)。如於第二或垂直方向 11 〇中到達書窝終點(步騾243),即如整個表面已經書寫,則 私序停止(步騾245)。如有额外的長列要書寫,則光源ι〇〇 在第二方向中前進,例如微定位裝置1〇6及108使光源100於 垂直方向11〇中移動(步騾244)。接著自步驟218開始重複使 光源100於橫向104中移動及照射預定像素部分之程序。光 源100之移動可在先前長列之相反方向,即在與第一橫向 105平行但相反的第二橫向107中至第二終點u 9,其係雙向 照射。在另一具體實施例中,光源1〇〇可在照射之前移動至 起點119,及於第一橫向1〇5中進行照射,因此而實行單向 照射。 當明白可以不同的供體元件16重複此程序,以製造,例 如’包括產生不同顏色光之不同顏色發光層的彩色〇Led裝 置。舉例來說,可照明第一供體元件16,以沈積複數個第 一顏色光,例如紅色之發光層。可照明第二供體元件16, 85313 -37- 200400776 以沈積複數個第二顏色光,例如綠色之於决 八巴 < 知先層。可照明第 三供體元件16,以沈積複數個第三顏色弁, 不反、巴尤,例如藍色之發 光層。各發光層係相對於相關的電極,例如,基材1〇上之 像素部分12沈積。 【圖式簡單說明] 圖la係包括像素部分之陣列、可識別特徵之〇led基材, 及可使用於達成本發明之基材及照相機特徵之一具體實施 例的頂視圖; 圖lb係可使用於達成本發明之基材及照相機的另一具體 實施例; > 圖2係促成基材錯誤對準之數個因素的示意圖; 圖3a顯示根據本發明將得到之基材/供體元件組合照射 光束之光源的橫剖面圖; 圖3b係顯示QLED基材及在實施本發明時相對於基材適 當設置之供體元件的橫剖面圖; 圖3c顯示彩色01^!)基材及供體元件之橫剖面圖; 圖4a顯示具有可識別特徵且顯示照相機十字型的基材, 且亦顯示各種尺寸偏差; 圖4b顯示由可藏別特徵界定之線的位置及與標稱線的比 較; 圖5顯π實現說明於文中之方法之可移動光源及微定位 长置之輸送裝置的一具體實施例; 圖6係用表疋成照相機位置之偵測、可識別特徵之偵測、 及錯為對準之权正之電光學次系統的方塊圖; 85313 200400776 圖7係顯示在將基材及輸送系統對準時所涉及之整體步 騾的方塊圖; 圖8係更詳細顯示在此方法中在x_y座標系統中將照相機 相對於光源定位所涉及之步騾的方塊圖; 圖9係更詳細顯示在此方法中在測得基準偏差時所涉及 之一些步騾的方塊圖; 圖10係更詳細顯示在此方法中在計算一些重要參數時所 涉及之一些步騾的方塊圖;及 圖11係顯示在包括用於放大調整之動態對準之窝入程序 中之步驟的方塊圖。 由於裝置特徵尺寸諸如層厚度經常係在次微米的範圍 内,因而將圖式放大使容易觀看,其並不具尺寸準確性。 【圖式代表符號說明】 10 OLED基材 10a、10b、l〇c 錯誤對準的基材 12、12a、12b、 像素部分 12c 、 50 、 52 14 介於其間的部分 16 供體元件 18 支承物 20 能量吸收層 22 發光材料 24 光束 26 非轉移表面 85313 200400776 28 32、32a、32b、 32c 、 33 40 > 42 44 ^ 46 48 49 5卜53 62 64 66 68 74 76 78 80 82 84 86 88 90 92 94 96 85313 轉移表面 發光層 基準符號 十字型 X方向 y方向 像素部分之角落 Δχχ
Ayi Δχ2 Δγ2 偵測線 偵測線之實際長度 標稱長度 標稱線
偵測線之偵測中點 標稱線之標的中點 基材之角度偏差 Axl AyL x-y座標系統 透鏡 加壓構件 -40- 200400776 98 基材/供體元件 100 光源 102 、 106 、 108 微定位裝置 104 、 105 、 107 橫向 110 垂直方向 112 車架 116 輸送裝置 118 、 119 終點 146 計數暫存器 148 誤差累積器 150 主PC 152 輸送系統 154 系統板 246 動作控制電子元件 248 數位照相機 250 影像處理器 251 精密計量裝置 252 、 254 > 256 驅動信號 258 、 260 、 262 精密反饋信號 264 動態校正信號 270 連接 -41 - 85313
Claims (1)
- 200400776 拾、申請專利範園· 1. 一種沈積用於有機發光顯示裝置(OLED)之發光層之方 法,其包括下列步騾: (a) 提供〇LED基材,其具有至少一可用於將沉奶基 材之位置及取向定位,以使發光層相對於0LED基材之像 素部分適當沈積的可識別特徵; (b) 提供光源,該光源提供可橫向及角度移動至選定 位置之光束,以改變由該光源所產生之光束的相對位置; (c) 提供未經圖案化之供體元件,其包含發光材料且 具有能量吸收層,其係經設置成當將供體元件相對於 OLED基材適當設置時,光束可被能量吸收層吸收,以加 熱發光材料及使該發光材料轉移至OLED基材; (d) 將供體元件以對OLED基材之轉移關係設置; (e) 偵測OLED基材上之可識別特徵的位置,以測定 OLED基材相對於光源的位置及取向;及 (f) 使光束移動角度,然後再使光束於第一橫向中移 動,直至到達第一終點為止,然後使光束於垂直方向中 移動,及再次使光束在與第一方向平行但相對的第二方 向中橫向移動至第二終點,及根據0LED基材之偵測得的 位置及取向,經由改變當光束移動至不同橫向位置時之 引動定時,而使橫向移動之光束在第一或第二方向或兩 方向中引動。 