Claims (17)
1. ของเหลวที่ใช้ประโยชน์ในการทำให้เรียบของพื้นผิวของเวเฟอร์ถูกทำให้ เหมาะสำหรับการประดิษฐ์ของอุปกรณ์สาร กึ่งตัวนำ ของเหลวขั้นถูกประกอบด้วย a) สารประกอบซึ่งมีซัลเฟอร์ที่สามารถแปลงผันคอปเปอร์ ไปเป็นคอป เปอร์- ซัลไฟด์ b) พาหะของเหลว อย่างเลือกได้ c) ตัวออกซิไดซ์ อย่างเลือกได้ d) อนุภาคการขัดละเอียดอนินทรีย์ อย่างเลือกได้ e) ตัวคีเลต อย่างเลือกได้ f) ตัวบัฟเฟอร์ อย่างเลือกได้ g) ตัวทำให้เฉื่อย อย่างเลือกได้ h) สารลดแรงตึงผิว ตัวสร้างอิมัลชัน ตัวดัดแปรความหนืด ตัวทำให้เปียก สาร หล่อลื่น สบู่ และอื่นๆ ในทำนองเดียวกัน อย่างเลือกได้ i) สารประกอบการหยุดอย่างเลือกได้เพื่อที่จะเพิ่มการขัด ละเอียดโลหะอย่าง เลือกสรรได้ และ j) ตัวทำลายร่วม อย่างเลือกได้1. The fluids used for surface smoothing of wafers are optimized for the fabrication of semiconductor devices. These fluids consist of: a) a sulfur-converting compound capable of converting copper to copper-sulfide; b) a selective fluid carrier; c) a selective oxidizing agent; d) a selective inorganic abrasive particle; e) a selective chelating agent; f) a selective buffer; g) a selective inert agent; h) a selective surfactant, emulsifier, viscosity modifier, wetting agent, lubricant, soap, etc.; i) a selective stopping compound to enhance selective metal polishing; and j) a selective co-solvent.
2. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งสารประกอบซึ่ง มีซัลเฟอร์สามารถแปลง- ผันคอนเปอร์ไปเป็นคอปเปอร์ซัลไฟด์ เป็นไดซัลไฟด์หรือพอลิซัลไฟด์ที่มีโครงสร้าง R1 S-Sx-S-R2 ในที่ซึ่ง R1 และ R2 คือ ส่วนอนินทรีย์หรืออินทรีย์อย่าง อิสระและ x เป็นจำนวนเต็มจาก 0 ถึง 242. A viscous form of the claim 1 in which a sulfur-containing compound can be transformed into copper sulfide, disulfide, or polysulfide with the structure R1 S-Sx-S-R2, where R1 and R2 are freely inorganic or organic entities and x is an integer from 0 to 24.
3. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 2 ในที่ซึ่ง R1 และ R2 เป็น สารอินทรีย์อย่าง อิสระ ซึ่งอาจประกอบด้วย ไฮโดรคาร์บอน หรือหมู่ฟังก์ชัน อย่างเช่น ไฮโดรเจน อะมีน ไฮดรอก- ซิล คาร์ บอซิล ฮาโลเจน ซัลฟอนิล อัลคิล อะริล อัลคาริลหรือการรวม กันของสิ่งเหล่านั้น3. The viscous content of claim 2 where R1 and R2 are free organic substances which may contain hydrocarbons or functional groups such as hydrogen, amine, hydroxyl, carboxyl, halogen, sulfonyl, alkyl, aryl, alkaryl or a combination thereof.
4. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 2 ในที่ซึ่ง R1 และ R2 เป็น หมู่ฟังก์ชันอนินทรีย์อย่าง อิสระที่ถูกเลือกสรรจากเกลือของ โลหะอัลคาไลหรือโลหะอัลคาไลน์เอริ์ธ หรือ เกลือแอมโมเนีย หรือการรวมกันของสิ่งเหล่านั้น4. The viscous form of claim 2 where R1 and R2 are independently selected inorganic functional groups of alkali or alkaline earth metal salts, or ammonia salts, or a combination thereof.
5. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 2 ในที่ซึ่งพอลิซัลไฟด์ คือไฮดรอกซีเอธิลพอลิซัลไฟด์5. The viscous liquid of claim 2 in which polysulfide is hydroxyaethyl polysulfide.
6. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งสารประกอบซึ่ง มีซัลเฟอร์ซึ่งสามารถแปลง- ผันคอปเปอร์ไปเป็นคอปเปอร์ซัลไฟด์ ที่มีความเข้มข้นจาก 0.0010% ถึง 100%6. A concentrated liquid of claim 1 in which a compound containing sulfur capable of converting copper to copper sulfide is present at a concentration ranging from 0.0010% to 100%.
7. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งอนุภาคการขัด ละเอียดอนินทรีย์ถูกเลือกสรร จาก SiO2 Al2 O3 CeO2 เซอร์ โครเนีย แคลเซียมคาร์บอเนต เกลือซีเรียม การ์เนต ซิลิเกต และ ไทเทเนียมไดออกไซด์7. A viscous liquid of claim 1 in which inorganic abrasive particles are selected from SiO2, Al2O3, CeO2, zirconia, calcium carbonate, cerium salts, garnet, silicate, and titanium dioxide.
8. ของเหลวข้นของข้อถือสิทธิข้อ 1 ในที่ซึ่งพีเอชอยู่ ระหว่าง 2 ถึง 138. The viscous liquid of claim 1 in a location where the pH is between 2 and 13.
