TH64572A - กรรมวิธีสำหรับปฏิบัติต่อตัวกลางชนิดเอเควียสที่มีเกลือฟอสเฟตและสารประกอบอินทรีย์ - Google Patents

Abstract

------11/04/2561------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า บทสรุปการประดิษฐ์ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับกรรมวิธีสำหรับการเตรียมกรดไนตรีกโดยการปฎิปตต่อตัวกลางชนิด เอเควียสที่มีสารประกอบอินทรีย์และฟอสเฟต กรรมวิธีตังกล่าวประกอบรวมด้วย การปอนตัวกลางชนิดเอเควียลไปยังบรีเวณสังเคราะห์กรดไนตรีก การทำให้เกิดกรดไนตรกโดยการสัมผัสตัวกลางชนิดเอเควียลกับตัวกลางชนิดก๊าซในบรี'เวณ สังเคราะห์กรดไนตรีกตังกล่าว ตัวกลางชนิดก๊าซตังกล่าวที่มี N02 การปล่อยก๊าซทิงออกจากบรีเวณสังเคราะห์กรดไนตรีกตังกล่าว ที่ซึ่งความเข้มข้นของคาร์บอนชนิดอินทรีย์รวมทํ่งหมดในตัวกล่างชนิดเอเควียสที่เข้าสู่บรีเวณ สังเคราะห์กรดไนตรีก น้อยกว่า 0.03 เปอร์เซ็นต์โดยนำหนัก ------------ การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับกรรมวิธีสำหรับใช้ในการเตรียมกรดไนตริกได้โดยการทำ ปฏิกิริยาบำบัดสารตัวกลางชนิดแอคเค วียสซึ่งมีสารประกอบอินทรีย์และฟอสเฟทประกอบอยู่ กรรมวิธี ดังกล่าวซึ่งประกอบรวมด้วย การป้อนสารตัวกลางชนิดแอคเควียสเข้าไปในโซนสังเคราะห์ กรดไนตริก; การทำให้เกิดกรดไนตริกขึ้นได้โดยการทำปฏิกิริยาสัมผัสสาร ตัวกลางชนิดแอคเควียส กับสารตัวกลางชนิดก๊าซในโซนสังเคราะห์ กรดไนตริกดังกล่าว สารตัวกลางชนิดก๊าซดังกล่าว ซึ่งมี NO2 ประกอบอยู่; การปล่อยไอที่ไม่มีก๊าซให้ออกจากโซนสังเคราะห์กรดไนตริก ดังกล่าว โดยที่ความหนาแน่นของคาร์บอนชนิดอินทรีย์รวมในสารตัวกลาง ชนิดแอคเควียสที่ ไหลเข้าไปในโซนสังเคราะห์กรดไนตริกมีน้อย กว่า 0.03% โดยน้ำหนัก:

