TARIFNAME BIR ALTTAS KAPSÜLE EDILME YÖNTEMI Teknik Alan Bu bulus özellikle plazma destekli kimyasal buhardan çöktürme reaktörü kullanilarak, alttas olarak adlandirilan toz malzemelerin birbirleri ile sinterlenmedigi sicakliklarda uygulanan, düsük sicaklikta homojen bir kaplama yapilmasini saglayan bir alttas kapsüle edilme yöntemi ile ilgilidir. Önceki Teknik Metaller sanayinin birçok farkli alaninda kullanilmaktadir. Metaller farkli uygulamalarda farkli boyutlarda kullanilmaktadir. Metallere yapilan islemler metalin boyutuna göre farklilik göstermektedir. lmm boyutun altinda boyuta sahip kati partiküllerin olusturdugu yigin toz olarak adlandirilmaktadir. Metallerin toz hallerinin kullanildigi birçok farkli uygulamaya literatürde ve sanayide ulasilmaktadir. Yüksek üretim hizi, karmasik sekilli malzemelerin imalati, yüksek yogunluga sahip parçalarin üretimi, malzeme geçirgenliginin ve gözeneklerinin belirlenebilmesi gibi avantajlarindan dolayi toz malzemeler ile üretim sanayinin her alaninda tercih edilmektedir. Metalik malzemelerin özelliklerini iyilestirmek veya istenilen uygulamaya göre optimize etmek amaciyla farkli uygulamalar bulunmaktadir. Söz konusu uygulamalardan bir tanesi ise metalik malzemelerin kapsüle edilmesidir. Kapsüle edilme yönteminde bir metalin üzerinde farkli bir malzemenin kaplanmasi gerçeklestirilmektedir. Malzemelerin grafen ve benzeri grafitik yapilar ile kaplanmasi, söz konusu malzemelerin üzerinde büyütülmesi siklikla tercih edilmektedir. Üzeri grafen ile kaplanan/üzerinde grafen büyütülen bakir, nikel, demir, kobalt, silisyum, silisyum dioksit ve benzeri malzemelerin yüzeylerinde; söz konusu malzemelerin islevselliklerini arttirmaya yönelik amaçla gerçeklestirilmektedir. Oksitlenmeye karsi koruma, elektriksel özelliklerin iyilestirilmesi, termal özelliklerin iyilestirilmesi, enerji depolama ve mekanik özelliklerin gelistirilmesi söz konusu amaçlar arasindadir. Alttaslarin üzerinde farkli malzemelerin biriktirilmesi, alttasin farkli bir malzeme ile kaplanmasi amaciyla kullanilan bir uygulama, kimyasal buhardan çöktürmedir. Kimyasal buhardan çöktürme islemi ile nano veya mikro boyutta kaplama veya büyütme islemi gerçeklestirilmektedir. Kimyasal buhardan çöktürme islemi bir reaktör kullanilarak gerçeklestirilmektedir. Kimyasal buhardan çöktürme reaktörleri bir maddenin veya madde katmanlarinin bir yüzey üzerine biriktirilmesini içeren uygulamalarda kullanilir. Kimyasal buhardan çöktürme reaktörü özellikle endüstriyel üretimde, ar-ge süreçlerinde, nano-malzeme üretimi, malzeme kaplama ve bazi durumlarda malzemelere sekil vermek amaciyla kullanilmaktadir. Teknigin bilinen durumunda yer alan bir diger uygulamada, grafen yas kimya metodu ile imal edilmektedir. Söz konusu uygulamada yas kimya metodu ile grafen imalati optimal ve sürdürülebilir degildir. Farkli üreticiden alinan hammadde kullanimi, farkli ortam sicakliklari ve ekipmanlardaki ufak degisiklikler imalatta büyük degisimler olusmasina sebep olabilmektedir. Yas kimya yöntemleri ile sentezlenen grafenlerin yanal alanlarinin kontrol edilmesi ve katman sayisini kontrol etmek mümkün degildir. Bu durum malzemenin kapsüle edilmesi islemini olumsuz etkilemektedir. Bu sebeple grafenin yas kimya ile üretilmesi birçok problem içermektedir. Teknigin bilinen durumunda yer alan bir diger uygulamada, grafen yaprakçiklari ile alttas kaplamasi gerçeklestirilmektedir. Söz konusu uygulamalarda yas kimya yöntemine benzer sekilde, üretim sirasinda yanal alanin genisligi ve katman sayisi üzerinde