Claims (39)
1. วิธีการของการก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก บนชั้นฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ, ประกอบด้วย: การก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำบนชั้นฐานที่โปร่งใส ที่ถูก เคลือบด้วยชั้นวัสดุที่ สังเคราะห์ขึ้น ที่ใช้การทำให้ร้อน อย่างรวดเร็ว ที่เป็นผลทำให้เกิดแรงดันที่สูงที่กำหนดไว้ ล่วงหน้า, และ การถ่ายโอนอุปกรณ์หน่วยความจำไปยังชั้นฐานที่ มีอุณหภูมิต่ำ1. The method of forming magnetic memory devices on a low-temperature substrate consists of: forming the memory device on a transparent substrate coated with a synthetic material, using rapid heating resulting in a predetermined high voltage, and transferring the memory device to the low-temperature substrate.
2. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ ประกอบด้วยชั้นฐาน พลาสติก2. Method of Claim 1 where the low-temperature base consists of a plastic base layer.
3. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำดังกล่าว ประกอบด้วยชั้นฐาน พอลิเมอร์3. The method of claim 1 in which the aforementioned low-temperature base layer consists of a polymer base layer.
4. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นฐานที่โปร่งใสดัง กล่าวประกอบด้วยชั้นฐานแซป ไฟร์4. Method of Claim 1 where the aforementioned transparent base layer consists of a sapphire base layer.
5. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นฐานที่โปร่งใสดัง กล่าว ประกอบด้วยชั้นฐาน ควอทซ์5. Method of Claim 1 where the transparent base layer consists of a quartz base layer.
6. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การใช้กระบวนการยกตัวขึ้นด้วยแสงเลเซอร์ เพื่อส่งถ่าย อุปกรณ์หน่วยความจำ แม่เหล็กดังกล่าว, ที่ซึ่งกระบวนการยกตัวขึ้นด้วยแสงเลเซอร์ดังกล่าว ใช้ชั้น วัสดุที่สังเคราะห์ดัง กล่าว กับแรงดันสูงที่กำหนดไว้ล่วง หน้า6. The method of claim 1 also includes: the use of a laser ejection process to transfer the said magnetic memory device, where the laser ejection process applies the said synthesized material layer with a predetermined high voltage.
7. วิธีการของข้อถือสิทธิ 6 ที่ซึ่งฐานดังกล่าวโปร่งใสต่อ แสงเลเซอร์และแสง เลเซอร์ดังกล่าวจะถูกดูดกลืนโดยชั้นวัสดุ ที่สังเคราะห์ขึ้น เพื่อสังเคราะห์ชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ ขึ้น7. Method of claim 6 in which the base is transparent to laser light and the laser light is absorbed by the synthesized material layer to synthesize the synthesized material layer.
8. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น ประกอบด้วยวัสดุไนไตรด์8. Method of claim 1 in which the synthesized material consists of nitride material.
9. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 ที่ซึ่งวัสดุไนไตรค์ประกอบด้วย Gallium ไนไตรด์9. Method of claim 8 where the nitrile material contains gallium nitride.
10. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 ที่ซึ่งวัสดุไนไตรด์ดังกล่าว ประกอบด้วยอลูมิเนียมไน ไตรด์10. The method of claim 8 in which the said nitride material consists of aluminum nitride.
11. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 ที่ซึ่งวัสดุไนไตรด์ดังกล่าว ประกอบด้วย Indium ไน ไตรด์11. Method of claim 8 where the said nitride material contains Indium nitride.
12. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 ที่ซึ่งวัสดุไนไตรด์ดังกล่าว ถูกทำให้โตขึ้นบนชั้นฐานที่ โปร่งใส, วิธีการดังกล่าวนอกจาก นี้ ยังประกอบด้วย: การยกตัวขึ้นของวัสดุไนไตรด์ขึ้นจากชั้นฐานที่โปร่งใส โดย การเคลือบอุปกรณ์ ต่อร่วมด้วยโลหะที่อยู่ระหว่างนั้นด้วย เลเซอร์โพรบ โดยผ่านด้านข้างหลังของชั้นฐานที่โปร่งใส12. The method of claim 8, in which the nitride material is grown on a transparent base layer, also includes: the uplift of the nitride material from the transparent base layer by coating the interconnected metal with a laser probe through the posterior side of the transparent base layer.
13. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งชั้นวัสดุที่ สังเคราะห์ขึ้น ถูกก่อรูปขึ้นบนชั้นฐานที่ โปร่งใสดังกล่าว ที่อุณหภูมิซึ่งจะต่ำกว่าอุณหภูมิที่ชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำเริ่มที่จะเสื่อมลง13. The method of claim 1 in which a synthetic layer of material is formed on such a transparent base layer at a temperature which is lower than the temperature at which the low-temperature base layer begins to degrade.
14. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การก่อรูปของอุปกรณ์หน่วยความจำ พร้อมด้วยการต่อสายนำบนผิว หน้าของชั้น วัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น14. The method of claim 1 also includes: the formation of memory devices, along with the connection of leads on the surface of the synthesized material layer.
15. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: ในระหว่างการส่งถ่าย, การติดตั้งการต่อสายนำด้านบน, ติด ตั้งอยู่บนอุปกรณ์ หน่วยความจำแม่เหล็กดังกล่าว, ลงบนชั้น ฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ15. Method of claim 1 also includes: during transmission, installing the top lead connection, attaching it to the aforementioned magnetic memory device, onto a low-temperature base layer.
16. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การเชื่อมต่อการต่อสายนำด้านบนที่ติดตั้งโดยเอาด้านหน้าลง กับชั้นฐานที่มี อุณหภูมิต่ำโดยอีพ็อกซี16. Method of Claim 1 also includes: connecting the top lead wire, installed front-down, to the low-temperature base layer with epoxy.
17. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การใส่พัลส์ของการแผ่รังสีเลเซอร์, ที่เกือบจะเป็นอันเดียว กันกับ หรือ เหนือช่อง ว่างแถบของวัสดุไนไตรด์ ไปยังชั้นฐาน ที่โปร่งใส เพื่อให้เกิดผลในการเคลือบด้วยโลหะของไน ไตรด์ ชั้นระหว่างผิวหน้า17. The method of claim 8 also includes: the application of pulses of laser radiation, nearly identical to or over the band gap of the nitride material, to the transparent base layer to produce a metallic coating of nitride between the surfaces.
18. วิธีการของข้อถือสิทธิ 17 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: ขึ้นอยู่กับการเคลือบด้วยโลหะดังกล่าว การปลดวัสดุในไตรด์ / โครงสร้าง อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก จากชั้นฐานที่โปร่ง ใส; และ การเกาะติดไนไตรด์ / อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กกับชั้นฐาน ที่มีอุณหภูมิต่ำ18. The methodology of claim 17 also includes: based on the aforementioned metallic coating; the detachment of nitride/magnetic memory device material from the transparent base layer; and the adhesion of the nitride/magnetic memory device to the base layer at low temperatures.
19. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การใช้แสงเลเซอร์ไปยังชั้นฐานที่โปร่งใส ที่ซึ่งแสงเลเซอร์จะถูกดูดกลืนในชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ ขึ้น, เพื่อทำให้ชั้นวัสดุที่ สังเคราะห์ร้อนขึ้น และต่อมา จะสังเคราะห์ชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้นดังกล่าว19. The methodology of claim 1 also includes: applying a laser beam to a transparent base layer, where the laser beam is absorbed by a layer of synthesized material, heating the layer of synthesized material, and subsequently synthesizing the synthesized layer.
20. วิธีการของข้อถือสิทธิ 19 ที่ซึ่งชั้นวัสดุที่ สังเคราะห์ขึ้นดังกล่าว ประกอบด้วย ไนไตรด์ และที่ซึ่งการปลด การเชื่อมต่อจะเกิดขึ้น เนื่องมาจากการก่อแรงดันขึ้น พร้อม ด้วยการปล่อยของ ไนโตรเจนจากการเคลือบด้วยโลหะของไนไตรด์20. The method of claim 19 where the synthesized material layer consists of nitride and where disconnection occurs due to the buildup of pressure with the release of nitrogen from the metallized nitride coating.