Claims (1)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :------11/04/2561------(OCR) หน้า 1 ของจำนวน 1 หน้า ข้อถือสิทธิ 1. กรรมวิธีสำหรับการเตรยมกรดไนตรก (nitric acid) โดยการปฏิบัติต่อตัวกลางชนิดเอเควียล (aqueous medium) ที่มีสารประกอบอินทรย์และฟอสเฟต (phosphate) กรรมวิธีตังกล่าว ที่ประกอบรวมด้วย การบ้เอนตัวกลางชนิดเอเควียลไปยังบไเวณสังเคราะห์กรดไนตไก การทำให้เกิดกรดไนตรกโดยการสัมผัสตัวกลางชนิดเอเควียลกับตัวกลางชนิดก๊าซในบไเวณ สังเคราะห์กรดไนตไกตังกล่าว ตัวกลางชนิดก๊าซตังกล่าวที่มี N02 การปล่อยก๊าชทิง (off-gas) ออกจากบไเวณสังเคราะห์กรดไนตไกตังกล่าว ที่ซึงความเข้มข้นของคาร์บอนชนิดอินทไย์ (organic carbon) รวมทังหมดในตัวกลางชนิด เอเควียลที่เข้าลู่บไเวณสังเคราะห์กรดไนตไก น้อยกว่า 0.03 เปอร์เซ็นต์โดยนาหนัก 2. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งความเข้มข้นชองคาร์บอนชนิดอินทไย์รวมทํ่งหมดในตัวกลางชนิด เอเควียลที่เข้าลู่บไเวณสังเคราะห์กรดไนตไก น้อยกว่า 0.02 เปอร์เซ็นต์โดยนาหนัก 3. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งตัวกลางชนิดก๊าซยังประกอบรวมด้วย NO และ 02 4. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งบไเวณสังเคราะห์กรดไนตไกตังกล่าว คือ คอลัมน์ (column) 5. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 4 ที่ซึ่งคอลัมน์ตังกล่าว คือ เพลตคอลัมน์ (plate column) หไอ แพ็คคอลัมน์ (packed column) 6. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งอุณหภูมิในบไเวณสังเคราะห์กรดไนตไกอยู่ระหว่าง 10 และ 100 องศาเซลเซียส 7. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งกรรมวิธีประกอบรวมด้วยการแยกสารประกอบอินทไย์ออกจาก ตัวกลาง1ชนิดเอเควียลตังกล่าว ก่อนการ1[เอนตัวกลางชนิดเอเควียลตังกล่าวไปยังบไเวณสังเคราะห์ กรดไนตไกตังกล่าว 8. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 7 ที่ซึ่งการแยกตังกล่าวถูกดำเนินการโดยการลตไปปีง (stripping) 9. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งตัวกลางชนิดเอเควียลที่เข้าลู่บไเวณสังเคราะห์กรดไนตไก มีฟอสเฟตอยู่ระหว่าง 2.0 - 8.0 โมล/ลิตร กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งก๊าซทิงมี N2, no และ/หรอ N02 ------------ 1. กรรมวิธีสำหรับใช้ในการเตรียมกรดไนตริกได้โดยวิธีการทำปฏิกิริยาบำบัดสารตัว กลางชนิดแอคเควียสซึ่งมีสารประกอบ อินทรีย์และฟอสเฟทประกอบอยู่ กรรมวิธีดังกล่าวซึ่ง ประกอบ รวมด้วย: การป้อนสารตัวกลางชนิดแอคเควียสเข้าไปในโซนสังเคราะห์ กรดไนตริก; การทำให้เกิดกรดไนตริกขึ้นได้โดยการทำปฏิกิริยาสัมผัสสาร ตัวกลางชนิดแอคเควียส กับสารตัวกลางชนิดก๊าซในโซนสังเคราะห์ กรดไนตริกดังกล่าว สารตัวกลางชนิดก๊าซดังกล่าว ซึ่งมี NO2 ประกอบอยู่; การปล่อยไอที่ไม่มีก๊าซให้ออกจากโซนสังเคราะห์กรดไนตริก ดังกล่าว ซึ่งบ่งคุณลักษณะเฉพาะที่ว่าความหนาแน่นของคาร์บอนชนิด อินทรีย์รวมในสารตัว กลางชนิดแอคเควียสที่ไหลเข้าไปในโซน สังเคราะห์กรดไนตริกมีน้อยกว่า 0.03% โดยน้ำหนัก 2. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 โดยที่ความหนาแน่นของ คาร์บอนชนิดอินทรีย์รวม ในสารตัวกลางชนิดแอคเควียสที่ไหล เข้าไปในโซนสังเคราะห์กรดไนตริกมีน้อยกว่า 0.02% โดยน้ำ หนัก 3. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 1 หรือข้อที่ 2 โดยที่ สารตัวกลางชนิดก๊าซเพิ่มเติมอีก นั้นประกอบด้วย NO และ O2 4. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ ที่ 1 ถึง 3 โดยที่โซน สังเคราะห์กรดไนตริกดังกล่าวเป็นหอ คอลัมน์ 5. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 4 โดยที่หอคอลัมน์ดัง กล่าวเป็นหอคอลัมน์แบบแผ่น หรือหอคอลัมน์แบบรวมเป็นชุด 6. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ ที่ 1 ถึงข้อที่ 5 โดยที่ อุณหภูมิในโซนสังเคราะห์กรดไนตริกเป็น ตั้งแต่ 10 ถึง 100 องศาเซลเซียส 7. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ ที่ 1 ถึงข้อที่ 6 โดยที่กรรมวิธี ประกอบด้วยการทำปฏิกิริยาแยกเอา สารประกอบอินทรีย์ออกจารสารตัวกลางชนิดแอคเควียสดัง กล่าว ก่อนหน้าที่จะป้อนสารตัวกลางชนิดแอคเควียสดังกล่าวเข้าไปใน โซนสังเคราะห์กรดไนตริกดัง กล่าว 8. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อที่ 7 โดยที่การทำปฏิกิริยา แยกสารดังกล่าวดำเนินการ ไปได้โดยการทำปฏิกิริยาแบบสตริป ปิ้ง 9. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิข้อ ที่ 1 ถึง 8 โดยที่สาร ตัวกลางชนิดแอคเควียสที่ไหลเข้าไปใน โซนสังเคราะห์กรดไนตริกมีตั้งแต่ 2.0 ถึง 8.0 โมล/โมล ของฟอสเฟทประกอบอยู่ 1 0. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ ข้อที่ 1 ถึง 9 โดยที่ไอที่ ไม่มีก๊าซมี N2 NO และ/หรือ NO2 ประกอบอยู่ 1

1. กรรมวิธีตามข้อถือสิทธิข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ ข้อที่ 1 ถึง 10 โดยที่ กรรมวิธีเพิ่มเติมอีกนั้นประกอบ ด้วย: การผ่านสารตัวกลางชนิดแอคเควียสที่ออกจากโซนสังเคราะห์ไฮด รอกซิลแอมโมเนียม ให้ไหลเข้าไปในโซนสังเคราะห์ไซโคลเฮกซาโนน ออกซึม แล้วจากโซนสังเคราะห์ไซโคลเฮกซา โนน ออกซึมก็ให้ไหล เข้าไปในโซนสังเคาระห์กรดไนตริก และจากโซนสังเคราะห์กรดไน ตริกก็ให้ ไหลเข้าไปในโซนสังเคราะห์ไฮดรอกซิลแอมโมเนียม; การเตรียมไฮดรอกซิลแอมโมเนียมได้โดยการทำให้ไนเตรทเปลี่ยน รูปไปอย่างเร่ง ปฏิกิริยาด้วยไฮโดรเจนในโซนสังเคราะห์ไฮดรอก ซิลแอมโมเนียมดังกล่าว; การเตรียมไซโคลเฮกซาโนนออกซึมได้โดยการทำปฏิกิริยา ระหว่างไฮดรอกซิล- แอมโมเนียมกับไซโคลเฮกซาโนนในโซน สังเคราะห์ไซโคลเฮกซาโนน ออกซึมดังกล่าว;