TW200300030A - Scanning interferometric near-field confocal microscopy - Google Patents

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TW200300030A TW091134963A TW91134963A TW200300030A TW 200300030 A TW200300030 A TW 200300030A TW 091134963 A TW091134963 A TW 091134963A TW 91134963 A TW91134963 A TW 91134963A TW 200300030 A TW200300030 A TW 200300030A
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Description

200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（1 ) 先前技術： 包括近場與共焦掃描顯微術的掃描顯微技術，傳統上使 用一單空間局部檢測器（single spatially localized detection)或 一激發元件（excitation element)，有時稱為掃描探針（scanning probe)[參考 Μ· A· Paesler 與 P. J· Moyer 所著、、Near-field Optics ·· Theory，Instrumentation，and Application" (Wiley-New York)(1996)及 C. Sheppard，所著 '、Confocal Laser Scanning Microscopy" (Scientific-Oxford and Springer-New York)(1997)]。近場掃描探針（near_field scanning pr〇be)係一 次波長孔（sub-wavelength aperture)典型地設置非常靠近於一 樣品’以此方式，於物平面獲得次波長空間解析度（sub_ wavelength spatially resolution)。於一近場顯微術應用中，使 用遠小於一光束的一自由空間光學波長的一孔洞以下稱為一 次波長孔。共焦掃描探針使用繞射極限光學（diffracti〇n_limited optics)獲得光學波長級數的解析度。於一光柵圖形中，經由 驅動掃4田探針獲得空間延伸影像（Spatiaiiy extended image)。 近場顯微術傳統上以此方式產生二維影像。藉由光柵掃 描延伸為第三維，即深度，共焦顯微術額外具有讀取影像體 積的能力。 藉由使用單一有效孔洞選擇物平面之小面積或物的小體 積，近場與共焦顯微術儀器一般具有高度空間解析度。 發明内容： 一般而言，於一種形式中，本發明特徵為一近場、干涉 光學顯微術系統，其包括··一光束分光器（beamsplitter)，被 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) --------訂---------線赢 本紙張尺錢財目h¥¥^(CNS)A4規格（210 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300030 A7 B7 五、發明說明（2) 設置將輸入光束（input beam)分開成為一量測光束 (measurement beam)與一參考光束（reference beam); 一光罩 (mask)，設置用以接收量測光束，光罩包括至少一孔洞 (aperture)，其具有小於輸入光束波長的尺寸，其中配置光罩 孔洞與量測光束至少一部分搞合為一樣本，以便定義一近場 探針光束（near-field probe beam)，樣本與近場探針光束相耦 合以便定義一近場信號光束（near-field signal beam); —檢測 器（detector)，具有對光能量反應的一元件；以及光學元件 (optics)，設置用以導引至少一部份的參考光束與至少一部份 的近場信號光束於檢測元件干涉。 一般而言，於另一個形式中，本發明特徵為一近場、干 涉光學顯微術糸統’其包括：一光束分光器，被設置將輸入 光束分開成為一量測光束與一參考光束；一光罩，設置用以 接收：!：測光束，光罩包括至少一孔洞，其具有小於輸入光束 波長的尺寸，其中光罩孔洞與至少一部份的量測光束耦合配 置於一光儲存介質（optical storage medium)，以定義一近場探 針光束，此儲存介質與近場探針光束相作用以定義一近場信 號光束；一檢測器，具有對光能量反應的一元件；以及光學 元件，設置用以導引至少一部份的參考光束與至少一部份的 近場信號光束於檢測元件干涉。 本發明之實施例，適用於具有一次波長橫向空間解析度 (sub-wavelength lateral spatial resolution)的精密距離度量衡的 用途’兼具近場光學光束（near-field optical beams)與干涉距 離里測技術（interferometric distance measuring technique)的特 5 本紙張尺度適用中國g家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐） -----------裝—^—訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200300030 A7 B7 五、發明說明（3 ) 性。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 包括一線性偏振單頻雷射光束（linearly polarized single frequency laser beam)的一輸入光束入射於一光束分光器。輸 入光束的一第一部份經由光束分光器通過，當作一量測光束。 量測光束之一第一部份入射於一導體面中的一次波長孔洞 上’並且通過的第一部份當作一近場探針光束。參考於次波 長孔洞之大小的次波長分類中的波長為輸入光束之波長。一 部份近場探針光束經由一物體材料反射及/或散射入次波長孔 洞’接著經由次波長孔洞通過的這一部份近場探針光束當作 一近场返回探針光束（near-field return probe beam)。入射於次 波長孔洞上的量測光束之第二部分經由次波長孔洞散射當作 一苐一背景返回光束（background return beam)。近場返回探 針光束與第一背景返回光束構成一返回光束（return beam)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 量測光束之第二部分入射位於導體上的一次波長不可通 過散射部位（Sllb-wavelength non-transmitting scattering site) 上’其位於導體中經由預選的距離自次波長孔洞橫向取代的 位置。預選的距離大於或等於輸入光束之波長等級。入射於 -人波長散射部位（sub-waveiength scattering site)上的一部份量 測光束散射當作一第二背景返回光束。 輸入光束之第二部分經由光束分光器反射當作一參考光 束。參考光束入射於參考物體（reference object)上，接著反射 ▲作 反射參考光束（reflected reference beam)。 返回光束與一部份的反射參考光束入射於光束分光器 上接著經由一偏振器（polarizer)結合當作一第一結合光束 6 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G χ 297公爱） 200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（4) (first mixed beam)。第一結合光束接著聚焦於影像平面中的 一針孔上，因此次波長孔洞之影像清晰對焦於針孔之平面中。 選擇次波長孔洞與次波長散射部位之預選間隔尺寸、針孔之 尺寸、以及於針孔上產生次波長孔洞之影像的一攝像系統 (imaging system)解析度，如此第〔背景返回光束的大體縮小 4伤U針孔通過。聚焦的第—結合光束之—部份經由針孔 通過，接著取好經由一量子化光子檢測器（quantum ph〇t〇n •^〇Γ)檢測[參考 Ρ· R. Norton 所著書名、、Quantum Detectors , Handbook 〇f 〇ptics^ ^ 1995 (McGraw-Hill, New York)第15旱第15·3節中]產生一第一電子干涉信號⑷ectrkal interference signal)。量測第一電子干涉信號之振幅與相位。 第一月景返回光束與反射參考光束之第二部分入射於光 束二光為上，藉由—偏振器結合，接著第二結合光束聚焦於 …第一針孔上’如此次波長散射部位清晰對焦於第二針孔之 平面中。選擇次波長孔洞與次波長散射部位之預選間隔尺寸、 第一針孔之尺寸、以及於第二針孔上產生次波長散射部位之 衫像的攝像系統解析度，如此返回光束的大體縮小部份經 由第一針孔通過。聚焦的第二結合光束之一部份經由第二針 孔通過接著最好經由一量子化光子檢測器檢測，產生第二 電子干涉信號。 里'則第二干涉信號之振幅與相位，接著第二干涉信號量 測的振輻與相位，一般用以對第一背景返回光束之作用補償， 螢加於第一電子干涉信號之振幅與相位上。 刀析補彳員的第一電子干涉信號之量測的振幅與相位，用 7 本紙張尺度糾中0 ®^i^(CNS)A4^"(2i〇 X 297ΤΪ) -----------裝---------訂--------I 線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200300030 五、發明說明（ 針光束之振幅與相位。進—步，掃描物體， 接著獲付^返回探針光束之終止振幅與相位之結果陣列， 且對關於導體中的次、、古具a : (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^ /皮長孔與物體材料之間的距離的資訊 以及關於物體材料之結構的資訊分析。 物體=可以& —種重複模式的步驟或是—種連續模式 的步祕。=連續掃描模式，最好為脈衝光源。 於其=施例中’次波長孔洞、次波長掃描部位、第二 針孔以及k測器藉由次波長巩 长礼，问陣列、次波長掃描部位、第 二針⑽及_⑼取代。於某_些實施例中，量測光束以 大入射角2射於次波長孔洞與此波長掃描部位上。 於，、匕a k例中，物體材料包括磁光材料㈣㈣㈣叫⑹ "a1)’用以當作—光學資料儲存系統（〇ptical data storage system)。資料藉由湘近場探針光束於存在磁場之中局部加 熱磁光材料儲存於磁光材料上。 共焦與近％共焦顯微術系統亦描述於下列中，一般歸於 臨時性應用··經由Henry Α· _於1999年7月29日提出申 〇月序號 60/146，177 的 Scanning Interferometric Near-Field
Confocal Microscopy"、Henry A· Hill 於 1999 年 8 月 2 日提 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 出申 6月序號 60/147，196 的 Scanning Interferometric Near-Field Confocal Microscopy” 、Henry A. Hill 於 2000 年 7 月 27 日 提出申請序號__的、、Scanning interferometric near-field confocal microscopy with background amplitude reduction and compensation" 、Henry A. Hill 於 2000 年 7 月 27 日提出申請 序號__的、、Mutiple-Source Arrays For Confocal And 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300030 A7 B7 五、發明說明（6)
Near-Field Microscopy” 、Henry A. Hill 於 2000 年 7 月 27 日 提出申請序號_的 ''Mutiple-Source Arrays with Optical
Transmission Enhanced by Resonant Cavities’’ 、Henry A. Hill 於2000年7月27曰提出申請美國序號_的'Control of
Position and Orientation of Sub-Wavelength Aperture Array in Near-field Scanning Microscopy"以及 Henry A. Hill 於 2000 年7月27曰提出申請美國序號__的、、Differential
