TH81574A - - Google Patents
Info
- Publication number
- TH81574A TH81574A TH601000561A TH0601000561A TH81574A TH 81574 A TH81574 A TH 81574A TH 601000561 A TH601000561 A TH 601000561A TH 0601000561 A TH0601000561 A TH 0601000561A TH 81574 A TH81574 A TH 81574A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- oxygen
- nitrogen
- substrate
- sweeping
- ceramic membrane
- Prior art date
Links
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 17
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract 5
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (28/04/49) กรรมวิธีสำหรับการทำให้อุดมไปด้วยปริมาณของออกซิเจนในแก๊สซึ่งมีออกซิเจนและ ไนโตรเจนในเครื่องแยกซึ่งมีส่วนภายในซึ่งได้รับการแบ่งเป็นห้องซับสเทรทและเป็นห้องซึมผ่านโดย เมมเบรนชนิดเซรามิกเพื่อการเหนี่ยวนำออกซิเจนได้รับการบรรยายไว้ กรรมวิธีประกอบรวมด้วย การนำเข้าแก๊สกวาดซึ่งมีออกซิเจนและไนโตรเจนไปในห้องซึมผ่านและการทำให้เกิดความดันใน ห้องซับสเทรทเพื่อที่ว่าความดันย่อยของออกซิเจนในห้องซับสเทรทและห้องกวาดจะส่งผลให้เกิด การถ่ายโอนของออกซิเจนผ่านเมมเบรนเซรามิกนี้ กรรมวิธีนี้ได้ทำให้มีความโดดเด่นในด้านความปลอดภัยในเชิงปฏิบัติการสูง กรรมวิธีสำหรับการทำให้อุดมไปด้วยปริมาณของออกซิเจนในแก๊สซึ่งมีออกซิเจนและ ไนโตรเจนในเครื่องแยกซึ่งมีส่วนภายในซึ่งได้รับการแบ่งเป็นห้องซับสเทรทและเป็นห้องซึมผ่านโดย เมมเบรนชนิดเซรามิกเพื่อการเหนี่ยวนำออกซิเจนได้รับการบรรยายไว้ กรรมวิธีประกอบรวมด้วย การนำเข้าแก๊สกวาดซึ่งมีออกซิเจนและไนโตรเจนไปในห้องซึมผ่านและการทำให้เกิดความดันใน ห้องซับสเทรทเพื่อที่ว่าความดันย่อยของออกซิเจนในห้องซับสเทรทและห้องกวาดจะส่งผลให้เกิด การถ่ายโอนของออกซิเจนผ่านเมมเบรนเซรามิกนี้ กรรมวิธีนี้ได้ทำให้มีความโดดเด่นในด้านความปลอดภัยในเชิงปฏิบัติการสูง
Claims (1)
1. กรรมวิธีสำหรับการทำให้อุดมไปด้วยปริมาณออกซิเจนในแก๊สซึ่งมีออกซิเจนและไนโตรเจน ในเครื่องแยกซึ่งมีส่วนภายในที่ได้รับการแบ่งเป็นห้องซับสเทรทและเป็นห้องซึมผ่าน โดยเมมเบรน ชนิดเซรามิกเพื่อการเหนี่ยวนำออกซิเจน ซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอน : a) การอัดและให้ความร้อนแก๊ซซึ่งมีออกซิเจนเพื่อให้แก๊สป้อน b) การนำเข้าแก๊สป้อนที่ผ่านการอัดและให้ความร้อนแล้วไปในห้องซับสเทรทของ เครื่องแยก c) การนำเข้าแก๊สกวาดซึ่งมีออกซิเจนและไนโตรเจนแท็ก :
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH81574B TH81574B (th) | 2006-11-30 |
| TH81574A true TH81574A (th) | 2006-11-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200638984A (en) | Process for oxygen enrichment in gases, plants suitable for this purpose and the use thereof | |
| WO2009022590A1 (ja) | 加熱炉および加熱炉の加熱方法 | |
| TW200717611A (en) | Film formation method and apparatus for semiconductor process | |
| TW200606276A (en) | Vacuum film-forming apparatus | |
| EP1936006A3 (en) | Pressure swing CVI/CVD | |
| MX2007009897A (es) | Metodo para la densificacion de sustratos porosos delgados por medio de infiltracion quimica de fase de vapor y dispositivo para cargar tales sustratos. | |
| TW200719945A (en) | Method of treating gas | |
| TW200721307A (en) | Method and apparatus for forming silicon-containing insulating film | |
| WO2002084701A3 (en) | Plasma reactor electrode | |
| ATE551438T1 (de) | Cvd-reaktor mit absenkbarer prozesskammerdecke | |
| WO2006017596A3 (en) | Heated gas box for pecvd applications | |
| TW200731407A (en) | Manufacturing method for a semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| TW200727969A (en) | Process abatement reactor | |
| WO2006034130A3 (en) | Apparatus and process for surface treatment of substrate using an activated reactive gas | |
| TW200719412A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| WO2007053016A3 (en) | Surface and method for the manufacture of photovolataic cells using a diffusion process | |
| WO2009148913A3 (en) | Method for treating substrates | |
| TW200722544A (en) | Method for depositing a vapour deposition material | |
| DE60321535D1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur stückweisen und zur kontinuierlichen Verdichtung durch chemische Dampfphaseninfitration (CVI) | |
| TW200618038A (en) | Apparatus and method of manufacturing fluorescent lamp | |
| TW200520109A (en) | Atomic layer deposition process and apparatus | |
| TW200632240A (en) | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus | |
| EA200801948A1 (ru) | Система и способ дегазации полимерного порошка | |
| TW200644090A (en) | Plasma doping method and system | |
| WO2008080249A3 (en) | Apparatus for gas handling in vacuum processes |