TH9359B - ระบบและวิธีการทำโปรแกรมป้องกันหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้น - Google Patents

ระบบและวิธีการทำโปรแกรมป้องกันหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้น

Info

Publication number
TH9359B
TH9359B TH9601002556A TH9601002556A TH9359B TH 9359 B TH9359 B TH 9359B TH 9601002556 A TH9601002556 A TH 9601002556A TH 9601002556 A TH9601002556 A TH 9601002556A TH 9359 B TH9359 B TH 9359B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
volatile memory
capacitor
aforementioned
memory
control unit
Prior art date
Application number
TH9601002556A
Other languages
English (en)
Other versions
TH25436A (th
Inventor
บรูเวอร์ นายเฟรดเดอริค
แวน โรเยน นายอีไมล์
ซิ. ซาลท์ นายโธมัส
สมิท นายวิลเลียม
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH25436A publication Critical patent/TH25436A/th
Publication of TH9359B publication Critical patent/TH9359B/th

Links

Abstract

การประดิษฐ์นี้จะเกี่ยวกับระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความ ผิดพลาดขึ้น ระบบดังกล่าวนี้จะใช้ตัวเก็บประจุแรงดันไฟฟ้ากำลังสูงซึ่งเก็บประจุเพื่อใช้ในการ โปรแกรมอุปกรณ์หน่วยความจำ ตัวเก็บประจุที่สองจะถูกนำไปใช้ในการจ่ายพลังงานไฟฟ้าไปยัง ตรรกควบคุมเพื่อใช้โปรแกรมอุปกรณ์หน่วยความจำ ถ้าพลังงานไฟฟ้าถูกถอดออกไปในระหว่างที่ กำลังอยู่ในรอบของการโปรแกรม จะทำให้ประจุที่เก็บอยู่ในตัวเก็บประจุที่สองมีเพียงพอที่จะทำให้ รอบของการโปรแกรมเสร็จสิ้นโดยสมบูรณ์

Claims (2)

1. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้น จะ ประกอบไปด้วย ชุดผสมของ หน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเพื่อทำหน้าที่ในการเก็บข้อมูล ตัวเก็บประจุที่หนึ่งจะเชื่อมต่อเข้ากับหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ ในการเก็บประจุและจ่ายการโปรแกรมแรงดันไฟฟ้าไปยังหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว หน่วยควบคุมซึ่งถูกเชื่อมต่อเข้ากับหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ ในการรับสัญญาณจากภายนอกไปสู่โปรแกรมหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว และเพื่อทำ หน้าที่ในการส่งสัญญาณพร้อมด้วยข้อมูลไปโปรแกรมตำแหน่งของแอดเดรสที่ต้องการที่อยู่ใน หน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว ด้วยข้อมูลเมื่อวิถีทางควบคุมดังกล่าวจะเฝ้าตรวจสัญญาณที่ ระบุว่าค่าของประจุดังกล่าวที่เก็บไว้ในวิถีทางตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวมีเพียงพอที่จะไป โปรแกรมตำแหน่งของแอดเดรสที่ต้องการดังกล่าวในหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าวด้วย ข้อมูลดังกล่าว แม้ว่าเมื่อแหล่งให้กำเนิดพลังงานจากภายนอกจะถูกถอดออกไปจากหน่วยความ จำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว และ ตัวเก็บประจุที่สองที่เชื่อมต่อเข้ากับหน่วยควบคุมดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่เป็นแหล่งจ่าย พลังงานไปยังหน่วยควบคุมดังกล่าว 2. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิที่ 1 ยังจะประกอบไปด้วย ตัวตรวจรู้ที่เชื่อมต่อเข้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดัง กล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการเฝ้าตรวจประจุที่เก็บไว้ในตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว 3. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ยังจะประกอบไปด้วย ตัวให้กำเนิดแรงดันไฟฟ้ากำลังสูงที่เชื่อมต่อเข้า กับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการประจุตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว 4. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิที่ 1 ยังจะประกอบไปด้วย ตัวลงกลอนที่เชื่อมต่อเข้ากับหน่วยควบคุม ดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการรับตำแหน่งของแอดเดรสดังกล่าวที่อยู่ในหน่วยความจำที่ไม่ลบ เลือนดังกล่าวที่จะถูกนำไปโปรแกรม และถ่ายโอนข้อมูลดังกล่าวไปยังตำแหน่งของแอดเดรสที่ ต้องการดังกล่าว 5. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิที่ 1 ยังจะประกอบไปด้วย ตัวต้านทานที่เชื่อมต่อเข้ากับหน่วยความจำที่ไม่ ลบเลือนดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการควบคุมอัตราการแกว่งของแรงดันไฟฟ้าไปยังหน่วยความ จำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว 6. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิที่ 1 ยังจะประกอบไปด้วย แหล่งจ่ายกระแสที่เชื่อมต่อเข้ากับหน่วยความจำ ที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการควบคุมอัตราการแกว่งของแรงดันไฟฟ้าไปยังหน่วย ความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว 7. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิที่ 1 ยังจะประกอบไปด้วย สวิตซ์ที่หนึ่งซึ่งเชื่อมต่อเข้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวและหน่วยควบคุมดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการโปรแกรมแรงดันไฟฟ้าดังกล่าวจากตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวไปยังหน่วย ความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว และ สวิตซ์ที่สองซึ่งเชื่อมต่อเข้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวและหน่วยควบคุมดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการปล่อยประจุตัวเก็บประจุดังกล่าวและหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว เมื่อรอบของการโปรแกรมครบสมบูรณ์แล้วก็จะส่งไปยังหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว ต่อไป 8. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิที่ 3 ยังจะประกอบไปด้วย ตัวไดโอดที่เชื่อมต่อกับตัวให้กำเนิดแรงดัน ไฟฟ้ากำลังสูงดังกล่าวและตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการจำกัดการป้อนกลับ ไปยังหน่วยกำเนิดแรงดันไฟฟ้าสูงเพื่อป้องกันการปล่อยประจุของตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว 9. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่สอด คล้องกับข้อถือสิทธิที่ 1 ในที่ซึ่ง จะมีหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเป็น (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory) อีอีพรอม(EEPROM) 1 0. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่ สอดคล้องกับข้อถือสิทธิที่ 1 ในที่ซึ่งหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าวจะประกอบไปด้วย การใช้ตัวนับรหัสเกร์ยสำหรับเก็บข้อมูล 1 1. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่ สอดคล้องกับข้อถือสิทธิที่ 10 ในที่ซึ่งการใช้ตัวนับรหัสเกร์ยดังกล่าวจะเป็นตัวนับรหัสเกรย์ที่มี สี่บิด 1 2. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่ สอดคล้องกับข้อถือสิทธิที่ 1 ในที่ซึ่งหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนจะประกอบไปด้วย แถวที่หนึ่งจะบรรจุไว้ด้วยแอดเดรสที่เป็นเลขคู่ของหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว และ แถวที่สองจะบรรจุไว้ด้วยแอดเดรสที่เป็นเลขคี่ของหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว 1 3. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้นที่ สอดคล้องกับข้อถือสิทธิที่ 12 ในที่ซึ่งส่วนประกอบของแถวที่หนึ่งและแถวที่สองทั้งคู่ของ หน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าวจะโปรแกรมด้วยข้อมูลไปพร้อมกัน 1 4. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้น จะ ประกอบไปด้วย ชุดผสมของ หน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเพื่อทำหน้าที่ในการเก็บข้อมูล การใช้ตัวนับรหัสเกร์ยที่มีสี่บิด เพื่อทำหน้าที่ในการเก็บข้อมูลในหน่วยความจำที่ไม่ลบ เลือนดังกล่าว ตัวเก็บประจุที่หนึ่งที่เชื่อมต่อเข้ากับหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ ในการเก็บประจุและจ่ายโปรแกรมแรงดันไฟฟ้าไปยังหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว ตัวให้กำเนิดแรงดันไฟฟ้ากำลังสูงที่เชื่อมต่อเข้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว เพื่อทำ หน้าที่ในการประจุตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว ตัวไดโอดที่เชื่อมต่อเข้ากับตัวให้กำเนิดแรงดันไฟฟ้ากำลังสูงดังกล่าวและตัวเก็บประจุที่ หนึ่งดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการกำจัดการป้อนกลับไปยังตัวให้กำเนิดแรงดันไฟฟ้ากำลังสูงดัง กล่าว เพื่อป้องกันการปล่อยประจุของตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว ตัวตรวจรู้ที่เชื่อมต่อเข้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการเฝ้าตรวจ ประจุที่เก็บอยู่ในตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว หน่วยควบคุมที่เชื่อมต่อเข้ากับหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการ รับสัญญาณจากภายนอกโปรแกรมหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว และส่งสัญญาณ พร้อมด้วยข้อมูลไปโปรแกรมตำแหน่งของแอดเดรสที่ต้องการในหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดัง กล่าว เมื่อตัวตรวจรู้ดังกล่าวแสดงให้เห็นว่าประจุดังกล่าวที่เก็บไว้ในตัวเก็บประจุที่หนึ่งดัง กล่าวใกล้ที่จะถึงระดับที่แสดงว่าประจุดังกล่าวที่เก็บอยู่ในตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวนั้นมีเพียง พอที่จะโปรแกรมไปยังตำแหน่งของแอดเดรสที่ต้องการดังกล่าวในหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือน ดังกล่าว แล้วด้วยข้อมูลดังกล่าว แม้ว่าเมื่อแหล่งให้กำเนิดพลังงานจากภายนอกจะถูกถอกออก ไปจากหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว ตัวจำกัดกระแสที่เชื่อมต่อกับหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว และตัวให้กำเนิดแรง ดันไฟฟ้ากำลังสูงดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการควบคุมอัตราการแกว่งของแรงดันไฟฟ้าไปยัง หน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว ตัวลงกลอนที่เชื่อมต่อกับหน่วยควบคุม เพื่อทำหน้าที่ในการรับตำแหน่งของแอดเดรส ที่ต้องการดังกล่าวในหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว จะถูกนำไปโปรแกรมและถ่ายโอนข้อ มูลดังกล่าวไปยังตำแหน่งของแอดเดรสที่ต้องการดังกล่าว ตัวเก็บประจุที่สองที่เชื่อมต่อกับหน่วยควบคุมดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการเป็นแหล่ง จ่ายพลังงานไฟฟ้าให้กับหน่วยควบคุมดังกล่าวและตัวลงกลอนดังกล่าว สวิตซ์ที่หนึ่งที่เชื่อมต่อเข้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวและหน่วยควบคุมดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการโปรแกรมแรงดันไฟฟ้าดังกล่าวจากตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวไปยังหน่วย ความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว สวิตซ์ที่สองที่เชื่อมต่อเข้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวและหน่วยควบคุมดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการปล่อยประจุของตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวและหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือน ดังกล่าว เมื่อรอบของการโปรแกรมครบสมบูรณ์แล้วก็จะส่งไปยังหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือน ดังกล่าวต่อไป 1 5. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดที่ สอดคล้องกับข้อถือสิทธิที่ 14 ในที่ซึ่งจะมีตัวจำกัดกระแสเป็นตัวต้านทาน 1 6. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดที่ สอดคล้องกับข้อถือสิทธิที่ 14 ในที่ซึ่งจะมีตัวจำกัดกระแสเป็นแหล่งจ่ายกระแส 1 7. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดที่ สอดคล้องกับข้อถือสิทธิที่ 14 ในที่ซึ่งจะมีหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเป็นอีอีพรอม (EEPROM) 1 8. ระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดที่ สอดคล้องกับข้อถือสิทธิที่ 14 ในที่ซึ่งหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนจะประกอบไปด้วย แถวที่ หนึ่งจะบรรจุไว้ด้วยแอดเดรสที่เป็นเลขคู่ของหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าวและแถวที่สอง จะบรรจุไว้ด้วยแอดเดรสที่เป็นเลขคี่ของหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว ซึ่งแถวที่หนึ่งดัง กล่าวและแถวที่สองดังกล่าวทั้งคู่ของหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว จะโปรแกรมด้วย ข้อมูลไปพร้อมกัน 1 9. วิธีการเพื่อให้ได้มาซึ่งระบบป้องกันการเขียนหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิด ความผิดพลาดขึ้นนั้น จะประกอบไปด้วยขั้นตอนของ การจัดเตรียมหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเพื่อทำหน้าที่ในการเก็บข้อมูล การจัดเตรียมตัวเก็บประจุที่หนึ่งจะถูกเชื่อมต่อเข้ากับหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดัง กล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการเก็บประจุและจ่ายการโปรแกรมแรงดันไฟฟ้าไปยังหน่วยความจำที่ ไม่ลบเลือนดังกล่าว การจัดเตรียมตัวให้กำเนิดแรงดันไฟฟ้าที่เชื่อมต่อเข้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการประจุตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว การจัดเตรียมตัวตรวจรู้ที่เชื่อมต่อเข้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ใน การเฝ้าตรวจประจุดังกล่าวที่เก็บอยู่ในตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว การจัดเตรียมหน่วยควบคุมที่เชื่อมต่อเข้ากับหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว เพื่อทำ หน้าที่ในการรับสัญญาณจากภายนอกไปโปรแกรมหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว และส่ง สัญญาณพร้อมด้วยข้อมูลไปโปรแกรมตำแหน่งของแอดเดรสที่ต้องการในหน่วยความจำที่ไม่ ลบเลือนดังกล่าว เมื่อตัวตรวจรู้ดังกล่าวแสดงให้เห็นว่าประจุดังกล่าวที่เก็บไว้ในตัวเก็บประจุที่ หนึ่งดังกล่าวใกล้ที่จะถึงระดับที่แสดงว่าประจุดังกล่าวที่เก็บอยู่ในตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว นั้นมีเพียงพอที่จะโปรแกรมไปยังตำแหน่งของแอดเดรสที่ต้องการดังกล่าวในหน่วยความจำที่ ไม่ลบเลือนดังกล่าวแล้วด้วยข้อมูลดังกล่าว แม่ว่าเมื่อแหล่งให้กำเนิดพลังงานจากภายนอกจะถูก ถอดออกไปจากหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว การจัดเตรียมตัวลงกลอนที่เชื่อมต่อกับหน่วยควบคุมดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการรับ ตำแหน่งของแอดเดรสที่ต้องการดังกล่าวในหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว จะถูกนำไป โปรแกรมและถ่ายโอนข้อมูลไปยังตำแหน่งของแอดเดรสที่ต้องการดังกล่าว และ การจัดเตรียมตัวเก็บประจุที่สองที่เชื่อมต่อเข้ากับหน่วยควบคุมดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ ในการเป็นแหล่งจ่ายพลังงานไฟฟ้าให้กับหน่วยควบคุมดังกล่าวและตัวลงกลอนดังกล่าว 2 0. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 19 ยังจะประกอบไปด้วยขั้นตอนของ การจัดเตรียมตัวจำกัดกระแสที่เชื่อมต่อกับหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว และตัว ให้กำเนิดแรงดันไฟฟ้ากำลังสูงดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการควบคุมอัตราการแกว่งของแรงดัน ไฟฟ้าไปยังหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว การจัดเตรียมสวิตซ์ที่หนึ่งที่เชื่อมต่อเข้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวและหน่วยควบ คุมดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการโปรแกรมแรงดันไฟฟ้าดังกล่าวจากตัวเก็บประจุแรงดันไฟฟ้า กำลังสูงไปยังหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว การจัดเตรียมสวิตซ์ที่สองที่เชื่อมต่อเข้ากับตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวและหน่วยควบ คุมดังกล่าว เพื่อทำหน้าที่ในการปล่อยประจุตัวเก็บประจุดังกล่าวและหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือน ดังกล่าว เมื่อรอบของการโปรแกรมครบสมบูรณ์แล้วก็จะส่งไปยังหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือน ดังกล่าวต่อไป การจัดเตรียมตัวไดโอตที่เชื่อมต่อเข้ากับตัวให้กำเนิดแรงดันไฟฟ้ากำลังสูงดังกล่าวและ ตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าวเพื่อทำหน้าที่ในการจัดการป้อนกลับไปยังตัวให้กำเนิดแรงดัน ไฟฟ้ากำลังสูงดังกล่าว เพื่อป้องกันการปล่อยประจุของตัวเก็บประจุที่หนึ่งดังกล่าว 2
1. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 20 ในที่ซึ่งขั้นตอนดังกล่าวของการทำให้ได้มาซึ่งหน่วย ความจำที่ไม่ลบเลือนยังจะประกอบไปด้วย ขั้นตอนของการใช้ตัวนับรหัสเกร์ยที่มีสี่บิต เพื่อทำ หน้าที่ในการเก็บข้อมูลในหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว 2
2. วิธีการของข้อถือสิทธิที่ 21 ในที่ซึ่งขั้นตอนดังกล่าวของการทำให้ได้มาซึ่งหน่วย ความจำที่ไม่ลบเลือนยังจะประกอบไปด้วย ขั้นตอนของหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนจะมีแถวที่ หนึ่งจะบรรจุไว้ด้วยแอดเดรสที่เป็นเลขคู่ของหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว และแถวที่ สองจะบรรจุไว้ด้วยแอดเดรสที่เป็นเลขคี่ของหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนดังกล่าว ซึ่งแถวที่หนึ่ง และแถวที่สองทั้งคู่ของหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือน จะโปรแกรมด้วยข้อมูลไปพร้อมกัน
TH9601002556A 1996-07-31 ระบบและวิธีการทำโปรแกรมป้องกันหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้น TH9359B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH25436A TH25436A (th) 1997-05-29
TH9359B true TH9359B (th) 2000-01-14