Interferometric Confocal Near-Field Microscopy""，每一篇先 前暫定的申請案之具體内容在此併入參考。揭露於先前暫定 申請案中的型態與特徵併入本申請案之實施例說明中。 本發明之實施例下列所有優點。 第一個優點係根據近場光束之干涉形成的干涉外觀圖。 另一個優點係根據近場光束之干涉共焦顯微術形成的干 涉外觀圖。 另一個優點係一掃描干涉近場共焦顯微術，其於具有一 脈衝輸入光束的連續掃描模式中操作。 另一個優點係一具有增大信號對干擾比例的掃描干涉近 场共焦顯微術’其藉由-物體材料用以量測掃描/反射近場光 束的合成振幅的 另-個優點係-更簡單的反轉型計算，用以掃描物體輪 廓之特性以及/或影像。 另-個優點係於掃描/攝像一物體之既定的體積部分時， 因為來自體積部分的-反射/散射近場探針光束之已知的量測 振幅與相位’近場探針光束之分量之行進方向係大體相同， -----------裝---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 97 2 X 一10 2 /|\ I格 一規 A4 S) N (C 準 標 家 國 國 中 用 適 度 尺 張 纸 本 9 200300030 A7 B7 7 五、發明說明（ 其中體積部分之尺寸係遠小於近場探針光束之光源尺寸。 另一個優點係經由掃描/攝像的一物體，因為級數相當小 的電多極與磁多極近場光源，量測反射/散射近場探針光束的 振幅與相位，其中支配多極光源的係三個不同的近場探針光 束源，包括一電多極與兩個不同的正交方向的磁多極。 另一個優點係經由散射及/或反射先前的光束，就是產生 一近場探針光束的光束，於背景光束之間產生干涉項的作用， 接著藉由掃描/攝像一物體，補償反射/散射部分的近場探 光束。 … 另一個優點係經由散射及/或反射先前的光束，就是產生 一近場探針光束的光束，於背景光束之間產生干涉項的作用， 接著部長一參考光束。 另一個優點，經由掃描/攝像的物體，於量測反射/散射 近場彳木針光束的振幅與相位的統計誤差，大體與根據反射/散 射近場探針光束的波以忍統計（Poisson statistics)統計誤差相 同’值得注意的是經由背景信號的出現並未惡化。 另一個優點，因為藉由量測大體包括一電多極與兩個不 同正交方向的磁多極，藉由不同近場探針光束光源產生近場 权針光束，因此反射/散射近場探針光束之振幅與相位的波長 力關性。 另個優點’反射/散射近場探針光束之振幅與相位之振 巾田與相位的放射相關性，因為量測藉由大體包括一電多極與 兩個不同正交方向的磁多極的不同近場探針光束源產生近場 探針光束。 I · I-------^ ---I---11 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 10 200300030 A7 五 發明說明（8) 另一個優點’反射/散射近場探針光束之振幅與相位之相 位相關性’因為量測藉由大體包括_電多極與兩個不同正交 方向的磁多極的不同近場探針光束源產生近場探針光束。 另個優點’本發明之解析度微弱地與光學系統之光學 解析度相關’光學系、統攝取自物體被掃描/攝像至檢測器之像 素上’空間地過濾的反射/散射近場光束，其中空間地過遽可 經由波長及/或次波長孔洞之陣列獲得。 另-個優點，近場探針光束之來源可以是一脈衝光源。 —另—個優點，被掃描/攝像的物體之掃描可以、反覆步驟夕 實行或以連續掃描模式施行。 另-個優點’於空職波器中的反射/散射近場探針光束 與參考光束之間’可以大體同時獲得量測干涉項，因為掃描/ 攝像物體上位置的一維或二維陣列。 、另们優點，藉由一物體被掃描/攝像，由於已知狀態的 磁化物體或於物體上量測，於反射/散射近場探針光束之偏振 平面中旋轉。 —另一個優點，於一維或二維陣列的量測強度值中，對於 母一點的量測強度值統計誤差，與對於單一針孔干涉共焦近 場干涉顯微術的量測強度值中獲得的統計誤差相同。 範例或物體之磁化狀態中的變化或於物體上量測 射近場探針光束於偏振狀態中旋轉 另一個優點，本發明可用以寫入一光學資料儲存介質中 例如一磁光材料。 另一個優點，藉由一物體被掃描/攝像，由於一磁化狀態 反射/散 I___ 11 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑽X 297公发了 200300030 A7 五、發明說明（9 ) 個優點，藉由不接觸物體的掃描/攝像，本發明纟會出 罪近物體表面處的表面及内部。 ^们優點’近場探針光束之光源波長可以是紫外光、 可見光、或紅外光。 光源包括兩種或更多不同的波長。 、旦3㈣點’不論是外差式受信裝置或零差技術，可用 古里、來自被知描/攝像的參考光束與反射/散射近場探針光 束之間的干涉項的相位與振幅。 訂 另一個優點，對於不同型式的近場探針光束源，例如一 =與兩個不同方向的磁多極，藉由自反射/散射近場探針 先束里測的振幅與相位的結合資訊，本發明之有效空間解析 度可以改音超越具有非干涉近場顯微術獲得的解析度。 另一個優點，對於被掃描/攝像的物體的折射率之畔合 值，可以自經由物體反射/散射產生的反射/散射近場探= 束之振幅與相位的量測陣列測定，其中陣列尺寸包括對應至 :維與二維空間的一維或二維，一維用以空間分隔近場：針 光束源與物體，一維用於近場探針光束源之每一分量波長， 以及一維用於近場探針光束源之多極特性。 里/ ， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 另-個優點，許多層的光學資料儲存於光學储存介 可以大體同時間的讀取。 、 另-個優點’於次波長厚度導體層中，近場探針 可以是一次波長孔洞。 另一個優點，近場探針光束源包括波長與3 為〆 氏爾 區域薄板（Fresnel zone plate)。 12
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 200300030 Α7
、做迟鏡至近場探針光束 144^ ^ 4-..... Y儆迗鏡至近場 物體被掃描/攝像的近場探針光束之特陡 另-個優點，可以加入先柵至次 當作反射/散射或穿透近場探針光束的空瞻器使Γ 變反射/散射或穿透近場探針光束之特性。 以 另-個優點，空間濾波器具有 解析度，來自被掃描/攝像物體 射深 一檢測器之像素上的攝像光學元件 I每铋針光束 另一個優點，可以加入料 變物體被掃描/攝像的近場探針光探針光束源，以 另’點，可以加人光 物體被掃描/攝像的近場探針光束之特Ζ秌4九來源，以改 另一個優點，可以加入光冰14 當作反射/散射或穿透近場探針/長/次波長孔洞之陣列 變反射/散射或穿透近場探針光束的二間濾波态使用，以 另一個優點，可以偵測_ [生 之溫度變化，當作物體部位之折射二、：物體被掃描/攝像部 另-個優點’量測來自被、率二°值變化。 近場探針光束之相位分佈，用以:田/攝像的物體的反射/散 光束之多極性質資訊。 ⑨得關於反射/散射近場探 再一個優點，量測來自於 波長或次波長尺寸結構的—反攝像的物體上或其中 佈。 、政射近場探針光束之相位 其它型態、特徵及優點描述如 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 13 200300030 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 X 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 五、發明說明（n) 簡單圖示說明： 於圖示中，於許多圖示中相似元件標示相同參考符號： 第la圖係於概要的圖形中說明本發明之第一實施例； 第lb圖係於概要的圖形中說明本發明之第一實施例之第 一種變化； ' 第lc圖係於概要的圖形中說明本發明之第一實施例之第 二種變化； ' 第id圖係於概要的圖形中說明本發明之第一實施例之第 三種變化； ' 第2圖係於概要的圖形中說明本發明之第二實施例； 第3圖係於概要的圖形中說明本發明之第三實施例； 第4a圖係於概要的圖形中說明包括阿米西（Amici)型物 鏡26與24，當作使用於第一實施例中的透鏡組，以及包括 阿米西型物鏡26與124,當作使用於第二實施例中的透鏡組； 第4b圖係於概要的圖形中說明關於被掃描/攝像之物體 材料112的導體元件28以及電場遠場的相位分佈函數，場分 $與電多極及磁多極位於次波長孔洞3Ό有關； 第4c圖係於概要的圖形中說明包括阿米西型物鏡26r 及24R當作使用於第一實施例中的參考物體2〇r ; 第4d圖係於概要的圖形中說明包括反射元件3〇r與32R 當作使用於參考物體20R中的元件； 第5圖係於概要的圖形中說明攝像平面114與振幅分佈 函數，於攝像平面丨14中以相對於針孔的一次波長孔洞3〇與 一次波長散射部位32之影像； -----------裝---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（12) 第6a圖係於概要的圖形中說明本發明之第四實施例； 第6b圖係於概要的圖形中說明包括阿西米型物鏡326與 324的第四實施例之透鏡組； 第6c圖係於概要的圖形中用以說明第四實施例，關於被 掃描/攝像的物體材料412的導體元件328以及關於位於次波 長孔洞330上的電多極與磁多極的電場遠場場分量之相位分 佈函數； 第7a圖至第7c圖係關於黃光微影及用以製造積體電路 之應用，其中第7a圖係使用干涉近場共焦顯微術系統的一黃 光微影系統之概要圖式； 第7b圖與第7c圖係說明製造積體電路的步驟的流程圖 式； 第8圖係使用干涉近場共焦顯微術系統的一光罩檢驗系 統之概要圖式， 第9圖係於概要圖形中說明本發明之第五實施例； 實施方式： 詳細地參考圖式，第la圖於概要圖形中描述本發明之第 一實施例。如第la圖所示，第一實施例包括一干涉儀 (interferometer)、一光源（source)lO、物體材料（object material)l 12、物體材料墊塊（object material chuck)160、墊塊 平台（chuck stage) 162、轉換器（translator) 164、參考物體 (reference object)20R 以及檢測器（detector)116。干涉儀的配 置結構如同習知技術的麥克森干涉儀（Michelson interferometer)—樣，且以簡易圖式顯示。於習知技術中已知 15 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 _____B7____ 五、發明說明（13 ) 的其它型式的干涉儀，例如一偏振麥克森干涉儀（polarized Michelson interferometer)以及敘述於 C. Zanoni 著作的一論文 標題、、Differential Interferometer Arrangements for Distance and Angle Measurements : Principles, Advantages, and
Applications，"（VDI Berichte NR. 749，ρρ·93-106，1989)可以 在不偏離本發明之精神與範圍下，併入第la圖之裝置中。 關於第一實施例，光源10最好是一點光源或通過光源之 表面的空間不同調發光光源，最好是一雷射或相似的同調光 源或部分同調光源，以及最好是線性偏振。光源10發射輸入 光束（input beam)l2。如第la圖所示，輸入光束12進入準直 透鏡（collimating lens)14 形成輸入光束（input beam)16。輸入 光束16經由通過一相位延遲板（phase retardation plate)18成 為輸入光束（input beam)20。輸入光束20之偏振面經由相位 延遲板18旋轉成為不是平行於第la圖之平面就是垂直於第 la圖之平面。然而，其它輸入光束20之偏振面方向可能有 益地使用於某些末端使用應用中。相位延遲板18之作用係經 由來自電子控制器（electronic controller)、信號處理器（signal processor)以及電腦（computer)200的信號控制。 輸入光束20入射於一非極化光束分光器（non_p〇iarizing beam splitter) 100上且其一第一部份通過當作一量測光束 (measurement beam)22。入射於光束分光器1 〇〇上的輸入光束 2〇之一第二部分被反射當作參考光束（reference beam)50。量 測光束22穿透於透鏡60中的一孔洞，接著入射於一包括透 鏡24與26的一透鏡組上。 16 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210x297公釐） -----------裝---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300030 A7 B7 五、發明說明（14 ) 通過透鏡組的量測光束之行進方向概要地顯示於第4a圖 中的展開圖形中。透鏡26係一阿米西型物鏡（Amici type objective lens)。量測光束22經由透鏡組聚焦於一元件28上 的光束直徑，包含元件28中至少一個次波長孔洞之陣列以及 至少一個次波長散射部位（sub-wavelength scattering site)。於 一展開圖形概要地顯示於第4b圖中’元件28係位於阿米西 型物鏡26表面上的一導電層。 如第4b圖所顯示’次波長孔洞與次波長散射部位分別為 元件30與32。次波長散射部位32最好為具有綜合折射率的 非透光導電元件（non-transmitting conducting element)’ 不同 於元件28之導電材料之综合折射率。折射之综合折射率係不 同的，因此元件32有效地當作次波長散射部位使用。元件30 與32之直徑為a且&<λ，最好&<<λ，其中λ係量測光束22 之波長。元件30與32至間隔為b且b>a，最好b»a。元件 28之導電材料厚度選擇大約為20nm等級，因此經由通過不 包含次波長30的部分元件28的少部分探針光束係<<1。 於元件28中關於元件30之調節間隔係進一步選擇減少 於第二次波長孔洞之穿透特性上的一個次波長孔洞之作用。 經由一次波長孔洞陣列引導至不是增強就是減少穿透率的耦 合，將使利用第一實施例之裝置獲得結果之解釋複雜化。 次波長孔洞30之直徑不需要限制為如第4b圖概要顯示 的單一直徑’然而對於末端使用應用可以有利地包括兩個或 更多的直°進一步，次波長孔洞3〇之形狀可包括不只是圓 形’可以是方形或矩形，只要不偏離本發明之精神與範圍。 17 本紙張尺度糾中關家標^公爱） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) )aj· -線_ 200300030
經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 社 印 製 發明說明（15 次波長孔洞30之調節間隔不需要限制為如第朴圖概要 顯不的單一值，然而對於末端使用應用可以有利地包括兩個 或更多不同的調節間隔’只要不偏離本發明之精神與範圍。 進一步，次波長孔洞30之排列可以配置成許多種幾何圖 案或任意圖案，只要不偏離本發明之精神與範圍。 次波長孔洞可進-步包括一非暴爾區域薄板或一微透 鏡，於某些末端使用應用中，用以有利地改變通過次波長孔 洞IV列之牙透率，只要不偏離本發明之精神與範圍。於某些 其它末端使賴H可以加人光柵至波長/次波長孔洞陣 列’當作反射/散射的或穿透的近場探針光权m慮波器操 作’只要不偏離本發明之精神與範圍。 入射於次光束孔洞30的量測光束之第一部份通過後當作 一近場探針光束。近場光束之一部份入射於物體材料ιΐ2上 以及部伤近場光束被反射及/或散射至次波長孔洞3〇，接著 一部份近場光束穿透後當作一近場返回探針光束。如同於第 4b圖中標示，物體材料112與導體元件28的鄰近表面之空 間間隔為的值最好是2a等級。入射於次波長孔洞川的 置測光束之第二部分係反射及/或散射當作一第一背景返回光 束。入射於次波長散射部位32上的量測光束之一部份被反射 及/或散射當作一第二背景返回光束。如同第u圖與第4a圖 中顯示的光線34A與34B，近場返回探針光束、第一背景返 回光束及第二背景返回光束離開阿米西型物鏡26當作返回光 束34，其中返回光束34包括光線34A與光線34b之間的光 線。如同第la圖中顯示的光線36A與36B，返回光束34經
