TH64715A - อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการเฝ้าตรวจกระบวนการอิเล็กโทรไลต์ - Google Patents
อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการเฝ้าตรวจกระบวนการอิเล็กโทรไลต์Info
- Publication number
- TH64715A TH64715A TH301002572A TH0301002572A TH64715A TH 64715 A TH64715 A TH 64715A TH 301002572 A TH301002572 A TH 301002572A TH 0301002572 A TH0301002572 A TH 0301002572A TH 64715 A TH64715 A TH 64715A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- reference electrode
- anode
- piece
- cathode
- voltage
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (04/08/46) ในการผลิตวงจรรวม ช่องว่างในชั้นโลหะอาจก่อรูปขึ้นมาโดยง่ายในระหว่างการพอกพูน โลหะแบบใช้อิเล็กโทรไลต์ เพื่อหลีกเลี่ยงข้อผิดพลาดเหล่านี้ ซึ่งเป็นผลเสียต่อสภาพเชิงทำหน้าที่ ของวงจรรวม เพื่อการพอกพูนโลหะนั้น การประดิษฐ์แนะนำให้ใช้อุปกรณ์การแยกสลายด้วยไฟฟ้าที่ ประกอบรวมด้วยแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และที่ซึ่ง อิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นที่ได้รับการจัดวางไว้ที่พื้นผิวของแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชิ้นหรือที่พื้นผิวของแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น มาตรวัดแรงดันไฟฟ้าได้รับการจัดเตรียมขึ้น มาตามลำดับเพื่อการตรวจหาแรงดันไฟฟ้าระหว่างแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและอิเล็กโทรดอ้าง อิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และระหว่างอิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและแคโทดอย่างน้อย ที่สุดหนึ่งชิ้น ในการผลิตวงจรรวม ช่องว่างในชั้นโลหะอาจก่อรูปขึ้นมาโดยง่ายในระหว่างการพอกพูน โลหะแบบใช้อิเล็กโทรไลต์ เพื่อหลีกเลี่ยงข้อผิดพลาดเหล่านี้ ซึ่งเป็นผลเสียต่อสภาพเชิงทำหน้าที่ ของวงจรรวม เพื่อการพอกพูนโลหะนั้น การประดิษฐ์แนะนำให้ใช้อุปกรณ์การแยกสลายด้วยไฟฟ้าที่ ประกอบรวมด้วยแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และ ที่ซึ่ง อิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นที่ได้รับการจัดวางไว้ที่พื้นผิวของแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชิ้นหรือที่พื้นผิวของแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น มาตรวัดแรงดันไฟฟ้าได้รับการจัดเตรียมขึ้น มาตามลำดับเพื่อการตรวจหาแรงดันไฟฟ้าระหว่างแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและอิเล็กโทรดอ้าง อิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และระหว่างอิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและแคโทดอย่างน้อย ที่สุดหนึ่งชิ้น
Claims (1)
1. อุปกรณ์สำหรับการเฝ้าตรวจกระบวนการอิเล็คโทรไลต์ประกอบรวมด้วยแอโนดอย่างน้อย ที่สุดหนึ่งชิ้นและแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น อิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นที่ได้รับการ จัดวางไว้ที่พื้นผิวของแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นหรือที่พื้นผิวของแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น มาตรวัดแรงดันไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นซึ่งได้รับการจัดเตรียมขึ้นมาตามลำดับเพื่อการตรวจหา แรงดันไฟฟ้าระหว่างแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและอิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และ ระหว่างอิเล็กโทรดอ้างอิงอย่แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH64715A true TH64715A (th) | 2004-10-14 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2009041554A1 (ja) | センサー、センサーシステム、携帯型センサーシステム、金属イオンの分析方法、実装用基板、鍍金阻害化学種の分析方法、生成化合物の分析方法、及び一価銅化学種の分析方法 | |
| TW200733284A (en) | Structure and method for monitoring stress-induced degradation of conductive interconnects | |
| US11414776B2 (en) | Electrochemical processing device and method for operating electrochemical processing device | |
| WO2020123322A3 (en) | Low temperature direct copper-copper bonding | |
| EP2293334A3 (en) | Display apparatus, manufacturing method thereof, and electronic equipment | |
| TW200504774A (en) | Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing the same | |
| GB2569503A (en) | Real-time cathodic protection integrity monitoring sensor, system and method | |
| Huang | Effects of direct current electric field on corrosion behaviour of copper, Cl− ion migration behaviour and dendrites growth under thin electrolyte layer | |
| TW200503020A (en) | Capacitor and manufacturing method of capacitor | |
| EP1562412A3 (en) | Method and device for electrolytically increasing the thickness of an electrically conductive pattern on a dielectric substrate, as well as a dielectric substrate | |
| DE60323375D1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur überwachung eines elektrolytischen verfahrens | |
| TW200511346A (en) | Solid electrolytic capacitor | |
| WO2008081567A1 (ja) | シリコンウエーハの評価方法 | |
| FI20011351A0 (fi) | Menetelmä elektrolyysin virtahyötysuhteen parantamiseksi | |
| ATE363067T1 (de) | Bezugselektrode für potentiometrische messungen und verfahren zu deren überwachung | |
| JP6623329B2 (ja) | 腐食センサ | |
| TH64715A (th) | อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการเฝ้าตรวจกระบวนการอิเล็กโทรไลต์ | |
| TW200617410A (en) | Semiconductor wafer and inspection method thereof | |
| HUP0201871A2 (en) | Diode comprising a metal semiconductor contact and a method for the production thereof | |
| CN103698384A (zh) | 深孔镀铜加速剂的测量方法 | |
| JP2019204913A (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
| TW200638450A (en) | Stacked solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof | |
| ATE476669T1 (de) | Verfahren zur bestimmung der zeit bis zum ausfall von submikrometer-metallverbindungen | |
| Medgyes et al. | Electrochemical migration of Ag in Na2SO4 environment | |
| JPWO2016194880A1 (ja) | 粗化された銅表面の表面積測定方法 |