TH85816B - Flexible substrate And production method - Google Patents

Flexible substrate And production method

Info

Publication number
TH85816B
TH85816B TH601002846A TH0601002846A TH85816B TH 85816 B TH85816 B TH 85816B TH 601002846 A TH601002846 A TH 601002846A TH 0601002846 A TH0601002846 A TH 0601002846A TH 85816 B TH85816 B TH 85816B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
substrate
microns
production method
flexible substrate
thickness
Prior art date
Application number
TH601002846A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH85816A (en
Inventor
จี. ตรวง 2. นายยอง เป็ง ลี ทั้งหมดอยู่ที่ นายธัค
Original Assignee
3 เอ็ม อินโนเวทีฟ พร็อพเพอร์ตีส์ คัมปะนี
Filing date
Publication date
Application filed by 3 เอ็ม อินโนเวทีฟ พร็อพเพอร์ตีส์ คัมปะนี filed Critical 3 เอ็ม อินโนเวทีฟ พร็อพเพอร์ตีส์ คัมปะนี
Publication of TH85816A publication Critical patent/TH85816A/en
Publication of TH85816B publication Critical patent/TH85816B/en

Links

Abstract

ซับสเทรตแบบอ่อนตัวได้สำหรับวงจรแบบอ่อนตัวได้ที่จัดเตรียมโดยซับสเทรตที่มีความหนา ในช่วง 25 ไมครอน ถึง 60 ไมครอน ที่ประกอบด้วยเขตอย่างน้อยที่สุดหนึ่งเขต ที่ความหนาของ ซับสเทรตดังกล่าวได้รับการลดลงจนถึงน้อยกว่า 25 ไมครอน เขตที่มีความหนาลดลงนี้อาจได้รับ การกำหนดโดยการทำให้แยกตัวออกด้วยเลเซอร์ Flexible substrates for flexible circuits are provided by substrates with thicknesses in the range of 25 microns to 60 microns containing at least one zone. At the thickness of The substrate has been reduced to less than 25 microns. This reduction in thickness may be Determination by Laser Isolation

Claims (3)

1. วิธีการลดความหนาที่เขตของซับสเทรตสำหรับวงจรแบบอ่อนตัวได้โดยใช้เลเซอร์ ซึ่งวิธีการนี้ประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ การตัดผ่านของลำเลเซอร์จากเลเซอร์ดังกล่าวที่เล็งกับพื้นผิวของซับสเทรตบนเขต ดังกล่าวของซับสเทรตดังกล่าวเพื่อแยกพื้นผิวของซับสเทรตดังกล่าวออก1. Method for reducing the thickness of the substrate for flexible circuits using a laser. Which this method consists of steps of The cutting of the laser beam from the laser aimed at the surface of the substrate on the zone Of the said substrate to separate the surface of the said substrate. 2. วิธีการดังที่ถือสิทธิไว้ในข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งซับสเทรตมีความหนาในช่วง 25 ไมครอน ถึง 60 ไมครอน ที่ปลอดภัยสำหรับเขตดังกล่าวอย่างน้อยที่สุดหนึ่งเขต2. The method, as held in claim 1, where substrates are available in thicknesses in the range of 25 microns to 60 microns are safe for at least one such area 3.3.
TH601002846A 2006-06-20 Flexible substrate And production method TH85816B (en)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH85816A TH85816A (en) 2007-08-10
TH85816B true TH85816B (en) 2007-08-10

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PT1989740E (en) Solar cell marking method, and solar cell
TWI346593B (en) Laser processing method and semiconductor chip
EP1906438A4 (en) Method for cutting workpiece
WO2009142869A3 (en) Methods of forming structures supported by semiconductor substrates
ATE504543T1 (en) COMPOSITE OF AT LEAST TWO SEMICONDUCTOR SUBSTRATES AND PRODUCTION PROCESS
WO2008107194A3 (en) Method for the precision processing of substrates and use of said method
WO2009121944A3 (en) Method for assembling two surfaces, or one surface, with a molecule of interest
MY146899A (en) Laser processing method and semiconductor chip
WO2009030204A3 (en) Semiconductor component and method for producing a semiconductor component
WO2010139342A8 (en) Lens and method for manufacturing same
WO2008140818A3 (en) Method and apparatus for scoring and separating a brittle material with a single beam of radiation
WO2012004699A3 (en) Panel and method for manufacturing panels
SG131773A1 (en) Method of dividing a non-metal substrate
WO2011006634A3 (en) Method for the production of a multilayer element, and multilayer element
WO2011025149A3 (en) Method for manufacturing a semiconductor substrate and method for manufacturing a light-emitting device
WO2009115192A3 (en) Ni-p layer system and process for its preparation
EP2275790A3 (en) Integrated polarization sensor
WO2009064872A3 (en) Particle beam assisted modifcation of thin film materials
WO2008040895A3 (en) Mesostructured skins for application in the aeronautics and aerospace industries
WO2007003826A3 (en) Method for making nanostructures
WO2007019487A3 (en) Method and system for fabricating thin devices
TW200640283A (en) Method of manufacturing an organic electronic device
TW200641086A (en) Adhesive sheet for dicing and dicing method using the same
WO2007017015A3 (en) Layer composite and production thereof
WO2010058907A3 (en) Silicon substrate for solar battery, manufacturing apparatus thereof, manufacturing method thereof, and solar battery