TH114902A - สารละลายสำหรับการเพิ่มความต้านทานของแผ่นเวเฟอร์ และ/หรือระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์ - Google Patents
สารละลายสำหรับการเพิ่มความต้านทานของแผ่นเวเฟอร์ และ/หรือระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์Info
- Publication number
- TH114902A TH114902A TH701004480A TH0701004480A TH114902A TH 114902 A TH114902 A TH 114902A TH 701004480 A TH701004480 A TH 701004480A TH 0701004480 A TH0701004480 A TH 0701004480A TH 114902 A TH114902 A TH 114902A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- solution
- photovoltaic cell
- wafer
- metal
- wafer substrate
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (13/07/54) การปฏิบัติซับสเตรตของเวเฟอร์ซิลิกอนชนิดผลึกเดี่ยวหรือชนิดหลายผลึกหรือชนิดอสัณฐาน แบบฟิล์มบางสำหรับการใช้ในโฟโตวอลเทอิกเซลล์, ซึ่งซับสเตรตของเวเฟอร์มีอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง อย่างของ จุดต่อ pn หรือ np และชั้นแก้วฟอสโฟซิลิเกตหรือบอโรซิลิเกตบางส่วนบนพื้นผิวบนสุดของ ซับสเตรตของเวเฟอร์, เพื่้อเพิ่มอย่างน้อยที่สุดหนึ่งข้อของ (a) ความต้านทานของแผ่นของเวเฟอร์ และ (b) ระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์ที่ทำจากเวเฟอร์ดังกล่าว สารละลายสำหรับ การปฏิบัติซึ่งเป็นสารละลายสำหรับการปฏิบัติชนิดกรดของสารละลายสำหรับการกัดขึ้นรอยชนิด ออกไซด์ที่ผ่านการทำให้เป็นบัฟเฟอร์ (BOE) ซึ่งมีเตตระแอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์อย่างน้อย ที่สุดหนึ่งชนิด, กรดแอซีติก, สารลดแรงตึงผิวชนิดนอน-ไอออนิกอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, ตัวคีเลต ชนิดโลหะอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, แหล่งที่ปราศจากโลหะของแอมโมเนีย, แหล่งที่ปราศจากโลหะ ของฟลูออไรด์ไอออน และน้ำ ซึ่งผสมกับสารละลายของตัวออกซิไดส์ และอาจเลือกให้ น้ำ
Claims (1)
1. : DC60 (13/07/54) การปฏิบัติซับสเตรตของเวเฟอร์ซิลิกอนชนิดผลึกเดี่ยวหรือชนิดหลายผลึกหรือชนิดอสัณฐาน แบบฟิล์มบางสำหรับการใช้ในโฟโตวอลเทอิกเซลล์, ซึ่งซับสเตรตของเวเฟอร์มีอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง อย่างของ จุดต่อ pn หรือ np และชั้นแก้วฟอสโฟซิลิเกตหรือบอโรซิลิเกตบางส่วนบนพื้นผิวบนสุดของ ซับสเตรตของเวเฟอร์, เพื่้อเพิ่มอย่างน้อยที่สุดหนึ่งข้อของ (a) ความต้านทานของแผ่นของเวเฟอร์ และ (b) ระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์ที่ทำจากเวเฟอร์ดังกล่าว สารละลายสำหรับ การปฏิบัติซึ่งเป็นสารละลายสำหรับการปฏิบัติชนิดกรดของสารละลายสำหรับการกัดขึ้นรอยชนิด ออกไซด์ที่ผ่านการทำให้เป็นบัฟเฟอร์ (BOE) ซึ่งมีเตตระแอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์อย่างน้อย ที่สุดหนึ่งชนิด, กรดแอซีติก, สารลดแรงตึงผิวชนิดนอน-ไอออนิกอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, ตัวคีเลต ชนิดโลหะอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, แหล่งที่ปราศจากโลหะของแอมโมเนีย, แหล่งที่ปราศจากโลหะ ของฟลูออไรด์ไอออน และน้ำ ซึ่งผสมกับสารละลายของตัวออกซิไดส์ และอาจเลือกให้ น้ำ ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แท็ก :
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH93447A TH93447A (th) | 2009-02-13 |
| TH114902A true TH114902A (th) | 2012-07-18 |
| TH93447B TH93447B (th) | 2023-05-03 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6553731B2 (ja) | Ｎ型両面電池のウェットエッチング方法 | |
| CN102169923B (zh) | 钝化n型硅太阳能电池的p型掺杂层的方法及电池结构 | |
| JP6103867B2 (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
| MY158452A (en) | Aqueous acidic etching solution and method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates | |
| ATE482471T1 (de) | Verfahren zur reinigung einer solarzellenoberflächenöffnung mit einer solarätzungspaste | |
| CN103618020A (zh) | 一种硅太阳能电池生产中的湿刻蚀方法 | |
| WO2012028723A3 (de) | Verfahren zum nasschemischen ätzen einer hochdotierten halbleiterschicht | |
| WO2011046664A3 (en) | A barrier layer disposed between a substrate and a transparent conductive oxide layer for thin film silicon solar cells | |
| MY183477A (en) | Passivation of light-receiving surfaces of solar cells with crystalline silicon | |
| PH12013500220A1 (en) | Aqueous acidic solution and etching solution and method for texturizing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates | |
| EP2626914A3 (en) | Solar Cell and Method of Manufacturing the Same | |
| GB2495166A (en) | Single-junction photovoltaic cell | |
| CN102064232A (zh) | 一种应用于晶体硅太阳电池的单面腐蚀p-n结或绒面结构的工艺 | |
| WO2015039128A3 (en) | Methods, apparatus, and systems for passivation of solar cells and other semiconductor devices | |
| JP2009525622A5 (th) | ||
| CN103151428A (zh) | 一种晶体硅太阳电池选择性发射极的实现方法 | |
| WO2010081661A3 (en) | Solution for increasing wafer sheet resistance and/or photovoltaic cell power density level | |
| CN102623560A (zh) | 一种实现太阳能电池湿法边缘绝缘的方法 | |
| CN103165760B (zh) | 一种太阳能电池的选择性掺杂方法 | |
| CN102176474A (zh) | 一膜多用的掩膜法制备的n型太阳能电池及其制备方法 | |
| MY180755A (en) | Solar cell and manufacturing method of solar cell | |
| CN105161552A (zh) | 一种单面抛光n型太阳能电池及其制备方法 | |
| TH114902A (th) | สารละลายสำหรับการเพิ่มความต้านทานของแผ่นเวเฟอร์ และ/หรือระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์ | |
| WO2011094127A3 (en) | Texturing and damage etch of silicon single crystal (100) substrates | |
| CN104143591A (zh) | 利用四甲基氢氧化铵溶液的太阳能电池背面抛光工艺 |