TW200301919A - Apparatus for manufacturing semiconductor device - Google Patents

Description

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一、 【=明所屬之技術領域】 半導Κ Ξ於一半導體裝置之製造設備，4寺別是指-+導，4置之製造設備的抽氣結構。 二、 【先前技術】 已經輕率消粍的需求，平面顯示裝置 示F詈P姑良…用。在绝些平面顯不裝置中，一種液晶顯 i 7 Θ A I '乏的應用在筆記型電腦和桌上型電腦的螢 品質。、/、具有較佳的解析度、彩色影像顯示和顯示影像 而Ό ’此液晶顯示裝置（LCD，Liquid Crystal 1 sp ay具有上下層基板，被隔開並相互面對。排列在基 板上的電極相互面冑。-液晶層插入於上層基板和下層基 板之間。一個電壓經由每個基板上的電極施加到此液晶 層，因此，依照施加的電壓，此液晶分子改變其排列以顯 示影像。 此LCD裝置的下層基板通常被稱為一陣列基板，其包 έ被排列成矩陣的晝素電極和薄膜電晶體。此陣列基板的 製造疋經由在一透明基板上沈積一薄膜，並將此薄膜圖案 化的製程。這些製程在一個製造此半導體裝置的設備中， 在真空狀態下完成。此設備包括一個製程反應室，其為一 個翁閉的反應容器、一個抽氣系統，控制此反應室中的環 境、和一個氣體供應系統，其儲存和供應反應氣體。 圖1是一習知技術的反應室，用以製造一半導體裝 置。在此反應室1 0中，經由注入此反應室1 〇的氣體之化學

200301919 反應’…薄膜沈積在-基板1上，或在此基板上的一薄膜 被圖案化。此反應室1 〇包括一個氣體入口 22、一個出口 24。此氣體人口22是反應氣體的_條路彳i，此反應氣體經 由此氣體入口22供應到此反應室1〇。此出口24被連接到一 減壓裝置，如此反應室1〇外的-個泵p，且此氣反應室1〇 的内部壓力’ #由此泵P經由此出口24抽出此反應室1〇中 的氣體來控制。 在此反應室10中，-個承载器30平行於此反應室10的 下側12安置，且此基板丨被安置於此承載器3〇上。此承載 器30其中通常具有-加熱器（未顯示），加速此反應氣體的 化學反應。 此反應室10中也包括一注射器26，且此注射器26被連 接到此氣體入口22。此注射器26均句地擴散經由此氣體入 口 2 2供應的反應氣體。 圖1中的反應室10中，此基板！安置於承載器3〇上，且 此反應室1 0被密閉。接著，此氣反應室丨〇中的氣體被泵p 從此出口24抽出，此反應室10處於真空狀態。此加熱器產 生熱，所以此基板1被加熱。此反應氣體經由此氣體入口 22和注射器26被注入此反應室丨〇，且藉此反應氣體的化學 反應實行沈積或圖案化一薄膜的一道製程。此時，反應殘 餘物和一部分的反應氣體持續的被此泵p抽出反應室丨0^ 所以此内部壓力維持一致。此反應室i 〇在下側丨2有一個排 出結構，以排出反應殘餘物和一部分的反應氣體。 圖2是圖1的習知技術的反應室之概略平面圖，且顯示

200301919 五、發明說明（3) 此反應室的排出結構。在圖2中，第1到第5抽氣孔2 0 a、 2 0b、2 0c、2Od、2Oe排列在此反應室10的下側12，且此第 1到第5抽氣孔20a、20b、20c、2Od、2Oe被連接到抽出空 洞2 0 ’其形成在此反應室丨〇的下側丨2，並圍住一承載器支 撐管3 0 a。此承載器支撐管3 〇 &穿過此反應室1 〇的下側丨2。 此反應室1 0的下側1 2包括一排氣孔2 1。此排氣孔2 1被連接 到此抽氣空洞2 0和圖1中的此出口 2 4。 此排氣孔21的尺寸比抽氣孔2〇a、20b、20c、20d、 2 0 e大’且容納相當大量的氣體。即然此出口 2 4被連接到 此泵P ’此反應殘餘物和此部分的反應氣體在經由此抽氣 孔2 0 a、2 0 b、2 0 c、2 0 d、2 0 e流到抽氣空洞2 〇後，經由此 排氣孔2 1和此出口 24排出此反應室1 〇。 然而，在反應室10中，此氣體經由抽氣孔2〇a、2〇b、 20c、20d、20e進到抽氣空洞2〇，只能經由排氣孔21棄 置’此排氣孔2 1被形成在此下側1 2的一邊。因此，此排氣 孔2 1周圍和此第3和第4抽氣孔2 0 c和2 0 d的抽出壓力比其它 部分低，且此氣體集中在靠近此排氣孔21的區域。因此， 此薄膜的沈積或圖案化的實行不均勻，且一個完成裝置的 品質被降底了。此外，此製程的可靠度下降。 三、【發明内容】 因此，本發明是應用在一種半導體裝置之製造設備， 實質上消除一個或多個習知技術的限制和缺點。 本發明的一個優點在於提供一種半導體穿置之製造設 備，使得該抽出壓力均勻，並改善該裴置的^質。