(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -· ϋ an n LI n an n 信 mm mm hw hiw 線. 200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（16 ) 由透鏡60準直後當作返回光束36,其中光線36包括光線36A 與光線36B之間的光線。 未入射於次波長孔洞30與散射部位32上的量測光束之 一部份被反射當作一返回量測光束。返回量測光束遠離透鏡 24當作大體平行於量測光束22之光束，以及一部份返同量 測光束被反射當作光束42的返回量測光束分量。光束42入 射於擋板（stop)70上且大體被遮蔽。 如第la圖中光線54A與54B所顯示的，參考光束5〇通 過一相位偏移器（phase shifter)64後穿過透鏡66的孔梭，入 射於參考物體2〇R，接著反射當作反射參考光束54，其中光 線54包括光線54A與54B之間的光線。如第la圖中光線56A 與56B所顯示的，光線54經由透鏡66準直後接著穿過相位 偏移器64當作一反射參考光束56，其中光束56包括於光線 56A與56B之間的光線。由於通過相位偏移器64之兩個通 過的參考光束50，相位偏移器64加入一相對相位偏移（reiative phase )χ至反射的參考光束56。相位偏移χ之大小係經由來自 電子控制器（electronic controller)、信號處理器（signal processor) 以及電腦（computer)200的控制信號（control signal) 132控制 著。 通過參考物體20R的參考光束52之行進方向係大體顯 示於第4c圖的一展開圖形中。參考物體20R係一阿米西型 物鏡。參考光束52經由參考物體20R聚焦成位於元件28R 上的光束直徑，其於元件28R上包圍住至少兩個波長或次波 長反射點陣列。依照位於阿米西型物鏡26R之表面上的反射 19 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
▼裝----------訂---------線I 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製 200300030 A7 _______ B7 五、發明說明（17) 點30R與32R之陣列，元件28R係概要地以展開圖形顯示於 第4d圖中。反射點30R與32R產生光束54之反射參考光束 分量，其分別對應於元件28之元件30與32。選擇適當的反 射點30R與32R之調節間隔及透鏡66之焦距，因此，當後 來藉由成像至一檢測器上觀察時，反射點30R與32R及元件 30與32分別共軛。選擇適當的反射點30R與32R之直徑a”， 以便又效率地產生具有大體與返回光束36之直徑相同的反射 參考光束56。反射點30R與32R之相對反射能力可以是相同 的，或大大不同，端賴末端使用應用。 於此等習知技術中，很顯然的，可配置參考光束之路徑， 因此穿過具有一元件的參考物體20R的參考光束，最好是不 脫離本發明之精神與觀點的第一實施例之元件28。經由通過 波長及/或次波長孔洞的光束的一參考光束之產生範例，說明 於引證的美國暫時申請案中經由Hill撰寫的、、Mutiple-Source Arrays With Optical Transmission Enhanced By Resonant Cavities〃中。 如同於第la圖中顯示的光線38A與38B，返回光束36 入射於光束分光器100上，接著一部份返回光束被反射當作 光束38之返回光束分量，其中光線38包括光線38A與38B 之間的光線。反射參考光束56入射於光束分光器100上，接 著一部份反射參考光束通過當作光束38之反射參考光束分 量。如同第la圖中顯示的光束40A與40B，光束38經由偏 振器68結合光偏振，然後入射於透鏡62上，且聚焦成結合
光束（mixed beam)40，其中結合光束40包括光線40A與40B 20 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） -----------裝----------訂---------線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 200300030 A7 五、發明說明（18 ) 2:線。結合光線40聚焦於針孔平面(―。丨”一 亡皮=平面114中的針孔，不是-次波長孔洞3。就 疋一=人波長散射點32之共軛影像。 平面114係概要地顯示於第5圖中。針孔之直徑為 c且針孔之_㈣間隔為d。調節間隔d係等於次波長孔洞 -ϋΠΓ射部位32之間隔b乘上，將次波長孔洞3〇與 統之放大率。藉二系應的針孔的· 制影像之尺寸選擇直徑c，以及;=:點物體之繞射限 I^ e由成像乐統，最好是大於 倍Γ點物體之繞射限制影像之尺寸選擇大於C的 调即間隔d。：人波長孔洞30與次波長散射部位32之繞射限 訂 傳統振幅函數顯示於第5圖中，分別以破折線與實 結合光束40之-部份通過位於針孔平面ιΐ4中的針孔， 接著藉由-檢測器116,最好藉由—量子光學檢測器（quan_ I Γ ΓΓΓ)，偵測°根據末端使用應用的需要，檢測器116 包括-像素陣列，其包括—對像素、—維的像素陣列、或是 二_料陣列，具有將針孔平面114中的針孔一對一對應 至檢測克116之像素。檢測器116產生—電子干涉作號，並 包括對應至像素陣列的信號值⑻陣列。下標"係—標^，ς 信號倾,]陣列中標示一元素。信號值可包^對 兀素，包括至少三個元素的一維陣列’或 用的二維陣列。 个而1文用應 信號值⑻之陣列可寫成一適合的近似式，例如 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 χ 297公釐 21 200300030
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（19 ) (i) 其中’（4)"項表示不是與次波長孔洞30有關就是與次波長 孔洞32有關的項，以及（乂項表示不是與次波長孔洞3〇有 關就是與次波長孔洞32有關的干涉交叉項（interference cr〇ss terms) 〇 與次波長孔洞30有關的項係正比於近場返回探針 光束、第一背景返回光束、與反射干涉光束之對應部分之振 幅平方合；以及位於近場返回光束與第一背景返回光束之間 的複合振幅干涉交叉項。與次波長孔洞32有關的‘項係 正比於第二背景返回光束與反射參考光束之對應部分之振幅 平方和。與次波長孔洞3〇有關的0丄項係正比於位於近場返 回探針光束與反射干涉光束之間的干涉交叉項和以及第一背 景返回光束與反射干涉光束之間的綜合振幅。與次波長孔洞 32有關的（&)〃項係正比於第二背景返回光束與反射干涉光束 之間的、纟示合振幅的干涉交叉項。 (4),項與相位偏移χ無關。（A)”項係一相位偏移乂之正弦 函數，且可以寫成 (^/)/?-( ! Si I 〇ο$(φ4-χ))Λ7 (2) 其中（I I ),項與φ係分別與對（iS/)"貢獻綜合振幅有關的振幅 與相位。 描述於第la圖、第4a圖與第4b圖中本發明之第一實施 例之K置操作，係根據信號值之陣列的連續第四量測而獲得。 連續的四個信號值灿、灿、灿及似之陣列及經由具 — II------I I · I I I ----訂---— — — — — — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 22 200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（2〇 有相位偏移器（phase shifter)64的一檢測器116獲得，其分別 加入一連串的相位偏移弧度χ。、乂。+71、χ〇 + π/2及，其 中χ。係某些相位偏移χ的固定值。關於之後的處理，四個信 號值[sJ /、[^丄、[^丄及[^山之陣列以不是數位就是類比型 式輸出至電子控制器、信號處理器以及電腦200當作信號 13卜 習知轉換電路，例如類比數位轉換器（anal〇g-t〇_dighal converters)，不是包含於檢測器116就是電子控制器、信號 處理器及電腦200，用以轉換四個陣列[乂]/、[5山、[&L及[\乙 成為數位型式。經由相位偏移器64引進的相.位偏移乂係經由 化唬132控制著，其中信號132係藉由電子控制器、信號處 理為及電腦200產生，接著發射。相位偏移器64可以係一電 光型式。 接著，信號值差異之兩陣列队]「队]2=[〇S/)Ji_[仏)丄與 [\]3-队]4=[(\)JrtOS/)丄係經由電子控制器、信號處理器及 電腦200計算。 對應於像素的信號值之陣列之元素差異係大體包括與次 波長孔洞30相關且具有相當的高效率，只有兩個干涉交又 項；一第一干涉交叉項位於近場返回探針光束與反射參考光 束之綜合振幅之間且第二干涉交叉項位於第一背景返回光束 與反射參考光束之綜合振幅之間。 對應於像素的信號值之陣列之^素差異係大體包括與次 波長散射部位32相關且具有才目當的高效帛，只冑第二背景返 回光束與反射參考光束之綜合振幅之間的干涉交叉項。 ___ 23 仁紙張尺度適用中國@家標準（CNS)A4 ^格⑵Q χ撕公幻- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·---------訂---------線 | 200300030 五 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 A7 、發明說明（21 ) 於量測強度值中，對於與次波長孔洞3〇及 的光束振幅之隔離剌，相#高的效率係^選= 合適的苓數C與j控制。 、谇 近場返回探針光束之综合振幅係藉由電子控制器、 電腦綱，自位於近場返崎針光束之綜合振^ 3::光束之振幅之間的第一干涉項振幅計算。因為位於 弟月厅、返回光束之綜合振幅之分量與反射參考光 振幅，分量之間第二干涉交叉項之貢獻，計算結果包括使; 位於第二背景返回光束之综合振幅之分量與反射參考光束之 綜合振幅之分量之間的干涉交叉項之量職，以便補償與次 波長孔洞30有關的信號值的元素量測值之差異。在藉由通過 針孔平面U4之針孔且以檢· 116_到的部分^射參^ 光束之振幅平方方面，進—步，計算結果包括利用量測值。 接著輸入光束20之偏振平面係藉由相位延遲元件(phase retardation element)18旋轉9〇。後，對於來自電子控制器、作 號處理器及電腦200信號有反應。對應於信號值[\七、 f丄及队]〃之量測陣列的信號值队l、[^丄、队]7及之 第二組的四個陣列，係經由檢測器U6獲得。信號值差異陣 列叫-灿=[(从]Γ[似]2與灿-灿=[(从]3肌)丄^ 電子控制器、信號處理器及電腦200計算。近場返回探針光 束之綜合振幅當作正交地偏振輸入光束2〇係經由電子控制 器、信號處理器及電腦200，與用以計算當作輸入光束2〇之 非旋轉態偏振相同，藉由相同計算方法計算近場返回探針光 束之綜合振幅。
.----^---------線摩 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 24 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300030 A7 B7 五、發明說明（22) 物體材料丨12係設置於物體塾塊（object chuck) 160上。 物體塾塊之尖角方向及高度係藉由三個換能器（transducer)控 制，其中兩個顯示於161A與161B，且附屬於墊塊平台（chuck stage)l62。有關於導體元件28之表面的物體材料1 12之尖角 方向與高度被檢測且用以產生錯誤信號。錯誤信號之偵測與 產生已是皆為人知的習知技術，例如電容或 ''高度限制（cap)〃 範圍、包括波形範圍反射器（wave domain reflectometry)[參考 美國專利申請案號No· 09/089,105經由Henry A. Hill著作的 vv Methods And Apparatus For Confocal Interference Microscopy Using Wavenumber Domain Reflectometry And Background Amplitude Reduction And Compensation^ ]以及掃 描干涉近場顯微術（scanning interferometric near-field microscopy)[參考美國專利申請案，具有法定代理人編 號_，經由 Henry A. Hill 著作的、'Array of Sub wavelength and Wavelength Apertures At Perimeter Of Aperture Mask Area For Detecting Changes In Near-field Scanning Microscopy〃 ]的精密的距離量測干涉儀[參考隨後引證關於墊 塊平台162之橫向位移]。錯誤信號（error signals)亦傳送至電 子控制器、信號處理器以及電腦200，成為信號166之分量。 藉由電子控制器、信號處理器以及電腦200自錯誤信號產生 祠服控制信號（servo control signals)，接著成為信號166之词 服控制信號分量傳送至墊塊平台丨62。換能器161A、161B 以及第三換能器（未顯示）根據信號166之伺服控制信號分量 改變物體材料112之方向及/或高度。 25 本紙張尺度適用中國國豕標準（〇sjS)A4規格（210 X 297公楚） ------------裝—^----訂---------. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ___ B7_ 五、發明說明（23 ) 於大體平行於導體元件28表面的平面中墊塊平台162之 位置係藉由轉換器164控制。墊塊平台162之位置藉由習知 技術中之已知技術彳貞測，例如精密距離量測干涉儀（precision distance measuring interferometry);以及錯誤信號當作信號 168 之錯誤信號分量傳送至電子控制器、信號產生器及電腦200[參 考申請於1999年2月18曰的美國專利申請案號〇9/252,266 經由 Peter de Groot，Henry A. Hill 及 Frank C. Demarest 著作 的、Interferometer And Method For Measuring The Refractive Index And Optical Path Length Effects Air"以及申請於 1999 年2月18日的美國專利申請案號09/252,266經由Henry A. Hill， Peter de Groot 及 Frank C. Demarest 著作的 ''Apparatus And Method For Measuring The Refractive Index And Optical Path Length Effects Of Air Using Multiple-Pass Interferometry"。 兩個申請案之内容於此併入參考。]。藉由電子控制器、信號 處理器及電腦20G自信號168之錯誤信號分量產生的伺服控 制信號，接著傳送至轉換器164當作信號168之伺服信號分 量。