21. วิธีการของข้อถือสิทธิ 6 ยังประกอบด้วย: การแยกสีของลำแสงเลเซอร์ โดยที่อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก ซึ่งแตกต่างกัน สามารถถ่ายโอนได้โดยใช้พัลส์เดี่ยว ๆ21. Method 6 of the claim also includes: color separation of the laser beam, where different magnetic memory devices can be transferred using individual pulses.
22. วิธีการของข้อถือสิทธิ 8 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การทำให้ชั้น Si บนด้านบนของวัสดุไนไตรด์โตขึ้น เพื่อยอม ให้อุปกรณ์หน่วย ความจำแม่เหล็กดังกล่าวถูกรวมเข้าด้วยกัน กับทรานซิสเตอร์ในเซลล์จุดตัดอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) และถูก ถ่ายโอนไปในเวลาเดียวกัน ที่ซึ่งทรานซิสเตอร์ดังกล่าวถูกก่อรูปขึ้นด้วยอุปกรณ์หน่วย ความจำแม่เหล็กบนด้าน บนของวัสดุในไตรด์22. The method of claim 8 also consists of: growing a Si layer on top of the nitride material to allow such magnetic memory device to be integrated with a transistor in a magnetic tunnel intersection (MTJ) cell and simultaneously transferred where such transistor is formed with the magnetic memory device on top of the nitride material.
23. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ยังประกอบด้วย: การก่อรูปทรานซินเตอร์ชนิด organic บนชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำ ก่อนการถ่าย โอนของอุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก23. The method of claim 1 also includes: the formation of organic transistors on a low-temperature substrate layer prior to the transfer of magnetic memory devices.
24. วิธีการของข้อถือสิทธิ 1 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: หลังจากการถ่ายโอน, การกัดเซาะชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น ที่อยู่ด้านบน24. Method of Claim 1 also includes: after transfer, erosion of the synthetic material layer on top.
25. วิธีการของข้อถือสิทธิ 6 นอกจากนี้ ยังประกอบด้วย: การควบคุมการเพิ่มขึ้นของอุณหภูมิในชั้นฐานที่โปร่งใสโดย การปรับแก้ความ หนาของชั้นวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น25. The methodology of claim 6 also includes: controlling the temperature increase in the transparent base layer by adjusting the thickness of the synthesized material layer.
26. วิธีการของการทำอุปกรณ์จุดตัดอุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) บน ชั้นฐานที่ไวต่อความ ร้อน, ประกอบด้วย: การเคลือบชั้นฐานที่โปร่งใส ที่มีอุปกรณ์ MTJ พร้อมด้วย วัสดุไนไตรด์; และ การถ่ายโอนอุปกรณ์ MTJ ดังกล่าว ไปยังชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำ โดยใช้กระบวน การยกตัวขึ้นด้วยแสงเลเซอร์26. The method for fabricating magnetic tunneling (MTJ) devices on a heat-sensitive substrate consists of: coating a transparent substrate layer containing the MTJ device with a nitride material; and transferring the MTJ device to a low-temperature substrate using a laser lifting process.
27. วิธีการของข้อถือสิทธิ 26 ที่ซึ่งชั้นฐานที่โปร่งใสดัง กล่าว โปร่งใสกับแสงเลเซอร์27. Method of claim 26 where the said transparent base layer is transparent to laser light.
28. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก ประกอบด้วย: ชั้นฐานที่โปร่งใสที่มีวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น เคลือบอยู่ บนนั้น; อุปกรณ์ที่ถูกก่อรูปบนชั้นฐานที่โปร่งใสดังกล่าว; และ ชั้นฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ สำหรับรับอุปกรณ์ หลังจากที่วัสดุ ที่สังเคราะห์ขึ้นอยู่ใน ความควบคุมของแรงดันสูงที่กำหนดไว้ ล่วงหน้า28. A magnetic memory device consists of: a transparent base layer with a synthetic material coated on it; the device being formed on this transparent base layer; and a low-temperature base layer for receiving the device after the synthetic material has been subjected to a predetermined controlled voltage.
29. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 28, ที่ซึ่ง อุปกรณ์ดังกล่าว ประกอบด้วย การต่อสายตัวนำที่หนึ่ง, จุดตัด อุโมงค์แม่เหล็ก (MTJ) ที่ต่อเข้ากับการต่อสายตัวนำที่ หนึ่ง, และการต่อสายตำนำที่สอง ที่ประดิษฐ์บนชั้นฐานที่ โปร่งใส29. The magnetic memory device of claim 28, where such device consists of the first conductor junction, a magnetic tunnel intersection (MTJ) connected to the first conductor junction, and a second conductor junction fabricated on a transparent base.
30. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 28, ที่ซึ่ง วัสดุที่สังเคราะห์ขึ้น ประกอบด้วยวัสดุไนไตรด์30. Magnetic memory device of claim 28, in which the synthesized material consists of nitride material.
31. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 30, ที่ซึ่ง วัสดุที่สังเคราะห์ขึ้นดัง กล่าว ประกอบด้วย Gallium ไน ไตรด์31. Magnetic memory device of claim 30, in which the synthesized material consists of gallium nitride.
32. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 30, ที่ซึ่ง วัสดุไนไตรด์ดังกล่าว ประกอบด้วย อลูมิเนียมไนไตรด์32. Magnetic memory device of claim 30, in which the said nitride material consists of aluminum nitride.
33. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 30, ที่ซึ่ง ฐานวัสดุที่สังเคราะห์ขึ้นดัง กล่าว มีความหนาระหว่าง 10 A ํ ถึงประมาณ 2000 A ํ33. Magnetic memory device of claim 30, where the synthetic base material has a thickness between 10 A° and approximately 2000 A°.
34. อุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็กของข้อถือสิทธิ 30, ที่ซึ่ง วัสดุไนไตรด์รวมถึงฟิล์ม ไนไตรด์หนึ่งชิ้นหรือมากกว่า ที่ ประกอบด้วย อย่างน้อยที่สุด Gallium ไนไตรด์, อลูมิเนียมไน ไตรด์, Indium ไนไตรด์ และอัลลอยของไนไตรด์เหล่านี้34. Magnetic memory devices of claim 30, where the nitride material includes one or more nitride films composed of at least gallium nitride, aluminum nitride, indium nitride and alloys of these nitrides.
35. วิธีการของการก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำแม่เหล็ก บนชั้น ฐานที่มีอุณหภูมิต่ำ, ประกอบด้วย: การก่อรูปอุปกรณ์หน่วยความจำบนชั้นฐานที่โปร่งใสที่เคลือบ ด้วยชั้นไนไตรด์ การใส่แสงเลเซอร์ไปยังอุปกรณ์หน่วยความจำดังกล่าว ให้ ชั้นไนไตรด์ดังกล่าว อยู่ในความควบคุมของแรงดัน; และ การถ่ายโอนอุปกรณ์หน่วยความจำ ไปยังชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำ35. The method of forming magnetic memory devices on a low-temperature substrate consists of: forming the memory device on a transparent substrate coated with a nitride layer; applying a laser beam to the memory device to control the voltage of the nitride layer; and transferring the memory device to the low-temperature substrate.
36. วิธีการของข้อถือสิทธิ 35 ที่ซึ่งชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำประกอบด้วยชั้นฐาน พลาสติก36. Method of claim 35 in which the low-temperature base layer consists of a plastic base layer.
37. วิธีการของข้อถือสิทธิ 35 ที่ซึ่งชั้นฐานที่มีอุณหภูมิ ต่ำดังกล่าว ประกอบด้วยชั้น ฐาน พอลิเมอร์37. The method of claim 35 in which the aforementioned low-temperature base layer consists of a polymer base layer.
38. วิธีการของข้อถือสิทธิ 35 ที่ซึ่งชั้นฐานที่โปร่งใสดัง กล่าว ประกอบด้วยชั้นฐาน แซปไฟร์38. The method of claim 35, in which the transparent base layer is described, consists of a sapphire base layer.
39. วิธีการของข้อถือสิทธิ 35 ที่ซึ่งชั้นฐานที่โปร่งใส ประกอบด้วยชั้นฐานควอทซ์39. Method of claim 35 where the transparent base layer consists of a quartz base layer.