kontrolün zayif olmasi malzeme kaplamasini olumsuz etkilemektedir. Söz konusu uygulamada grafenlerin tozlar ile kaplanmasi sirasinda, grafen yapraklari bir araya gelerek topaklanmaktadir. Bu durum ise, alttas tozlarin yüzeyinde tekrarlanabilir ve kontrollü homojen grafen kaplamasi elde etmenin mümkün olmasini engellemektedir. Teknigin bilinen durumunda yer alan bir diger uygulamada, toz alttaslarin grafen ile kaplanmasi, kimyasal buhardan çöktürme yöntemi ile gerçeklestirilmektedir. Kimyasal buhardan çöktürme ile yapilan toz alttas kaplama islemi ise yüksek sicakliklar gerektirmektedir. Söz konusu yüksek sicakliklar bu uygulamanin dezavantaj larini olusturmaktadir. Yüksek sicaklikta bir araya gelen tozlar birbirleri ile temas halinde oldugu bölgelerde sinterlenerek, toz formlarini kaybetmektedirler. Ayrica yüksek sicaklik için gerekli ortamin saglamasi ise çok fazla enerji gerektirmektedir ve üretim maliyetini arttirmaktadir. Yukarida da açiklandigi gibi toz alttaslarin özellikle grafen ile kapsüle edilmesini saglamak için mevcut teknikte yer alan bir takim önemli problemler bulunmaktadir. Özellikle üretilen grafen yaprakçiklari üzerinde kontrolün zayif olmasi ve kimyasal buhardan çöktürme yöntemi ile gerçeklestirilen üretimin yüksek sicakliklar gerektirmesi problemlerinin önlenmesi son derece önemlidir. Mevcut bulus sayesinde, toz alttaslarin, toz formlarini kaybetmeden, homojen bir sekilde grafen ile kaplanabilmesini saglayan bir alttas kapsüle etme yöntemi gerçeklestirilmektedir. Mevcut bulus ile toz alttaslari kullanan, elektronik, manyetik, termal ve koruma kaplama gibi uygulama alanlarinda, malzemelerin toz formlarinin bozulmadan performanslarinin iyilestirilmesi gerçeklestirilecektir. Kimyasal buhardan çöktürme yönteminde gereken yüksek sicakligin önünde geçilerek, kimyasal buhardan çöktürme yönteminin dezavantajlarinin ortadan kaldirilmasi amaçlanmaktadir. Bulusun Amaçlari Bu bulusun amaci, toz alttaslarin grafen ile kapsüle edilmesi esnasinda, karbon ayristirmasini gerçeklestirmek amaciyla plazma kaynak (DC, RF, MW) kullanilan bir alttas kapsüle edilme yöntemi gerçeklestirmektir. Bu bulusun bir diger amaci, toz alttaslarin grafen ile kapsüle edilmesi esnasinda, reaktör sicakliginin 400°C den az belirlendigi bir alttas kapsüle edilme yöntemi gerçeklestirmektir. Bu bulusun bir diger amaci, toz alttaslarin grafen ile kaplanmasi sirasinda düzenli, tekrarlanabilir ve homojen bir sekilde grafen ile kapsüle edilmesini saglayan bir alttas kapsüle edilme yöntemi gerçeklestirmektir. Bu bulusun bir diger amaci, özellikle kimyasal buhardan çöktürme isleminde karsilasilan, yüksek sicakliklardan dolayi tozlarin birbirlerine temas ettigi bölgelerden sinterlenmesiyle toz alttaslarin toz formlarini kaybetmesinin engellendigi bir alttas kapsüle edilme yöntemi gerçeklestirmektir. Bu bulusun bir diger amaci, yüksek yüzey alanina sahip toz malzemelerin, yüzey alani kaybina ugramadan homojen bir sekilde grafen benzeri grafitik yapilar ile kapsüle edildigi bir alttas kapsüle edilme yöntemi gerçeklestirmektir. Bulusun Kisa Açiklamasi Bu bulus, kimyasal buhardan çöktürme islemiyle üretim/kaplama yapmak için kullanilir ve özellikle mikro-nano boyutlardaki tozlarin kaplanmasi için uygundur. Bu bulusun amacina ulasmak için gerçeklestirilen, ilk istem ve bu isteme bagli diger istemlerde tanimlanan bir alttas kapsüle edilme yöntemi, alttasin sinterlenme sicakliginin altinda sicakliga isitma; homojen bir kaplama/biriktirme veya diger bir ifade ile kapsüle etme gerçeklestirmek