根據末端使用應用之要求，轉換器164於一個或兩個正 交方向及一個或兩個定向的垂直平面中，對信號168之伺服 信號分量反應，控制墊塊平台162之位置及方向。 進一步，物體材料112於大體平行於物體材料112之表 面的一個或兩個正交方向之組合以及於導體元件28之空間分 隔中，根據末端使用應用之要求自物體材料1 12之鄰近表面 掃描。假若末端使用應要求，獲得信號值、队]，、队L 及[5*丄之量測陣列以及信號值[5·丄、[\]6、队]7及[5*丄之量 26 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公爱-- -----------裝---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200300030 A7 -—----— B7 __ 五、發明說明（24 ) 測陣列’成為掃描參數之函數；以及於各自的近場返回探針 光束之綜合振幅與反射參考光束之各自綜合振幅之間，各自 干涉交又項的振幅與相位經由電子控制器、信號處理 電腦200計算。 於存在值得注意減小的背景信號中，獲得關於物體材料 有第-實施例之裝置的資訊。光源對背景信號的貢獻 、匕括第月景返回光束、一部份未經由擋板70遮蔽的返回量 ’:】光束、經由於第一實施例之裝置中與量測光束在一起的其 2光束之反射及/或散射所產生的背景以及與反射參考光束結 ^起的對應光束（corresP⑽ding beam)。值得注意的是背 厅、仏5虎減少，第一是因為第一實施例之裝置包括一共焦光學 成像/檢測系統；以及第二是因為根據第二背景返回光束之量 測的背景補償步驟。 共焦光學成像/檢測系統已經明顯的改善關於非共焦光學 成像系統的深度識別（depth⑴似㈤⑽丨㈣，於此技術中 係廣為人知的；以及因此明顯地改善產生於平面剖面中的散 射/反射光束的硪別，取代平面區塊成像。然而，共焦光學成 像m统並未識別第_背景返回光束。依據第二背景返回 光束之里測月景補償步驟對於未經由第一實施例之裝置的 共，成像/檢測屬性識別的第—背景返回光束補償。值得注意 的疋根據第二背景返回光束之量測的背景補償步驟進一步 =於產生於平面區塊的散射/反射光束補償，取代未經由第一 μ她例之1置的共焦成像/檢測屬性識別的被攝像平面區塊。 於大體平行於物體材料112之表面的一個或兩個正交方 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) H---------^--------- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 27
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300030 Α7 Β7 五、發明說明（25 ) 向的組合以及自物體材料112之鄰近表面至導體元件28的空 間分隔中，對於第一實施例以一 ''反覆步驟〃模式執行物體 材料Π 2之掃描。苐一貫施例對於一連續掃描模式操作之優 化隨後說明於本發明之第一實施例之第三種變化。 如第1 a圖中概要顯示的，本發明之第一實施例之第一種 變化包括與本發明之第一實施例相同的元件。第一實施例之 第一種變化與第一實施例之間的差異係用以獲得信號值之量 測陣列的步驟。於第一實施例之第一種變化中，振幅（| &丨）,7 以及相位（φ)〃係使用已知的外差式檢測技術（heterodyne detection techniques)或相位感應檢測技術（phase sensitive detection)對於非脈衝信號（non-pulsed signals)測定，例如一數 位希爾柏轉換相位檢測器（digital Hilbert transform phase detector)[參考經由R. Ε· Best於1993年著作第2版的 、、Phase-locked loops : theory，design, and applications " (McGraw-Hill，New York)]、一 相位鎖閉迴路（phase-locked loop)[參考經由R. E. Best著作的同一本書]、利用相位χ當作 參考相位的一滑動窗場效電晶體（a sliding window FET)[參考 經由 J. Tsui 於 1995 年著作的、、Digital Techniques for Wideband Receivers’’（Artech House，Boston)] 〇 對於即時均勻抽樣的已知函數，對於根據函數獲得資訊， 可根據一 Chebyshev多項式表示函數（Chebyshev polynomial representation of the function)[參考 Η. A· Hill 與 R. 丁· Stebbins 著作於期刊 ''Astrophys· J."，200，p 484 (1975)] ’ 根據數位 信號處理的相位感應技術之完成產生的結果。考慮相位X的範 28 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） -----------裝---------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（26 ) 例’其已掃描大約一偏移量χ。，因此 行。， (3) 其中Δχ係某-些時間t之函數。χ之掃描產生以信號值之陣列 凡素表示的成分，根據等式（2)與（3)表示成 (^)„=( I 5/ I 0〇5(φ+χ〇)),0〇3Δχ-( | 5/ | sin((p+X0))nsinAX (4) 振幅陣列[(| & | )J與相位陣列[(φ+χ。)”]接著以⑶仏乂與 $係數陣列之相位感應檢測之方法獲得。相位感應檢測包括 糟由cosAx乘上（| 乂 | ),，形成與時間有關的合併項（| ^ | )。 cosAx，以及藉由sin^x乘上（丨& | )〆形成與時間有關的合 併項（| 乂 | ), 3ίηΔχ。關於Δχ的正弦函數於相位角叫具有正 幅1，即 △x^coso^t (5) 接著[(I I )J於時間内均勻取樣，cosA%與sinAz之係數陣 列可以有效地表示成[(丨A I )J的某些Chebyshev多項式係數 陣列。 某些Chebyshev多項式係數陣列之元素可以已知的 Chebyshev多項式表示成 4 T'2 (|S/|c〇s(cp + x。))” = + j (Α)，〇5ΔχΑ 4 > (Si)Ji^X) Λ)⑵]i 29 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐） (6) il/2 ------------裝----------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 200300030 A7 五、發明說明（27 ) ㈣"(Ψ+λ。)卜⑹\ κι(ΔΧ) ⑺ [l-J〇(2)] -(△χ)2 1/2 ^Δχ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中Τ 2π/ωι ’ ri與h分別為型式ι與型式π的chebyshev 夕項式的第1 ，以及j。為第_種貝索函數(Bessei functi〇n) 之第 〇 階[芩考經由 G· Arfken 著作的、、Mathematical Meth〇d F〇r Physicists 的第 13·3 節，1968 年出版（Academic Press_New York)] ° 相位偏移量χ。一般需要測定，除了於掃描物體材料u2 之時間範圍内符合非變異量的條件。為了比較於不同時間獲 得的結果，需要測定於兩個不同測量時間之間的時間範圍内 可能產生的任何變化。例如’因為包括—等向性介質且具有 不可少的條件的平坦表面的物體材料112，像是石英玻璃， 於X。内的相關變化量可以藉由於陣列⑻中獲得的振幅[(u, I )J陣列與相位[((p)J陣列測定。 第一實施例之第一種變化具有一外差式檢測系統之優 點。 —第一實施例之第一種變化之其它說明係與已描述的第一 實施例之部分相同一致。 本I明之第一貫施例之第二種變化概要地顯示於第1 ^圖 中。第一實施例之第二種變化與第—實施例之間的差異如下， 於第二種變化中，同時獲得隨時間減少的兩個信號值队與 ------------—------^---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 30 200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（28 [H+1陣列’以便獲付一特定的信號值陣列組，呈有改左白勺 信號對干擾比值，以及減少對物體材料1丨2之振動或運動的 敏感度。因為近場探針光束有相同的χ值或不同的χ值，咬相 關近場探針光束之相同偏振狀態可能對應於兩種不同的％值， 兩個彳a號值與1陣列與兩種不同偏振狀態相同。 第一實施例之第二種變化的許多元件執行與第一實施例 之元件相似作用，並且於第lb圖中如同於第la圖顯示第一 實施例之元件標示相同元件數字。第一實施例之第二種變化 包括額外的元件，其亦執行相當於第一實施例中某些元件相 同的功能。額外元件之元件數字相當於第一實施例之某些元 件之元件數字增加1 000。 光束20經由反射鏡(mhT〇r)90反射後入射至非偏振光束 分光器（non-polarizing beam splitter) 100 上。因為操作模式， 其中兩個k號值與[n+1陣列對於一近場探針光束相當 於兩種不同的偏振狀態’偏振器（p〇larizer)l〇68以與偏振哭68 之定位方向相同，因此包括光線1〇4〇A與1〇4〇B之間的光線 的結合光束1040表示關於光束36之偏振分量之資訊，也就 是藉由於結合光束40中的資訊表示垂直於光束36之偏振分 里。芩考光束50經由半波相位延遲板（haif-wave phase retardation Plate)72通過，其中係對準半波相位延遲板^ ; 然後光束52之偏振面係垂直於第比圖之平面。為了處理包 括於信號13!中的資訊，電子控制器、信號處理器及電腦12〇〇 執行相當於第一實施例中的電子控制器、信號處理器及電腦 200的功能。 -------------— -----^-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線i
200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
t----tT-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •線一 A7 五、發明說明（29 ^ 綠化：，it例之部分步驟是不重複於第-實施例之第二種 ^光束16之偏振平面係旋轉的，為了獲得第-组 的四個信號值陣列，配置了 弟一、、且 盥[糾陣列你e 其中兩個信號值似 態州陣列對於—近場探針光束相當於兩種不同的偏振狀 面，其中兩個信號值[仙^陣列相 *於兩種不同的嫌，因為—近場探針光束 =二同，狀態，相位延遲板"32係調整= 之刀里之間加人-對應的相位偏移，因此可 同χ值的要求功能。 ]不 相對於第一貫施例，第一實施例之第二種變化之 兩種信號值陣列之獲得，同時具有減少獲得規定的—组^ 值陣列的時間、改善信號對干擾比值以及 期 少物體材料m的振動或運動之敏感度。 于』間減 第一貫施例之第二種變化之其它說明係與已描述的 實施例之部分相同一致。 本發明之第-實施例之第三種變化係概要地顯示於第k 圖中。第-實施例之第三種變化與第_實施例不同， 以掃描物體材料112的模式。第一實施例之第三種變化係操 作於連續掃描模式中獲得信號值虹之㈣，取代第―: 例中反覆步驟模式。 貝& 第一實施例之第三種變化的許多元件表現如同第一實施 例之7L件般相似的功能，並且於第丨5圖中如同於第丨a圖顯 示第一實施例之元件標示相同元件數字。 回’、 32
200300030 A7 發明說明（3〇 光源1_係-脈衝光源。經由此等熟練於此技術中人 =，對於產生-脈衝光源有許多不同方法[參考經由w siif懦t 著作的 Lasers ，Handbook of 〇ptjcs，丨，丨 995，第 1 1 章 (McGraw Hill，Newy)]。由於第一實施例之第三種變化使用連 續掃描模式，經由光源ΗΗ0產生的光束脈衝之脈衝寬度㈣以 尺持續時間具有限制。於一掃描方向中，脈衝寬度〜 將是-參數，》某種程度上控制空間解析度的限制值具有一 下限 ⑻ 其中V式掃描速率。例如，具有τρ| =50 nsec及v=〇 2 m/sec 於掃描方向中的空間解析度^ v之限制值將為 τρ, ν-1〇 nm (9) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 光源1010產生一光束1012,其具有平行於第lc圖之平 ，的偏振平面。光束1012入射於一調制器（m〇dulat〇r)76，接 著以光束1015遠離調制器76。調制器76可以是，例如，一 聲光元件（acousto-optical device)或一聲光元件與其它光學元 件之結合，用以調制一部份光束1〇12。調制器76係受一驅 動l§(dnver)78以一頻率&啟動。調制器76藉由一聲光互相 作用，使部分的光束1012繞射成為光束1〇15之繞射光束分 S。光束1015之繞射光束分量之頻率係經由與光束1〇15之 非繞射、非頻率轉移分量有關的量匕的頻率轉移；接著係與 光束1015之非繞射、非頻率轉移分量之偏振平面垂直的線性 偏振。 藉由此等熟習於此技術中者，亦將察知光束1〇15之兩個 ------------------線. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 33 卜紙張尺度適用甲國國家標準（CNS〉A4規格⑵〇 χ撕公^· 200300030 A7 B7 五、發明說明（31 ) 光學頻率可籍由任何種種的頻率調制裝置產生：（1)使用一對 的聲光布拉格單體，例如參考Y. Ohtsuka與K. Itoh於 18(2)，pp 219-224 (1979)中著作的、、Two-frequency Laser Interferometer for Small Displacement Measurements in a Low Frequency Range, 〃 i N. Massie et al.^ Applied Optics, 22(14), pp 2141-2151 (1983)中著作的、、Measuring Laser Flow Fields With a 64-Channel Heterodyne Interferometry, /r ； Y. Ohtsuka M. Tsubokawa ^ Optics and Laser Technology r 16, pp 25-29 (1984)中著作的、、Dynamic Two-frequency
Interferometry for Small Displacement Measurements, 〃 ； H.