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以下說明本發明附加的的特 會有部分是明顯的，或從本發明…：二述中將 =和其它優點將會由此結構實；；；：付 字的描述和巾請專利範圍、騎圖中ι纟。構會在文 點和i ΐ ί本發明的如實施例和概括說明的這歧優 二種半導體裝置之製造設備包[=應 反應室具有-第一側、一第二側、和一側壁，此反

=包ίί過：第二側的一排氣?L ’該側壁介於該第-侧 卜；！ 反應室中的一承載器托住-基板於其 、以上的概括描述和以下的詳細描述用以舉例和說明， 並k供本發明申請專利範圍的進一步說明。 四、【實施方式】 上二亥承載器平行於該第二側；—抽氣板，介於該承載器 和该第，侧間，該抽取板和該側壁留有間@;和一減壓系 、、先在°亥反應至之外，該減壓系統連接到該排氣孔。 現在洋細地提及本發明的說明實施例，此例將在附圖 中說明。在任何可能之處，在所有的圖示中使用相同的參 考數字，以指稱此相同或相似的部分。

圖3顯示根據本發明的一個實施例的一個反應室，用 以製造一半導體裝置。在此反應室110中，藉由注入此反 應室11 0的氣體的化學反應，一薄膜沈積在一基板丨〇 0上， 或在此基板100上的一薄膜被圖案化。此反應室11〇包括一 個氣體入口122和一個出口124。此氣體入口是反應氣 體的一條路徑’此反應氣體經由此氣體入口 1 2 2供應到此

第9頁 200301919 五、發明說明（5) 反應室11 0。此出口 1 2 4被連接到一減壓事晋， ^ 11 〇外的一個果p ’且此反應室11 〇内部的氣體，被此經 由此出:124抽出。因此，此反應室11()的内部壓力被控、 制。這裏，此出口 1 2 4被指為一個排氣管。 工 在此反應室110中，一個承載器130平行於此反應室 11 0的下側11 2安置，且此基板1 ο 0被置於此承載器1 3 〇上。 此承載器130被連接到一承載器支撐管13〇a，其穿過此反 應室110的下側112。雖然圖中未顯示，此承载器13^其中 通常具有一加熱器，以加速此反應氣體的化學反應/、 此反應室11 0其中也包括一注射器丨2 6，且此注射器 1 2 6被連接到此氣體入口 1 2 2。此注射器均勻地擴散經由此 氣體入口 122供應的反應氣體，在此注射器126和基板1〇〇 之間的空間成為一反應區域11 〇a。 此外，一抽氣板1 50被形成在此反應室1丨〇中。此抽氣 板1 5 0被安置於此反應室11 〇的承載器丨3 〇和下側丨丨2間，且 和反應至1 1 0的一側壁11 4有一間隔。因此在此反應室11 〇 的抽氣板1 5 0和下側11 2間，形成一個抽氣區域1 2 〇 a。 圖3中的此反應室11 〇中，此基板丨0〇安置於此承載器 I 3 0上，且此反應室11 〇被密閉。接著，此反應室丨丨〇中的 氣體被泵P從此出口 1 2 4抽光，此反應室11 〇處於真空狀 態。此加熱器產生熱，所以此基板1 〇 〇被加熱。此反應氣 體經由此氣體入口 1 2 2和此注射器1 2 6被注入此反應室 II 〇，且藉此反應氣體的化學反應，實行沈積或圖案化的 製程。此時，反應殘餘物和一部分的反應氣體持續的被此