için inert gaz (Azot ya da Argon), hidrojen ve hidrokarbon gazlarinin beslenmesi; alttasin yüzeyini kaplayacak malzeme için kaynak olusturan hidrokarbonlarin plazma kaynagi ile ayristirilmasi; ayristirilan hidrokarbon kaynaklarinin alttas üzerine biriktirilmesini/kaplanmasini veya diger bir ifade ile kapsüle edilmesini saglamak amaciyla kullanilan kimyasal buhardan çöktürme adimlarini içermektedir. Bulus konusu bir alttas kapsüle edilme yöntemi bir kimyasal buhardan çöktürme metodu ve kimyasal buhardan çöktürme reaktörü kullanilarak gerçeklestirilmektedir. Alttas kapsüle edilme yöntemi kimyasal buhardan çöktürme reaktörünün haznesinde gerçeklestirilmektedir. Bulus konusu bir alttas kapsüle edilme yönteminin gerçeklestirildigi reaksiyon ortami, alttasin sinterlenme sicakliginin altinda sicaklik degerlerine isitilmaktadir. Söz konusu isitma sicakliginin alttasin sinterlenme sicakliginin altinda olmasi, toz formda bulunan alttasin, birbirine temas eden yüzeylerinin sinterlenmesini engelleyerek, alttasin toz formunu korumasini saglamaktadir. Bulus konusu bir alttas kapsüle edilme yönteminde, reaksiyon ortamina inert gaz, hidrojen ve karbon kaynagi beslemesi gerçeklestirilmektedir. Söz konusu ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi beslemesi islemi tercihen homojen bir kaplama gerçeklestirilene kadar devam etmektedir. Bulus konusu bir alttas kapsüle edilme yönteminde, hidrokarbon kaynagi olarak kullanilan, asetilen, etilen, benzen, metan, etan ve diger malzemeler bir plazma kaynagi kullanilarak ayristirilmaktadir. Söz konusu plazma ile ayristirma adiminda, plazma kaynagi olarak dogru akim (DC), Radyo Frekans (RF) veya Mikrodalga (MW) kullanilmaktadir. Bulus konusu bir alttas kapsüle edilme yönteminde, alttasin kaplanmasi kimyasal buhardan çöktürme yöntemi ile gerçeklestirilmektedir. Kimyasal buhardan çöktürme yöntemi ile alttas üzerine malzeme biriktirme/kaplama veya diger bir ifade ile kapsüle edilme gerçeklestirilmektedir. Bulus konusu bir alttas kapsüle edilme yönteminde, isitma adimi sirasinda alttasin sinterlenmesi engellenerek, düsük sicakliklarda homojen ve toz formda bulunan alttasin toz formunu korudugu bir alttas kapsüle edilme yöntemi gerçeklestirilmektedir. Bulusun Ayrintili Açiklamasi Bu bulusun amacina ulasmak için gerçeklestirilen bir alttas kapsüle edilme yöntemi, ekli sekillerde gösterilmis olup bu sekiller; Sekil 1. Bulus konusu bir alttas kapsüle edilme yönteminin sematik görünüsüdür. Sekillerdeki parçalar tek tek numaralandirilmis olup, bu numaralarin karsiligi asagida verilmistir. 100. Alttas kapsüle edilme yöntemi 110. Ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi beslemesi 120. Isitma 130. Plazma ile ayristirma 140. Kimyasal buhardan çöktürme Bulus, özellikle mikro-nano boyutta üretim yapilan alanlarda, kimyasal buhardan çöktürme metodu ile, bir kimyasal buhardan çöktürme reaktörünün haznesinde vakum altinda toz formda bulunan alttasin homojen bir sekilde kaplanmasini saglamak amaciyla kullanilan bir alttas kapsüle edilme yöntemi (100) olup, en temel halinde, - Reaksiyon ortamina, alttas yüzeyinde homojen bir biriktirme/kaplama veya diger bir ifade ile kapsüle etme gerçeklestirmek amaciyla inert gaz, hidrojen ve karbon kaynagi beslemesi (1 10), - kati, siVi, veya gaz hidrokarbon bilesiklerin, kontrollü atmosfer altinda, alttasin sinterlenmeyecegi sicakliklara bir isi kaynagi kullanilarak isi transferi gerçeklestirilmesiyle isitma (120), - plazma kaynagi kullanilarak, reaksiyon ortaminda bulunan ve alttas üzerine