Matsumoto於同一書同一頁的同出處上；P. Dirksen等人於 1996年1月16日領證的美國專利案號5,485,272 ; N. A. Riza 與 Μ· Μ· Κ· Howlader 於 Opi. 35(4), pp 920-925 (1996) 中著作的 ''Acousto-optic system for the generation and control of tunable low-frequency signals," ; (2)使用單一的聲光布拉 格單體，例如參考G. E. Sommargren於1987年8月4日領證 的美國專利案號 4,684,828 ; G. E· Sommargren 於 1987 年 8 月18日領證的美國專利案號4,687,958 ; P· Dirksen, et al·, 於同上述同一專利的相同出處；或（3)使用於2/18/00經由 Henry A. Hill 申請，標題為 ''Apparatus For Generating Linearly Orthogonally Polarized Light Beams"的美國專利申請序號 09/507,529中描述的系統。美國專利申請序號09/507,529的 内容在此併入供參考。 光束分光器1000係一偏振型光束分光器，因此參考光束 34 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21G X 297公楚) 隹 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -—------訂-------—線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（32 ) =光束删旦之-頻率分量，以及量測光束^包括光束删 頻率分量。參考光束5G之偏振平面係垂直於第圖 的HP面° 除了脈衝光束，除了參考光束5〇與量測光束22的頻率 Z同之外’以及除了垂直於光束22之偏振面的第—實施例之 弟二種變化的參考光束52的偏振平面之外，第—實施例之第 二種變化的光束40之描述係與第一實施例之已知光束4〇的 次明部分'一致。 光束40係藉由一檢測器116檢測，最好藉由一量子光子 檢測器，產生包括信號值⑻陣列的電子干涉錢。信號值队] 陣列以第（1)等式寫成好的近似式， (从尸(丨 A ! c〇s(c〇2t+(p+rf^2))” (1〇) 其中〇2=2兀/2與；2係一相位，不是9或％的函數，是大體與時間 有關的常數。 電子控制器，信號處理器，及電腦22〇〇不是以數位信號 就是類比信號步驟測定的（s丄相位⑼乜乜2)，最好是使用時 間基底相位檢測及驅動器78之相位的數位步驟，其藉由信號 77傳送至電子控制器、信號處理器及電腦22〇〇。假若於末端 使用應用中需要，經由減掉個別測定的相位[(UQ) j陣列， 自相位[(φ+χ+ζ2) J的量測陣列中形成[((p)J之陣列值。 於掃描物體材料112期間，條件係不變化的，相位[(χ+ζ2) ”]之陣列除了符合條件外一般不需要測定。於兩個不同的量 測期間之間的時間範圍内，有可能產生變化，比較於不同時 間獲得的結果，有必要測定相位[(%4^2)J陣列中的任何變化。 35 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 x 297公釐）
---------訂------ (靖先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線一 A7 B7 200300030 五、發明說明（33 ) ί]如對於包括具有要求精準的平坦表面之等向性介質的物# 材料’例如石英材料，藉由獲得信號值[^】之陣列，於[a 中相關變化可以測定。再一次，於阶⑷中的此等相對^ 化，最好且可預期地成為小的變化。 關於-脈衝光束1015的同調時間％，係藉由一非限制範 例獲得:其大體等於脈銜寬度V。關於信號沛J之陣列之 條件係經由檢測器η6量測，做為包括時間間_、△叫、 ]1//1 2的集合，信號值[\]之說明，大體與具有X的第— 貫施例的信號值队]之陣列的說明之對應部分相㈤，第 例經由 ' X=c〇2t，以 2π為模 (Π) 士 ，此丄當光源ΚΠ0係具有一脈衝同調時心的脈衝光源 柃，第一貫施例之第三種變化的說明，係等於具有第一徐 施例的敘述，藉由c〇2t，以2π為模一 貝 光源ΗΗ0的時間可以自包括一組叫值中選擇其包括—且 數值，每-組數值係-整數乘上2π，加上〇，π/2，兀，及（3/2) γ脈衝光源刪之時間係，藉由經由電子㈣器、信號處理 器及電腦2200產生的信號10〇9控制。 與第一實施例有關的第一實施例的第三種變化之優點 為，當對應至第-實施例的相位χ時，頻率係可變化。於第一 實施例中等於;c的相位，於第—實施例之第三種變化中，關於 以2兀為模的相位的變化的頻率可以盡可能高達之5論的等 級，且保持與％ 口1//2相同的條件。 來自光源ΗΗ0的脈衝時間係經由電子控制器、信號處理
**----^-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 幸 1 ___ 2 本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（2】〇Γ^^ 200300030 A7 __ B7 五、發明說明（34 ) 器及電腦2200調整，因此對於第一實施例的第三種變化中， 可以獲得關於一掃描速率v及元件28上的元件30與32之間 的調節間隔、等於第一實施例的信號值[\] i、[又]2、[&]3及[乂J4 陣列之資訊。藉由電子控制器、信號處理器及電腦2200執行 一正規化（normalization)，於近場返回探針光束的振幅或第二 背景返回光束的振幅與自一要素至信號值陣列的第二要素的 反射參考光束之間的干涉交又項地產生與檢測中，對於效率 的變化作補償。關於正規化需要的資訊可以藉由，例如，對 於包括具有表面平坦要求精確的一等向性介質，例如石英玻 璃，的物體材料112，獲得信號值[5J陣列測定。 對於精通此技術者將是顯著的；第一實施例之第三種變 化的光源1010可以具有一 CW光源取代，信號值[&]陣列之 相位使用已知的外差式檢測技術或對於非脈衝信號的相位敏 感檢測技術（phase-sensitive detection technique)測定。在不脫 離本發明之精神或觀點的情況下，外差式檢測技術或相位敏 感檢測技術可包括類比相位敏感檢測或數位技術，例如一數 位希爾柏轉換相位檢測器（digital Hilbert transform phase detector)[參考經由R. Ε· Best於1993年著作第2版的 Phase-locked loops ·· theory，design，and applications ” (McGraw-Hill, New York)]、一 相位鎖閉迴路（phase-locked loop)[參考經由R. E. Best著作的同一本書]、一滑動窗場效電 晶體（a sliding window FET)[參考經由J. Tsu丨於1995年著作 的、、Digital Techniques for Wideband Receivers" (Artech House, Boston)] 〇 37 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -.— 訂---------線一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明（35 ) 對於精通此技術者將是顯著的；於不偏離本發明之精神 與觀點下，可以修改第一實施例之第三種變化，根據第一實 施例之第二種變化的方法以便同時獲得兩個或更多的信號^ [\]陣列量測。 b 可以於第三實施例中使用相位偏移器（phase shifter)，確 定經由來自光源1010與調制器（modulat〇r)76的脈衝計時之 結合產生的相位偏移值係等於一組要求相位偏移。 第一實施例的第三種變化的其它說明係與第一實施例產 生的說明的相對應部分相同。 本發明的第一貫施例的第四種變化係概要地顯示於第 圖中。第-實施例之第四種變化與第一實施例之第三種變化 之不同在於對於輸人光束使用兩種不同的波長分量。對應於 輸入光束之兩個不同波長分量’第一實施例之第四種變化同 時需要兩個信號值虹陣列，取代第_實施例之第三種變化 中，對應於輸入光束⑻6的單一波長獲得的信號值亂陣 列。 第一實施例的第四種變化的許多元件如同第一實施例之 第三種變化執行相似功能，如同於第lc圖中顯示第一實施例 第三種變化之元件’於第ld圖中標示相同元件數字。 ，光源2010包括以兩個不同波長操作的兩個脈衝光源。脈 衝光源係藉由-雙色光束分光器（dichroic beam spl丨刪（未頻 示於第ld圖中）結合成光束1012。g一實施例之第四種變化 的光不1012說明係與已知的第一實施例之第三種變化的光夹 4〇的說明對應部分相同1 了具有兩個不同波長分量的脈衝 -----------------訂---------線· Γ%先閱續背¾<>i*事項再填寫本頁〕 38 200300030
五、發明說明（ 36 光東之外。 ^-實施例之第四種變化之其它說明係與第一實施例之 弟三種變化產生的說明的對應部分相同。 第-貫施例之第四種變化的優點係對應於兩個不同的波 長同時需要兩個信號值[\;^陣列。 當物體材料包括具有波長λ等級或更小的尺相及不同的 組成物的結構，例如矽、氮化矽、氣化鈦、銘、銅、二氧化 石夕及其它半導體、導體及絕緣材料時，藉由物體㈣m對 於不同近場探針光束的額外反射及/或散射特性可要求測定物 體材料112的具體特性。此等結構可埋藏於表面下及/或位於 靠近導體科28的物體材料112之表面。此等結構進—步可 包括薄膜磁光材料（thin film magnetQ_Qptieal mateHal)，例如 用磁光儲存資料的非晶性稀土族過渡金屬合金。此等結構之 尺寸’於平行於物體材料112表面的一個或兩個方向及/或垂 直於物體材料112表面的方向中，可為波長人等級或更小的尺 寸對於與其匕成分結構不同的一個成分結構，結構可進一 步包括纟示合的折射率。 物心材料Π2的某幾個額外的反射及/或散射性質係藉由 本發明之第二實施例與第三實施例獲得，其中使用不同於第 一貫施例的近場探針光束的近場探針光束。第二實施例與第 一 κ施例分別於第2圖與第3圖中概要地描述說明。分別顯 不於第2目與帛3目中的第二實施例與第三實施例的許多元 件’執订與第la圖中第一實施例標示相同元件數字的相似功 能0 (請先閱讀背面之注意事項寫本頁) · ，線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 39 200300030 A7 ----------- -B7 ' ............. _ 丨丨即 五、發明說明（37 ) 第二實施例及第三實施例與第一實施例及其變化之間的 主要差異係量測光束22於導體層28之表面入射的角度。對 於第一貫施例及其變化，入射角度係大體垂直於導體層28之 表面。對於第二實施例及第三實施例，對應的入射角度係如 第2圖與第3圖中顯示的一個弧度等級。 如同於第2圖中顯示的第二實施例的量測光束22係經由 反射鏡19A、！9B及19C依序地反射，接著入射於包括透鏡 124與126的一透鏡組。相位延遲板ι8係藉由利用電子控制 為、伐唬處理器及電腦200產生的信號128控制，此種量測 光束22之偏振狀態係平行於第2圖的平面。透鏡124與126 之間的關係頻示於第4a圖中。第二實施例之量測光束22藉 由透鏡組以一弧度專級的入射角度於元件28上聚焦成一光束 點，於元件28中其包括次波長孔洞及次波長散射部位之陣歹,J 〇 -------------% ί請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) el I / ί n 二叮.. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 入射於次波長孔洞30之量測光束之第一部份係穿透成一 k化近場揼針光束。第二實施例之優化近場探針光束與第一 實施例之近場探針光束之間的主要差異係在於近場多極成分 中的不同實施例之近場探針光束的近場多極成分包括 與位於孔洞30的一對應孔洞的磁多及相關的一重要的近場 項。