2·如申請專利範圍第1項之方法,其進一步包括在步騾⑴中 使用熱膨脹補償演算法。 85313 200400776 3· 4· :申請專利範圍第巧之方法,其中該可識別特徵包括形 、於OLED基材上之至少兩分隔開的基準符號。 :申請專利範圍第2項之方法,其進—步包括其中該熱膨 ㈣償演算法將兩可識別特徵之間之實際間隔與標稱間 隔作比較,以產生校正因子。 如申請專利範圍第4項之方法,其進—步包括提供三個用 ::成步驟⑴之微定位裝置,及進一步包括提供精密計 里I置’其當光束在第-或第二方向中移動時提供預定 脈衝,及其中該熱膨脹補償演算法將所產生之脈衝數與 、、二杖正因子修正 < 像素部分之標稱間隔作比較,以準確 引動光束。 6. 一種沈積用於有機發光顯示裝置(〇LED)之發光層之方 法,其包括下列步驟: 0) k供OLED基材,其具有至少一可用於將〇led基 材之位置及取向疋位,以使發光層相對於〇led基材之像 素部分適當沈積的可識別特徵; (b) 提供光源,該光源提供可橫向及角度移動至選定 位置之光束,以改變由該光源所產生之光束的相對位置; (c) 提供可界定光源之位置及定義x_y座標系統之精密 感測器; (d)提供未經圖案化之供體元件,其包含發光材料且 具有能量吸收層,其係經設置成當將供體元件相對於 OLED基材適當設置時,光束可被能量吸收層吸收,以加 熱發光材料及使此發光材料轉移至〇LED基材; 松13 200400776 (e) 將供體元件以對OLED基材之轉移關係設置; (f) 偵測OLED基材上之可識別特徵的位置,以測定 一 OLED基材相對於x-y座標系統原點的位置及取向;及 (g) 使光束移動角度,然後再使光束於第一橫向中移 動,直至到達第一終點為止,然後使光束於垂直方向中 移動,及再次使光束在與第一方向平行但相對的第二方 向中橫向移動至第二終點,及根據OLED基材之偵測得的 位置及取向,經由改變當光束移動至不同橫向位置時之 鲁 引動定時,而使橫向移動之光束在第一或第二方向或兩 方向中引動。 7, —種連續沈積使用於有機發光顯示裝置(OLED)之產生不 同顏色光之不同顏色發光層之方法,其包括下列步騾: (a) 提供OLED基材,其具有至少一可用於將OLED基 材之位置及取向定位,以使發光層相對於OLED基材之像 素部分適當沈積的可識別特徵; (b) 提供光源,該光源提供可橫向及角度移動至選定 ® 位置之光束,以改變由該光源所產生之光束相對於OLED 基材之位置; (c) 提供至少二未經圖案化之供體元件,其包含分別 可發射不同顏色光之發光材料且各具有能量吸收層,其 係經設置成當將供體元件相對於OLED基材適當設置 時,光束可被能量吸收層吸收,以加熱發光材料及使此 發光材料轉移至OLED基材; (d) 將第一供體元件以對OLED基材之轉移關係設置; 85313 200400776 (e) 偵測〇led基材上之可識別特徵的位置,以測定 OLED基材相對於光源的位置及取向; (f) 使光束移動角度9然後再使光束於第一橫向中移 動直土到達弟一終點為止,然後使光束於垂直方向中 移動,及再次使光束在與第一方向平行但相對的第二方 向中橫向移動至第二終點,及根據〇LED基材之偵測得的 位置及取向,經由改變當光束移動至不同橫向位置時之 用於照明第一供體元件之不同部分之引動定時,而使橫 向私動之光束在弟一或弟二方向或兩方向中引動,藉此 將複數個第一顏色光之發光層沈積於〇LED基材上;及 (g) 對第二供體元件重複步驟(d)至(f),直至將所有彩 色發光層轉移至OLED基材上為止。 一種連續沈積使用於有機發光顯示裝置(〇LED)之產生不 同顏色光之不同顏色發光層之方法,其包括下列步驟: (a) &供OLED基材’其具有至少一可用於將〇led基 材之位置及取向定位,以使發光層相對於qLed基材之像 素邵分適當沈積的可識別特徵,及複數個各與顯示器上 之特定像素結合之電極; (b) #疋供光源’邊光源提供可橫向及角度移動至選定 位置之光束,以改變由該光源所產生之光束相對於〇LED 基材之位置; (c) 提供至少二未經圖案化之供體元件,其包含分別可 發射不同顏色光之發光材料且各具有能量吸收層,其係 經設置成當將供體元件相對於OLED基材適當設置時,光 85313 200400776 束可被能量吸收層吸收,以加熱發光材料及使此發光材 料轉移至OLED基材; (d) 將第一供體元件以對OLED基材之轉移關係設置; (e) 彳貞測OLED基材上之可識別特徵的位置,以測定 OLED基材相對於光源的位置及取向; (f) 使光束移動角度,然後再使光束於第一橫向中移 動,直至到達第一終點為止,然後使光束於垂直方向中 移動,及再次使光束在與第一方向平行但相對的第二方 向中橫向移動至第二終點,及根據OLED基材之偵測得的 位置及取向,經由改變當光束移動至不同橫向位置時之 用於照明第一供體元件之不同部分之引動定時,而使橫 向移動之光束在第一或第二方向或兩方向中引動,藉此 將複數個第一顏色光之發光層相對於OLED基材上之相 關電極沈積;及 (g) 對第二供體元件重複步騾(d)至(f),直至將所有彩 色發光層轉移至OLED基材上為止。 85313
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