biriktirilecek/kaplanacak malzemenin kaynagi olarak kullanilan hidrokarbon bilesikleri plazma ile ayristirma (130), - ayristirilan hidrokarbonlarin toz alttas malzemelerin üzerine biriktirilmesi/kaplanmasini saglayan, alttas malzemelerin kapsüle edilmesini saglayan kimyasal buhardan çöktürme (140) adimlarini içermektedir. Bulus konusu bir alttas kapsüle edilme yöntemi (100), özellikle toz formda bulunan alttaslarin grafen ve benzeri grafit yapili malzemeler ile kapsüle edilmesini saglamak amaciyla kullanilmaktadir. Malzemeler farkli uygulamalarda, farkli boyutlarda kullanilmaktadir. Malzemelerin, kullanim alanlari ve malzeme boyutlari, malzemenin ve malzemeden elde edilen ürünlerin yapisal özelliklerini etkilemektedir. Toz formda bulunan malzemelerin, toz formunun korunarak kaplanmasi, toz malzemelerin kullanim alanlarinin gelistirilmesi ve islevselligini aittirmasi için son derece önemlidir. Bulus konusu bir alttas kapsüle edilme yöntemi (100) en temel halinde, isitma (120), ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi beslemesi (110), plazma ile ayristirma (130) ve kimyasal buhardan çöktürme (140) adimlari içermektedir. Bulus konusu bir alttas kapsüle edilme yöntemi (100) ve adimlari bir kimyasal buhardan çöktürme reaktörü haznesi içerisinde gerçeklestirilmektedir. Kimyasal buhardan çöktürme için reaktörler kullanilmaktadir. Söz konusu reaktörler içerisinde kimyasal buhardan çöktürme isleminin gerçeklestirildigi bir hazneye sahiptir. Söz konusu hazne içerisinde, alttaslar üzerine kimyasal buhardan çöktürme islemi ile malzeme biriktirme/kaplama gerçeklestirilmektedir. Bulus konusu bir alttas kapsüle edilme yöntemi (100) tüm süreç boyunca bir eksen etrafinda sabit veya degisken hizlarda dönen bir reaksiyon ortami içerisinde gerçeklestirilmektedir. Alttasin özellikle homojen bir sekilde kaplanmasini saglamak amaciyla, dönme hareketi sergileyen bir reaksiyon ortami kullanilmaktadir. Bulusun tercih edilen uygulamasinda, reaktör haznesi bir eksen etrafinda dönme hareketi gerçeklestiren bir formdadir. Bulusun bir uygulamasinda yer alan ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi beslemesi (110) adiminda, reaksiyon ortamina ineit gaz ve hidrojen gazi transferi gerçeklestirilmektedir. Helyum, Neon, Argon, Kripton, Ksenon, Radon gazlari literatürde soygazlar olarak adlandirilmaktadir. Inert gaz olarak soy gazlardan birisi ya da Azot gazi reaktöre beslenmektedir. Inert gaz, hidrojen gazi ve karbon kaynagi beslemesi (110) adimi, reaksiyon ortaminda gerçeklestirilmektedir. Bulusun bir uygulamasinda yer alan inert gaz, hidrojen gazi ve karbon kaynagi beslemesi (110) adiminda, inert gaz beslemesi ile reaksiyon ortamini, ortamda bulunan oksijen, nem ve diger istenmeyen gazlari süpürme etkisiyle ortamdan uzaklastirarak saIlastirilmaktadir. Söz konusu adimda vakum ile ortamdan uzaklastirilamayan oksijen ve benzeri moleküller, inert gazlarin bu istenmeyen molekülleri vakum pompasina süpürmesi ile ortamdan uzaklastirilmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda yer alan ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi beslemesi (110) adiminda, reaksiyon ortamina karbon kaynagi beslemesi yapilmaktadir. Söz konusu adimda, karbon kaynagi kati, siVi veya gaz formda reaksiyon ortamina transfer edilmektedir. Karbon kaynagi, alttas yüzeyini kaplayan grafenin kaynagini olusturmak için kullanilmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda yer alan ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi beslemesi (110) adimi, reaksiyon