TH64715A - อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการเฝ้าตรวจกระบวนการอิเล็กโทรไลต์ - Google Patents

อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการเฝ้าตรวจกระบวนการอิเล็กโทรไลต์

Info

Publication number
TH64715A
TH64715A TH301002572A TH0301002572A TH64715A TH 64715 A TH64715 A TH 64715A TH 301002572 A TH301002572 A TH 301002572A TH 0301002572 A TH0301002572 A TH 0301002572A TH 64715 A TH64715 A TH 64715A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
reference electrode
anode
piece
cathode
voltage
Prior art date
Application number
TH301002572A
Other languages
English (en)
Inventor
ธีส ดร.แอนเดรียส
เดร็ทช์โคว์ ดร.โธมัส
Original Assignee
นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์
นายบุญมา เตชะวณิช
นายต่อพงศ์ โทณะวณิก
Filing date
Publication date
Application filed by นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์, นางสาวปรับโยชน์ ศรีกิจจาภรณ์, นายบุญมา เตชะวณิช, นายต่อพงศ์ โทณะวณิก filed Critical นายจักรพรรดิ์ มงคลสิทธิ์
Publication of TH64715A publication Critical patent/TH64715A/th

Links

Abstract

DC60 (04/08/46) ในการผลิตวงจรรวม ช่องว่างในชั้นโลหะอาจก่อรูปขึ้นมาโดยง่ายในระหว่างการพอกพูน โลหะแบบใช้อิเล็กโทรไลต์ เพื่อหลีกเลี่ยงข้อผิดพลาดเหล่านี้ ซึ่งเป็นผลเสียต่อสภาพเชิงทำหน้าที่ ของวงจรรวม เพื่อการพอกพูนโลหะนั้น การประดิษฐ์แนะนำให้ใช้อุปกรณ์การแยกสลายด้วยไฟฟ้าที่ ประกอบรวมด้วยแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และที่ซึ่ง อิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นที่ได้รับการจัดวางไว้ที่พื้นผิวของแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชิ้นหรือที่พื้นผิวของแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น มาตรวัดแรงดันไฟฟ้าได้รับการจัดเตรียมขึ้น มาตามลำดับเพื่อการตรวจหาแรงดันไฟฟ้าระหว่างแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและอิเล็กโทรดอ้าง อิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และระหว่างอิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและแคโทดอย่างน้อย ที่สุดหนึ่งชิ้น ในการผลิตวงจรรวม ช่องว่างในชั้นโลหะอาจก่อรูปขึ้นมาโดยง่ายในระหว่างการพอกพูน โลหะแบบใช้อิเล็กโทรไลต์ เพื่อหลีกเลี่ยงข้อผิดพลาดเหล่านี้ ซึ่งเป็นผลเสียต่อสภาพเชิงทำหน้าที่ ของวงจรรวม เพื่อการพอกพูนโลหะนั้น การประดิษฐ์แนะนำให้ใช้อุปกรณ์การแยกสลายด้วยไฟฟ้าที่ ประกอบรวมด้วยแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และ ที่ซึ่ง อิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นที่ได้รับการจัดวางไว้ที่พื้นผิวของแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชิ้นหรือที่พื้นผิวของแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น มาตรวัดแรงดันไฟฟ้าได้รับการจัดเตรียมขึ้น มาตามลำดับเพื่อการตรวจหาแรงดันไฟฟ้าระหว่างแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและอิเล็กโทรดอ้าง อิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และระหว่างอิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและแคโทดอย่างน้อย ที่สุดหนึ่งชิ้น

Claims (1)

1. อุปกรณ์สำหรับการเฝ้าตรวจกระบวนการอิเล็คโทรไลต์ประกอบรวมด้วยแอโนดอย่างน้อย ที่สุดหนึ่งชิ้นและแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น อิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นที่ได้รับการ จัดวางไว้ที่พื้นผิวของแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นหรือที่พื้นผิวของแคโทดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น มาตรวัดแรงดันไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นซึ่งได้รับการจัดเตรียมขึ้นมาตามลำดับเพื่อการตรวจหา แรงดันไฟฟ้าระหว่างแอโนดอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้นและอิเล็กโทรดอ้างอิงอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชิ้น และ ระหว่างอิเล็กโทรดอ้างอิงอย่แท็ก :
TH301002572A 2003-07-10 อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการเฝ้าตรวจกระบวนการอิเล็กโทรไลต์ TH64715A (th)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TH64715A true TH64715A (th) 2004-10-14

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Huang et al. The effects of Cl− ion concentration and relative humidity on atmospheric corrosion behaviour of PCB-Cu under adsorbed thin electrolyte layer
WO2009041554A1 (ja) センサー、センサーシステム、携帯型センサーシステム、金属イオンの分析方法、実装用基板、鍍金阻害化学種の分析方法、生成化合物の分析方法、及び一価銅化学種の分析方法
EP1562412A3 (en) Method and device for electrolytically increasing the thickness of an electrically conductive pattern on a dielectric substrate, as well as a dielectric substrate
WO2007118875A3 (de) Vorrichtung und verfahren zur galvanischen beschichtung
EP2293334A3 (en) Display apparatus, manufacturing method thereof, and electronic equipment
MY164452A (en) Rolled copper foil or electrolytic copper foil for electronic circuit, and method of forming electronic circuit using same
TW200617410A (en) Semiconductor wafer and inspection method thereof
Huang et al. Effects of direct current electric field on corrosion behaviour of copper, Cl− ion migration behaviour and dendrites growth under thin electrolyte layer
JP2017003285A (ja) 基板の腐食検出回路及びそれを具備したモータ駆動装置
WO2008081567A1 (ja) シリコンウエーハの評価方法
JP5810197B2 (ja) 電解銅箔、フレキシブル配線板及び電池
TW200511346A (en) Solid electrolytic capacitor
EA200400075A1 (ru) Способ улучшения эффективности тока при электролизе
US11414776B2 (en) Electrochemical processing device and method for operating electrochemical processing device
DE60323375D1 (de) Vorrichtung und verfahren zur überwachung eines elektrolytischen verfahrens
ATE363067T1 (de) Bezugselektrode für potentiometrische messungen und verfahren zu deren überwachung
TW200638450A (en) Stacked solid electrolytic capacitor and manufacturing method thereof
ATE476669T1 (de) Verfahren zur bestimmung der zeit bis zum ausfall von submikrometer-metallverbindungen
TH64715A (th) อุปกรณ์และวิธีการสำหรับการเฝ้าตรวจกระบวนการอิเล็กโทรไลต์
HUP0201871A2 (en) Diode comprising a metal semiconductor contact and a method for the production thereof
CN104569757B (zh) 一种cti测试方法及装置
CN115427784A (zh) 腐蚀环境监测装置和方法
Moats et al. Examination of selected copper electrowinning additives
MXPA05004854A (es) Metodo para la obtencion de una buena superficie de contacto en una barra colectora de celda de electrolisis, y barra colectora.
Medgyes et al. Electrochemical migration of Cu and Sn in Na2SO4 environment