TH7539C3 - กรรมวิธีการผลิตฟิล์มซิลิกอนโดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้าที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบเพื่อใช้ในการตรวจวัดสารระเหยเบนซีนและอนุพันธ์ - Google Patents

กรรมวิธีการผลิตฟิล์มซิลิกอนโดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้าที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบเพื่อใช้ในการตรวจวัดสารระเหยเบนซีนและอนุพันธ์

Info

Publication number
TH7539C3
TH7539C3 TH1103000118U TH1103000118U TH7539C3 TH 7539 C3 TH7539 C3 TH 7539C3 TH 1103000118 U TH1103000118 U TH 1103000118U TH 1103000118 U TH1103000118 U TH 1103000118U TH 7539 C3 TH7539 C3 TH 7539C3
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
silicon film
rice husk
voltage
containing silica
husk
Prior art date
Application number
TH1103000118U
Other languages
English (en)
Other versions
TH7539A3 (th
Inventor
เจียรากร นางสิริลักษณ์
อ่อนเรียบร้อย นางสาววันดี
นพพันธ์ นางสาวปกฉัตร
Original Assignee
นางสาวผ่องศรี เวสารัช
นางสาวเชาวนี สนธิธรรม
Filing date
Publication date
Application filed by นางสาวผ่องศรี เวสารัช, นางสาวเชาวนี สนธิธรรม filed Critical นางสาวผ่องศรี เวสารัช
Publication of TH7539C3 publication Critical patent/TH7539C3/th
Publication of TH7539A3 publication Critical patent/TH7539A3/th

Links

Abstract

DC60 (08/09/54) แผ่นฟิล์มซิลิกอน โดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้า ที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบ เป็น แผ่นเอสพีวีที่เคลือบผิวด้วยวัสดุเอ็มซีเอ็ม 41 ที่ผ่านการปรับผิวสมบัติให้มีความเหมาะสมในการดูดซับ สารประกอบอินทรีย์ระเหยง่ายได้ประเภทไม่มีขั้วหรือมีขั้วต่ำ เช่น เบนซีน และอนุพันธ์ของเบนซีน โดยการนำวัสดุเอ็มซีเอ็ม 41 ไปทำปฏิกิริยากับสารไตรเมทิลคลอโรไซเลน ภายใต้สภาวะที่เหมาะสม แผ่นฟิล์มซิลิกอนโดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้า ที่เตรียมได้จะมีประสิทธิภาพในการดูดซับก๊าซเบนซีนได้ดี ที่มีความเข้มข้น 20-50 ส่วนในร้อยส่วน (ppm) ดังนั้นจึงสามารถนำมาพัฒนาต่อยอดเพื่อใช้เป็นอุปกรณ์ ในการตรวจวัดสารประกอบอินทรีย์ระเหยง่ายได้ในเชิงพาณิชย์ แผ่นฟิล์มซิลิกอน โดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้า ที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบ เป็น แผ่นเอสพีวีที่เคลือบผิวด้วยวัสดุเอ็มซีเอ็ม 41 ที่ผ่านการปรับผิวสมบัติให้มีความเหมาะสมในการดูดซับ สารประกอบอินทรีย์ระเหยง่ายได้ประเภทไม่มีขั้วหรือมีขั้วต่ำ เช่น เบนซีน และอนุพันธ์ของเบนซีน โดยการนำวัสดุเอ็มซีเอ็ม 41 ไปทำปฏิกิริยากับสารไตรเมทิลคลอโรไซเลน ภายใต้สภาวะที่เหมาะสม แผ่นฟิล์มซิลิกอนโดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้า ที่เตรียมได้จะมีประสิทธิภาพในการดูดซับก๊าซเบนซีนได้ดี ที่เข้มข้น 20-50 ส่วนในร้อยส่วน (ppm) ดังนั้นจึงสามารถนำมาพัฒนาต่อยอดเพื่อใช้เป็นอุปกรณ์ ในการตรวจวัดสารประกอบอินทรีย์ระเหยง่ายได้ในเชิงพาณิชย์

Claims (7)

