TH67644A - องค์ประกอบและวิธีการสำหรับการทำให้เรียบเชิงกลเคมีของคอปเปอร์ - Google Patents

Abstract

DC60 (20/02/47) สกุลของของเหลวข้นที่ถูกเปิดเผยซึ่งใช้เป็นประโยชน์ในการดัดแปรพื้นผิวที่ถูกเผยออก ของเวเพอร์สำหรับการประดิษฐ์สารกึ่ง ตัวนำถูกจัดเตรียมตามด้วยวิธีการของการดัดแปรพื้นผิวที่ถูก เผยออกของเวเฟอร์สำหรับการประดิษฐ์สารกึ่งตัวนำซึ่งใช้เป็นประ โยชน์สกุลของของเหลวข้น สำหรับทำงานเช่นนี้ และเวเฟอร์สาร กึ่งตัวนำ ของเหลวข้นของการประดิษฐ์ถูกประกอบด้วยพาหะ ของ เหลว สารประกอบซึ่งมีซัลเฟอร์ที่สามารถแปลงผันคอปเปอร์เป็นคอป เปอร์ซัลไฟด์ อย่าง เลือกได้ อนุภาคสารขัดถูก (ตัวขัดถู ตัวคีเลต อย่างเลือกได้ ตัวบัฟเฟอร์ อย่างเลือกได้ สาร ประกอบ การหยุด อย่างเลือกได้ สารเติมแต่งอื่นๆ อย่างเลือก ได้ และตัวทำละลายร่วม อย่างเลือกได้ วิธีการ ของการประดิษฐ์ประกอบด้วยขั้นตอนของ a) การจัด เตรียมเวเฟอร์ซึ่งประกอบด้วยวัสดุที่หนึ่งที่มี พื้นผิวที่ ถูกกัดสลักเพื่อที่จะสร้างแบบอย่างและวัสดุที่สองถูกตกสะสมบน พื้นผิวของวัสดุที่หนึ่ง b) การสัมผัสวัสดุที่สอง ของเวเฟอร์ด้วยสารขัดถูในการปรากฏของของเหลวข้นสำหรับทำ งาน และ c) การเคลื่อนที่อย่างสัมพัทธ์ของเวเฟอร์หรือฐานรอง การขัดละเอียดหรือทั้งคู่ในขณะที่วัสดุที่ สองอยู่ในการ สัมผัสกับของเหลวข้นและอนุภาคสารขัดถูจนกระทั่งพื้นผิวที่ถูก เผยออกของเวเฟอร์ เป็นพื้นราบและประกอบด้วยอย่างน้อยที่สุด พื้นที่หนึ่งของวัสดุที่หนึ่งที่ถูกเผยออกและพื้นที่หนึ่ง ของวัสดุที่สองที่ถูกเผยออก สกุลของเหลวข้นที่ถูกเปิดเผยซึ่งใช้เป็นประโยชน์ในการดัดแปรพื้นผิวที่ถูกเผยออก ของเวเฟอร์สำหรับการประดิษฐ์สารกึ่ง ตัวนำถูกจัดเตรียมด้วยวิธีการของการดัดแปรพื้นผิวที่ถูก เผยออกของเวเฟอร์สำหรับการประดิษฐสารกึ่งตัวนำซึ่งใช้ประ โยชน์สกุลของของเหลวข้น สำหรับทำงานเช่นนี้ และเวเฟอร์สาร กึ่งตัวนำ ของเหลวข้นของการประดิษฐ์ถูกประกอบด้วยพาหะ ของ เหลว สารประกอบซึ่งมีซัลเฟอร์ที่สามารถแปลงผันคอปเปอร์เป็นคอป เปอร์ซัลไฟด์ อย่าง เลือกได้ อนุภาคสารขัดถูก (ตัวขัดถู ตัวคีเลต อย่างเลือกได้ ตัวบัฟเฟอร์ อย่างเลือกได้ สาร ประกอบ การหยุด อย่างเลือกได้ สารเติมแต่งอื่นๆ อย่างเลือก ได้ และตัวทำละลายร่วม อย่างเลือกได้ วิธีการ ของการประดิษฐ์ประกอบด้วยขั้นตอนของ a) การจัด เตรียมเวเฟอร์ซึ่งประกอบด้วยวัสดุที่หนึ่งที่มี พื้นผิวที่ ถูกกัดสลักเพื่อที่จะสร้างแบบอย่างและวัสดุที่สองตกสะสมบน พื้นผิวของวัสดุที่หนึ่ง b) การสัมผัสวัสดุที่สอง ของเวเฟอร์ด้วยสารขัดถูกในการปรากฏของของเหลวข้นสำหรับทำ งาน และ c) การเคลื่อนที่อย่างสัมพันธ์ของเวเฟอร์หรือฐานรอง การขัดละเอียดหรือทั้งคู่ในขณะที่วัสดุที่ สองอยู่ในการ สัมผัสของเหลวข้นและอนุภาคสารขัดถูจนกระทั่วพื้นผิวที่ถูก เผยออกของเวเฟอร์ เป็นพื้นราบและประกอบด้วยอย่างน้อยที่สุด พื้นที่หนึ่งของวัสดุที่หนึ่งที่ถูกเผยออกและพื้นที่หนึ่ง ของวัสดุที่สองที่ถูกเผยออก