ortaminda bulunan alttasin homojen bir sekilde kaplanmasi tamamlanana kadar devam ettirilmektedir. Alttasin homojen kaplanmasi saglandiktan sonra ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi beslemesi Bulusun bir uygulamasinda yer alan isitma adimi (120), kati siVi ya da gaz hidrokarbon bilesiklerin isitilmasiyla gerçeklestirilmektedir. Isitma (120) adiminda, reaksiyon ortaminda bulunan alttas metallerin sinterlenme sicakliklari dikkate alinmaktadir. Söz konusu isitma (120) adiminda reaksiyon ortami, alttasin sinterlenme sicakligindan düsük olacak sekilde ayarlanmaktadir. Bulusun bir uygulamasinda yer alan isitma (120) adiminda, toz formda bulunan alttaslarin sinterlenme sicakliginin altinda bir sicaklik tercih edilmektedir. Söz konusu sicaklik degerinin alttas sinterlenme sicakliginin altinda kalmasi, alttaslarin birbirleri ile temas halinde olan yüzeylerinin sinterlenmesini engellemektedir. Alttas sinterlenmesi engellenerek, toz formda bulunan alttasin toz formunun korunmasi gerçeklestirilmektedir. Bulusun tercih edilen uygulamasinda yer alan isitma (120) adiminda reaksiyon ortami, 50°C ila 400°C arasinda bir sicaklik degerine isitilmaktadir. Söz konusu isitma (120) adimi haznenin disarisindan veya direkt olarak haznenin içerisine aktarilan isil enerji ile gerçeklestirilmektedir. Bulusun bir uygulamasinda yer alan plazma ile ayristirma (130) adiminda, reaksiyon ortaminda bulunan hidrokarbon malzemeler dekompoze (alt bilesenlerine ya da atomlara ayristirilma islemi) edilmektedir. Söz konusu plazma ile ayristirma (130) adimi, alttas üzerine birikecek/kaplanacak malzemenin kaynagini olusturmak amaciyla uygulanmaktadir. Bulusun bir uygulamasinda yer alan plazma ile ayristirma (130) adimi, isitma (120) adimindan sonra gerçeklestirilmektedir. Söz konusu uygulamada reaksiyon ortaminin istenilen sicakliga isitilmasi (120) ve sonrasinda hidrokarbon bilesiklerin plazma kaynagi ile ayristirma (130) adimi gerçeklestirilmektedir. Bulusun bir uygulamasinda yer alan plazma ile ayristirma adiminda (130), plazma kaynagi alttas üzerinde bulunan istenmeyen maddelerden kurtulmak amaciyla kullanilmaktadir. Özellikle bakir gibi kolay bir sekilde oksitlenen alttaslarda, alttas üzerinde bulunan oksijen plazma kaynagi ile uygulanan plazma ile alttastan uzaklastirilmaktadir. Söz konusu uygulamada kullanilan plazma ile ayristirma (130) adimi, isitma (120) adimindan önce gerçeklestirilmektedir. Bulusun bir uygulamasinda yer alan plazma ile ayristirma adiminda (130) karbon kaynaginin dekompoze edilmesi su sekilde gerçeklesmektedir. Karbon kaynagi yapisinda yer alan baglar, plazma ve isi yardimiyla kirilmaktadir. Kirilan baglar ise karbonun serbest kalmasini ve alttas üzerine birikmesini saglamaktadir. Karbon kaynagi baglarini plazma kullanmadan kirmak için yüksek miktarda isi gerekmektedir. Bir plazma kaynagi kullanilmasi ile düsük sicaklikta ayni kirilma gerçeklestirilebilmekte ve karbonu serbest birakmak mümkün olmaktadir. Bulusun bir uygulamasinda plazma ile ayristirma adiminda (130) plazma kaynagi olarak dogru akim (DC) kullanilmaktadir. Söz konusu uygulamada, reaksiyon ortaminda bulunan hidrokarbon bilesikler, dogru akim (DC) plazma kaynagi kullanilarak ayristirilmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda plazma ile ayristirma adiminda (130) plazma kaynagi olarak Radyo Frekans (RF) kullanilmaktadir. Söz konusu uygulamada, reaksiyon ortaminda bulunan hidrokarbon bilesikler, Radyo Frekans (RF) plazma kaynagi kullanilarak ayristirilmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda plazma ile ayristirma adiminda (130) plazma kaynagi olarak Mikrodalga (MW) kullanilmaktadir. Söz konusu uygulamada, reaksiyon ortaminda bulunan hidrokarbon bilesikler, Mikrodalga (MW) plazma kaynagi kullanilarak ayristirilmaktadir. Bulusun bir uygulamasinda yer alan kimyasal buhardan çöktürme (140) adiminda, reaksiyon ortaminda bulunan, plazma ile ayristirma (130) adiminda dekompoze edilen hidrokarbon kaynaklari, toz formda bulunan alttas üzerine transfer edilmektedir. Söz konusu transfer islemi kimyasal buhardan çöktürme (140) adimiyla gerçeklestirilmektedir. Bulusun bir uygulamasinda yer alan kimyasal buhardan çöktürme (140) adiminda, reaksiyon ortamina, inert gaz, hidrojen ve karbon kaynagi beslemesi (110) adiminda transfer edilen gazlar kullanilmaktadir. Plazma ile ayristirma (130) adiminda, dekompoze edilen hidrokarbon kaynaklari, inert gaz ve karbon kaynagi belseme (110) adiminda transfer edilen gazlar ile alttas üzerine tasinmaktadir. Söz konusu kimyasal buhardan çöktürme (140) adiminda, ineit gazlar ve hidrojen gazi ile grafen veya grafit temelli malzeme toz formda bulunan alttas üzerine transfer edilerek, alttasin kaplanmasi/üzerinde malzeme biriktirilmesi veya diger bir ifade ile kapsüle edilmesi saglanmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi besleme (110) adiminda, beslemesi yapilan hidrokarbon bilesigi olarak benzen kullanilmaktadir. Söz konusu uygulamada, alttas üzerine biriktirilecek malzemenin kaynagini olusturmasi amaciyla benzen kullanilmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi besleme (110) adiminda, beslemesi yapilan hidrokarbon bilesigi olarak etil alkol kullanilmaktadir. Söz konusu uygulamada, alttas üzerine biriktirilecek malzemenin kaynagini olusturmasi amaciyla etil alkol kullanilmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi besleme (110) adiminda, beslemesi yapilan hidrokarbon bilesigi olarak hekzan kullanilmaktadir. Söz konusu uygulamada, alttas üzerine biriktirilecek malzemenin kaynagini olusturmasi amaciyla hekzan kullanilmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi besleme (110) adiminda, beslemesi yapilan hidrokarbon bilesigi olarak asetilen kullanilmaktadir. Söz konusu uygulamada, alttas üzerine biriktirilecek malzemenin kaynagini olusturmasi amaciyla asetilen kullanilmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi besleme (110) adiminda, beslemesi yapilan hidrokarbon bilesigi olarak metan kullanilmaktadir. Söz konusu uygulamada, alttas üzerine biriktirilecek malzemenin kaynagini olusturmasi amaciyla metan kullanilmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi besleme (110) adiminda, beslemesi yapilan hidrokarbon bilesigi olarak etilen kullanilmaktadir. Söz konusu uygulamada, alttas üzerine biriktirilecek malzemenin kaynagini olusturmasi amaciyla etilen kullanilmaktadir. Bulusun bir diger uygulamasinda ineit gaz, hidrojen ve karbon kaynagi besleme (110) adiminda, beslemesi yapilan hidrokarbon bilesigi olarak etan kullanilmaktadir. Söz konusu uygulamada, alttas üzerine biriktirilecek malzemenin kaynagini olusturmasi amaciyla asetilen kullanilmaktadir. Alttas tozlar farkli metalik tozlar ya da yari iletken tozlar olabilir. Farkli malzeme türlerine göre reaktörün dairesel hareketi, reaktörün sicakligi; besleme yapilan gazlarin (inert, hidrojen) ve hidrokarbon kaynaklarinin miktarlari, malzeme türüne ya da kapsüle edilmek istenen grafen veya grafitik yapinin isterlerine göre degisebilir. TR TR TR TR TR TR TR TR TR TR TR TR TR TR