TH114902A -
Solution for increasing wafer resistance And / or the power density of the photovoltaic cell
- Google Patents
Solution for increasing wafer resistance And / or the power density of the photovoltaic cell
Info
Publication number
TH114902A
TH114902ATH701004480ATH0701004480ATH114902ATH 114902 ATH114902 ATH 114902ATH 701004480 ATH701004480 ATH 701004480ATH 0701004480 ATH0701004480 ATH 0701004480ATH 114902 ATH114902 ATH 114902A
DC60 (13/07/54) การปฏิบัติซับสเตรตของเวเฟอร์ซิลิกอนชนิดผลึกเดี่ยวหรือชนิดหลายผลึกหรือชนิดอสัณฐาน แบบฟิล์มบางสำหรับการใช้ในโฟโตวอลเทอิกเซลล์, ซึ่งซับสเตรตของเวเฟอร์มีอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง อย่างของ จุดต่อ pn หรือ np และชั้นแก้วฟอสโฟซิลิเกตหรือบอโรซิลิเกตบางส่วนบนพื้นผิวบนสุดของ ซับสเตรตของเวเฟอร์, เพื่้อเพิ่มอย่างน้อยที่สุดหนึ่งข้อของ (a) ความต้านทานของแผ่นของเวเฟอร์ และ (b) ระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์ที่ทำจากเวเฟอร์ดังกล่าว สารละลายสำหรับ การปฏิบัติซึ่งเป็นสารละลายสำหรับการปฏิบัติชนิดกรดของสารละลายสำหรับการกัดขึ้นรอยชนิด ออกไซด์ที่ผ่านการทำให้เป็นบัฟเฟอร์ (BOE) ซึ่งมีเตตระแอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์อย่างน้อย ที่สุดหนึ่งชนิด, กรดแอซีติก, สารลดแรงตึงผิวชนิดนอน-ไอออนิกอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, ตัวคีเลต ชนิดโลหะอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, แหล่งที่ปราศจากโลหะของแอมโมเนีย, แหล่งที่ปราศจากโลหะ ของฟลูออไรด์ไอออน และน้ำ ซึ่งผสมกับสารละลายของตัวออกซิไดส์ และอาจเลือกให้ น้ำDC60 (13/07/54) Treatment of a thin film monocrystalline, polycrystalline or amorphous silicon wafer substrate for use in a photovoltaic cell, wherein the wafer substrate has at least one pn or np junction and a partial phosphosilicate or borosilicate glass layer on the top surface of the wafer substrate, to increase at least one of (a) the sheet resistance of the wafer and (b) the power density level of the photovoltaic cell made from such wafer. The solution for the treatment, which is an acidic solution of a buffered oxide etching (BOE) solution containing at least one tetraalkyl ammonium hydroxide, acetic acid, at least one non-ionic surfactant, at least one metal chelating agent, a metal-free source of ammonia, a metal-free source. of fluoride ions and water, which are mixed with a solution of an oxidizing agent and may be selected to be water.
Claims (1)
1. : DC60 (13/07/54) การปฏิบัติซับสเตรตของเวเฟอร์ซิลิกอนชนิดผลึกเดี่ยวหรือชนิดหลายผลึกหรือชนิดอสัณฐาน แบบฟิล์มบางสำหรับการใช้ในโฟโตวอลเทอิกเซลล์, ซึ่งซับสเตรตของเวเฟอร์มีอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง อย่างของ จุดต่อ pn หรือ np และชั้นแก้วฟอสโฟซิลิเกตหรือบอโรซิลิเกตบางส่วนบนพื้นผิวบนสุดของ ซับสเตรตของเวเฟอร์, เพื่้อเพิ่มอย่างน้อยที่สุดหนึ่งข้อของ (a) ความต้านทานของแผ่นของเวเฟอร์ และ (b) ระดับความหนาแน่นกำลังของโฟโตวอลเทอิกเซลล์ที่ทำจากเวเฟอร์ดังกล่าว สารละลายสำหรับ การปฏิบัติซึ่งเป็นสารละลายสำหรับการปฏิบัติชนิดกรดของสารละลายสำหรับการกัดขึ้นรอยชนิด ออกไซด์ที่ผ่านการทำให้เป็นบัฟเฟอร์ (BOE) ซึ่งมีเตตระแอลคิลแอมโมเนียมไฮดรอกไซด์อย่างน้อย ที่สุดหนึ่งชนิด, กรดแอซีติก, สารลดแรงตึงผิวชนิดนอน-ไอออนิกอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, ตัวคีเลต ชนิดโลหะอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด, แหล่งที่ปราศจากโลหะของแอมโมเนีย, แหล่งที่ปราศจากโลหะ ของฟลูออไรด์ไอออน และน้ำ ซึ่งผสมกับสารละลายของตัวออกซิไดส์ และอาจเลือกให้ น้ำ ข้อถือสิทธิ์ (ข้อที่หนึ่ง) ซึ่งจะปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : แท็ก :1. : DC60 (13/07/54) Treatment of a thin film monocrystalline, polycrystalline or amorphous silicon wafer substrate for use in a photovoltaic cell, wherein the wafer substrate has at least one pn or np junction and a partial phosphosilicate or borosilicate glass layer on the top surface of the wafer substrate, to increase at least one of (a) the sheet resistance of the wafer and (b) the power density level of the photovoltaic cell made from such wafer, the solution for the treatment being an acidic solution of a buffered oxide etching (BOE) solution containing at least one tetraalkyl ammonium hydroxide, acetic acid, at least one non-ionic surfactant, at least one metal chelating agent, a metal-free source of ammonia, a metal-free source. of fluoride ions and water, mixed with a solution of an oxidizing agent, and optionally water. Claim (first) which appears on the advertisement page: Tag:
TH701004480A2010-01-11
Solution for increasing the resistance of wafers and/or the power density of photovoltaic cells.
TH93447B
(en)