I
第二實施例之近場探針光束的近場多極組成包括與位於 孔洞30之對應錢處的兩個磁多極與—電多極有關的重要近 場項[參考（1975)J. D. Jack遍著作第2版的、 Electrodynamics"的第 9 章；'〇iffracti〇n The〇ry,, c 厂
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 200300030 A7 B7 五、發明說明（％ )
Bouwkamp, Reports on Progress in Physics, 17, pp 35-100, ed. A. C· Strickland，The Physical Society (1954)]。因為於與磁多極 有關的近場空間特性及與電多極有關的近場空間特性中的差 異（見第4b圖，因為與磁多極相關的電場的某些分量分布與 V to元件28之平面對齊且電多極定位垂直於導體元件之 平面），經由第二實施例量測的綜合的近場返回探針光束之振 幅係與第-實施例量測的綜合的近場返回探針光束之振幅不 同。結i，以第二實施命j量測的綜合的近場返回探針光束之 振幅描述物體材# 112的三維體積部分的、、影像夕，其與藉 由第-實施例量測的综合的近場返回探針光束之振幅描述二 物體材料1 12之對應影像不同。 、返回光束m之描述及接著經由第二實施例的處理係與 返回光束34及第-實施例接著的處理有關的對應說明部分相 此外’參考光束15〇之說明及經由第二實施例之後來的 與參考光束34及第—實施例接著的處理有關的對應說 明部份相同。 應部==例之其它說明係、與第-實施例產生的說明之對 第三實施例之說明係與第二實施例之對應部分相同，除 了 =㈣導體元件28上對應的量測光束方向之外。
於第二實施例與第三實施例的量測光束二P 的。如第3圖所示，然而，第三實施例之量測同 圖之右側入射於導體元件28上，其 ="弟） 係自第2圖之左側入射於導體元件2J:;二Tf測光束 對於第二貫施例與 200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 "------_ B7五、發明綱（39 ) — --一 第三實施例於導體元件28處個別量測光束之行進方向證明不 同的、’Ό | ’關於第二實施例與第三實施例位於孔洞Μ之對應 孔洞處的磁多極與電多極之相關相位係不同。 第二實施例與第三實施例之間，位於孔洞30之對應孔洞 處的-磁多極與一電多極之相關相位的差異結果中，經由第 一 a鈀例里測的綜合近場返回探針光束之振幅描述物體材料 112之二維體積部位的另一、、影像〃，與經由不論是第一實 施例或第二實_量測㈣合近場返回探針光束之振幅描述 的物體材料112之對應影像不同。 第Α ；^例之其匕5兒明係與第二實施例給予對應說明部 分相同。 = 本發明之第一實施例之橫向解析度係與h同等級。於本 發明中可以獲得橫向解析度的改善，例如經由量測的一反射/ 散射探針光束之综合的振幅，其中近場探針光束係大體以一 磁多極為特徵，減掉其中近場探針光束係大體以一電多極為 特徵的量測的一反射/散射探針光束之綜合振幅。如第仆圖 所示，考慮電多極與磁多極場分布之相關場分布，對於熟習 於此技術者將是顯而易見的。 藉由位於—人波長孔洞3〇處的任何多極源產生的；以及關 於第一、第一、第二、第四實施例及其變化與近場探針光束 有關的電場，於物體材料中1 12於既定位置的方向上一般具 有限制範圍。本發明的這個特徵，對於物體材料丨丨2之特性 一般自置測化號值队]|、队]2、[^丄、及丄陣列導致一更 簡單的逆計算，假若經由一末端使用應用需要，量測強度值 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1« n l·— I 1 ϋ 訂---------線丨·
-I n ϋ .1 n n I 1« 1· I Ml ί I i n n ϋ n I n I ▲ 200300030 A7 ____ B7 丨丨丨丨丨 五、發明說明（4〇 / [又]3—[\]4=[〇S,)J3—[0/)丄陣列，以掃描的、干涉的或其它 的a遇中比較逆計算，其倚賴經由具有—傳統光學系統攝像 所定義的空間解析度。 ^於本發明中，逆計算係更簡單，因為於一被掃描/攝像的 匕知物體體積部位處的近場探針光束分量之行進方向，來自 體積部位的反射/散射近場探針光束之已知的量測振幅及相位 係大體相同的’其中體積部位之尺寸係遠小於近場探針光束 源之尺寸。逆型式計算於本發明中進一步被簡化，因為其是 來自被掃描/攝像物體之已知的體積部位的一反射/散射近場 探針光束分量之行進方向，來自體積部位的反射/散射近場探 針光束之已知的量測振幅及相位係大體相同的。逆型式計算 :本毛月中進步被簡化，因為位於被掃描/攝像的已知的物 體體積部位處一近場探針光束分量之行進方向及來自被掃描/ 攝像的體積部位處-產生反射/散射近場探針光束分量之行進 方向係大以相反於來自體積部位的反射/散射近場探針光束 線 ，已知的量測振幅及相位的方向。於不偏離本發明之精神與 觀點下’可以對第二實施例及第三實施例改善，以便同時獲 得兩個或更多的信號值⑻陣列量測及/或使用具有一脈衝源 或根據第-實施例的第二種、第三種、第四種變化之方法的 不同波長之脈衝源的連續掃描模式，對於熟習此技術之人士 將是顯而易見的。 物體材料成分之综合的折射率可以是對溫度敏感的，例 如導電材料之導電率（eGnduetivity)或—物f的磁化率。於不 偏離本發明之精神與範圍中，配置監視及/或測定物體材料112 I__一 —__ 43 ^紙張尺度國家標準 200300030 A7 B7 五、發明說明（41 ) 成分之折射率的第一實施例及其變化及第二實施例及第三實 施例，可用以監視及/或測定物體材料112的小部份溫度變化， 對於熟習此技術之人士將是顯而易見的。 藉由本發明之第四實施例獲得物體材料112之某些其它 額外的反射及/或散射特性，其中於檢查下物體材料包括次波 長磁光區域陣列或磁光材料之結構。第四實施例進一步包括 經由物體材料反射/散射的一返回光束的攝像與檢測系統，其 中對應於第一實施例之返回光束34的反射光束係不同於攝像 與檢測系統的返回光束3 4。一種磁光材料的例子是一非晶性 稀土族過渡金屬合金（amorphous rare-earth transition-metal alloy)。本發明之第四種實施例係概要地描述於第6a圖至第 6c圖。於第6a圖中顯示的第四實施例的許多元件執行著於 第la圖中顯示的第一實施例的標號元件相似的功能。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •線· 光束之偏振平面於一磁光區域上，於反射及/或散射過程 中一般受到少量的Kerr或Faraday旋轉。對於第四實施例之 返回光束334，攝像與檢測系統被設計成用以量測於一磁光 碟（magneto-optical disk)412上藉由一磁光區域反射及/或散射 的光束334的近場返回光束分量的偏振平面的少量旋轉作 用。第6a圖中，第四實施例之返回光束334顯示成光線334A 與334B，其中返回光束包括光線334A與光線334B之間的 光線。 透鏡324及第6b圖中顯示的阿米西型物鏡326的說明係 與第一實施例規範的透鏡24與透鏡26的說明相同。一導電 元件328附著於透鏡326(參考第6b圖），並且與導電元件28 44 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 200300030 A7 B7
附著於阿米西型物鏡26相同。導電元件328包括次波長孔洞 330，其說明與第一實施例之次波長孔洞33〇規範的說明部分 的對應部分相同。次波長孔洞33〇《直徑與調節間隔分別為 a’與b’，亚且如第6c圖中顯示，導電元件328與物體材料 之表面附近的分隔為h，。a，、b，及h,的說明係與對應於第一 實施例規範的a、b及h說明相同的。 關於磁光碟412的透鏡326之橫向位置及高度係經由一 伺服糸統（未顯示）保持。高度h，最好經由空氣支撐（一種漂浮 阿米西型物鏡）保持於磁光碟上方近似2a，的高度。 在不脫離本發明之精神與範圍下，一種經由T. R. c〇He 及G. S· Kino於1992年6月發證的美國專利案號5，125,75〇， 標題為 Optical Reeording System Empl〇ying A 8〇旧 Immersion Lens"中說明固態陷入透鏡（s〇Hd ^随^⑽ 可使用於第四實施例之干涉儀系統的物鏡與磁光碟之間，對 於熟習此技術者是顯而易見的。 光束j34與光束50通過第四實施例之裝置形成光束338 的仃進路線說明係與光束34與光束5〇通過第一實施例之裝 置形成光束38的行進路線說明相同。於第6a圖中，光束
顯示成光線338A與光線338B，其中光束338包括光線338A 與光線338B之間的光線。 於第6a圖中描述的元件368包括一半波相位延遲板。半 波相位延遲板之方向係定位成旋轉光束338之返回探針光束 分量之偏振面，以便增大檢測信號之敏感性，於磁光碟Μ〕 中的磁區域之磁至狀態產生變化，隨後說明之。 j__ 45 本紙張尺度適財邮家標準（CNS)A4規^^^297公# (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) Φ---------訂---------線 200300030 A7 B7 五、發明說明（43 ) 光束338通過半波相位延遲板（half wave phase retardation plate)368，接著其第一部份通過偏振光束分光器（polarizing beam spliUer)101並且接著藉由透鏡62A聚集成混合光束 (mixed beam)(與偏振有關）的光束340。於第6a圖中，光東340 顯示成光線340A與光線340B，其中光束340包括光線340A 與光線340B之間的光線。混合光束340聚集於一針孔平面 314A，於影像平面3 14A中的此針孔係於導電元件328中的 一次波長孔洞330的共軛影像。通過半波相位延遲板368的 光束338的第二部分經由偏振光束分光器101反射，接著藉 由透鏡62B聚集成一混合光束（與偏振有關）的光束342。於 第6a圖中，光束342顯示成光線342A與光線342B，其中光 束342包括光線342A與光線342B之間的光線。混合光束342 聚集於一影像平面314B中的一針孔上，於影像平面314B中 的此針孔及於影像平面314A中的針孔係導體328中相同次 波長孔洞330的共軛影像。 影像平面314A與314B、檢測器316A與316B以及信號 431A與431B的說明分別與第一實施例規範的影像平面Π4、 檢測器116及信號131之說明的對應部分相同。 描述於第6a圖中的本發明之第四實施例之操作裝置係分 別根據經由檢測器316A與316B取得的信號值[\]9與[乂]10 連續對應陣列。兩個信號值[\]9與連續對應陣列分別以 不是數位就是類比型式的信號431 A與431 B，最好是以數位 型式輸出至電子控制器、信號處理器及電腦400，用以連續 處理。 46 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ----------訂---I-----. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300030 A7 發明說明（44 ; 接著第四實施例之說明將以根據極性磁光Kerr作用將光 資料健存及復原方面說明之，並非用以限制本發明之精神與 範圍。 當線性偏振光係以垂直入射於一垂直地磁化介質，經由 極性磁光Kerr作用的偏振反射狀態具有少量的旋轉以及某些 程度的橢圓狀。其一可考慮反射偏振包括兩個線性分量：平 行於入射偏振方向的五丨I，以及垂直於入射偏振方向的厶丄。 產生於反射光束中的五丨丨與£±之間的相位差係大約於〇。與9〇。 之間，產生某種程度的橢圓率、，其具有以一角度相對於 入射的偏振平面）旋轉的偏振橢圓的主軸。 對於物體材料412之磁光區域之作用的最佳敏感度係藉 由對於半波相位延遲板368作特殊的設定以及選擇經由相位 偏移器64產生的特殊相位偏移χ。對於半波相位延遲板⑽ 之定位方向的制設定係將光束338的返回探針光束分量 '之偏振平面與偏振光束分光器1G1的人射平面形成一夹角 45。。特殊的相位偏移χ係對於光束338的參考光束分量石及 返回探針光束分量&產生不是同相位就是18()。的反相^ 接者，信號值與的對應陣列可以表示成
