TH85816A - Flexible substrate And production method - Google Patents

Flexible substrate And production method

Info

Publication number
TH85816A
TH85816A TH601002846A TH0601002846A TH85816A TH 85816 A TH85816 A TH 85816A TH 601002846 A TH601002846 A TH 601002846A TH 0601002846 A TH0601002846 A TH 0601002846A TH 85816 A TH85816 A TH 85816A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
microns
substrate
thickness
flexible substrate
production method
Prior art date
Application number
TH601002846A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH85816B (en
Inventor
จี. ตรวง นายธัค
เป็ง ลี นายยอง
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH85816A publication Critical patent/TH85816A/en
Publication of TH85816B publication Critical patent/TH85816B/en

Links

Abstract

DC60 (18/09/49) ซับสเทรตแบบอ่อนตัวได้สำหรับวงจรแบบอ่อนตัวได้ที่จัดเตรียมโดยซับสเทรตที่มีความหนา ในช่วง 25 ไมครอน ถึง 60 ไมครอน ที่ประกอบด้วยเขตอย่างน้อยที่สุดหนึ่งเขต ที่ความหนาของ ซับสเทรตดังกล่าวได้รับการลดลงจนถึงน้อยกว่า 25 ไมครอน เขตที่มีความหนาลดลงนี้อาจได้รับ การกำหนดโดยการทำให้แยกตัวออกด้วยเลเซอร์ ซับสเทรตแบบอ่อนตัวได้สำหรับวงจรแบบอ่อนตัวได้ที่จัดเตรียมโดยซับสเทรตที่มีความหนา ในช่วง 25 ไมครอน ถึง 60 ไมครอน ที่ประกอบด้วยเขตอย่างน้อยที่สุดหนึ่งเขต ที่ความหนาของ ซับสเทรตดังกล่าวได้รับการลดลงจนถึงน้อยกว่า 25 ไมครอน เขตที่มีความหนาลดลงนี้อาจได้รับ การกำหนดโดยการทำให้แยกตัวออกด้วยเลเซอร์ DC60 (18/09/49) A flexible substrate for a flexible circuit is provided by a substrate with a thickness in the range of 25 microns to 60 microns containing at least one zone. county At the thickness of The substrate has been reduced to less than 25 microns. This reduction in thickness may be Determination by Laser Isolation Flexible substrates for flexible circuits are provided by substrates with thicknesses in the range of 25 microns to 60 microns containing at least one zone. At the thickness of The substrate has been reduced to less than 25 microns. This reduction in thickness may be Determination by Laser Isolation

Claims (3)

1. วิธีการลดความหนาที่เขตของซับสเทรตสำหรับวงจรแบบอ่อนตัวได้โดยใช้เลเซอร์ ซึ่งวิธีการนี้ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ การตัดผ่านของลำเลเซอร์จากเลเซอร์ดังกล่าวที่เล็งกับพื้นผิวของซับสเทรตบนเขต ดังกล่าวของซับสเทรตดังกล่าวเพื่อแยกพื้นผิวของซับสเทรตดังกล่าวออก1. Method for reducing the thickness of the substrate for flexible circuits using a laser. Which this method consists of steps of The cut through the laser beam from the laser aimed at the surface of the substrate on the zone. Of the said substrate to separate the surface of the said substrate. 2. วิธีการดังที่ถือสิทธิไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งซับสเทรตมีความหนาในช่วง 25 ไมครอน ถึง 60 ไมครอน ที่ปลอดภัยสำหรับเขตดังกล่าวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งเขต2. The method, as set forth in claim 1, where substrates have thicknesses in the range of 25 microns to 60 microns, are safe for at least one such area. 3. แท็ก :3. Tags:
TH601002846A 2006-06-20 Flexible substrate And production method TH85816B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH85816A true TH85816A (en) 2007-08-10
TH85816B TH85816B (en) 2007-08-10

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI346593B (en) Laser processing method and semiconductor chip
SI1989740T1 (en) Solar cell marking method, and solar cell
WO2009142869A3 (en) Methods of forming structures supported by semiconductor substrates
ATE504543T1 (en) COMPOSITE OF AT LEAST TWO SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND PRODUCTION PROCESS
MY146899A (en) Laser processing method and semiconductor chip
WO2008149717A1 (en) Light reflecting plate, method of manufacturing the same, and light reflecting device
WO2011006634A3 (en) Method for the production of a multilayer element, and multilayer element
TW200746371A (en) Surface mountable optoelectronic component and its production method
EP1906438A4 (en) Method for cutting workpiece
EP2275790A3 (en) Integrated polarization sensor
WO2009060821A1 (en) Circuit board and method for manufacturing the same
WO2011025149A3 (en) Method for manufacturing a semiconductor substrate and method for manufacturing a light-emitting device
WO2010139342A8 (en) Lens and method for manufacturing same
FR2963982B1 (en) LOW TEMPERATURE BONDING PROCESS
WO2009115192A3 (en) Ni-p layer system and process for its preparation
WO2010011009A9 (en) Metal substrate for an electronic component module, module comprising same, and method for manufacturing a metal substrate for an electronic component module
WO2008110883A3 (en) Methods for manufacturing laminate, device applied herewith, laminate obtained herewith, method for encasing substrates and encased substrate obtained herewith
TW200744417A (en) Method for manufacturing stack via of HDI printed circuit board
TW200642833A (en) Polyimide film, polyimide metal laminate using the same and manufacturing method thereof
TW200640283A (en) Method of manufacturing an organic electronic device
TW200615135A (en) Carrier film for ceramic green sheet, ceramic green sheet processing method using it and manufacturing method of electronic part
TW200744424A (en) Method for manufacturing via holes used in printed circuit boards
ATE452051T1 (en) STRUCTURAL COMPONENT, IN PARTICULAR HEAT SHIELD
MY154122A (en) Electronic circuit, method for forming same, and copper clad laminate for forming electronic circuit
WO2007024714A3 (en) Process for modifying dielectric materials