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5014622A (en) Blasting system and components therefor
US5904705A (en) Automatic battery-maintaining implantable cardioverter defibrillator and method for use
US8466659B2 (en) Device and method for rendering a battery safe for disposal
KR950009743A (ko) 다른칩에 구제기능을 가진 반도체 메모리 시스템
US5345413A (en) Default fuse condition for memory device after final test
US20020026554A1 (en) Process for automatic documentation of the operation of programming the memory of a programmable controller
CN106649173B (zh) 基于1553b总线的高可靠星载计算机在轨自修正系统及方法
KR950009735A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치
WO1997049085A1 (en) Fail-safe non-volatile memory programming system and method therefor
TW490842B (en) Semiconductor integrated circuit apparatus
TH9359B (th) ระบบและวิธีการทำโปรแกรมป้องกันหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้น
TH25436A (th) ระบบและวิธีการทำโปรแกรมป้องกันหน่วยความจำที่ไม่ลบเลือนเมื่อเกิดความผิดพลาดขึ้น
US7181655B2 (en) Method and circuit arrangement for memory error processing
CN202815422U (zh) 成像盒芯片以及成像盒
DE10120670B4 (de) Verfahren zur Reparatur von Hardwarefehlern in Speicherbausteinen
US6560494B1 (en) Electronics for a shock hardened data recorder
US6178124B1 (en) Integrated memory having a self-repair function
US20030156475A1 (en) Method and circuit for repairing nonvolatile ferroelectric memory device
KR101212679B1 (ko) 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법
US6262919B1 (en) Pin to pin laser signature circuit
DE102004039831A1 (de) Multi-Chip-Modul und Verfahren zum Testen
US5283907A (en) Process for safeguarding transfer of data from a temporary part into a main part of a non-volatile memory
DE202004012366U1 (de) Einrichtung für die Identifizierung von Parametern elektrisch auf- und entladbarer Speicher
DE10146931B4 (de) Verfahren und Anordnung zum Ersetzen fehlerhafter Speicherzellen in Datenverarbeitungsvorrichtungen
US6366518B1 (en) Circuit configuration for programming an electrically programmable element