TH7631A - แก้วออกไซด์ที่มีอุณหภูมิสภาพแก้วต่ำ - Google Patents
แก้วออกไซด์ที่มีอุณหภูมิสภาพแก้วต่ำInfo
- Publication number
- TH7631A TH7631A TH8901000848A TH8901000848A TH7631A TH 7631 A TH7631 A TH 7631A TH 8901000848 A TH8901000848 A TH 8901000848A TH 8901000848 A TH8901000848 A TH 8901000848A TH 7631 A TH7631 A TH 7631A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- glass
- condition temperature
- oxide
- low
- ag2o
- Prior art date
Links
Abstract
แก้วPbO-B2O3-Ag2O ที่ควรมีสัดส่วนโดยน้ำหนักอยู่ในช่วง76-8810-15:2-10 ที่มีอุณหภูมิสภาพแก้วต่ำกว่า 300 องศา เซลเซียส และมีประโยชน์เป็นพิเศษสำหรับการยึดติดเซรามิก ซับสเทรทเข้าด้วยกัน อาทิเช่น การต่อวงจรอินทิเกรดเข้ากับ เซรามิก ซับสเทรท แก้วสามารถผสมรวมกับอนุภาค Ag และสาร อินทรีย์ และใช้ในลักษณะของเพสท์เพื่อให้สารยึดติดที่เป็นตัวนำ :
Claims (2)
1. องค์ประกอบเนื้อเดียวที่เหมาะสมสำหรับใช้ในการเกิดสารยึดติดตัวนำที่ประกอบด้วย องค์ประกอบแก้วผงที่มีอุณหภูมิการเปลี่ยนแก้ว (glass transform) ต่ำกว่าประมาณ 300 องศาเซลเซียส ที่ประกอบด้วย PbO-B2O3 และ Ag2O ในสัดส่วนน้ำหนัก 76-88:10-15:2-10 ตาม ลำดับ และ อนุภาคตัวนำที่มีอยู่ในปริมาณซึ่งทำให้นำไฟฟ้าได้อย่างมี ประสิทธิภาพ
2. องค์ประกอบเนื้อเดียวตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 ที่ประกอบ ด้วยแก้วผงดังกล่าวที่มีขนาดของอนุภาคซึ่งผ่านตะแกรงร่อน ขนาด 200 เมชของสหรัฐอเมริกา, แต่ไม่น้อยกว่าประมาณ 2 ไมครอน แแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH7631A true TH7631A (th) | 1990-05-01 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4799958A (en) | Metallizing paste | |
| US3838071A (en) | High adhesion silver-based metallizations | |
| JPH04270140A (ja) | シーリングガラス組成物および導電性成分を含む同組成物 | |
| US3827891A (en) | High adhesion metallizing compositions | |
| JPH042663A (ja) | 高熱伝導性着色窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 | |
| US3290171A (en) | Method and materials for metallizing ceramics | |
| DE2234493A1 (de) | Packungen fuer halbleiterchips | |
| CA1337376C (en) | Metallized substrate for electronic device | |
| JPH0534312B2 (th) | ||
| US5766305A (en) | Metal powder composition for metallization and a metallized substrate | |
| TH7631A (th) | แก้วออกไซด์ที่มีอุณหภูมิสภาพแก้วต่ำ | |
| CA2032302C (en) | Method of forming metallized layer on aluminum nitride sintered body | |
| KR100585909B1 (ko) | 질화알루미늄 기판에 사용하기 위한 후막 전도체 조성물 | |
| DE3877370T2 (de) | Gesinterter aluminiumnitridkoerper mit metallhaltiger schicht und verfahren zu seiner herstellung. | |
| KR900003077A (ko) | 낮은 유리 전이 온도를 갖는 유리 조성물 | |
| EP0045482B1 (en) | Thick film conductor compositions | |
| JPS6448326A (en) | Metal added ceramic superconductor and its manufacture | |
| US5292552A (en) | Method for forming metallized layer on an aluminum nitride sintered body | |
| GB1521241A (en) | Metallization of components | |
| JP2670627B2 (ja) | メタライズドアルミナセラミックス | |
| US3592781A (en) | Conductive glaze composition and method for preparation | |
| JPS5933867A (ja) | 半導体装置用電極材料 | |
| JP2611290B2 (ja) | 高熱伝導性セラミック基板の製造方法 | |
| US3667935A (en) | Process for preparing nitrogen-free platinum powders | |
| JP2733613B2 (ja) | 導電性ペーストおよび回路基板 |