第10頁 200301919 五、發明說明（6) 泵P排出此反應室11 0，所以内部壓力保持一定。此反應室 11 0在下側11 2有一個排出結構，以排出此反應殘餘物和部 分的反應氣體。 圖4是圖3的反應室的一概略平面圖，且顯示此反應室 的排出結構。如上述，在圖3中的此反應室1 1 〇包含此抽氣 板1 5 0，介於此反應室11 〇的承載器1 3 0和下側1 1 2間。此抽 氣板150的尺寸大於反應室110的承載器13〇，小於反應室 11 0的下側11 2。因此，此抽氣板1 5 0和此反應室11 〇在圖3 中的側壁有一間隔，且在反應室11 〇的抽氣板丨5〇和下側 11 2間形成此抽氣區域1 2 〇 a。此抽氣區域1 2 〇 a圍繞承載器 支撐管130a。 ^ 這裏，此反應室11 0的下側11 2有一個排氣孔1 2 1，被 連接到此出口 1 2 4，且此抽氣板1 5 0覆蓋住此排氣孔1 2 1。 因此’此抽氣區域1 2 〇 a被連接到此排氣孔丨2 1。 此承載器1 3 0和此抽氣板1 5 0需要和此反應室11 〇的下 側11 2具有相同的形狀。圖4中，雖然此反應室11 〇的下側 112此承載器1 3 0和此抽氣板1 5 〇具有一長方形的形狀， 此反應至11 0的下側11 2、承載器1 3 0和抽氣板1 5 0亦可具有 一圓形的形狀。 在本f明的此反應室丨丨〇中，若此泵p運作，此抽氣區 \ e 的氣壓比此反應區域11 0a低。此反應區域11 中的 t ϋ殘餘物和此部分的反應氣體，、經由反應室11〇的抽 ^頭所和-側壁11 4間的空間流進抽氣區域1 20a。接著，若 9不’此反應殘餘物和此部分的反應氣體經由此排

200301919 五、發明說明（Ό 氣孔121和此^出α } 24，被此泵ρ抽出。 儘官抽氣壓力會集中在此排氣孔丨21附近 抽氣壓力被均勻的分散在此抽氣區域丨2〇a。 3 ，此 的沈積或圖案化被均勻的完成，且包括此’此薄膜 品質被改善。此外，此製程的可靠度增加、、4裝置的 明的反應室具有簡單的構造。 。此外，本發 熟知此技術者當可在不背離本發明 下，可對本發明的製造和應用，作不同=和範圍的情況 型。因此本發明並不願被附加的申請專鰱、組成和變 J執固所限制。 200301919 圖式簡單說明 五、【圖式簡單說明】 圖1係一用以製造半導體裝置之習知技術的反應室。 圖2係圖1中習知技術的反應室之概略平面圖。 圖3係根據本發明的一實施例，顯示一用以製造一半 導體裝置之反應室。 圖4係圖3中的該反應室之概略平面圖。 元件符號說明： 1、1 0 0 基板 1 0、11 0 反應室 1 2、11 2 下側 20 抽氣空洞 20a、20b、20c、20d、20e 抽氣孔 2 1、1 2 1 排氣孔 22、122 氣體入口 24 、 124 出口 2 6、1 2 6 注射器 3 0、1 3 0 承載器 30a、130a 承載器支撐管 110a 反應區域 114 側壁 120a 抽氣區域 15 0 抽氣板

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Claims (1)

1. 200301919 六、申請專利範圍 1· 一種半導體裝置之製造設備，包含·· 一反應室，具有··一第一侧、一第二側、和一側壁，該 反應室包含一排氣孔，通過該第二側，該側壁介於該第一 側和該第二側間； —承載器，在該反應室中’托住一基板於其上’該承载 為平行於該第二側； 一抽氣板，在該承載器和該第二側間，該抽氣板和該側 壁留有間隔；和 一減壓系統，在該反應室之外，該減壓系統連接到該排 氣孑L 。 如申請專利範圍第丨項的半導體裝置之製造設備，其中 该抽氣板覆蓋該排氣孔。

   其中 t

   如申睛專利範圍第1 項的半導體裝置之製造設備，其中

   200301919 六、申請專利範圍 該減壓系統包含一泵。 7.如申請專利範圍第1項的半導體裝置之製造設備，更包 含： 一排氣管，介於該排氣孔和該減壓系統之間。

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