TH9276B - อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและวิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ? - Google Patents

อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและวิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ?

Info

Publication number
TH9276B
TH9276B TH9201000165A TH9201000165A TH9276B TH 9276 B TH9276 B TH 9276B TH 9201000165 A TH9201000165 A TH 9201000165A TH 9201000165 A TH9201000165 A TH 9201000165A TH 9276 B TH9276 B TH 9276B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
junction
flexible resin
resin tape
semiconductor
semiconductor chips
Prior art date
Application number
TH9201000165A
Other languages
English (en)
Other versions
TH24113A (th
Inventor
ฮิโรมิชิซาวายา นาย
ซาวายา นายฮิโรมิชิ
Original Assignee
คาบูชิกิ ไคชา โตชิบา
นาย ธเนศเปเรร่า
นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า
Filing date
Publication date
Application filed by คาบูชิกิ ไคชา โตชิบา, นาย ธเนศเปเรร่า, นาย โรจน์วิทย์เปเรร่า filed Critical คาบูชิกิ ไคชา โตชิบา
Publication of TH24113A publication Critical patent/TH24113A/th
Publication of TH9276B publication Critical patent/TH9276B/th

Links

Abstract

ชิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่ง ถูกจัดยึดไว้บนส่วนไอแลนด์จำนวนหนึ่ง ที่จัดไว้บนเฟรมสายเชื่อมต่อ ส่วนสายเชื่อมต่อด้านในของเฟรมสายเชื่อมต่อและ แผ่นอิเล็กโทรดที่จัดไว้บนชิปสารกึ่งตัวนำจะถูกเชื่อมต่อทางไฟฟ้าเข้าด้วยกัน โดย ส่วนสายเชื่อมต่อส่วนที่หนึ่งที่จัดไว้บนเทปเรซินแบบอ่อนและแผ่นอิเล็กโทรดที่จัดไว้ บนชิปสารกึ่งตัวนำ ถูกเชื่อมต่อเข้าด้วยกันโดยส่วนสายเชื่อมต่อส่วนที่สองที่จัดไว้บน เทปเรซินแบบอ่อน เทปเรซินแบบอ่อนที่ซึ่งถูกจัดไว้บนนั้นด้วยส่วนไอแลนด์และส่วน สายเชื่อมต่อด้านในของเฟรมสายเชื่อมต่อ ชิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่งและส่วนสาย เชื่อมต่อส่วนที่หนึ่งและส่วนที่สอง ถูกผนึกไว้ในแพ็คเกจเรซิน

Claims (25)

1. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย เฟรมสายเชื่อมต่อที่มีส่วนสายเชื่อมต่อด้านใน และส่วนสายเชื่อมต่อด้านนอก และ ส่วนไอแลนด์อย่างน้อยหนึ่งส่วน ชิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่งซึ่งถูกจัดขึ้นไว้บนส่วนไอแลนด์ดังกล่าวของเฟรมสาย เชื่อมต่อดังกล่าว และแต่ละตัวจะมีแผ่นอิเล็กโทรดและแต่ละตัวจะมีส่วนประกอบสารกึ่งตัวนำอย่าง น้อยหนึ่งอันถูกจัดไว้ในนั้น เทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ ที่มีรูอุปกรณ์ถูกทำขึ้นในตำแหน่งที่สอดคล้องกับส่วนจับ ยึดของชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าว และมีรูปแบบการเชื่อมต่อสายสำหรับเชื่อมต่อทางไฟฟ้า แผ่นอิเล็ก โทรดดังกล่าว ของชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเข้ากับส่วนสายเชื่อมต่อด้านในดังกล่าวของเฟรมสาย เชื่อมต่อดังกล่าว และ จำนวนหนึ่งของอิเล็กโทรดบัมพ์อยู่ระหว่างแผ่นอิเล็กโทรดดังกล่าวและรูปแบบการ เชื่อมต่อสายดังกล่าว อิเล็กโทรดบัมพ์ดังกล่าวจะถูกทำขึ้นบนอย่างน้อยที่สุดอันหนึ่งของแผ่นอิเล็กโท รดดังกล่าว และรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าว และการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าของแผ่นอิเล็กโทรด ดังกล่าวและรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าว
2. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง แผ่นอิเล็กโทรดดังกล่าว และ รูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวจะถูกเชื่อมต่อกันโดยอิเล็กโทรดแบบบัมพ์ที่จัดขึ้นไว้บนอย่างน้อย อันหนึ่งของแผ่นอิเล็กโทรดดังกล่าวและรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าว
3. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง เฟรมสายเชื่อมต่อดังกล่าว จะมีส่วนไอแลนด์จำนวนหนึ่งที่ซึ่ง บนแต่ละส่วนของมันที่ถูกจับยึดไว้ด้วยชิปสารกึ่งตัวนำอันหนึ่งที่ สอดคล้องกันดังกล่าว
4. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ซิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่ง ดังกล่าวจะถูกจับยึดอยู่บนส่วนไอแลนด์ดังกล่าว
5. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ยังประกอบด้วยชิ้นส่วนฉนวน ซึ่งถูก จัดขึ้นไว้ระหว่างส่วนไอแลนด์ดังกล่าวและอย่างน้อยที่สุดตัวหนึ่งของชิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่งดัง กล่าว
6. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ในที่ซึ่ง ชิ้นส่วนฉนวนดังกล่าวจะถูก ทำด้วยวัสดุที่ถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเซรามิก และเรซินชนิดต้านทานความร้อน
7. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง รูปแบบการเชื่อมต่อสายดัง กล่าว ที่ถูกจัดขึ้นไว้บนเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าวจะมีส่วนสายเชื่อมต่อ ซึ่งถูกเชื่อมต่อกับ แผ่นอิเล็กโทรดดังกล่าวที่ถูกจัดไว้บนชิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่งดังกล่าวเพื่อเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชิป สารกึ่งตัวนำดังกล่าวเข้ากับอันอื่น
8. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวอย่าง น้อยหนึ่งตัวถูกทำขึ้นให้มีความหนาแตกต่างจากของชิปสารกึ่งตัวนำอื่น ๆ
9. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังประกอบด้วยแพ็คเกจเรซินสำหรับ การซีล ส่วนไอแลนด์ดังกล่าว และส่วนสายเชื่อมต่อด้านในของเฟรมสายเชื่อมต่อดังกล่าว ชิปสาร กึ่งตัวนำจำนวนหนึ่งดังกล่าวและเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว
10. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังประกอบด้วยแพ็คเกจเรซิน สำหรับการซีลผิวหน้าสำหรับจับยึดของส่วนไอแลนด์ดังกล่าว ที่ซึ่ง ชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวถูกจับ ยึดอยู่บนนั้น ส่วนสายเชื่อมต่อด้านในดังกล่าวของเฟรมสายเชื่อมต่อดังกล่าว ชิปสารกึ่งตัวนำจำนวน หนึ่งดังกล่าวและเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าวและที่ซึ่ง ผิวหน้าด้านหลังของส่วนไอแลนด์ดัง กล่าวตรงข้ามกับผิวหน้าสำหรับจับยึด ที่ซึ่งชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวถูกจับยึดอยู่บนนั้น จะ ถูกทำให้โผล่ออก
11. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังประกอบด้วยแพ็คเกจเรซิน สำหรับการซีลส่วนไอแลนด์ดังกล่าว และส่วนสายเชื่อมต่อด้านในของเฟรมสายเชื่อมต่อดังกล่าว ชิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่งดังกล่าว และอย่างน้อยส่วนหนึ่งของผิวหน้าด้านหลังของเทปเรซินแบบ อ่อนตัว ได้ดังกล่าว ตรงข้ามกับผิวหน้าของสิ่งนั้น ที่ซึ่ง รูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวถูกจัดไว้บนนั้น และในที่ซึ่งส่วนของเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าวถูกทำให้โผล่ออก
12. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง อย่างน้อยเส้นหนึ่งของสาย เชื่อมต่อของรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวจะถูกเชื่อมต่อกับแผ่นอิเล็กโทรดจำนวนหนึ่งที่ถูกจัด ขึ้นไว้บนชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าว
13. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง อย่างน้อยเส้นหนึ่งของสาย เชื่อมต่อของรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวจะถูกทำให้ยื่นเข้าไปในรูอุปกรณ์ดังกล่าว และจะถูก เชื่อมต่อกับแผ่นอิเล็กโทรดที่ถูกจัดขึ้นไว้ในตำแหน่งที่ต้องการของชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าว
14. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังประกอบด้วยเทปเรซินแบบอ่อน ตัวได้อันที่สองที่มีรูปแบบการเชื่อมต่อสายและถูกจัดขึ้นไว้ให้ซ้อนทับเป็นบางส่วนบนเทปเรซิน แบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว
15. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ในที่ซึ่ง รูปแบบการเชื่อมต่อสาย ดังกล่าวของเรทปเรซินแบบอ่อนตัวได้อันที่สองดังกล่าวจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชิปสารกึ่งตัวนำจำนวน หนึ่งดังกล่าวเข้าด้วยกัน
16. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ในที่ซึ่ง รูผ่านตลอดถูกจัดทำขึ้นไว้ ในอันหนึ่งของเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว และเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้อันที่สองดังกล่าวใน ส่วนที่ซ้อนทับกันของสิ่งนั้น อย่างน้อยอันหนึ่งของบัมพ์อิเล็กโทรดจะถูกทำขึ้นในรูผ่านตลอดดัง กล่าว และรูปแบบการเชื่อมต่อสายที่จัดขึ้นไว้บนเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว และอย่างน้อย ส่วนหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสายที่จัดไว้บนเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้อันที่สองดังกล่าวจะถูก เชื่อมต่อทางไฟฟ้าเข้าด้วยกันโดยอย่างน้อยที่สุดอันหนึ่งของอิเล็กโทรดแบบบัมพ์ที่จัดขึ้นไว้ในรูผ่าน ดังกล่าว
17. พาหะเทปประกอบด้วย เทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ที่มีรูอุปกรณ์จำนวนหนึ่ง ถูกทำขึ้นในนั้น ชิปสารกึ่งตัวนำ ซึ่งถูกจัดไว้เป็นลำดับในรูอุปกรณ์จำนวนหนึ่งดังกล่าวของเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว ส่วนสายเชื่อมต่อส่วนที่หนึ่งซึ่งถูกจัดขึ้นไว้บนเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว ปลายด้านหนึ่งของส่วนสายเชื่อมต่อส่วนที่หนึ่งดังกล่าวที่จะถูกจัดวางให้ยื่นเข้าไปในรูอุปกรณ์ดัง กล่าว โดยผ่านด้านแต่ละด้านของสิ่งนั้น ส่วนสายเชื่อมต่อส่วนที่สองที่ถูกจัดไว้บนบริเวณระหว่างรูอุปกรณ์ดังกล่าว ของ เทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าวกับปลายตรงกันข้ามของสิ่งนั้นที่จัดไว้ในรูอุปกรณ์ดังกล่าว สำหรับ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเข้าด้วยกัน จำนวนหนึ่งของบัมพ์อิเล็กโทรดอันที่หนึ่งซึ่งถูกทำขึ้นบนชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าว สำหรับการจัดเตรียมการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าระหว่างส่วนสายเชื่อมต่อที่หนึ่งดังกล่าว และชิปสารกึ่งตัว นำดังกล่าว และ จำนวนหนึ่งของบัมพ์อิเล็กโทรดอันที่สอง ซึ่งถูกทำขึ้นบนชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวสำหรับ การจัดเตรียมการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าระหว่างส่วนสายเชื่อมต่อที่สองดังกล่าว และชิปสารกึ่งตัวนำดัง กล่าว
18. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ขั้นตอนแรกของการติดตั้งจำนวนหนึ่งของชิปสารกึ่งตัวนำบนอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ไอแลนด์บนเฟรมสายนำ ขั้นตอนที่สองของการจัดวางเทปเรซินที่อ่อนตัวได้บนเฟรมสายนำดังกล่าวเทป เรซินดังกล่าวจะมีจำนวนหนึ่งของรูอุปกรณ์ ซึ่งสอดคล้องกับตำแหน่งการติดตั้งของชิปสาร กึ่งตัวนำดังกล่าว และยังรูปแบบการเชื่อมต่อสายสำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าบนส่วนสาย เชื่อมต่อด้านใน ของเฟรมของสายนำไปยังแผ่นอิเล็กโทรดของชิปสารกึ่งตัวนำ ขั้นตอนที่สามของการเชื่อมต่อปลายหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวซึ่ง ถูกทำขึ้นบนเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว ไปยังแผ่นอิเล็กโทรด ซึ่งทำขึ้นบนจำนวนหนึ่งของ ชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าว ขั้นตอนที่สี่ของการเชื่อมต่ออีกรูปแบบการเชื่อมต่อสายอีกอันหนึ่งดังกล่าว ซึ่ง ถูกทำขึ้นบนเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าวไปยังส่วนสายเชื่อมต่อด้านในของของเฟรมสายนำ ดังกล่าว
19. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ในที่ซึ่งขั้นตอนที่ สามดังกล่าวถ้าถูกทำให้เกิดผลโดยการใช้อิเล็กโทรดแบบบัมพ์ ซึ่งถูกทำขึ้นบนแผ่นอิเล็กโทรด ดังกล่าว
20. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ในที่ซึ่ง ขั้นตอนที่สี่ จะถูกทำให้เป็นผลโดยการใช้การเชื่อมต่อแบบโลหะผสม
21. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ในที่ซึ่ง รูปแบบ การเชื่อมต่อสายดังกล่าวจะถูกทำขึ้นบนผิวนห้าของเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว เช่นว่าส่วน ปลายหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสาย จะยื่นออกด้านนอกของเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว
22. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ขั้นตอนแรกของการติดตั้งจำนวนหนึ่งของชิปสารกึ่งตัวนำบนอย่างน้อยที่สุด หนึ่งไอแลนด์ ซึ่งถูกทำขึ้นบนเฟรมสายนำ ขั้นตอนที่สองของการจัดวาง เทปเรซินซึ่งอ่อนตัวได้บนเฟรมสายนำดังกล่าว เทปเรซินดังกล่าว จะมีจำนวนหนึ่งของรูอุปกรณ์ ซึ่งถูกทำขึ้นในตำแหน่งซึ่งสอดคล้องกับ ตำแหน่งที่ติดตั้งของชิปสารกึ่งตัวนำ ซึ่งจะมีรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่หนึ่ง สำหรับการเชื่อม ต่อทางไฟฟ้ากับส่วนสายเชื่อมต่อด้านในของเฟรมสายนำไปยังแผ่นอิเล็กโทรดของชิปสารกึ่งตัว นำ และยังมีรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่สองสำหรับการเชื่อมต่อรวมกันของแผ่นอิเล็ดโทรดของ จำนวนหนึ่งของชิปสารกึ่งตัวนำ ขั้นตอนที่สามของการเชื่อมต่อปลายหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่หนึ่ง ซึ่ง ถูกทำขึ้นบนเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว ไปยังแผ่นอิเล็กโทรด ซึ่งถูกทำขึ้นบนจำนวนหนึ่ง ของชิปสารกึ่งตัวนำ ขั้นตอนที่สี่ของการเชื่อมต่ออีกรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่สอง ซึ่งถูกทำขึ้นบน เทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว ไปยังแผ่นอิเล็กโทรด ซึ่งถูกทำขั้นบนจำนวนหนึ่งของชิปสารกึ่ง ตัวนำดังกล่าว เพื่อจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้า ซิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเข้าด้วยกัน และ ขั้นตอนที่ห้าของการเชื่อมต่อปลายอื่นของรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่หนึ่งดังกล่าว ซึ่งถูกทำขึ้นบนเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าวไปยังส่วนสายเชื่อมต่อด้านในของเฟรมสายนำดังกล่าว
23. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่งขั้นตอนที่ สามและที่สี่ดังกล่าว จะถูกทำขึ้นให้เป็นผลโดยการใช้แบบอิเล็กโทรดบัมพ์ ซึ่งถูกทำขึ้นบนแผ่น อิเล็กโทรดดังกล่าว
24. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่ง ขั้นตอนที่ ห้าดังกล่าวจะถูกทำให้เป็นผลโดยการใช้การเชื่อมแบบโลหะผสม
25. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่ง รูปแบบ การเชื่อมต่อสายอันที่หนึ่งดังกล่าวที่ถูกทำขึ้นบนผิวหน้าของเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว ในลักษณะที่ส่วนปลายหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสาย จะยื่นออกด้านนอกของเทปเรซินที่อ่อนตัว ได้ดังกล่าวโดยมีส่วนปลายอีกอันหนึ่งจะยื่นเข้าในรูอุปกรณ์ดังกล่าว และรูปแบบการเชื่อมต่อสาย อันที่สองดังกล่าวจะถูกทำขึ้นบนผิวหน้าของเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าวในลักษณะที่ว่า ส่วน ปลายหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวยื่นลงในรูอุปกรณ์ดังกล่าว โดยมีอีกส่วนปลายหนึ่ง ของรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่สองจะยื่นออกด้านนอกของเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว
TH9201000165A 1992-02-06 อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและวิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ? TH9276B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH24113A TH24113A (th) 1997-03-12
TH9276B true TH9276B (th) 1999-12-03

