TH89243A - วิธีการบรรจุของชิป หรือแพ็คเกจแบบมีปุ่ม - Google Patents

วิธีการบรรจุของชิป หรือแพ็คเกจแบบมีปุ่ม

Info

Publication number
TH89243A
TH89243A TH701001160A TH0701001160A TH89243A TH 89243 A TH89243 A TH 89243A TH 701001160 A TH701001160 A TH 701001160A TH 0701001160 A TH0701001160 A TH 0701001160A TH 89243 A TH89243 A TH 89243A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
package
film
chip
substrate
filler
Prior art date
Application number
TH701001160A
Other languages
English (en)
Other versions
TH107337A (th
TH89243B (th
Inventor
คาวาเตะ นายโคฮิชิโร
คาวาเตะ นายโยชิฮิสะ
ซี ล็อตเทส นายแอนดรูว์
Original Assignee
3เอ็ม อินโนเวทีฟ พร็อพเพอร์ตีส์ คัมปะนี
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
นายบุญมา เตชะวณิช
Filing date
Publication date
Application filed by 3เอ็ม อินโนเวทีฟ พร็อพเพอร์ตีส์ คัมปะนี, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก, นายบุญมา เตชะวณิช filed Critical 3เอ็ม อินโนเวทีฟ พร็อพเพอร์ตีส์ คัมปะนี
Publication of TH89243A publication Critical patent/TH89243A/th
Publication of TH107337A publication Critical patent/TH107337A/th
Publication of TH89243B publication Critical patent/TH89243B/th

Links

Abstract

DC60 ในการจัดให้มีวิธีการบรรจุ ซึ่งเชื่อมต่อชิปของสารกึ่งตัวนำและแผ่นฐานรอง โดยใช้วัสดุ อุดช่องว่าง และหลังจากการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ วัสดุอุดช่องว่างนั้นจะได้รับ การบ่มด้วยความร้อน วิธีการบรรจุของชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่ม ประกอบด้วยขั้นตอนของ การจัดแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างชนิดเธอร์โมเซททิงและทำให้เป็นของไหลด้วยความร้อน ไว้ ระหว่างชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่มและแผ่นฐานรอง, การให้ความร้อนและความดัน ที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งสูงเพียงพอที่จะเป็นเหตุให้เกิดการก่อสภาพเป็นของไหลของ แผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่าง และเพื่อให้ได้การเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชั่วคราว, การดำเนินการทดสอบ เพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ และถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ พิสูจน์ว่า ประสบผลสำเร็จ จึงให้ความร้อนและบ่มแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างเพิ่มต่อไปอีก เพื่อให้ได้ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสุดท้าย หรือถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ดังกล่าว พิสูจน์ว่าไม่ประสบผลสำเร็จ จึงถอดชิปหรือแพ็คเกจที่บกพร่องที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งเพียงพอที่จะเป็นเหตุให้เกิดการก่อสภาพเป็นของไหลของแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่าง และ กระทำซ้ำในขั้นตอนที่บรรยายไว้ข้างต้นโดยใช้ชิปหรือแพ็คเกจใหม่แบบมีปุ่ม ในการจัดให้มีวิธีการบรรจุ ซึ่งเชื่อมต่อชิปของสารกึ่งตัวนำและแผ่นฐานรอง โดยใช้วัสดุ อุดช่องว่าง และหลังจากการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ วัสดุอุดช่องว่างนั้นจะได้รับ การบ่มด้วยความร้อน วิธีการบรรจุของชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่ม ประกอบด้วยขั้นตอนของ การจัดแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างชนิดเธอร์โมเซททิงและทำให้เป็นของไหลด้วยความร้อน ไว้ ระหว่างชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่มและแผ่นฐานรอง, การให้ความร้อนและความดัน ที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งสูงเพียงพอที่จะเป็นเหตุให้เกิดการก่อสภาพเป็นของไหลของ แผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่าง และเพื่อให้ได้การเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชั่วคราว, การดำเนินการทดสอบ เพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ และถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ พิสูจน์ว่า ประสบผลสำเร็จ จึงให้ความร้อนและบ่มแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างเพิ่มต่อไปอีก เพื่อให้ได้ อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขั้นสุดท้าย หรือถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ดังกล่าว พิสูจน์ว่าไม่ประสบผลสำเร็จ จึงถอดชิปหรือแพ็คเกจที่บกพร่องที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งเพียงพอที่จะเป็นเหตุให้เกิดการก่อสภาพเป็นของไหลของแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่าง และ กระทำซ้ำในขั้นตอนที่บรรยายไว้ข้างต้นโดยใช้ชิปหรือแพ็คเกจใหม่แบบมีปุ่ม