Wio= ^Er+Ew ~Έ± f 其中η "係-平衡常數之陣列。接著，根據等式 (___ 47 ^$^CNS)A4 ----------------------訂-------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 線- (12) 200300030 A7 五、發明說明（45 ) (13) E R n 1 S rj U S nj n n \ J lC〇S(p 丨 E R η 極性磁光Kerr作用被檢測成為對應的信號值[&]9與[^]⑺陣 列之差異，其中（φ)〃係與之間的相位角。關於背景返回光束 值的值最好選擇對於量測值五±/心”增大信號對干擾比 例，如同描述於隨後部分標明、、統計誤差（statisticalEm>ir/。 貢訊藉由一熱磁步驟（thermomagnetic process)寫入光學 儲存凡件（optical storage element)412。一 電磁體（electr〇magnet) 被設置於靠近光碟（opticaldisk)412處，接著於針孔平面314a 中，一個或多個針孔以雷射光源取代，其強度係以控制器與 電腦系統控制。於位於針孔平面314A中的針孔位置的雷射 光源之影像產生近場探針光束的加熱面積中，電磁體的場幫 助訂定磁化方向。 線 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 於不偏離本發明之精神與範圍下，可以改良第四實施例 以便獲彳于二種或更多同時量測的信號值[&]陣列及/或根據第 二、第三實施例及第一實施例之第二種、第三種及第四種變 化的方法，使用具有具有一脈衝光源的、或兩個或更多波長 的光源的連續掃描模式，對於熟習此技術者是顯而易見的。 當使用具有次波長孔洞陣列的本發明時，獲得關於物體 材料H2與光學儲存元件412的資訊係大體上對於振動是不 敏感的’對於熟習此技術者係顯而易見的。 於第9圖中概要地顯示一第五實施例。第五實施例係一 48 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐
I 200300030 46 A7 五、發明說明（ 以透㈣=操作的掃描干涉近場顯微術。 ^第五R %例之許多元件執行與第一實施例之元件相似功 l JL且於第9圖中標示與第^圖中的第—實施例之對應元 件相同的元件標號。 光束2〇你入射於非偏振光束分光器102上，並且本身第 -部伤透射成為量測光束22τ。量測光束22丁接著藉由反射 >兄反射然後經由反射鏡90反射後，聚集於基底丨12丁 上的』基底112丁包括對於光束20之波長為透明的基底； 及波長及/或對應於第_實施例之孔洞則次波長孔洞陣列。 聚集於-點的量測光束22τ之—部份通過次波長孔洞％成 為近場探針光束_。次波長孔㈣說_鮮—實施例之 次波長孔洞30規範的對應說明部分相同。光點的直徑大到足 以跨越次波長孔洞3 〇之陣列。 藉由近場光束陣列檢查的樣品25係放置於阿米西型透鏡 26Τ的平坦表面。近場探針光束陣列通過樣品25成為透射光 束（transmitted beam)34，其對應於第一實施例的光束％，隨 後發生的步驟藉由第五實施例之裝置有關。 如第9圖中顯示，光束20之第二部分經由反射鏡ι〇2反 射成為參考光束50丁。參考光束50丁經由反射鏡94A、94b、 94C反射後，通過透鏡60中的孔洞成為參考光束52。參考 光束52之說明係與第一實施例的光束52規範的對應說明部 分相同。 第五實施例的其它說明係與本發明之第一實施例及其變 化以及第二實施例、第三實施例與第四實施例規範的對應說 49 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐）
• II11III1II — 0 f I I t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂---------線· k— I I n n n - -I I I . ml ί / 200300030 A7 五 發明說明（47 /明部分相同。統計誤差 考慮本發明裝置對於第一實施例及其變化以及第二實施 例 '第三實施例、第四實施例與第五實施例的物體材料112 以及第四實施例的光學儲存元件412㈣別㉟力。下列說明 將就物體材料112,於不偏離本發明之精神與範圍下而論。 與檢測器116之某些像素有關的、及與次波長孔洞元件川有關的、及與關於導體平面28之物體材料丨12之某些位置有 關的輸出信號（&)可表示成 + Wln^sf dxdydt + C〇S^il + C〇S 乂瓜 ’WU/、 f \ dxdydt + ysinxjjj dxdydt + j sin χ JJJ 、 「U/U心 dxdydt dxdydt (14) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) + -· I I I Γ I I I·1111111« - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中積分ίίίΛ係於平面114的對應檢測器針孔的整個面積並 且對於一時間間隔Δί作積分，u；?、UB與us分別是反射參 考光束、第一背景返回光束與近場返回探針光束的綜合振幅， j 1 ’以及λ係藉由相位偏移器64產生的相位偏移。關於信 號是[Δ5丄H]r[\]2與-[\]4陣列之各成分的對 應等式可以表示成 50
本紙張尺度適用中固國⑵0x297 ,i^T 200300030 Α7 Β7 五、發明說明（48 ) (ASn)1^2\\l(vRVs+VR*VB)dxdydt + 2jjjJu^U/-fU/U5)^x^ f (15) {ASn)2^j2\\l(vRV；~VR^VB)dxdyd^ ^j2\\l(vRV；~VR^s)dxdydi . (16) 關於肌(ι^υζ+ινυ^χφΛ 與 - 可以分別表示成 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ------ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 σ
7 訂---------線· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 200300030 A7 B7 五、發明說明（49 -V^\Js^dxdyd(^瓜丨 υ/?|2^Μ^ 2 2 + 一- \\\}νsf dxdydt λ JJJ[|US|2 R |2 dxdydt ^\\\jyR^B^R^s)dxdydt (18) σ
JjJjU^I2 dxdydt 2 ’ 於寺式（17)與（18)的推衍中，假定 〇2(\\l\VRf dxdydt) 等等’於系統中的統計干擾係藉由於量子光子檢測器中檢 測的光子數量的波以忍統計，以及瓜丨叫2^^與 iJIihi2办咖*兩者對應自於量子光子檢測器中檢測的大量光子數！。關於iilM—^,>>瓜|us|2也^與瓜|1^丨2—^’》瓜丨叫2办#的情形中，等式（17)與（18)與〇相 關的右側項可以省略。簡化成下式 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
---11---^ ------III 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適iT?i"ii^-(CNS)A4規格⑵〇 x 297公爱 200300030
+ j dxdydt 1 iiu^fil 2 2 m \\]R\-dxdycii 五、發明說明（5〇 ) nf ^dydt !ll(w ^ dxdydt dxdydt ϋ (19) σ 5 /^Vs^dxdydt
Wlr!^ Rf ^dydt -V^V^dydt]^Wi\v ΑΔ άχ^άί (20) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 因為饧值的重要性，自瓜jU/?|2办= 2瓜丨叫2如㈣至 肋〜丨2》瓜丨〜I2_治獲得對於肌(WU/+IVW)办办心 與WL(u,u/-u/iy办办心的信號對干擾比例的額外增 =，是一近似（3/2)的係數。然而，後半部增益係於光源功 大量增加的損失造成，且位於信號處理電子的必要動 態範圍中。因此，對於丨U/?丨的最佳選擇將具有下面特色 ,ill\Vr\2 dxdydt ^ 2 JJJJu512 dxdydt · (21) 當滿足等式(21)表示的條件時，藉由等式（19)與㈣規範的二) 计决差限制於下列不等式中·· 53 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公釐 •--------------------—訂---III — — » . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200300030 A7 B7
^s^j^dydt \\\η\ν Rf ^dydt 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (25)
I I - — — If — — — ^ ·11111111 II---------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) < 〜？· (23 二、〇8)寻式〇9)與(2〇)、及等式(22)與(23)之解釋如下：爸 ::的細幅的分量獲得-组四個強度量測，例如於物楚 中母一獨立位置，此處揭露之發明是可行的，對於综合的错 射振幅的每—分量的統計誤差係典型地具有被综合的散射掘 幅本身的統計S]定的限魏計誤差（3/2)|/2餘，較低操作功 率权度的光源以及與$知近場掃描顯微術及共焦顯微術有關 的於信號處理電子中的較低動態範圍容積需求仍可以獲得推 論的統計誤差。與位置無關項係用以指出㈣㈣四個量測 陣列之關係組疋獨立的統計陣列。 由於第-背景返回光束與第二背景返回光束造成的系統誤差 等式⑷與等式(5)可用以連接信號值⑽丄' [Δ&]2及丨认 1的量測陣列，以便獲得真實的量測及％的虛數部。仍存在 可能的系統誤差項 EKV+u/叫蜂，， (24) ^R^B)dxdydt 54 200300030 A7 五、發明說明（52 ) 當I 卜> | u, |時，系統誤差項成為重要的項。結果，μ (24)與（25)表示的干涉項補償至可接受程度是合人滿音由等式 對於本發明在此揭露的 iiUWiv-ivuj办办力項，於電腦處理方面一般需’與 償較習知技術的近場顯微術需要的補償少。這是因為的補 間特性依靠三維物體的掃描特性係根據習知的近場顯:的窆 查，以及依靠％透過積分等式。這等積分等式：等式（is^衔掩 係第二種Fedholm積分等式。需要執行各個積分等式與（16) 用以獲得％減少了電腦處理，當肌麩 nUU/iiV-u/ud办办士項減少時，例如··於裝置中〜r與 以製造大尺寸積體電路的黃光微影應用，像是電腦晶片等二用 以及用以量測步進機（stepper)或掃描器之疊加效果的單= 置衡系統（stand-alone metrology system)。上述說明的择打又 涉近場共焦系統對於步進機或掃描器中檢查光罩以及於製造 大型積體電路的不同平台上檢查晶圓亦特別有用。對於半導 體製造工業，黃光顯影係主要的技術。 重疊改善降低至l〇〇nm線寬以下（設計原貝彳）係五個最困 難挑戰中之一種，參考 Semiconductor Industry Roadmap，p82 (1997)。因為黃光微影工具可能的產值5〇-1〇〇百萬美金/每 年’改善（維持）黃光微影工具的性能係相當重要的經濟價值。 對於積體電路製造者而言，黃光微影工具之產能每增加（減 少）1¾產生每年大約一百萬美金的經濟利潤（損失），因此成為 黃光微影工具供應商的重要的具競爭性地條件或不利的損 失。 55 本紙張尺度遇用中國國家標準（CNS)A4規格（2】〇 χ 297公髮 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ---------訂---------線. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300030 A7 五 1 局 員 工 消 費 t 、發明說明（53 重疊係藉由於一晶圓上印刷一層圖案接 ㈣二層圖案’然後於—單架度量衡系統上量測兩個= 的位置、方向及失真的差異。 ” 單架度量衡线包括用以觀看„的_顯微術系统，像 是上述的掃針涉近場m統連接至雷射量餘制平台， 於容忍範圍内轉換發光圖案成為潛在圖案。 當製造一光罩時’其必須為完美的:任何印刷於光罩上 的圖案的缺點將破化半導體電路的功能。在光罩未送至半導 體生產線之前，先通過_自動光罩檢查系統，其尋找圖案中 的任何缺點。於光罩檢查中有兩種可能的策略，已知為模且 對貧料（dle-to-databasem查以及模具對模具（dietodie)檢 查H方法包括-自動掃描顯微器’將光罩圖案直接與 製造光罩的電腦資料比較。這需要相#大的資料處理能力， 與鮮刻寫器本身需要的_樣。檢查光罩圖案與用以製造光 罩的貧料組之間有任何的不—致之處標示—錯誤。上述的掃 描干涉近場共焦⑽利用本身的優點，例如背景值影響降低 與大體同日請得-維線區域影像或二料區域影像，特別適 合用來作自動光罩檢查。 一般而言，黃光微影系統亦指曝光系統，典型地包括一 心、明系統與一晶圓定位系統。照明系統包括提供照明的一光 源’例如紫外S、可見^、x射線、電子束或離子束；以及 將圖案轉移至光的一劃分板（retic丨幻或光罩；如此，產生空間 圖=光。另外，關於減少黃光微影，照明系統可包括用以映 射空間圖形光至晶圓上的一透鏡組。映射的光照射於塗佈在 訂 本紙張尺度適用中百 56 A7