1. กรรมวิธีการผลิตฟิล์มซิลิกอน โดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้า ที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จาก แกลบ มีขั้นตอนดังนี้ ก. นำสารละลายซิลิกอนไดออกไซด์ (เอ็มซีเอ็ม 41 ) มาผสมกับสารละลายไตรเมทิลคลอโรไช เลน ที่อุณหภูมิ 25-30 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 1-2 วัน เพื่อตกตะกอน ข. กรองแล้วล้างตะกอนที่ได้ในข้อ ก. ด้วยโทอีนและอะซีโตน จากนั้นนำตะกอนมาละลาย ในโทลูอีน ที่อัตราส่วน 0.02 กรัมต่อ 10 มิลลิลิตร ค. นำแผ่นเอสพีวีมาเคลือบกาวเงินหรือขั้วไฟฟ้าอย่างใดอย่างหนึ่งโดยเว้นช่องวงกลมตรง กลางไว้เส้นผ่านศูนย์กลางประมาณ 0.4-0.6 เซนติเมตร ง. หยดสารละลายที่ได้จากข้อ ข. ปริมาตร 0.1-0.2 มิลลิเมตร ลงในช่องวงกลมบนแผ่นเอสพีวี ที่ผ่านการเคลือบกาวเงินหรือขั้วไฟฟ้าอย่างใดอย่างหนึ่งที่ได้จากข้อ ค จ. นำฟิล์มที่เคลือบแล้วอบที่อุณหภูมิ 105 องศาเซงเซียส เป็นเวลา 0.5-1 ชั่วโมง
2. กรรมวิธีผลิตฟิล์มซิลิกอน โดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้า ที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งสารละลายไตรเมทิลคลอโรไซเลน คือ สารละลายไตรเมทิลคลอไรไซเลน 5 มิลลิลิตร ผสมโทลูอีน 100 มิลลิลิตร
3. กรรมวิธีผลิตฟิล์มซิลิกอน โดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้า ที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งสารละลายซิลิกอนไดออกไซด์ (เอ็มซีเอ็ม 41) คือ สารประกอบของเฮกซะเด ซิลไตรเมทธิลแอมโมเนียม โบรไมด์ (ซีทีเอบี) ผสมกับสารละลายโซเดียมซิลิเกต ที่ปรับค่าพีเอชให้ มีค่าพีเอซเป็น 10 กวนทิ้งไว้ 1-3 วันที่อุณหภูมิห้อง จากนั้นกรองและเผาตะกอนที่อุณหภูมิ 500-600 องซาเซลเซียส เป็นเวลา 4-6 ชั่วโมง แล้วละลายในเอทานอลในอัตราส่วนตะกอน 2 กรัมต่อเอทา นอล 1 ลิตร
4. กรรมวิธีผลิตฟิล์มซิลิกอน โดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้า ที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบ ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งการเคลือบกาวเงินหรือขั้วไฟฟ้าอย่างใดอย่างหนึ่ง บนฟิล์มที่ผิวหน้ามี แรงดันไฟฟ้า คือ การเคลือบกาวเงินหรือขั้วไฟฟ้าอย่างใดอย่างหนึ่ง บนฟิล์มในด้านที่ติดกับฟิล์ม ซิลิกอนไนไตรด์
5. กรรมวิธีผลิตฟิล์มซิลิกอน โดยมีหน้าแรงดันไฟฟ้า ที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบ ตามข้อถือสิทธิ 3 ที่ซึ่งสารประกอบเฮกซะเดซิลไตรเมทธิลแอมโมเนียม โบรไมด์ คือ สารละลาย โซเดียมไฮดดรอกไซด์ 1 กรัม สารซีทีเอบี 3 กรัม และน้ำกลั่น 150 มิลลิลิตร กวนให้ละลายเป็นเนื้อ เดียวกัน
6. กรรมวิธีผลิตฟิล์มซิลิกอน โดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้า ที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบ ตามข้อถือสิทธิ 3 ที่ซึ่งสารละลายโซเดียมซิลิเกต คือ สารละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์ 2 กรัม ผสม กับซิลิกาจากแกลบ 5 กรัม และน้ำกลั่น 10 มิลลิลิตร
7. กรรมวิธีผลิตฟิล์มซิลิกอน โดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้า ที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบ ตามข้อถือสิทธิ 6 ที่ซึ่งซิลิกาจากแกลบ คือ แกลบที่ผ่านขั้นตอนดังนี้ ก. นำแกลบมาล้างทำความสะอาด ข. รีฟลักซ์แกลบด้วยกรดไฮโดรคลอริกที่ความเข้มข้น 1-5 โมลาร์ ที่อุณหภูมิ 50-80 องศาเซลเซียส ค. ล้างแกลบด้วยน้ำจนน้ำล้างมีค่าพีเอชเป็นกลาง ทดสอบน้ำล้างด้วยกระดาษลิตมัสจน กระดาษลิตมัสไม่เปลี่ยนสี ง. นำแกลบไปอบที่อุณหภูมิ 100-115 องศาเซลเซียส เป็นเวลา 24 ชั่วโมง จ. แกลบที่ผ่านการอบแห้งจะถูกนำไปเผาในเตาที่ตั้งอุณหภูมิไว้ 500-700 องศาเซลเซียส โดย ใช้ระยะเวลาทั้งหมดประมาณ 4-6 ชั่วโมง
TH1103000118U 2011-02-07 กรรมวิธีการผลิตฟิล์มซิลิกอนโดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้าที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบเพื่อใช้ในการตรวจวัดสารระเหยเบนซีนและอนุพันธ์ TH7539A3 (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH7539C3 true TH7539C3 (th) 2012-10-10
TH7539A3 TH7539A3 (th) 2012-10-10