Claims (10)

1. วิธีการบรรจุของชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่ม ซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ (ก) การเตรียมชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่ม และแผ่นฐานรอง เพื่อการ ดำเนินการบรรจุโดยการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าให้แก่ปุ่มดังกล่าวของชิปหรือแพ็ตเกจของสารกึ่งตัวนำ แบบมีปุ่มดังกล่าว เข้ากับขั้วเชื่อมต่อบนแผ่นฐานรองดังกล่าว (ข) การจัดแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างชนิดเธอร์โมเซททิงและทำให้เป็นของไหลด้วย ความร้อน ไว้ระหว่างชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่มดังกล่าวและแผ่นฐานรองดังกล่าว และการจัดแนวปุ่มดังกล่าว และขั้วเชื่อมต่อดังกล่าวของแผ่นฐานรองดังกล่าวให้ตรงกัน (ค) การให้ความร้อนและความดันที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งสูงเพียงพอที่จะ เป็นเหตุให้เกิดการก่อสภาพเป็นของไหลของแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างดังกล่าว และการเชื่อมต่อ ทางไฟฟ้าชั่วคราวให้ปุ่มดังกล่าวากับขั้วเชื่อมต่อดังกล่าว (ง) การดำเนินการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ของชิปหรือแพ็คเกจของ สารกึ่งตัวนำดังกล่าว หรืออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ที่ได้ทั้งชุด และ (จ) ถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ดังกล่าว พิสูจน์ว่าประสบผลสำเร็จ จึงให้ความร้อนและบ่มแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่าง เพิ่มต่อไปอีก เพื่อให้ได้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ขั้นสุดท้าย หรือถ้าการทดสอบเพื่อยืนยันการดำเนินการทำงานได้ดังกล่าวพิสูจน์ว่าไม่ประสบ ผลสำเร็จ จึงถอดชิปหรือแพ็คเกจที่บกพร่องที่อุณหภูมิหนึ่งและความดันหนึ่ง ซึ่งเพียงพอที่จะเป็นเหตุ ให้ก่อสภาพเป็นของไหลของแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างดังกล่าว และกระทำซ้ำในขั้นตอน (ค) ถึง (จ) โดยใช้ชิปหรือแพ็คเกจใหม่แบบมีปุ่ม
2. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ซึ่ง แผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างดังกล่าวแสดงให้ เห็นถึงสภาพเป็นของไหลด้วยความร้อนที่ความเค้นระดับหนึ่ง หรือสูงกว่านั้น แต่ไม่แสดงสภาพเป็น ของไหลด้วยความร้อนที่ความเค้นที่ต่ำกว่าความเค้นระดับหนึ่งดังกล่าว
3. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือข้อ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งแผ่นฟิล์มของวัสดุ อุดช่องว่างดังกล่าวได้รับการบ่มบางส่วนก่อนการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชั่วคราวในขั้นตอน (ค) ดังกล่าว
4. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งดำเนินการให้ความร้อน ต่อไปสำหรับการบ่มด้วยความร้อนในขั้นตอน (จ) ที่อุณหภูมิหนึ่งที่ต่ำลง และเป็นเวลานานกว่า การให้ความร้อนในขั้นตอนการเชื่อมต่อทางไฟฟ้าชั่วคราว (ค) ดังกล่าว
5. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งเมื่อการทดสอบเพื่อยืนยัน การดำเนินการทำงานได้ดังกล่าว มิได้พิสูจน์ว่าประสบผลสำเร็จในขั้นตอน (ง) ดังกล่าว ใส่แรงฉือน ในทิศทางขนานกับพื้นผิวแบนราบของแผ่นฐานรองดังกล่าว ภายใต้ภาวะกำลังให้ความร้อนเพื่อ ปลดการเชื่อมต่อระหว่างชิปหรือแพ็คเกจของสารกึ่งตัวนำแบบมีปุ่มดังกล่าว และขั้วเชื่อมต่อของ แผ่นฐานรองดังกล่าว
6. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งการเชื่อมต่อทางไฟฟ้า ชั่วคราวกระทำโดยการให้ความร้อนที่อุณหภูมิ 120 ถึง 220 ํซ. เป็นเวลา 0.5 ถึง 10 วินาที ในขั้นตอน (ค) ดังกล่าว และการบ่มกระทำโดยการให้ความร้อนที่อุณหภูมิ 30 ถึง 100 ํซ. เป็นเวลา 1 ถึง 5 ชั่วโมง เพื่อให้ได้อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์
7. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 6 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งการให้ความร้อนเพื่อ การบ่มภายหลังดำเนินต่อไปอีกที่อุณหภูมิ 100 ถึง 180 ํซ. หลังจากการให้ความร้อนสำหรับการบ่ม ด้วยความร้อนในขั้นตอน (จ) ดังกล่าว
8. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึงข้อ 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งแผ่นฟิล์มของวัสดุ อุดช่องว่างดังกล่าวมีทั้งส่วนประกอบชนิดเธอร์โมพลาสติกและส่วนประกอบชนิดเธอร์โมเซททิง
9. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งแผ่นฟิล์มของวัสดุอุดช่องว่างดังกล่าวมีเรซิน ที่ดัดแปลงด้วยพอลิแคพรอแลคโทน
10. วิธีการดังที่ถือสิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 8 หรือข้อ 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งแผ่นฟิล์มของวัสดุ อุดช่องว่างดังกล่าวมีอนุภาคสารอินทรีย์
TH701001160A 2006-11-30 วิธีการสำหรับการขจัดแคลเซียมจากน้ำมันดิบ TH89243B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH89243A true TH89243A (th) 2008-03-31
TH107337A TH107337A (th) 2011-04-29
TH89243B TH89243B (th) 2022-08-09