200300030 五、發明說明（54 ) 曰曰圓上的光阻。照明系統亦包括用以支撐光罩的光罩平台以 及調整光罩平台相對於導引通過光罩的光的位置的定位系 統。晶圓定位系統包括用以支撐晶圓的晶圓平台以及用以調 整晶圓平台相對於映射光的位置的定位系統。製造積體電路 可包括許多曝光步驟。關於黃光微影的一般參考，例如·· J. R. Sheats 與 B· W. Smith 著作的 Microlitho^raphy · Science and (Marcel Dekker，Inc·，New York，1998)，其内容在 此當作參考。 第7a圖係顯示使用共焦干涉顯微系統（未顯示）的黃光微 影掃描器800範例。掃描干涉近場共焦系統係於曝光系統範 圍内於晶圓（未顯示）上用來精密地設置對準光罩的位置。此 處’平台822係用來設置及承載相對於曝光站的晶圓。掃描 器800包括一框架802,其承載其它支撐架構及這等架構承 載的各式各樣零件。於曝光基座80上架設一鏡筒（lens housing)806,再於鏡筒上架設一分劃板平台或光罩平台816， 於平台上支撐一分劃板或一光罩。用以設置光罩相對於曝光 站位置的定位系統係概要地以元件817標示。定位系統817 包括’例如壓電換能元件（piezoelectric transducer element)以 及其對應的控制電子裝置。儘管，並未於本實施例中說明’ 使用至少一個的干涉儀系統精密的量測光罩平台以及其它移 動裝置的位置，對於製造黃光微影架構的過程中必須精密地 被監控（參考前面 Sheats and Smith 的 Microlithography -Science and Technology) ° 懸掛於曝光基座804下係承載晶圓平台822的一支撐座 57 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規袼（210 X 297公发） ---------^--------- C請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 200300030 A7 五、發明說明 55 813。平台822包括藉由一干涉儀系統826反射量測光束854 朝向平台的一平面反射鏡828。相對於干涉儀系統將平台822 定位的一定位系統概要地藉由元件819表示。定位系統包括， 例如壓電換能元件及對應的控制電路。量測光束被反射回設 置於曝光基座804上的干涉儀系統。 於操作期間，一光束810，例如來自UV雷射（未顯示）的 紫外光束通過一光束塑形光學組件（beam shaping 〇ptics assembly)812，接著藉由反射鏡814反射向下。之後，光束 通過利用光罩平台816承載的一光罩（未顯示）。光罩（未顯示） 藉由透鏡外设806承載的一透鏡組8〇8映射至位於晶圓平台 上的一晶圓（未顯示）上。基底804以及藉由基底承載的許 多零件經由阻尼系統，例如彈簧82〇，與環境振動隔絕。 如同習知技術已知的，黃光微影係用以製造半導體元件 的重要邛刀。例如，美國專利5,483,343概略描述製造此等的 方法。此等步驟參考第7b圖與第7c圖說明之。第几圖係製 ::導體元件，例如半導體晶片(例如IC或Lsi)'液晶面板 "fD，的連續流程圖。步驟851係用來設計半導體元件電 的步驟°步驟852係根據電路圖形設計用來製造光罩 2驟。步驟853係藉由使用材料，例如碎，製造晶圓的步 步驟854係、-晶圓步驟或稱為前置步驟，其中藉由使用 ^的光罩及晶圓，以黃光微影於晶圓上f &曰 上形志卩 日日^上形成電路。於晶圓 升士电路與曝光於光罩上形成足 晶圓有關的主次似Ρ J鮮析度有關，與 有關的“微影工具之干涉定位係必要的。此處描述的 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) f -«I n n 訂 線fl 58 (210 X 297 孓釐） 200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 ------- -B7 五、發明說明（56 ) ^描干涉近場共焦方法及其系統可㈣絲檢錢由晶圓步 驟產生於晶圓上的晶圓的表面及其内部，以便檢查及監控晶 圓步驟中的黃綠影效果。步驟855係一組裝步驟或稱為後 &製程’其中藉由步驟854處理的晶圓形成半導體晶片。此 步驟包括組裝（切割與黏貼）以及封裝（晶片封裝）。步驟Μ6係 一檢查步驟’其中實施包括藉由步驟855生產的半導體元件 的可用性檢查（operabUiiy eheek)、耐久性檢查（齡咖叫deck) 等等二利用此等步驟，完成半導體元件接著運送（步驟Μ7)。 —第7c圖係顯不晶圓步驟的詳細流程圖。步驟861係用來 氧化晶圓表面的氧化步驟。步驟862係於晶圓表面上形成— 絕緣薄膜的C V D步驟。步驟8 6 3係經由汽相沉積於晶圓上形 成電極的電極形成步驟。步驟864係將離子植入晶圓的離子 直入乂知步& 865係於晶圓上塗佈光阻（光敏感材料）的光 卩γ驟步驟866係藉由上述曝光裝置曝光通過印刷電路圖 案至晶圓上的曝光步驟。再—次，如上所述，掃描干涉近場 共焦糸統的使収此處料的方法改善黃級景彡步驟的精史 性、解析度及維持性。 … /步驟Μ7係對於曝光後的晶圓顯影的顯影步驟。步驟_ 係移除除了顯影的光阻影像部位㈣刻步驟。步驟869係提 ^㈣步驟後剝離存留於晶圓上的光阻材料的光阻剝離步 藉由上複此等步驟，於晶圓上形成且疊加電路圖案。 知“干涉近場共；I、系統的重要應用及此處說明的方法^ 使用之前描述的黃光微影方法檢查光罩與劃分板。例如，= 9圖仏概要地顯不_光罩檢查系統9⑼。光源㈣產生一光源 .----^-------— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國 297公釐） 200300030 A7
200300030 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（58) 入射光束，54、54A、54B、56〜反射參考光束，56A、56B〜 光線，60、62〜透鏡，62A〜透鏡，64〜相位偏移器，66〜透鏡， 68〜偏振器，70〜檔板，76〜調制器，78〜驅動器，90〜反射鏡， 94A、94B、94C〜反射鏡，1〇〇〜分光器，U2〜物體材料，ι12Τ〜 基底，114〜針孔平面，116〜檢測器，124、124Β、126〜透鏡， 128〜信號，131、132〜信號，134、134Α、134Β〜返回光束， 136、136Α、136Β〜返回光束，138、138Α、138Β〜返回光束 之反射光束，140、140Α、140Β〜結合光束，142〜光束，150、 152 〜反射參考光束，154、154Α、154Β、156、156Α、156Β 〜 反射參考光束，160〜物體材料墊塊，161Α、161Β〜轉能器， 162〜墊塊平台，164〜轉換器，166〜信號，168〜信號，200〜 電腦，231〜信號，234、234Α、234Β〜返回光束，236、236Α、 236Β〜返回光束，238、238A、238Β〜返回光束之反射光束， 240、240A、240B〜結合光束，242〜光束，250〜參考光束， 252〜參考光束，254、254A、254B〜反射參考光束，256、256A、 256B〜反射參考光束，314A、314B〜針孔平面，316A、316B〜 檢測器，324、326〜透鏡，328〜元件，330〜次波長孔，332〜 次波長散射部位，331〜信號，334、334A、334B〜光束，336、 336A、336B〜返回光束，338、338A、338B〜旋轉光束，340、 340A、340B〜光束，342、342A、342B〜混合光束，368〜半 波相位延遲板，412〜磁光碟，431A、431B〜信號，432〜信號， 400〜電腦，800〜黃光微影掃描器，802〜框架，804〜曝光基 座，806〜鏡筒，808〜透鏡組，820〜彈簧，810〜光束，812〜 光束塑形光學組件，813〜支撐座，814〜反射鏡，816〜光罩平 61 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） --------訂---------線AW (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 200300030
五、發明說明（59 台，817〜定位系統，819〜元件，822〜平台，826〜干涉儀系 統，828〜平面反射鏡，900〜光罩檢查系統，91〇〜光源，Μ】: 光源光束，914〜掃描干涉近場共焦組件，916〜基板，918〜 平台，920〜干涉儀系統，922參考光束，924〜反射鏡，926〜 里測光束，928〜反射鏡，930〜控制器，932、934、938、944〜 信號’ 936〜基座’ 1〇〇9〜信號，1〇1〇〜脈衝光源，1〇12、1〇13、 1015、1016、1020〜光束，1038〜光束，i〇38A、1038B〜光束 之光線，1040〜結合光束，1040A、1040B〜結合光束之光線， 1062〜透鏡，1068〜偏振器，1114〜針孔平面，1116〜檢測器， 1131〜信號，1132〜相位延遲板，1200〜電腦，2200〜電腦， 2010〜脈衝光源 ---------------------訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

  1. 200300030 、申請專利範圍 1 · 一種光學儲存系統，包括： 一刻寫光束光源，提供至少一個刻寫光束 一參考光束光源，提供至少一個參考光束 一光學儲存介質； 一光罩，具有一孔洞，設置用以將至少一部份的至 束與至少一部份的至少一個參考光束麵合至該光 =存"質，該孔洞具有遠小於至少_個刻寫光束之 尺寸； -共焦映射系統，設置用以將至少—個刻 一個參考光束耦合至該光罩；以及 果〃 一電磁體，設置鄰近該光學儲存介質。 一2·如申請專利範圍f 1項所述的光學儲存系統，更包 括一相位偏移器，設置用以調整與至少一 至少-個參考光束之相位。 丨寫先束相關的 3·如申請專利範圍第i項所述的光學 ^ 4. ^ '廿糸統’其中 通九罩更包括許多孔洞，各個具有遠小於 之波長的尺寸。 _寫光束 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線< 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 63 Μ氏張尺度義巾 W#?7CNS)A4 Μ (210 χ 297 )
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