TH81574A - - Google Patents
Info
- Publication number
- TH81574A TH81574A TH601000561A TH0601000561A TH81574A TH 81574 A TH81574 A TH 81574A TH 601000561 A TH601000561 A TH 601000561A TH 0601000561 A TH0601000561 A TH 0601000561A TH 81574 A TH81574 A TH 81574A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- oxygen
- nitrogen
- substrate
- sweeping
- ceramic membrane
- Prior art date
Links
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract 17
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 17
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N oxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 17
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 8
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims abstract 5
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims abstract 5
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims abstract 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (28/04/49) กรรมวิธีสำหรับการทำให้อุดมไปด้วยปริมาณของออกซิเจนในแก๊สซึ่งมีออกซิเจนและ ไนโตรเจนในเครื่องแยกซึ่งมีส่วนภายในซึ่งได้รับการแบ่งเป็นห้องซับสเทรทและเป็นห้องซึมผ่านโดย เมมเบรนชนิดเซรามิกเพื่อการเหนี่ยวนำออกซิเจนได้รับการบรรยายไว้ กรรมวิธีประกอบรวมด้วย การนำเข้าแก๊สกวาดซึ่งมีออกซิเจนและไนโตรเจนไปในห้องซึมผ่านและการทำให้เกิดความดันใน ห้องซับสเทรทเพื่อที่ว่าความดันย่อยของออกซิเจนในห้องซับสเทรทและห้องกวาดจะส่งผลให้เกิด การถ่ายโอนของออกซิเจนผ่านเมมเบรนเซรามิกนี้ กรรมวิธีนี้ได้ทำให้มีความโดดเด่นในด้านความปลอดภัยในเชิงปฏิบัติการสูง กรรมวิธีสำหรับการทำให้อุดมไปด้วยปริมาณของออกซิเจนในแก๊สซึ่งมีออกซิเจนและ ไนโตรเจนในเครื่องแยกซึ่งมีส่วนภายในซึ่งได้รับการแบ่งเป็นห้องซับสเทรทและเป็นห้องซึมผ่านโดย เมมเบรนชนิดเซรามิกเพื่อการเหนี่ยวนำออกซิเจนได้รับการบรรยายไว้ กรรมวิธีประกอบรวมด้วย การนำเข้าแก๊สกวาดซึ่งมีออกซิเจนและไนโตรเจนไปในห้องซึมผ่านและการทำให้เกิดความดันใน ห้องซับสเทรทเพื่อที่ว่าความดันย่อยของออกซิเจนในห้องซับสเทรทและห้องกวาดจะส่งผลให้เกิด การถ่ายโอนของออกซิเจนผ่านเมมเบรนเซรามิกนี้ กรรมวิธีนี้ได้ทำให้มีความโดดเด่นในด้านความปลอดภัยในเชิงปฏิบัติการสูง DC60 (28/04/49) A process for the enrichment of oxygen in gases containing oxygen and The nitrogen in the separator has an internal part which is divided into a substrate and a permeability chamber by A ceramic membrane for oxygen induction is described. The process includes The introduction of sweeping gases containing oxygen and nitrogen into the permeability chambers and the formation of pressure in Substrates so that the digested oxygen pressures in the substrate and sweeping chambers result in Transfer of oxygen through this ceramic membrane. This method has made it outstanding in terms of high operational safety. Processes for the enrichment of oxygen in gases containing oxygen and The nitrogen in the separator has an internal part which is divided into a substrate and a permeability chamber by A ceramic membrane for oxygen induction is described. The process includes The introduction of sweeping gases containing oxygen and nitrogen into the permeability chambers and the formation of pressure in Substrates so that the digested oxygen pressures in the substrate and sweeping chambers result in Transfer of oxygen through this ceramic membrane. This method has made it outstanding in terms of high operational safety.
Claims (1)
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH81574A true TH81574A (en) | 2006-11-30 |
| TH81574B TH81574B (en) | 2006-11-30 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW200638984A (en) | Process for oxygen enrichment in gases, plants suitable for this purpose and the use thereof | |
| WO2009022590A1 (en) | Heating furnace and heating method employed by heating furnace | |
| TW200717611A (en) | Film formation method and apparatus for semiconductor process | |
| TW200606276A (en) | Vacuum film-forming apparatus | |
| EP1936006A3 (en) | Pressure swing CVI/CVD | |
| MX2007009897A (en) | Method for the densification of thin porous substrates by means of vapour phase chemical infiltration and device for loading such substrates. | |
| TW200721307A (en) | Method and apparatus for forming silicon-containing insulating film | |
| WO2002084701A3 (en) | Plasma reactor electrode | |
| ATE551438T1 (en) | CVD REACTOR WITH LOWERABLE PROCESS CHAMBER CEILING | |
| TW200731407A (en) | Manufacturing method for a semiconductor device and substrate processing apparatus | |
| TW200610039A (en) | Heated gas box for PECVD applications | |
| TW200727969A (en) | Process abatement reactor | |
| WO2006034130A3 (en) | Apparatus and process for surface treatment of substrate using an activated reactive gas | |
| TW200719412A (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| ATE398193T1 (en) | METHOD AND DEVICE FOR PITCHWISE AND CONTINUOUS COMPACTION BY CHEMICAL VAPOR PHASE INFITRATION (CVI) | |
| WO2007053016A3 (en) | Surface and method for the manufacture of photovolataic cells using a diffusion process | |
| WO2009148913A3 (en) | Method for treating substrates | |
| TW200618038A (en) | Apparatus and method of manufacturing fluorescent lamp | |
| TW200722544A (en) | Method for depositing a vapour deposition material | |
| TW200520109A (en) | Atomic layer deposition process and apparatus | |
| TW200632240A (en) | Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus | |
| EA200801948A1 (en) | SYSTEM AND METHOD OF DEGASING POLYMER POWDER | |
| TW200644090A (en) | Plasma doping method and system | |
| WO2008080249A3 (en) | Apparatus for gas handling in vacuum processes | |
| TW200746310A (en) | W based film forming method, gate electrode forming method, semiconductor device manufacturing method, and computer-readable storage medium |