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080017976A1 (en) Capillary underfill and mold encapsulation method and apparatus
US7510108B2 (en) Method of making an electronic assembly
Shen et al. Finite-element analysis and experimental test for a capped-die flip-chip package design
Otto et al. Lifetime modelling of discrete power electronic devices for automotive applications
JP2013239660A5 (th)
Bouarroudj et al. Temperature-level effect on solder lifetime during thermal cycling of power modules
US8148829B2 (en) Self repairing IC package design
TW200746332A (en) Method of manufacturing a semiconductor device
US20070018310A1 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN101252099B (zh) 温度循环测试装置及利用此装置加热芯片倒装封装结构
CN1157782C (zh) 利用加热到部分凝胶态的底层填料底层填充控制熔塌芯片连接(c4)集成电路封装的方法
Yang et al. Vertical die crack stresses of Flip Chip induced in major package assembly processes
JP3520208B2 (ja) 回路基板への半導体素子の装着方法、及び半導体装置
TW201430965A (zh) 倒裝晶片構件之樹脂密封方法
Haodong et al. Thermal fatigue life of ceramic based BGA solder joints after reflux warping
TW200741909A (en) Packaging method of chip or package equipped with bumps
CN100449719C (zh) 具热塑材料制成下填料的电子组件及其制造方法
Zheng et al. Delamination mechanisms of thermal interface materials in organic packages during reflow and moisture soaking
US20070194457A1 (en) Semiconductor package featuring thin semiconductor substrate and liquid crystal polymer sheet, and method for manufacturing such semiconductor package
CN107801320A (zh) 一种组件与印刷电路板之间的封装结构及其制造方法
Liu et al. Investigation of interface delamination in a SO8 package under reflow
Shao et al. Investigation of moisture-induced warpage of chip-on-wafer in 2.5 D IC package
Schreier-Alt et al. Stress analysis during assembly and packaging
TWI431698B (zh) 封裝方法
Zhang et al. Failure analysis of thermal degradation of TIM during power cycling