9. วิธีการของการดัดแปรพื้นผิวของเวเฟอร์ที่เหมาะสมสำหรับ การประดิษฐ์ของอุปกรณ์ สารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยขั้นตอน ของ a) การจัดเตรียมเวเฟอร์ซึ่งประกอบด้วยวัสดุที่หนึ่งที่มี พื้นผิวถูกสลักเพื่อที่จะ สร้างแบบอย่างและวัสดุที่สองถูกตก สะสมบนพื้นผิวของวัสดุที่หนึ่ง b) การสัมผัสวัสดุที่สองของเวเฟอร์ด้วยของเหลวข้นของการ ประดิษฐ์ถูกใช้ในการ ร่วมกันกับฐานรองการขัดละเอียด ของเหลว ข้นซึ่งประกอบด้วยอนุภาคของสาร ขัดถูหลวม ๆ จำนวนมากถู กกระจายในของเหลวข้น และ c) การเคลื่อนที่อย่างสัมพันธ์ของเวเฟอร์ในขณะที่ของเหลว ข้นและฐานรองการขัด ละเอียดอยู่ในการสัมผัสกับพื้นผิวที่ เปิดของเวเฟอร์ จนกระทั่ง เวเฟอร์เป็นพื้นราบ และประกอบด้วย อย่างน้อยที่สุดพื้นที่หนึ่งของวัสดุที่หนึ่งที่ถูกเผยออกและพื้นที่ หนึ่งของ วัสดุที่สอง9. A method of surface modification of a wafer suitable for the fabrication of semiconductor devices, consisting of the following steps: a) preparation of the wafer, which consists of a first material whose surface is etched to form a pattern, and a second material deposited on the surface of the first material; b) contact of the second material of the wafer with a fabrication flux, which is used in conjunction with a fine polishing substrate. The flux, which consists of a large number of loose abrasive particles dispersed in the flux; and c) relative movement of the wafer while the flux and fine polishing substrate are in contact with the exposed surfaces of the wafer, until the wafer is flat and consists of at least one area of the first material exposed and one area of the second material.
10. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 9 ในที่ซึ่งของเหลวข้นมี อนุภาคการขัดละเอียด10. The method of claim 9 in which viscous liquids contain fine abrasive particles.
11. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 9 ในที่ซึ่งอนุภาคการขัด ละเอียดถูกตรึงบนฐานรองการขัด ละเอียด11. The method of claim 9 in which fine abrasive particles are fixed on a fine abrasive backing.
12. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 9 ในที่ซึ่งฐานรองรับการขัด ละเอียดประกอบด้วยของเหลวข้น และฐานรองพอลิเมอร์ ของเหลวข้น ประกอบด้วยอนุภาคสารขัดถูกหลอมๆ จำนวนมากถูกกระจาย ในของ เหลวข้น ของเหลวข้นสัมผัสชั้นโลหะของเวเฟอร์โดยการใช้ของ ฐานรองการขัดละเอียด12. The method of claim 9 where the abrasive backing consists of a viscous liquid and a polymer backing. The viscous liquid contains a large number of fused abrasive particles dispersed in the viscous liquid. The viscous liquid comes into contact with the metal layer of the wafer by the application of the abrasive backing.
13. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 12 ในที่ซึ่งวัสดุที่หนึ่ง เป็นวัสดุไดอิเล็กทริกและวัสดุที่สอง เป็นวัสดุซึ่งนำไฟฟ้า13. Method of claim 12 where the first material is a dielectric material and the second material is an electrically conductive material.
14. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 12 ในที่ซึ่งนอกจากนี้เวเฟอร์ ประกอบด้วยชั้นขวางกั้นซึ่งปก คลุมวัสดุไดอิเล็กทริก14. The method of claim 12 in which, in addition, the wafer consists of a transverse layer which covers the dielectric material.
15. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 12 ในที่ซึ่งโลหะเป็นวัสดุ ซึ่งนำไฟฟ้าที่ถูกเลือกสรรจาก หมู่ซึ่งประกอบด้วยไทเทเนียม เงิน อะลูมินัม ทังสเตน แทนทาลัม แทนทาลัมไนไตร์ด ทังสเตน ไน ไตร์ด แทนทาลัมออกไซด์ ทังสเตนออกไซด์ ซิลิกา คอปเปอร์ หรือโลหะผสมของสิ่งเหล่านั้น15. The method of claim 12 where a metal is chosen as the electrically conductive material from the group which consists of titanium, silver, aluminum, tungsten, tantalum, tantalum nitride, tungsten nitride, tantalum oxide, tungsten oxide, silica, copper or alloys of those.
16. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 12 ในที่ซึ่งน้ำการปะทะสูงถูก ใช้เพื่อที่จะดึงออกอนุภาค คอปเปอร์ซัลไฟด์ที่ถูกขัดถู16. The method of claim 12 in which high-impact water is used to remove abraded copper sulfide particles.
17. วิธีการของข้อถือสิทธิข้อ 12 ในที่ซึ่งการแผ่รังสีอัลท ราโซนิกส์ถูกใช้เพื่อที่จะช่วยใน การดึงออกคอปเปอร์ซัลไฟด์ จากพื้นผิวเวเฟอร์17. The method of claim 12 in which ultrasonic radiation is used to aid in the removal of copper sulfide from the wafer surface.