TH67644A - องค์ประกอบและวิธีการสำหรับการทำให้เรียบเชิงกลเคมีของคอปเปอร์ - Google Patents
องค์ประกอบและวิธีการสำหรับการทำให้เรียบเชิงกลเคมีของคอปเปอร์Info
- Publication number
- TH67644A TH67644A TH301004499A TH0301004499A TH67644A TH 67644 A TH67644 A TH 67644A TH 301004499 A TH301004499 A TH 301004499A TH 0301004499 A TH0301004499 A TH 0301004499A TH 67644 A TH67644 A TH 67644A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- wafer
- exposed
- abrasive
- slurry
- fabrication
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (20/02/47) สกุลของของเหลวข้นที่ถูกเปิดเผยซึ่งใช้เป็นประโยชน์ในการดัดแปรพื้นผิวที่ถูกเผยออก ของเวเพอร์สำหรับการประดิษฐ์สารกึ่ง ตัวนำถูกจัดเตรียมตามด้วยวิธีการของการดัดแปรพื้นผิวที่ถูก เผยออกของเวเฟอร์สำหรับการประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำซึ่งใช้เป็นประ โยชน์สกุลของของเหลวข้น สำหรับทำงานเช่นนี้ และเวเฟอร์สาร กึ่งตัวนำ ของเหลวข้นของการประดิษฐ์ถูกประกอบด้วยพาหะ ของ เหลว สารประกอบซึ่งมีซัลเฟอร์ที่สามารถแปลงผันคอปเปอร์เป็นคอป เปอร์ซัลไฟด์ อย่าง เลือกได้ อนุภาคสารขัดถูก (ตัวขัดถู ตัวคีเลต อย่างเลือกได้ ตัวบัฟเฟอร์ อย่างเลือกได้ สาร ประกอบ การหยุด อย่างเลือกได้ สารเติมแต่งอื่นๆ อย่างเลือก ได้ และตัวทำละลายร่วม อย่างเลือกได้ วิธีการ ของการประดิษฐ์ประกอบด้วยขั้นตอนของ a) การจัด เตรียมเวเฟอร์ซึ่งประกอบด้วยวัสดุที่หนึ่งที่มี พื้นผิวที่ ถูกกัดสลักเพื่อที่จะสร้างแบบอย่างและวัสดุที่สองถูกตกสะสมบน พื้นผิวของวัสดุที่หนึ่ง b) การสัมผัสวัสดุที่สอง ของเวเฟอร์ด้วยสารขัดถูในการปรากฏของของเหลวข้นสำหรับทำ งาน และ c) การเคลื่อนที่อย่างสัมพัทธ์ของเวเฟอร์หรือฐานรอง การขัดละเอียดหรือทั้งคู่ในขณะที่วัสดุที่ สองอยู่ในการ สัมผัสกับของเหลวข้นและอนุภาคสารขัดถูจนกระทั่งพื้นผิวที่ถูก เผยออกของเวเฟอร์ เป็นพื้นราบและประกอบด้วยอย่างน้อยที่สุด พื้นที่หนึ่งของวัสดุที่หนึ่งที่ถูกเผยออกและพื้นที่หนึ่ง ของวัสดุที่สองที่ถูกเผยออก สกุลของเหลวข้นที่ถูกเปิดเผยซึ่งใช้เป็นประโยชน์ในการดัดแปรพื้นผิวที่ถูกเผยออก ของเวเฟอร์สำหรับการประดิษฐ์สารกึ่ง ตัวนำถูกจัดเตรียมด้วยวิธีการของการดัดแปรพื้นผิวที่ถูก เผยออกของเวเฟอร์สำหรับการประดิษฐสารกึ่งตัวนำซึ่งใช้ประ โยชน์สกุลของของเหลวข้น สำหรับทำงานเช่นนี้ และเวเฟอร์สาร กึ่งตัวนำ ของเหลวข้นของการประดิษฐ์ถูกประกอบด้วยพาหะ ของ เหลว สารประกอบซึ่งมีซัลเฟอร์ที่สามารถแปลงผันคอปเปอร์เป็นคอป เปอร์ซัลไฟด์ อย่าง เลือกได้ อนุภาคสารขัดถูก (ตัวขัดถู ตัวคีเลต อย่างเลือกได้ ตัวบัฟเฟอร์ อย่างเลือกได้ สาร ประกอบ การหยุด อย่างเลือกได้ สารเติมแต่งอื่นๆ อย่างเลือก ได้ และตัวทำละลายร่วม อย่างเลือกได้ วิธีการ ของการประดิษฐ์ประกอบด้วยขั้นตอนของ a) การจัด เตรียมเวเฟอร์ซึ่งประกอบด้วยวัสดุที่หนึ่งที่มี พื้นผิวที่ ถูกกัดสลักเพื่อที่จะสร้างแบบอย่างและวัสดุที่สองตกสะสมบน พื้นผิวของวัสดุที่หนึ่ง b) การสัมผัสวัสดุที่สอง ของเวเฟอร์ด้วยสารขัดถูกในการปรากฏของของเหลวข้นสำหรับทำ งาน และ c) การเคลื่อนที่อย่างสัมพันธ์ของเวเฟอร์หรือฐานรอง การขัดละเอียดหรือทั้งคู่ในขณะที่วัสดุที่ สองอยู่ในการ สัมผัสของเหลวข้นและอนุภาคสารขัดถูจนกระทั่วพื้นผิวที่ถูก เผยออกของเวเฟอร์ เป็นพื้นราบและประกอบด้วยอย่างน้อยที่สุด พื้นที่หนึ่งของวัสดุที่หนึ่งที่ถูกเผยออกและพื้นที่หนึ่ง ของวัสดุที่สองที่ถูกเผยออก
Claims (1)
