Claims (25)
1. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย เฟรมสายเชื่อมต่อที่มีส่วนสายเชื่อมต่อด้านใน และส่วนสายเชื่อมต่อด้านนอก และ ส่วนไอแลนด์อย่างน้อยหนึ่งส่วน ชิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่งซึ่งถูกจัดขึ้นไว้บนส่วนไอแลนด์ดังกล่าวของเฟรมสาย เชื่อมต่อดังกล่าว และแต่ละตัวจะมีแผ่นอิเล็กโทรดและแต่ละตัวจะมีส่วนประกอบสารกึ่งตัวนำอย่าง น้อยหนึ่งอันถูกจัดไว้ในนั้น เทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ ที่มีรูอุปกรณ์ถูกทำขึ้นในตำแหน่งที่สอดคล้องกับส่วนจับ ยึดของชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าว และมีรูปแบบการเชื่อมต่อสายสำหรับเชื่อมต่อทางไฟฟ้า แผ่นอิเล็ก โทรดดังกล่าว ของชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเข้ากับส่วนสายเชื่อมต่อด้านในดังกล่าวของเฟรมสาย เชื่อมต่อดังกล่าว และ จำนวนหนึ่งของอิเล็กโทรดบัมพ์อยู่ระหว่างแผ่นอิเล็กโทรดดังกล่าวและรูปแบบการ เชื่อมต่อสายดังกล่าว อิเล็กโทรดบัมพ์ดังกล่าวจะถูกทำขึ้นบนอย่างน้อยที่สุดอันหนึ่งของแผ่นอิเล็กโท รดดังกล่าว และรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าว และการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าของแผ่นอิเล็กโทรด ดังกล่าวและรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าว1. A semiconductor device consists of a junction frame containing an inner junction section and an outer junction section, and at least one island. A number of semiconductor chips are held on the island section of the junction frame, and each island contains at least one semiconductor component. A flexible resin tape with device holes is made in positions corresponding to the holding areas of the semiconductor chips, and a wire connection scheme is provided for electrical connection. The electrodes of the semiconductor chips are attached to the inner junction section of the junction frame, and a number of electrode bumps are placed between the electrodes and the wire connection scheme. These electrode bumps are made on at least one of the electrodes and the wire connection scheme, and the electrical connection of the electrodes and the wire connection scheme is established.
2. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง แผ่นอิเล็กโทรดดังกล่าว และ รูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวจะถูกเชื่อมต่อกันโดยอิเล็กโทรดแบบบัมพ์ที่จัดขึ้นไว้บนอย่างน้อย อันหนึ่งของแผ่นอิเล็กโทรดดังกล่าวและรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าว2. A semiconductor device pursuant to claim 1 where such electrodes and such junction are connected by a bump electrode held on at least one of such electrodes and such junction.
3. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง เฟรมสายเชื่อมต่อดังกล่าว จะมีส่วนไอแลนด์จำนวนหนึ่งที่ซึ่ง บนแต่ละส่วนของมันที่ถูกจับยึดไว้ด้วยชิปสารกึ่งตัวนำอันหนึ่งที่ สอดคล้องกันดังกล่าว3. A semiconductor device pursuant to claim Clause 1 where such junction frame shall contain a number of island sections on which, on each of these sections, is held in place a single corresponding semiconductor chip.
4. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ซิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่ง ดังกล่าวจะถูกจับยึดอยู่บนส่วนไอแลนด์ดังกล่าว4. A semiconductor device pursuant to claim 1 where a number of such semiconductor chips are attached to the said island.
5. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ยังประกอบด้วยชิ้นส่วนฉนวน ซึ่งถูก จัดขึ้นไว้ระหว่างส่วนไอแลนด์ดังกล่าวและอย่างน้อยที่สุดตัวหนึ่งของชิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่งดัง กล่าว5. The semiconductor device under claim 4 also consists of an insulating element, which is placed between the said island and at least one of the said semiconductor chips.
6. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ในที่ซึ่ง ชิ้นส่วนฉนวนดังกล่าวจะถูก ทำด้วยวัสดุที่ถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยเซรามิก และเรซินชนิดต้านทานความร้อน6. Semiconductor devices pursuant to claim paragraph 5, where such insulating components are made of materials selected from a group of ceramic and heat-resistant resins.
7. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง รูปแบบการเชื่อมต่อสายดัง กล่าว ที่ถูกจัดขึ้นไว้บนเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าวจะมีส่วนสายเชื่อมต่อ ซึ่งถูกเชื่อมต่อกับ แผ่นอิเล็กโทรดดังกล่าวที่ถูกจัดไว้บนชิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่งดังกล่าวเพื่อเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชิป สารกึ่งตัวนำดังกล่าวเข้ากับอันอื่น7. A semiconductor device pursuant to claim 1 where such a wire connection pattern, arranged on such flexible resin tape, has a junction which is connected to such electrodes arranged on a number of such semiconductor chips to electrically connect such semiconductor chips to one another.
8. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวอย่าง น้อยหนึ่งตัวถูกทำขึ้นให้มีความหนาแตกต่างจากของชิปสารกึ่งตัวนำอื่น ๆ8. Semiconductor devices under Reputation 1 where at least one such semiconductor chip is made with a thickness different from that of the other semiconductor chips.
9. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังประกอบด้วยแพ็คเกจเรซินสำหรับ การซีล ส่วนไอแลนด์ดังกล่าว และส่วนสายเชื่อมต่อด้านในของเฟรมสายเชื่อมต่อดังกล่าว ชิปสาร กึ่งตัวนำจำนวนหนึ่งดังกล่าวและเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว9. The semiconductor device under claim 1 also comprises a resin package for sealing the said island and the inner junction portion of the said junction frame, a number of such semiconductor chips and such flexible resin tape.
10. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังประกอบด้วยแพ็คเกจเรซิน สำหรับการซีลผิวหน้าสำหรับจับยึดของส่วนไอแลนด์ดังกล่าว ที่ซึ่ง ชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวถูกจับ ยึดอยู่บนนั้น ส่วนสายเชื่อมต่อด้านในดังกล่าวของเฟรมสายเชื่อมต่อดังกล่าว ชิปสารกึ่งตัวนำจำนวน หนึ่งดังกล่าวและเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าวและที่ซึ่ง ผิวหน้าด้านหลังของส่วนไอแลนด์ดัง กล่าวตรงข้ามกับผิวหน้าสำหรับจับยึด ที่ซึ่งชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวถูกจับยึดอยู่บนนั้น จะ ถูกทำให้โผล่ออก10. The semiconductor device under claim 1, which also includes a resin package for sealing the mounting surface of the said island on which the said semiconductor chip is mounted, the said internal junction of the said junction frame, the said semiconductor chip and the said flexible resin tape, and on which the back surface of the said island opposite the mounting surface on which the said semiconductor chip is mounted is exposed.
11. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่งยังประกอบด้วยแพ็คเกจเรซิน สำหรับการซีลส่วนไอแลนด์ดังกล่าว และส่วนสายเชื่อมต่อด้านในของเฟรมสายเชื่อมต่อดังกล่าว ชิปสารกึ่งตัวนำจำนวนหนึ่งดังกล่าว และอย่างน้อยส่วนหนึ่งของผิวหน้าด้านหลังของเทปเรซินแบบ อ่อนตัว ได้ดังกล่าว ตรงข้ามกับผิวหน้าของสิ่งนั้น ที่ซึ่ง รูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวถูกจัดไว้บนนั้น และในที่ซึ่งส่วนของเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าวถูกทำให้โผล่ออก11. The semiconductor device under claim 1, which also includes a resin package for sealing the said island and the inner junction of the said junction frame, a number of such semiconductor chips, and at least a portion of the back surface of such flexible resin tape opposite to the surface of it on which the said junction pattern is arranged and where a portion of such flexible resin tape is exposed.
12. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง อย่างน้อยเส้นหนึ่งของสาย เชื่อมต่อของรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวจะถูกเชื่อมต่อกับแผ่นอิเล็กโทรดจำนวนหนึ่งที่ถูกจัด ขึ้นไว้บนชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าว12. A semiconductor device according to claim 1 in which at least one strand of a junction of such junction is connected to a number of electrodes arranged on such semiconductor chip.
13. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่ง อย่างน้อยเส้นหนึ่งของสาย เชื่อมต่อของรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวจะถูกทำให้ยื่นเข้าไปในรูอุปกรณ์ดังกล่าว และจะถูก เชื่อมต่อกับแผ่นอิเล็กโทรดที่ถูกจัดขึ้นไว้ในตำแหน่งที่ต้องการของชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าว13. A semiconductor device according to claim 1 in which at least one strand of a connecting wire of such junction is made to enter into a hole in such device and is connected to electrodes held in the desired position of such semiconductor chip.
14. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ยังประกอบด้วยเทปเรซินแบบอ่อน ตัวได้อันที่สองที่มีรูปแบบการเชื่อมต่อสายและถูกจัดขึ้นไว้ให้ซ้อนทับเป็นบางส่วนบนเทปเรซิน แบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว14. The semiconductor device under claim 1 also consists of a second flexible resin tape with a wire connection pattern and is held in place partially overlapping on the said flexible resin tape.
15. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ในที่ซึ่ง รูปแบบการเชื่อมต่อสาย ดังกล่าวของเรทปเรซินแบบอ่อนตัวได้อันที่สองดังกล่าวจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชิปสารกึ่งตัวนำจำนวน หนึ่งดังกล่าวเข้าด้วยกัน15. A semiconductor device pursuant to claim 14 where such a second flexible resin connection form of the said retinol electrically connects a number of such semiconductor chips together.
16. อุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ในที่ซึ่ง รูผ่านตลอดถูกจัดทำขึ้นไว้ ในอันหนึ่งของเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว และเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้อันที่สองดังกล่าวใน ส่วนที่ซ้อนทับกันของสิ่งนั้น อย่างน้อยอันหนึ่งของบัมพ์อิเล็กโทรดจะถูกทำขึ้นในรูผ่านตลอดดัง กล่าว และรูปแบบการเชื่อมต่อสายที่จัดขึ้นไว้บนเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว และอย่างน้อย ส่วนหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสายที่จัดไว้บนเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้อันที่สองดังกล่าวจะถูก เชื่อมต่อทางไฟฟ้าเข้าด้วยกันโดยอย่างน้อยที่สุดอันหนึ่งของอิเล็กโทรดแบบบัมพ์ที่จัดขึ้นไว้ในรูผ่าน ดังกล่าว16. In a semiconductor device pursuant to claim 14, where a through hole is made in one of the said flexible resin tapes and a second such flexible resin tape in the overlapping part of it, at least one bump electrode is made in the said through hole, and the wire connection pattern arranged on the said flexible resin tape and at least part of the wire connection pattern arranged on the second such flexible resin tape are electrically connected by at least one of the bump electrodes arranged in the said through hole.
17. พาหะเทปประกอบด้วย เทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ที่มีรูอุปกรณ์จำนวนหนึ่ง ถูกทำขึ้นในนั้น ชิปสารกึ่งตัวนำ ซึ่งถูกจัดไว้เป็นลำดับในรูอุปกรณ์จำนวนหนึ่งดังกล่าวของเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว ส่วนสายเชื่อมต่อส่วนที่หนึ่งซึ่งถูกจัดขึ้นไว้บนเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว ปลายด้านหนึ่งของส่วนสายเชื่อมต่อส่วนที่หนึ่งดังกล่าวที่จะถูกจัดวางให้ยื่นเข้าไปในรูอุปกรณ์ดัง กล่าว โดยผ่านด้านแต่ละด้านของสิ่งนั้น ส่วนสายเชื่อมต่อส่วนที่สองที่ถูกจัดไว้บนบริเวณระหว่างรูอุปกรณ์ดังกล่าว ของ เทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าวกับปลายตรงกันข้ามของสิ่งนั้นที่จัดไว้ในรูอุปกรณ์ดังกล่าว สำหรับ เชื่อมต่อทางไฟฟ้า ชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเข้าด้วยกัน จำนวนหนึ่งของบัมพ์อิเล็กโทรดอันที่หนึ่งซึ่งถูกทำขึ้นบนชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าว สำหรับการจัดเตรียมการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าระหว่างส่วนสายเชื่อมต่อที่หนึ่งดังกล่าว และชิปสารกึ่งตัว นำดังกล่าว และ จำนวนหนึ่งของบัมพ์อิเล็กโทรดอันที่สอง ซึ่งถูกทำขึ้นบนชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวสำหรับ การจัดเตรียมการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าระหว่างส่วนสายเชื่อมต่อที่สองดังกล่าว และชิปสารกึ่งตัวนำดัง กล่าว17. The tape carrier consists of a flexible resin tape with a number of device holes made into it; a semiconductor chip arranged in sequence within these device holes of the flexible resin tape; a first junction section is arranged on the flexible resin tape, one end of which is positioned to protrude into the device holes, passing through each side of it; a second junction section is arranged between the device holes of the flexible resin tape and the opposite end of it positioned in the device holes, for electrically connecting the semiconductor chips; a number of first bump electrodes are made on the semiconductor chip to provide the electrical connection between the first junction section and the semiconductor chip; and a number of second bump electrodes are made on the semiconductor chip to provide the electrical connection between the second junction section and the semiconductor chip.
18. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ขั้นตอนแรกของการติดตั้งจำนวนหนึ่งของชิปสารกึ่งตัวนำบนอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ไอแลนด์บนเฟรมสายนำ ขั้นตอนที่สองของการจัดวางเทปเรซินที่อ่อนตัวได้บนเฟรมสายนำดังกล่าวเทป เรซินดังกล่าวจะมีจำนวนหนึ่งของรูอุปกรณ์ ซึ่งสอดคล้องกับตำแหน่งการติดตั้งของชิปสาร กึ่งตัวนำดังกล่าว และยังรูปแบบการเชื่อมต่อสายสำหรับการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าบนส่วนสาย เชื่อมต่อด้านใน ของเฟรมของสายนำไปยังแผ่นอิเล็กโทรดของชิปสารกึ่งตัวนำ ขั้นตอนที่สามของการเชื่อมต่อปลายหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวซึ่ง ถูกทำขึ้นบนเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว ไปยังแผ่นอิเล็กโทรด ซึ่งทำขึ้นบนจำนวนหนึ่งของ ชิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าว ขั้นตอนที่สี่ของการเชื่อมต่ออีกรูปแบบการเชื่อมต่อสายอีกอันหนึ่งดังกล่าว ซึ่ง ถูกทำขึ้นบนเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าวไปยังส่วนสายเชื่อมต่อด้านในของของเฟรมสายนำ ดังกล่าว18. The method of manufacturing semiconductor devices consists of: The first step involves installing a certain number of semiconductor chips onto at least one island on a lead frame. The second step involves placing a flexible resin tape on the lead frame. This resin tape will have a number of device holes corresponding to the mounting positions of the semiconductor chips, and also a wire connection pattern for electrical connection on the inner connecting part of the lead frame to the electrode pads of the semiconductor chips. The third step involves connecting one end of this wire connection pattern, made on the flexible resin tape, to the electrode pads on the aforementioned semiconductor chips. The fourth step involves connecting another such wire connection pattern, made on the flexible resin tape, to the inner connecting part of the lead frame.
19. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ในที่ซึ่งขั้นตอนที่ สามดังกล่าวถ้าถูกทำให้เกิดผลโดยการใช้อิเล็กโทรดแบบบัมพ์ ซึ่งถูกทำขึ้นบนแผ่นอิเล็กโทรด ดังกล่าว19. Method of manufacturing semiconductor devices according to claim 18 where the third step is achieved by using a bump electrode made on such electrode plate.
20. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ในที่ซึ่ง ขั้นตอนที่สี่ จะถูกทำให้เป็นผลโดยการใช้การเชื่อมต่อแบบโลหะผสม20. Method of manufacturing semiconductor devices according to claim 18 where the fourth step is accomplished by using alloy coupling.
21. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ในที่ซึ่ง รูปแบบ การเชื่อมต่อสายดังกล่าวจะถูกทำขึ้นบนผิวนห้าของเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว เช่นว่าส่วน ปลายหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสาย จะยื่นออกด้านนอกของเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว21. Method of manufacturing semiconductor devices according to claim 18 where such wire connection pattern is made on the surface of such flexible resin tape such that one end of the wire connection pattern extends outside of such flexible resin tape.
22. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ ประกอบด้วย ขั้นตอนแรกของการติดตั้งจำนวนหนึ่งของชิปสารกึ่งตัวนำบนอย่างน้อยที่สุด หนึ่งไอแลนด์ ซึ่งถูกทำขึ้นบนเฟรมสายนำ ขั้นตอนที่สองของการจัดวาง เทปเรซินซึ่งอ่อนตัวได้บนเฟรมสายนำดังกล่าว เทปเรซินดังกล่าว จะมีจำนวนหนึ่งของรูอุปกรณ์ ซึ่งถูกทำขึ้นในตำแหน่งซึ่งสอดคล้องกับ ตำแหน่งที่ติดตั้งของชิปสารกึ่งตัวนำ ซึ่งจะมีรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่หนึ่ง สำหรับการเชื่อม ต่อทางไฟฟ้ากับส่วนสายเชื่อมต่อด้านในของเฟรมสายนำไปยังแผ่นอิเล็กโทรดของชิปสารกึ่งตัว นำ และยังมีรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่สองสำหรับการเชื่อมต่อรวมกันของแผ่นอิเล็ดโทรดของ จำนวนหนึ่งของชิปสารกึ่งตัวนำ ขั้นตอนที่สามของการเชื่อมต่อปลายหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่หนึ่ง ซึ่ง ถูกทำขึ้นบนเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว ไปยังแผ่นอิเล็กโทรด ซึ่งถูกทำขึ้นบนจำนวนหนึ่ง ของชิปสารกึ่งตัวนำ ขั้นตอนที่สี่ของการเชื่อมต่ออีกรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่สอง ซึ่งถูกทำขึ้นบน เทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว ไปยังแผ่นอิเล็กโทรด ซึ่งถูกทำขั้นบนจำนวนหนึ่งของชิปสารกึ่ง ตัวนำดังกล่าว เพื่อจะเชื่อมต่อทางไฟฟ้า ซิปสารกึ่งตัวนำดังกล่าวเข้าด้วยกัน และ ขั้นตอนที่ห้าของการเชื่อมต่อปลายอื่นของรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่หนึ่งดังกล่าว ซึ่งถูกทำขึ้นบนเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าวไปยังส่วนสายเชื่อมต่อด้านในของเฟรมสายนำดังกล่าว22. The method of manufacturing semiconductor devices consists of the following steps: The first step involves mounting a number of semiconductor chips onto at least one island made on a lead frame. The second step involves placing a flexible resin tape on the lead frame. This resin tape has a number of device holes made in positions corresponding to the mounting locations of the semiconductor chips. There is a first wire connection pattern for electrical connection to the inner junction of the lead frame and to the electrode pads of the semiconductor chips, and a second wire connection pattern for the combined connection of the electrode pads of the semiconductor chips. The third step involves connecting one end of the first wire connection pattern, made on the flexible resin tape, to the electrode pads on the semiconductor chips. The fourth step involves connecting the second wire connection pattern, also made on the flexible resin tape, to the electrode pads on the semiconductor chips to electrically connect them. Finally, the fifth step involves connecting the other end of the first wire connection pattern. This is done by applying the flexible resin tape to the inner connecting portion of the conductor frame.
23. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่งขั้นตอนที่ สามและที่สี่ดังกล่าว จะถูกทำขึ้นให้เป็นผลโดยการใช้แบบอิเล็กโทรดบัมพ์ ซึ่งถูกทำขึ้นบนแผ่น อิเล็กโทรดดังกล่าว23. Method for manufacturing semiconductor devices according to claim 22, where the third and fourth steps are accomplished by using an electrode bump made on such electrode plate.
24. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่ง ขั้นตอนที่ ห้าดังกล่าวจะถูกทำให้เป็นผลโดยการใช้การเชื่อมแบบโลหะผสม24. Method of manufacturing semiconductor devices according to claim 22, where the aforementioned fifth step is accomplished by using alloy welding.
25. วิธีการผลิตอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิข้อ 22 ในที่ซึ่ง รูปแบบ การเชื่อมต่อสายอันที่หนึ่งดังกล่าวที่ถูกทำขึ้นบนผิวหน้าของเทปเรซินแบบอ่อนตัวได้ดังกล่าว ในลักษณะที่ส่วนปลายหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสาย จะยื่นออกด้านนอกของเทปเรซินที่อ่อนตัว ได้ดังกล่าวโดยมีส่วนปลายอีกอันหนึ่งจะยื่นเข้าในรูอุปกรณ์ดังกล่าว และรูปแบบการเชื่อมต่อสาย อันที่สองดังกล่าวจะถูกทำขึ้นบนผิวหน้าของเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าวในลักษณะที่ว่า ส่วน ปลายหนึ่งของรูปแบบการเชื่อมต่อสายดังกล่าวยื่นลงในรูอุปกรณ์ดังกล่าว โดยมีอีกส่วนปลายหนึ่ง ของรูปแบบการเชื่อมต่อสายอันที่สองจะยื่นออกด้านนอกของเทปเรซินที่อ่อนตัวได้ดังกล่าว25. Method of fabricating semiconductor devices according to claim 22 where the first junction is made on the surface of the flexible resin tape such that one end of the junction protrudes outside the flexible resin tape and the other end enters the device hole, and the second junction is made on the surface of the flexible resin tape such that one end of the junction enters the device hole and the other end of the second junction protrudes outside the flexible resin tape.