TH93447B - สารละลายสำหรับการเพิ่มความต้านทานของแผ่นเวเฟอร์ และ/หรือระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์ - Google Patents
สารละลายสำหรับการเพิ่มความต้านทานของแผ่นเวเฟอร์ และ/หรือระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์Info
- Publication number
- TH93447B TH93447B TH701004480A TH0701004480A TH93447B TH 93447 B TH93447 B TH 93447B TH 701004480 A TH701004480 A TH 701004480A TH 0701004480 A TH0701004480 A TH 0701004480A TH 93447 B TH93447 B TH 93447B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- solution
- power density
- wafer
- metal
- wafer substrate
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (13/07/54) การปฏิบัติซับสเตรตของเวเฟอร์ซิลิกอนชนิดผลึกเดี่ยวหรือชนิดหลายผลึกหรือชนิดอสัณฐาน แบบฟิล์มบางสำหรับการใช้ในโฟโตวอลเทอิกเซลล์, ซึ่งซับสเตรตของเวเฟอร์มีอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง อย่างของ จุดต่อ pn หรือ np และชั้นแก้วฟอสโฟซิลิเกตหรือบอโรซิลิเกตบางส่วนบนพื้นผิวบนสุดของ ซับสเตรตของเวเฟอร์, เพื่้อเพิ่มอย่างน้อยที่สุดหนึ่งข้อของ (a) ความต้านทานของแผ่นของเวเฟอร์ และ (b) ระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์ที่ทำจากเวเฟอร์ดังกล่าว สารละลายสำหรับ การปฏิบัติซึ่งเป็นสารละลายสำหรับการปฏิบัติชนิดกรดของสารละลายสำหรับการกัดขึ้นรอยชนิด ออกไซด์ที่ผ่านการทำให้เป็นบัฟเฟอร์ (BOE) ซึ่งมีเตตระแอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์อย่างน้อย ที่สุดหนึ่งชนิด, กรดแอซีติก, สารลดแรงตึงผิวชนิดนอน-ไอออนิกอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, ตัวคีเลต ชนิดโลหะอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, แหล่งที่ปราศจากโลหะของแอมโมเนีย, แหล่งที่ปราศจากโลหะ ของฟลูออไรด์ไอออน และน้ำ ซึ่งผสมกับสารละลายของตัวออกซิไดส์ และอาจเลือกให้ น้ำ
Claims (1)
1. วิธีการดำเนินการกับชุดติดตั้งลิฟต์ (10) - ซึ่งมีตู้ลิฟต์ตู้บน (A1) อย่างน้อยหนึ่งตู้ และตู้ลิฟต์ตู้ล่าง (A2) อย่างน้อยหนึ่งตู้ ซึ่งทั้งสองตู้ เคลื่อนที่ได้ ซึ่งโดยส่วนสำคัญแล้ว อย่างเป็นอิสระในแนวดิ่ง ในปล่องลิฟต์ร่วม (11) ของชุดติดตั้ง ลิฟต์ (10) - ซึ่งมีกลไกสับเปลี่ยนเชิงกลไฟฟ้าชุดที่หนึ่ง (21) ที่จัดไว้ในบริเวณด้านล่างของตู้ลิฟต์ตู้บน (A1) ที่ซึ่งกลไกสับเปลี่ยนเชิงกลไฟฟ้าชุดที่หนึ่ง (21) ประกอบรวมด้วย น้ำหนักถ่วง (23) ที่ผูกยึดไว้ กับวัสดุเส้นยาว (24) ซึ่งแรงจากน้
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH93447A TH93447A (th) | 2009-02-13 |
| TH114902A TH114902A (th) | 2012-07-18 |
| TH93447B true TH93447B (th) | 2023-05-03 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI330891B (en) | Thin film solar cell module of see-through type | |
| JP6103867B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
| Dross et al. | Crystalline thin‐foil silicon solar cells: where crystalline quality meets thin‐film processing | |
| MY173413A (en) | High-efficiency solar photovoltaic cells and modules using thin crystalline semiconductor absorbers | |
| WO2011046664A3 (en) | A barrier layer disposed between a substrate and a transparent conductive oxide layer for thin film silicon solar cells | |
| MY192488A (en) | Solar cell emitter region fabrication using ion implantation | |
| EP1892768A3 (en) | Nanowires in thin-film silicon solar cells | |
| WO2011023701A3 (en) | Passivation layer for wafer based solar cells and method of manufacturing thereof | |
| MY158452A (en) | Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates | |
| CN107394009B (zh) | 一种湿法刻蚀方法、双面太阳电池及其制作方法 | |
| JP2017531926A (ja) | Ｎ型両面電池のウェットエッチング方法 | |
| MY183477A (en) | Passivation of light-receiving surfaces of solar cells with crystalline silicon | |
| CN103646992A (zh) | 一种p型晶体硅双面电池的制备方法 | |
| CN105514180A (zh) | 一种n型背结双面电池及其制备方法 | |
| CN104143589B (zh) | 一种太阳能电池的双面扩散方法 | |
| WO2010081661A3 (en) | Solution for increasing wafer sheet resistance and/or photovoltaic cell power density level | |
| CN103165760B (zh) | 一种太阳能电池的选择性掺杂方法 | |
| WO2012166749A3 (en) | Ion implantation and annealing for high efficiency back-contact back-junction solar cells | |
| TH93447B (th) | สารละลายสำหรับการเพิ่มความต้านทานของแผ่นเวเฟอร์ และ/หรือระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์ | |
| CN105161552A (zh) | 一种单面抛光n型太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102437240A (zh) | 一种太阳能电池边缘刻蚀方法 | |
| WO2008140627A8 (en) | Thin film solar cell | |
| TH114902A (th) | สารละลายสำหรับการเพิ่มความต้านทานของแผ่นเวเฟอร์ และ/หรือระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์ | |
| CN206441742U (zh) | 一种表面覆膜的双面单晶硅片 | |
| CN205211766U (zh) | 一种n型背结双面电池 |