TH89243A - วิธีการบรรจุของชิป หรือแพ็คเกจแบบมีปุ่ม - Google Patents
วิธีการบรรจุของชิป หรือแพ็คเกจแบบมีปุ่มInfo
- Publication number
- TH89243A TH89243A TH701001160A TH0701001160A TH89243A TH 89243 A TH89243 A TH 89243A TH 701001160 A TH701001160 A TH 701001160A TH 0701001160 A TH0701001160 A TH 0701001160A TH 89243 A TH89243 A TH 89243A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- package
- film
- chip
- substrate
- filler
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 ในการจัดให้มีวิธีการบรรจุ ซึ่งเชื่อมต่อชิปของสารกึ่งตัวนำและแผ่นฐานรอง โดยใช้วัสดุ อุดช่องว่าง และหลังจากการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ วัสดุอุดช่องว่างนั้นจะได้รับ การบ่มด้วยความร้อน วิธีการบรรจุของชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่ม ประกอบด้วยขั้นตอนของ การจัดแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างชนิดเธอร์โมเซททิงและทำให้เป็นของไหลด้วยความร้อน ไว้ ระหว่างชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่มและแผ่นฐานรอง, การให้ความร้อนและความดัน ที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งสูงเพียงพอที่จะเป็นเหตุให้เกิดการก่อสภาพเป็นของไหลของ แผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่าง และเพื่อให้ได้การเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชั่วคราว, การดำเนินการทดสอบ เพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ และถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ พิสูจน์ว่า ประสบผลสำเร็จ จึงให้ความร้อนและบ่มแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างเพิ่มต่อไปอีก เพื่อให้ได้ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสุดท้าย หรือถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ดังกล่าว พิสูจน์ว่าไม่ประสบผลสำเร็จ จึงถอดชิปหรือแพ็คเกจที่บกพร่องที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งเพียงพอที่จะเป็นเหตุให้เกิดการก่อสภาพเป็นของไหลของแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่าง และ กระทำซ้ำในขั้นตอนที่บรรยายไว้ข้างต้นโดยใช้ชิปหรือแพ็คเกจใหม่แบบมีปุ่ม ในการจัดให้มีวิธีการบรรจุ ซึ่งเชื่อมต่อชิปของสารกึ่งตัวนำและแผ่นฐานรอง โดยใช้วัสดุ อุดช่องว่าง และหลังจากการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ วัสดุอุดช่องว่างนั้นจะได้รับ การบ่มด้วยความร้อน วิธีการบรรจุของชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่ม ประกอบด้วยขั้นตอนของ การจัดแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างชนิดเธอร์โมเซททิงและทำให้เป็นของไหลด้วยความร้อน ไว้ ระหว่างชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่มและแผ่นฐานรอง, การให้ความร้อนและความดัน ที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งสูงเพียงพอที่จะเป็นเหตุให้เกิดการก่อสภาพเป็นของไหลของ แผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่าง และเพื่อให้ได้การเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชั่วคราว, การดำเนินการทดสอบ เพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ และถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ พิสูจน์ว่า ประสบผลสำเร็จ จึงให้ความร้อนและบ่มแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างเพิ่มต่อไปอีก เพื่อให้ได้ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสุดท้าย หรือถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ดังกล่าว พิสูจน์ว่าไม่ประสบผลสำเร็จ จึงถอดชิปหรือแพ็คเกจที่บกพร่องที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งเพียงพอที่จะเป็นเหตุให้เกิดการก่อสภาพเป็นของไหลของแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่าง และ กระทำซ้ำในขั้นตอนที่บรรยายไว้ข้างต้นโดยใช้ชิปหรือแพ็คเกจใหม่แบบมีปุ่ม
Claims (10)
1. วิธีการบรรจุของชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่ม ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ (ก) การเตรียมชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่ม และแผ่นฐานรอง เพื่อการ ดำเนินการบรรจุโดยการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าให้แก่ปุ่มดังกล่าวของชิปหรือแพ็ตเกจของสารกึ่งตัวนำ แบบมีปุ่มดังกล่าว เข้ากับขั้วเชื่อมต่อบนแผ่นฐานรองดังกล่าว (ข) การจัดแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างชนิดเธอร์โมเซททิงและทำให้เป็นของไหลด้วย ความร้อน ไว้ระหว่างชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่มดังกล่าวและแผ่นฐานรองดังกล่าว และการจัดแนวปุ่มดังกล่าว และขั้วเชื่อมต่อดังกล่าวของแผ่นฐานรองดังกล่าวให้ตรงกัน (ค) การให้ความร้อนและความดันที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งสูงเพียงพอที่จะ เป็นเหตุให้เกิดการก่อสภาพเป็นของไหลของแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างดังกล่าว และการเชื่อมต่อ ทางไฟฟ้าชั่วคราวให้ปุ่มดังกล่าวากับขั้วเชื่อมต่อดังกล่าว (ง) การดำเนินการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ของชิปหรือแพ็คเกจของ สารกึ่งตัวนำดังกล่าว หรืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ได้ทั้งชุด และ (จ) ถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ดังกล่าว พิสูจน์ว่าประสบผลสำเร็จ จึงให้ความร้อนและบ่มแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่าง เพิ่มต่อไปอีก เพื่อให้ได้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ขั้นสุดท้าย หรือถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ดังกล่าวพิสูจน์ว่าไม่ประสบ ผลสำเร็จ จึงถอดชิปหรือแพ็คเกจที่บกพร่องที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งเพียงพอที่จะเป็นเหตุ ให้ก่อสภาพเป็นของไหลของแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างดังกล่าว และกระทำซ้ำในขั้นตอน (ค) ถึง (จ) โดยใช้ชิปหรือแพ็คเกจใหม่แบบมีปุ่ม
2. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่ง แผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างดังกล่าวแสดงให้ เห็นถึงสภาพเป็นของไหลด้วยความร้อนที่ความเค้นระดับหนึ่ง หรือสูงกว่านั้น แต่ไม่แสดงสภาพเป็น ของไหลด้วยความร้อนที่ความเค้นที่ต่ำกว่าความเค้นระดับหนึ่งดังกล่าว
3. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือข้อ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งแผ่นฟิล์มของวัสดุ อุดช่องว่างดังกล่าวได้รับการบ่มบางส่วนก่อนการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชั่วคราวในขั้นตอน (ค) ดังกล่าว
4. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งดำเนินการให้ความร้อน ต่อไปสำหรับการบ่มด้วยความร้อนในขั้นตอน (จ) ที่อุณหภูมิหนึ่งที่ต่ำลง และเป็นเวลานานกว่า การให้ความร้อนในขั้นตอนการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชั่วคราว (ค) ดังกล่าว
5. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งเมื่อการทดสอบเพื่อยืนยัน การดำเนินการทำงานได้ดังกล่าว มิได้พิสูจน์ว่าประสบผลสำเร็จในขั้นตอน (ง) ดังกล่าว ใส่แรงฉือน ในทิศทางขนานกับพื้นผิวแบนราบของแผ่นฐานรองดังกล่าว ภายใต้ภาวะกำลังให้ความร้อนเพื่อ ปลดการเชื่อมต่อระหว่างชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่มดังกล่าว และขั้วเชื่อมต่อของ แผ่นฐานรองดังกล่าว
6. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งการเชื่อมต่อทางไฟฟ้า ชั่วคราวกระทำโดยการให้ความร้อนที่อุณหภูมิ 120 ถึง 220 ํซ. เป็นเวลา 0.5 ถึง 10 วินาที ในขั้นตอน (ค) ดังกล่าว และการบ่มกระทำโดยการให้ความร้อนที่อุณหภูมิ 30 ถึง 100 ํซ. เป็นเวลา 1 ถึง 5 ชั่วโมง เพื่อให้ได้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
7. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งการให้ความร้อนเพื่อ การบ่มภายหลังดำเนินต่อไปอีกที่อุณหภูมิ 100 ถึง 180 ํซ. หลังจากการให้ความร้อนสำหรับการบ่ม ด้วยความร้อนในขั้นตอน (จ) ดังกล่าว
8. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งแผ่นฟิล์มของวัสดุ อุดช่องว่างดังกล่าวมีทั้งส่วนประกอบชนิดเธอร์โมพลาสติกและส่วนประกอบชนิดเธอร์โมเซททิง
9. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างดังกล่าวมีเรซิน ที่ดัดแปลงด้วยพอลิแคพรอแลคโทน
10. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 8 หรือข้อ 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งแผ่นฟิล์มของวัสดุ อุดช่องว่างดังกล่าวมีอนุภาคสารอินทรีย์
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH89243A true TH89243A (th) | 2008-03-31 |
| TH107337A TH107337A (th) | 2011-04-29 |
| TH89243B TH89243B (th) | 2022-08-09 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20080017976A1 (en) | Capillary underfill and mold encapsulation method and apparatus | |
| US7510108B2 (en) | Method of making an electronic assembly | |
| Shen et al. | Finite-element analysis and experimental test for a capped-die flip-chip package design | |
| Otto et al. | Lifetime modelling of discrete power electronic devices for automotive applications | |
| JP2013239660A5 (th) | ||
| Bouarroudj et al. | Temperature-level effect on solder lifetime during thermal cycling of power modules | |
| US8148829B2 (en) | Self repairing IC package design | |
| TW200746332A (en) | Method of manufacturing a semiconductor device | |
| US20070018310A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| CN101252099B (zh) | 温度循环测试装置及利用此装置加热芯片倒装封装结构 | |
| CN1157782C (zh) | 利用加热到部分凝胶态的底层填料底层填充控制熔塌芯片连接(c4)集成电路封装的方法 | |
| Yang et al. | Vertical die crack stresses of Flip Chip induced in major package assembly processes | |
| JP3520208B2 (ja) | 回路基板への半導体素子の装着方法、及び半導体装置 | |
| TW201430965A (zh) | 倒裝晶片構件之樹脂密封方法 | |
| Haodong et al. | Thermal fatigue life of ceramic based BGA solder joints after reflux warping | |
| TW200741909A (en) | Packaging method of chip or package equipped with bumps | |
| CN100449719C (zh) | 具热塑材料制成下填料的电子组件及其制造方法 | |
| Zheng et al. | Delamination mechanisms of thermal interface materials in organic packages during reflow and moisture soaking | |
| US20070194457A1 (en) | Semiconductor package featuring thin semiconductor substrate and liquid crystal polymer sheet, and method for manufacturing such semiconductor package | |
| CN107801320A (zh) | 一种组件与印刷电路板之间的封装结构及其制造方法 | |
| Liu et al. | Investigation of interface delamination in a SO8 package under reflow | |
| Shao et al. | Investigation of moisture-induced warpage of chip-on-wafer in 2.5 D IC package | |
| Schreier-Alt et al. | Stress analysis during assembly and packaging | |
| TWI431698B (zh) | 封裝方法 | |
| Zhang et al. | Failure analysis of thermal degradation of TIM during power cycling |