TH69183A - อุปกรณ์หน่วยความจำที่เข้าถึงได้แบบสุ่มทางแม่เหล็ก (mram) ที่ถูกถ่ายเทบนชั้นฐานที่ไวต่อความร้อนที่ใช้การถ่ายโอนด้วยเลเซอร์และวิธีการในการทำสิ่งนี้ - Google Patents
อุปกรณ์หน่วยความจำที่เข้าถึงได้แบบสุ่มทางแม่เหล็ก (mram) ที่ถูกถ่ายเทบนชั้นฐานที่ไวต่อความร้อนที่ใช้การถ่ายโอนด้วยเลเซอร์และวิธีการในการทำสิ่งนี้Info
- Publication number
- TH69183A TH69183A TH401001883A TH0401001883A TH69183A TH 69183 A TH69183 A TH 69183A TH 401001883 A TH401001883 A TH 401001883A TH 0401001883 A TH0401001883 A TH 0401001883A TH 69183 A TH69183 A TH 69183A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- base layer
- nitride
- layer
- memory device
- magnetic memory
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (23/08/47) วิธีการของการก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก (และโครงสร้างที่เป็นผลตามมา) บน ชั้นฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ, จะรวมถึง การก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำลงบนชั้นฐานที่โปร่งใสที่ เคลือบ ด้วยชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น ให้อยู่ในความควบคุม ของการให้ความร้อนอย่างรวดเร็ว ทำให้เกิดแรง ดันอย่างสูงที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าขึ้น, และการถ่ายโอนอุปกรณ์หน่วยความจำไป ยังชั้นฐานที่มี อุณหภูมิต่ำ วิธีการของการก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก (และโครงสร้างที่เป็นผลตามมา) บน ชั้นฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ, จะรวมถึง การก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำลงบนชั้นฐานที่โปร่งใสที่ เคลือบ ด้วยชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น ให้อยู่ในความควบคุม ของการให้ความร้อนอย่างรวดเร็ว ทำให้เกิดแรง ดันอย่างสูงที่ กำหนดไว้ล่วงหน้าขึ้น, และการถ่ายโอนอุปกรณ์หน่วยความจำไป ยังชั้นฐานที่มี อุณหภูมิต่ำ
Claims (39)
1. วิธีการของการก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก บนชั้นฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ, ประกอบด้วย: การก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำบนชั้นฐานที่โปร่งใส ที่ถูก เคลือบด้วยชั้นวัสดุที่ สังเคราะห์ขึ้น ที่ใช้การทำให้ร้อน อย่างรวดเร็ว ที่เป็นผลทำให้เกิดแรงดันที่สูงที่กำหนดไว้ ล่วงหน้า, และ การถ่ายโอนอุปกรณ์หน่วยความจำไปยังชั้นฐานที่ มีอุณหภูมิต่ำ
2. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ ประกอบด้วยชั้นฐาน พลาสติก
3. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำดังกล่าว ประกอบด้วยชั้นฐาน พอลิเมอร์
4. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นฐานที่โปร่งใสดัง กล่าวประกอบด้วยชั้นฐานแซป ไฟร์
5. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นฐานที่โปร่งใสดัง กล่าว ประกอบด้วยชั้นฐาน ควอทซ์
6. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การใช้กระบวนการยกตัวขึ้นด้วยแสงเลเซอร์ เพื่อส่งถ่าย อุปกรณ์หน่วยความจำ แม่เหล็กดังกล่าว, ที่ซึ่งกระบวนการยกตัวขึ้นด้วยแสงเลเซอร์ดังกล่าว ใช้ชั้น วัสดุที่สังเคราะห์ดัง กล่าว กับแรงดันสูงที่กำหนดไว้ล่วง หน้า
7. วิธีการของข้อถือสิทธิ 6 ที่ซึ่งฐานดังกล่าวโปร่งใสต่อ แสงเลเซอร์และแสง เลเซอร์ดังกล่าวจะถูกดูดกลืนโดยชั้นวัสดุ ที่สังเคราะห์ขึ้น เพื่อสังเคราะห์ชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ ขึ้น
8. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น ประกอบด้วยวัสดุไนไตรด์
9. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 ที่ซึ่งวัสดุไนไตรค์ประกอบด้วย Gallium ไนไตรด์
10. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 ที่ซึ่งวัสดุไนไตรด์ดังกล่าว ประกอบด้วยอลูมิเนียมไน ไตรด์
11. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 ที่ซึ่งวัสดุไนไตรด์ดังกล่าว ประกอบด้วย Indium ไน ไตรด์
12. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 ที่ซึ่งวัสดุไนไตรด์ดังกล่าว ถูกทำให้โตขึ้นบนชั้นฐานที่ โปร่งใส, วิธีการดังกล่าวนอกจาก นี้ ยังประกอบด้วย: การยกตัวขึ้นของวัสดุไนไตรด์ขึ้นจากชั้นฐานที่โปร่งใส โดย การเคลือบอุปกรณ์ ต่อร่วมด้วยโลหะที่อยู่ระหว่างนั้นด้วย เลเซอร์โพรบ โดยผ่านด้านข้างหลังของชั้นฐานที่โปร่งใส
13. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นวัสดุที่ สังเคราะห์ขึ้น ถูกก่อรูปขึ้นบนชั้นฐานที่ โปร่งใสดังกล่าว ที่อุณหภูมิซึ่งจะต่ำกว่าอุณหภูมิที่ชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำเริ่มที่จะเสื่อมลง
14. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การก่อรูปของอุปกรณ์หน่วยความจำ พร้อมด้วยการต่อสายนำบนผิว หน้าของชั้น วัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น
15. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: ในระหว่างการส่งถ่าย, การติดตั้งการต่อสายนำด้านบน, ติด ตั้งอยู่บนอุปกรณ์ หน่วยความจำแม่เหล็กดังกล่าว, ลงบนชั้น ฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ
16. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การเชื่อมต่อการต่อสายนำด้านบนที่ติดตั้งโดยเอาด้านหน้าลง กับชั้นฐานที่มี อุณหภูมิต่ำโดยอีพ็อกซี
17. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การใส่พัลส์ของการแผ่รังสีเลเซอร์, ที่เกือบจะเป็นอันเดียว กันกับ หรือ เหนือช่อง ว่างแถบของวัสดุไนไตรด์ ไปยังชั้นฐาน ที่โปร่งใส เพื่อให้เกิดผลในการเคลือบด้วยโลหะของไน ไตรด์ ชั้นระหว่างผิวหน้า
18. วิธีการของข้อถือสิทธิ 17 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: ขึ้นอยู่กับการเคลือบด้วยโลหะดังกล่าว การปลดวัสดุในไตรด์ / โครงสร้าง อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก จากชั้นฐานที่โปร่ง ใส; และ การเกาะติดไนไตรด์ / อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กกับชั้นฐาน ที่มีอุณหภูมิต่ำ
19. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การใช้แสงเลเซอร์ไปยังชั้นฐานที่โปร่งใส ที่ซึ่งแสงเลเซอร์จะถูกดูดกลืนในชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ ขึ้น, เพื่อทำให้ชั้นวัสดุที่ สังเคราะห์ร้อนขึ้น และต่อมา จะสังเคราะห์ชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้นดังกล่าว
20. วิธีการของข้อถือสิทธิ 19 ที่ซึ่งชั้นวัสดุที่ สังเคราะห์ขึ้นดังกล่าว ประกอบด้วย ไนไตรด์ และที่ซึ่งการปลด การเชื่อมต่อจะเกิดขึ้น เนื่องมาจากการก่อแรงดันขึ้น พร้อม ด้วยการปล่อยของ ไนโตรเจนจากการเคลือบด้วยโลหะของไนไตรด์
21. วิธีการของข้อถือสิทธิ 6 ยังประกอบด้วย: การแยกสีของลำแสงเลเซอร์ โดยที่อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก ซึ่งแตกต่างกัน สามารถถ่ายโอนได้โดยใช้พัลส์เดี่ยว ๆ
22. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การทำให้ชั้น Si บนด้านบนของวัสดุไนไตรด์โตขึ้น เพื่อยอม ให้อุปกรณ์หน่วย ความจำแม่เหล็กดังกล่าวถูกรวมเข้าด้วยกัน กับทรานซิสเตอร์ในเซลล์จุดตัดอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) และถูก ถ่ายโอนไปในเวลาเดียวกัน ที่ซึ่งทรานซิสเตอร์ดังกล่าวถูกก่อรูปขึ้นด้วยอุปกรณ์หน่วย ความจำแม่เหล็กบนด้าน บนของวัสดุในไตรด์
23. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ยังประกอบด้วย: การก่อรูปทรานซินเตอร์ชนิด organic บนชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำ ก่อนการถ่าย โอนของอุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก
24. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: หลังจากการถ่ายโอน, การกัดเซาะชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น ที่อยู่ด้านบน
25. วิธีการของข้อถือสิทธิ 6 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การควบคุมการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิในชั้นฐานที่โปร่งใสโดย การปรับแก้ความ หนาของชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น
26. วิธีการของการทำอุปกรณ์จุดตัดอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) บน ชั้นฐานที่ไวต่อความ ร้อน, ประกอบด้วย: การเคลือบชั้นฐานที่โปร่งใส ที่มีอุปกรณ์ MTJ พร้อมด้วย วัสดุไนไตรด์; และ การถ่ายโอนอุปกรณ์ MTJ ดังกล่าว ไปยังชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำ โดยใช้กระบวน การยกตัวขึ้นด้วยแสงเลเซอร์
27. วิธีการของข้อถือสิทธิ 26 ที่ซึ่งชั้นฐานที่โปร่งใสดัง กล่าว โปร่งใสกับแสงเลเซอร์
28. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก ประกอบด้วย: ชั้นฐานที่โปร่งใสที่มีวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น เคลือบอยู่ บนนั้น; อุปกรณ์ที่ถูกก่อรูปบนชั้นฐานที่โปร่งใสดังกล่าว; และ ชั้นฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ สำหรับรับอุปกรณ์ หลังจากที่วัสดุ ที่สังเคราะห์ขึ้นอยู่ใน ความควบคุมของแรงดันสูงที่กำหนดไว้ ล่วงหน้า
29. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 28, ที่ซึ่ง อุปกรณ์ดังกล่าว ประกอบด้วย การต่อสายตัวนำที่หนึ่ง, จุดตัด อุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) ที่ต่อเข้ากับการต่อสายตัวนำที่ หนึ่ง, และการต่อสายตำนำที่สอง ที่ประดิษฐ์บนชั้นฐานที่ โปร่งใส
30. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 28, ที่ซึ่ง วัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น ประกอบด้วยวัสดุไนไตรด์
31. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 30, ที่ซึ่ง วัสดุที่สังเคราะห์ขึ้นดัง กล่าว ประกอบด้วย Gallium ไน ไตรด์
32. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 30, ที่ซึ่ง วัสดุไนไตรด์ดังกล่าว ประกอบด้วย อลูมิเนียมไนไตรด์
33. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 30, ที่ซึ่ง ฐานวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้นดัง กล่าว มีความหนาระหว่าง 10 A ํ ถึงประมาณ 2000 A ํ
34. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 30, ที่ซึ่ง วัสดุไนไตรด์รวมถึงฟิล์ม ไนไตรด์หนึ่งชิ้นหรือมากกว่า ที่ ประกอบด้วย อย่างน้อยที่สุด Gallium ไนไตรด์, อลูมิเนียมไน ไตรด์, Indium ไนไตรด์ และอัลลอยของไนไตรด์เหล่านี้
