TH94387B - รูปแบบชนิดใหม่ของ cddo เมทธิลเอสเทอร์ - Google Patents
รูปแบบชนิดใหม่ของ cddo เมทธิลเอสเทอร์Info
- Publication number
- TH94387B TH94387B TH701002941A TH0701002941A TH94387B TH 94387 B TH94387 B TH 94387B TH 701002941 A TH701002941 A TH 701002941A TH 0701002941 A TH0701002941 A TH 0701002941A TH 94387 B TH94387 B TH 94387B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- methyl ester
- crystalline
- glassy
- hydrous
- cddo methyl
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (10/11/51) สารประกอบไตรเทอร์พีนอยด์, เมทธิล 2- ไซยาโน-3, 12-ไดออกโซเลียน่า-1, 9 (11)- ไดเอ็น-28-โอเอต (CDDO เมทธิลเอสเทอร์) มีรูปแบบของแข็งคล้ายแก้วที่ไม่เป็นผลึกและรูปแบบที่ เป็นผลึกแบบนอน-ไฮดรัสที่สามารถถูกเตรียมขึ้นได้ ตัวอย่างเช่น จากสารละลายของเมทธานอลที่ อิ่มตัว รูปแบบที่คล้ายแก้วได้แสดงบทบาทเพิ่มค่าการนำไปใช้ทางชีววิทยาที่เหนือกว่ารูปแบบที่เป็น ผลึกแบบนอน-ไฮดรัส แต่ละรูปแบบของ CDDO เมทธิลเอสเทอร์เป็นตัวเลือกที่ดีกว่าสำหรับการใช้ ที่โดยทั่วไปจะอยู่ในรูปแบบของแข็งสำหรับการบำบัดสถานะต่างๆ ของโรคซึ่งโดยทั่วไปจะ เกี่ยวข้องกับการอักเสบ สารประกอบไตรเทอร์พีนอยด์, เมทธิล 2- ไซยาโน -3,12--ไดออกโซเลียน่า-1, 9 (11)- ไดเอ็น-28-โอเอต (CDDO เมทธิลเอสเทอร์) มีรูปแบบของแข็งคล้ายแก้วที่ไม่เป็นผลึกและรูปแบบที่ เป็นผลึกแบบนอน-ไฮดรัสที่สามารถถูกเตรียมขึ้นได้ ตัวอย่างเช้น จากสารละลายของเมทธานอลที่ อิ่มตัว รูปแบบที่คล้ายแก้วได้แสดงบทบาทเพิ่มค่าการนำไปใช้ทางชีววิทยาที่เหนือกว่ารูปแบบที่เป็น ผลึกแบบนอน-ไฮดรัส แต่ละรูปแบบของ CDDO เมทธิลเอสเทอร์เป็นตัวเลือกที่ดีกว่าสำหรับการใช้ ที่โดยทั่วไปจะอยู่ในรูปแบบของแข็งสำหรับการบำบัดสถานะต่างๆ ของโรคซึ่งดดยทั่วไปจะ เกี่ยวข้องกับการอักเสบ
Claims (1)
1. อุปกรณ์ไมโครปั้ม ที่ประกอบด้วย - แผ่นฐาน (3) ที่ประกอบด้วยผิวหน้าที่หนึ่งและสอง โดยแผ่นฐาน (3) ดังกล่าวทำ มาจากวัสดุที่เป็นฉนวน - ชั้นฟิล์มบาง โครงสร้างตัวทำความร้อนแบบเมมเบรนลอยที่ประกอบด้วยฟิล์มบาง ตัวทำความร้อน (1) ที่ถูกสร้างอยู่บนผิวหน้าที่หนึ่งของแผ่นฐาน (3) โดยมีช่องว่าง อากาศ (9) ดังกล่าว โดยมีเเขนยึดเป็นตัวเชื่อมอย่างน้อยสองจุด - ชั้นฟิล์มบาง (2) ซึ่งทำหน้าที่เป็นขั้วขอ
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH94387A TH94387A (th) | 2009-03-13 |
| TH115355A TH115355A (th) | 2012-07-31 |
| TH56253B TH56253B (th) | 2017-07-27 |
| TH94387B true TH94387B (th) | 2023-06-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104734564B (zh) | 一种全叉指电极微型压电厚膜振动能量收集器及其制作方法 | |
| EP1918995A3 (en) | Semiconductor device | |
| EP1921681A3 (en) | Thin film transistor using an oriented zinc oxide layer | |
| EP1976015A3 (en) | Switching element, method for manufacturing the same, and display device including switching element | |
| DE602008003218D1 (de) | Herstellung eines hochwertigen rückseitigen kontakts mit lokaler rückseitiger siebdruckfläche | |
| WO2008025989A3 (en) | Organic electronic device | |
| WO2007044324A3 (en) | Structure and method for forming asymmetrical overlap capacitance in field effect transistors | |
| JP2012098628A5 (th) | ||
| WO2008099528A1 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法 | |
| ATE492908T1 (de) | Verfahren zur herstellung kristalliner silizium- solarzellen mit erhöhter oberflächenpassivierung | |
| WO2011034972A3 (en) | Display device with at least one movable stop element | |
| WO2009111305A3 (en) | Silicon-germanium-carbon semiconductor structure | |
| EP4307377A3 (en) | Thin-film transistor array substrate and display device including the same | |
| EP2230686A3 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| EP2237336A4 (en) | THERMOELECTRIC EQUIPMENT | |
| EP1826174A3 (en) | Method for forming thin film structure having small tensile stress | |
| JP2009175272A5 (th) | ||
| WO2009041660A1 (ja) | 太陽電池用基板および太陽電池 | |
| RU2011102970A (ru) | Жидкокристаллическое дисплейное устройство | |
| ATE476755T1 (de) | Piezoelektrischer aktuator | |
| JP2008022008A5 (th) | ||
| WO2008116417A8 (fr) | Détecteur de gaz | |
| RU2011105637A (ru) | Полупроводниковый прибор и способ изготовления | |
| CN106847927A (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、液晶面板 | |
| WO2009126010A3 (ko) | 발광 소자 |