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6920688B2 (en) Method for a semiconductor assembly having a semiconductor die with dual heat spreaders
US4616406A (en) Process of making a semiconductor device having parallel leads directly connected perpendicular to integrated circuit layers therein
KR950012658B1 (ko) 반도체 칩 실장방법 및 기판 구조체
US4951122A (en) Resin-encapsulated semiconductor device
US6414382B1 (en) Film carrier tape, semiconductor assembly, semiconductor device and method of manufacturing the same, mounted board, and electronic instrument
US4949224A (en) Structure for mounting a semiconductor device
US5567656A (en) Process for packaging semiconductor device
US5559316A (en) Plastic-molded semiconductor device containing a semiconductor pellet mounted on a lead frame
GB2307336A (en) Integrated circuit package
EP0590915A1 (en) Chip on board assembly
US6037656A (en) Semiconductor integrated circuit device having short signal paths to terminals and process of fabrication thereof
JPH038352A (ja) 半導体装置
GB2199988A (en) Multi-layer molded plastic ic package
US5382546A (en) Semiconductor device and method of fabricating same, as well as lead frame used therein and method of fabricating same
US20020027272A1 (en) Semiconductor device, semiconductor package for use therein, and manufacturing method thereof
JPH0864635A (ja) 半導体装置
US5054680A (en) Bonding electrical conductors
KR100302594B1 (ko) 반도체패키지용부재,반도체패키지및그제조방법
TH24113A (th) อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำและวิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ?
KR100248203B1 (ko) 마이크로-볼 그리드 어레이 패키지
JP4038021B2 (ja) 半導体装置の製造方法
KR20040075683A (ko) 전력용 반도체모듈패키지 및 그 제조방법
JPH05235091A (ja) フィルムキャリア半導体装置
US6645794B2 (en) Method of manufacturing a semiconductor device by monolithically forming a sealing resin for sealing a chip and a reinforcing frame by transfer molding
KR100565766B1 (ko) 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법