Claims (17)

1. ของเหลวที่ใช้ประโยชน์ในการทำให้เรียบของพื้นผิวของเวเฟอร์ถูกทำให้ เหมาะสำหรับการประดิษฐ์ของอุปกรณ์สาร กึ่งตัวนำ ของเหลวขั้นถูกประกอบด้วย a) สารประกอบซึ่งมีซัลเฟอร์ที่สามารถแปลงผันคอปเปอร์ ไปเป็นคอป เปอร์- ซัลไฟด์ b) พาหะของเหลว อย่างเลือกได้ c) ตัวออกซิไดซ์ อย่างเลือกได้ d) อนุภาคการขัดละเอียดอนินทรีย์ อย่างเลือกได้ e) ตัวคีเลต อย่างเลือกได้ f) ตัวบัฟเฟอร์ อย่างเลือกได้ g) ตัวทำให้เฉื่อย อย่างเลือกได้ h) สารลดแรงตึงผิว ตัวสร้างอิมัลชัน ตัวดัดแปรความหนืด ตัวทำให้เปียก สาร หล่อลื่น สบู่ และอื่นๆ ในทำนองเดียวกัน อย่างเลือกได้ i) สารประกอบการหยุดอย่างเลือกได้เพื่อที่จะเพิ่มการขัด ละเอียดโลหะอย่าง เลือกสรรได้ และ j) ตัวทำลายร่วม อย่างเลือกได้

2. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งสารประกอบซึ่ง มีซัลเฟอร์สามารถแปลง- ผันคอนเปอร์ไปเป็นคอปเปอร์ซัลไฟด์ เป็นไดซัลไฟด์หรือพอลิซัลไฟด์ที่มีโครงสร้าง R1 S-Sx-S-R2 ในที่ซึ่ง R1 และ R2 คือ ส่วนอนินทรีย์หรืออินทรีย์อย่าง อิสระและ x เป็นจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 24

3. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 2 ในที่ซึ่ง R1 และ R2 เป็น สารอินทรีย์อย่าง อิสระ ซึ่งอาจประกอบด้วย ไฮโดรคาร์บอน หรือหมู่ฟังก์ชัน อย่างเช่น ไฮโดรเจน อะมีน ไฮดรอก- ซิล คาร์ บอซิล ฮาโลเจน ซัลฟอนิล อัลคิล อะริล อัลคาริลหรือการรวม กันของสิ่งเหล่านั้น

4. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 2 ในที่ซึ่ง R1 และ R2 เป็น หมู่ฟังก์ชันอนินทรีย์อย่าง อิสระที่ถูกเลือกสรรจากเกลือของ โลหะอัลคาไลหรือโลหะอัลคาไลน์เอริ์ธ หรือ เกลือแอมโมเนีย หรือการรวมกันของสิ่งเหล่านั้น

5. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 2 ในที่ซึ่งพอลิซัลไฟด์ คือไฮดรอกซีเอธิลพอลิซัลไฟด์

6. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งสารประกอบซึ่ง มีซัลเฟอร์ซึ่งสามารถแปลง- ผันคอปเปอร์ไปเป็นคอปเปอร์ซัลไฟด์ ที่มีความเข้มข้นจาก 0.0010% ถึง 100%

7. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งอนุภาคการขัด ละเอียดอนินทรีย์ถูกเลือกสรร จาก SiO2 Al2 O3 CeO2 เซอร์ โครเนีย แคลเซียมคาร์บอเนต เกลือซีเรียม การ์เนต ซิลิเกต และ ไทเทเนียมไดออกไซด์

8. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งพีเอชอยู่ ระหว่าง 2 ถึง 13

9. วิธีการของการดัดแปรพื้นผิวของเวเฟอร์ที่เหมาะสมสำหรับ การประดิษฐ์ของอุปกรณ์ สารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยขั้นตอน ของ a) การจัดเตรียมเวเฟอร์ซึ่งประกอบด้วยวัสดุที่หนึ่งที่มี พื้นผิวถูกสลักเพื่อที่จะ สร้างแบบอย่างและวัสดุที่สองถูกตก สะสมบนพื้นผิวของวัสดุที่หนึ่ง b) การสัมผัสวัสดุที่สองของเวเฟอร์ด้วยของเหลวข้นของการ ประดิษฐ์ถูกใช้ในการ ร่วมกันกับฐานรองการขัดละเอียด ของเหลว ข้นซึ่งประกอบด้วยอนุภาคของสาร ขัดถูหลวม ๆ จำนวนมากถู กกระจายในของเหลวข้น และ c) การเคลื่อนที่อย่างสัมพันธ์ของเวเฟอร์ในขณะที่ของเหลว ข้นและฐานรองการขัด ละเอียดอยู่ในการสัมผัสกับพื้นผิวที่ เปิดของเวเฟอร์ จนกระทั่ง เวเฟอร์เป็นพื้นราบ และประกอบด้วย อย่างน้อยที่สุดพื้นที่หนึ่งของวัสดุที่หนึ่งที่ถูกเผยออกและพื้นที่ หนึ่งของ วัสดุที่สอง

10. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 9 ในที่ซึ่งของเหลวข้นมี อนุภาคการขัดละเอียด

11. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 9 ในที่ซึ่งอนุภาคการขัด ละเอียดถูกตรึงบนฐานรองการขัด ละเอียด

12. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 9 ในที่ซึ่งฐานรองรับการขัด ละเอียดประกอบด้วยของเหลวข้น และฐานรองพอลิเมอร์ ของเหลวข้น ประกอบด้วยอนุภาคสารขัดถูกหลอมๆ จำนวนมากถูกกระจาย ในของ เหลวข้น ของเหลวข้นสัมผัสชั้นโลหะของเวเฟอร์โดยการใช้ของ ฐานรองการขัดละเอียด

13. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 12 ในที่ซึ่งวัสดุที่หนึ่ง เป็นวัสดุไดอิเล็กทริกและวัสดุที่สอง เป็นวัสดุซึ่งนำไฟฟ้า

14. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 12 ในที่ซึ่งนอกจากนี้เวเฟอร์ ประกอบด้วยชั้นขวางกั้นซึ่งปก คลุมวัสดุไดอิเล็กทริก

15. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 12 ในที่ซึ่งโลหะเป็นวัสดุ ซึ่งนำไฟฟ้าที่ถูกเลือกสรรจาก หมู่ซึ่งประกอบด้วยไทเทเนียม เงิน อะลูมินัม ทังสเตน แทนทาลัม แทนทาลัมไนไตร์ด ทังสเตน ไน ไตร์ด แทนทาลัมออกไซด์ ทังสเตนออกไซด์ ซิลิกา คอปเปอร์ หรือโลหะผสมของสิ่งเหล่านั้น

16. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 12 ในที่ซึ่งน้ำการปะทะสูงถูก ใช้เพื่อที่จะดึงออกอนุภาค คอปเปอร์ซัลไฟด์ที่ถูกขัดถู

17. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 12 ในที่ซึ่งการแผ่รังสีอัลท ราโซนิกส์ถูกใช้เพื่อที่จะช่วยใน การดึงออกคอปเปอร์ซัลไฟด์ จากพื้นผิวเวเฟอร์