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Aich et al. Cd2+ triggered the FRET “ON”: a new molecular switch for the ratiometric detection of Cd2+ with live-cell imaging and bound X-ray structure
Wu et al. A selective fluorescent sensor for Hg2+ based on covalently immobilized naphthalimide derivative
WO2014115176A4 (en) A novel aza bodipy compound for the selective detection of nitrite ions in water and a process for preparation thereof
CN106362711B (zh) 一种阳离子聚合物改性硅藻土吸附剂及其制备方法
CN104865292B (zh) 一种基于邻氨基苯基取代卟啉纳米材料的二氧化氮气敏传感器
CN105086995A (zh) 一种基于保护与脱保护机理的h2s探针的制备及应用
Gupta et al. Synthesis of novel AIEE active pyridopyrazines and their applications as chromogenic and fluorogenic probes for Hg 2+ detection in aqueous media
CN109608364B (zh) 一种用于检测汞离子的荧光探针制备方法与应用
CN106810544A (zh) 碘化-n-乙基-2-(2-h-萘并吡喃-3-乙烯基)苯并噻唑及其制备方法和应用
CN106749093A (zh) 一种用于检测钯离子荧光探针、制备方法及应用
Yang et al. Fabrication of a novel natural cellulose-based paper chemodosimeter via grafting-to of Rhodamine B moieties for detection of Hg2+
CN106380423A (zh) 一类可检测有机磷酸酯类神经毒剂模拟物的化合物及其应用
CN105254656B (zh) 一种两亲性氟硼二吡咯衍生物及其制备方法
TH7539A3 (th) กรรมวิธีการผลิตฟิล์มซิลิกอนโดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้าที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบเพื่อใช้ในการตรวจวัดสารระเหยเบนซีนและอนุพันธ์
TH7539C3 (th) กรรมวิธีการผลิตฟิล์มซิลิกอนโดยผิวหน้ามีแรงดันไฟฟ้าที่มีส่วนประกอบของซิลิกาที่ได้จากแกลบเพื่อใช้ในการตรวจวัดสารระเหยเบนซีนและอนุพันธ์
CN109232558B (zh) 一种用于检测Cu2+的衍生物
CN102507360B (zh) 基于硅基杂化介孔材料的dmmp气体传感器的制备方法
CN103232842A (zh) 一种基于聚集诱导荧光增强材料的亚硫酸氢根离子的荧光探针及快速检验试纸
CN106397080A (zh) ɑ,β‑不饱和酮的一种制备方法
CN107817278A (zh) 新型铈掺杂丙酮气敏传感元件的制备方法
CN106256829B (zh) 一种苯并咪唑并苯并异喹啉酮类汞离子荧光探针的制备方法及其应用
CN103472057B (zh) 一种碘盐快速检测液
CN107505296A (zh) 3‑二吡啶甲基苯二酰亚胺在检测苯酚中的应用
Liu et al. Investigation on DNA binding and photo-cleavage properties of water-soluble porphyrin and metalloporphyrins
CN117126060B (zh) 一种化合物及其制备方法和应用