1. ของเหลวที่ใช้ประโยชน์ในการทำให้เรียบของพื้นผิวของเวเฟอร์ถูกทำให้ เหมาะสำหรับการประดิษฐ์ของอุปกรณ์สาร กึ่งตัวนำ ของเหลวขั้นถูกประกอบด้วย a) สารประกอบซึ่งมีซัลเฟอร์ที่สามารถแปลงผันคอปเปอร์ ไปเป็นคอป เปอร์- ซัลไฟด์ b) พาหะของเหลว อย่างเลือกได้ c) ตัวออกซิไดซ์ อย่างเลือกได้ d) อนุภาคการขัดละเอียดอนินทรีย์ อย่างเลือกได้ e) ตัวคีเลต อย่างเลือกได้ f) แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH67644A true TH67644A (th) | 2005-02-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2004055864A3 (en) | Composition and method for copper chemical mechanical planarization | |
| TW414965B (en) | Methods and apparatus for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film | |
| TW200520081A (en) | Multi-step chemical mechanical polishing of a gate area in a FinFET | |
| BR9917199A (pt) | Lìquido de trabalho, método de modificação de uma superfìcie de uma pastilha adequada para fabricação de um dispositivo semicondutor, e, suspensão de polimento | |
| TW200510116A (en) | Materials and methods for chemical-mechanical planarization | |
| US20050037936A1 (en) | Copper chemical mechanical polishing solutions using sulfonated amphiprotic agents | |
| SG155045A1 (en) | Semiconductor polishing compound, process for its production and polishing method | |
| EP0373501A3 (en) | Fine polishing composition for wafers | |
| WO2004013242A3 (en) | Polishing slurry system and metal poslishing and removal process | |
| EP1111665A3 (en) | Method of planarizing a substrate surface | |
| WO2006133249A3 (en) | Integrated chemical mechanical polishing composition and process for single platen processing | |
| TW200621965A (en) | Polishing composition for a semiconductor substrate | |
| DE60020389D1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum planarisieren von mikroelektronischem substratenaufbau | |
| AU2003238888A1 (en) | Abrasive particles to clean semiconductor wafers during chemical mechanical planarization | |
| JP2012511251A5 (th) | ||
| TWI256971B (en) | CMP abrasive and method for polishing substrate | |
| DE60232469D1 (de) | Leitender Polierkörper zum elektrochemisch-mechanischen Polieren | |
| WO2003095579A1 (fr) | Composition et procede pour la fixation termporaire de solides | |
| SG148913A1 (en) | Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing phase- change memory device and method for polishing phase-change memory device using the same | |
| AU2003296130A8 (en) | Slurry composition for chemical mechanical polishing, method for planarization of surface of semiconductor element using the same, and method for controlling selection ratio of slurry composition | |
| TW516119B (en) | Chemical mechanical planarization of metal substrates | |
| SG168412A1 (en) | Synthesis of a functionally graded pad for chemical mechanical planarization | |
| TH67644A (th) | องค์ประกอบและวิธีการสำหรับการทำให้เรียบเชิงกลเคมีของคอปเปอร์ | |
| JP2006303223A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| EP1439577A3 (en) | Semiconductor device and manufacturing method for the same |