35. วิธีการของการก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก บนชั้น ฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ, ประกอบด้วย: การก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำบนชั้นฐานที่โปร่งใสที่เคลือบ ด้วยชั้นไนไตรด์ การใส่แสงเลเซอร์ไปยังอุปกรณ์หน่วยความจำดังกล่าว ให้ ชั้นไนไตรด์ดังกล่าว อยู่ในความควบคุมของแรงดัน; และ การถ่ายโอนอุปกรณ์หน่วยความจำ ไปยังชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำ
36. วิธีการของข้อถือสิทธิ 35 ที่ซึ่งชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำประกอบด้วยชั้นฐาน พลาสติก
37. วิธีการของข้อถือสิทธิ 35 ที่ซึ่งชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำดังกล่าว ประกอบด้วยชั้น ฐาน พอลิเมอร์
38. วิธีการของข้อถือสิทธิ 35 ที่ซึ่งชั้นฐานที่โปร่งใสดัง กล่าว ประกอบด้วยชั้นฐาน แซปไฟร์
39. วิธีการของข้อถือสิทธิ 35 ที่ซึ่งชั้นฐานที่โปร่งใส ประกอบด้วยชั้นฐานควอทซ์
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH69183A true TH69183A (th) | 2005-06-14 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7674686B2 (en) | Transplanted magnetic random access memory (MRAM) devices on thermally-sensitive substrates using laser transfer and method of making the same | |
| JP2007503129A5 (th) | ||
| US20200321234A1 (en) | Transfer method using deformable film | |
| US20220037572A1 (en) | Micro light-emitting diode display fabrication and assembly | |
| TW200516655A (en) | Silicon crystallization using self-assembled monolayers | |
| JP2020508582A (ja) | 垂直に積層された多色発光ダイオード（ｌｅｄ）ディスプレイのための方法および装置 | |
| US9741560B2 (en) | Method of growing nitride semiconductor layer | |
| TW200301515A (en) | Method for depositing III-V semiconductor layers on a non-III-V substrate | |
| US8399974B1 (en) | Methods of dicing stacked shingled strip constructions to form stacked die packages | |
| WO2009060219A3 (en) | Ultra high thermal performance packaging for optoelectronics devices | |
| WO2003094218A3 (en) | Method of growing monocrystalline oxide having a semiconductor device thereon | |
| KR20140107158A (ko) | 고성능 전자제품을 위한 잡아늘이거나 압축가능한 단결정 실리콘 형성체 | |
| WO2009117062A3 (en) | Metal-core thermoelectric cooling and power generation device | |
| GB2486352A (en) | Method of forming semiconductor film and photovoltaic device including the film | |
| CN101651092B (zh) | 电路结构的制造方法 | |
| CN111403329A (zh) | 一种微发光二极管的转移方法、显示面板及其制备方法 | |
| JP5713921B2 (ja) | ひずみ材料層の緩和および転写 | |
| WO2007142865A3 (en) | Thin film photovoltaic structure and fabrication | |
| CN102113102B (zh) | 应变层的松弛 | |
| CN104733522B (zh) | AlGaN/GaN HEMT压力传感器工艺实现方法 | |
| EP2802002B1 (en) | Method for the manufacturing of a substrate having a hetero-structure | |
| CN109585615B (zh) | 将氮化镓外延层从衬底上剥离的方法 | |
| TW200631079A (en) | Growth process of a crystalline gallium nitride based compound and semiconductor device including gallium nitride based compound | |
| EP1168466A3 (en) | Method for manufacturing semiconductors thin film, and magnetoelectric conversion element provided with semiconductor thin film thereby manufactured | |
| WO2024010848A3 (en) | Ferroelectric iii-nitride heterostructures |