TH62030B - วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ - Google Patents

Abstract

DC60 จัดให้มีวิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ ซึ่งแม้ว่าซับสเตรทที่ขึ้นรูปด้วยส่วนลามิเนตซึ่งรวมทั้ง อุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งจะหนา ก็สามารถตัดซับสเตรทและส่วนลามิเนตด้วยความเที่ยงสูงได้ วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์นี้จะอาบซับสเตรท 4 ด้วยแสงเลซอร์ L ขณะที่ใช้ผิวหน้าท้าย 21 เป็นพื้นผิวทางเข้าแสงเลเซอร์และกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสง P อยู่ภายในซับสเตรท 4 เพื่อที่จะขึ้นรูป บริเวณดัดแปร 71, 72, 73 อยู่ภายในซับสเตรท 4 ในที่นี้ บริเวณดัดแปร HC 73 จะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งระหว่างบริเวณดัดแปรแยกเป็นส่วน 72 ที่ใกล้ที่สุดกับผิวหน้าท้าย 21 และผิวหน้าท้าย 21 เพื่อที่จะทำให้เกิดการแตกร้าว 24 ซึ่งขยายไปตามเส้นเพื่อตัดจากบริเวณดัดแปร HC 73 ไปยังผิวหน้า ท้าย 21 ดังนั้น เมื่อแถบขยายตัวได้ถูกยึดเข้ากับผิวหน้าท้าย 21 ของซับสเตรท 4 และถูกทำให้ขยายตัว การแตกร้าวจะเลื่อนอย่างราบเรียบจากซับสเตรท 4 ไปยังส่วนลามิเนต 16 โดยทางบริเวณดัดแปรแยก เป็นส่วน 72 โดยที่สามารถตัดซับสเตรท 4 และส่วนลามิเนต 16 ไปตามเส้นเพื่อตัดด้วยความเที่ยงสูง ได้ จัดให้มีวิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ ซึ่งแม้ว่าซับสเตรทที่ขึ้นรูปด้วยส่วนลามิเนตซึ่งรวมทั้ง อุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งจะหนา ก็สามารถตัดซับสเตรทและส่วนลามิเนตด้วยความเที่ยงสูงได้ วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์นี้จะอาบซับสเตรท 4 ด้วยแสงเลซอร์ L ขณะที่ใช้ผิวหน้าท้าย 21 เป็นพื้น ผิวทางเข้าแสงเลเซอร์และกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสง P อยู่ภายในซับสเตรท 4 เพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัด แปร 71, 72, 73 อยู่ภายในซับสเตรท 4 ในที่นี้ บริเวณดัดแปรHC 73 จะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ระหว่างบริเวณดัดแปรแยกเป็นส่วน 72 ที่ใกล้ที่สุดกับผิวหน้าท้าย 21 และผิวหน้าท้าย 21 เพื่อที่จะทำ ให้เกิดการแตกร้าว 24 ซึ่งขยายไปตามเส้นเพื่อตัดจากบริเวณดัดแปรHC 73 ไปยังผิวหน้าท้าย 21 ดัง นั้น เมื่อแถบขยายตัวได้ถูกยึดติดเข้ากับผิวหน้าท้าย 21 ของซับสเตรท 4 และถูกทำให้ถูกขยายตัว การแตก ร้าวจะเลื่อนอย่างราบเรียบจากซับสเตรท 4 ไปยังส่วนลามิเนต 16 โดยทางบริเวณดัดแปรยกเป็นส่วน 72 โดยที่สามารถตัดซับสเตรท 4 และส่วนลามิเนต 16 ไปตามเส้นเพื่อตัดด้วยความเที่ยงสูงได้

Claims (9)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา : 1. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรท(4)ที่มีผิวหน้าด้านหน้า(3) ที่ขึ้นรูปด้วยส่วนลามิเนต(16)ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่(15)จำนวนหนึ่ง และผิวหน้าด้านหลัง (21) ด้วยแสงเลเซอร์(L)ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสง(P)อยู่ภายในซับสเตรท(4)เพื่อที่จะขึ้นรูป บริเวณดัดแปร(7)ให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัด(8)ภายในซับสเตรท(4)ไปตามเส้นเพื่อตัด(5) ของซับสเตรท(4)นั้น, วิธีนั้นซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ : การขึ้นรูปแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง(72)ไว้ภายในซับสเตรท (4)ไปตามเส้น เพื่อตัด (5),และต่อจากนั้น การขึ้นรูปอย่างน้อยที่สุดที่หนึ่งแถวของบริเวณดัดแปรที่สอง (73) ไว้ภายในซับสเตรท (4) ไปตามเส้นเพื่อตัด (5) ที่ตำแหน่งระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง (72)ที่ใกล้ที่สุดกับผิวหน้าด้านหลัง และผิวหน้าด้านหลัง (21) นั้น เพื่อที่จะทำให้เกิดการแตกร้าวซึ่งขยายไปตามเส้นเพื่อตัด (5) จาก บริเวณดัดแปรที่สอง (73) ถึงผิวหน้าด้านหลังนั้น, ที่ซึ่งแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง (72)จะถูกขึ้นรูปเป็นแบบอนุกรมอยู่ในทิศทางความหนาของซับสเตรท (4)นั้น,และที่ซึ่งระยะห่าง ระหว่างแต่ละตำแหน่งที่ซึ่งจุดลู่เข้าแสง (P)ของแสงเลเซอร์ (L)ตั้งอยู่ เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง (72) ที่อยู่ข้างเคียง จะมีค่าเป็น 24 ไมโครเมตรถึง 70 ไมโครเมตรในทิศทาง ความหนาของซับสเตรท นั้น 2. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งซับสเตรทคือซับสเตรทสารกึ่งตัวนำ และที่ ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองจะรวมทั้งบริเวณทำให้ผ่านกรรมวิธีหลอมเหลว 3. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองจะถูก ขึ้นรูปอย่างต่อเนื่องตามลำดับจากด้านที่ไกลออกไปจากผิวหน้าท้ายขณะที่ใช้ผิวหน้าท้ายเป็นพื้นผิว ทางเข้าแสงเลเซอร์ 4. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์มีพลังงาน 2 ไม โครจูลถึง 50 ไมโครจูล เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง 5. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์มีพลังงาน 1 ไม โครจูลถึง 20 ไมโครจูล เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง 6. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์เมื่อขึ้นรูป บริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะมีพลังงานมากกว่าเมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง 7. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 6 ที่ซึ่งพลังงานของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณ ดัดแปรที่หนึ่งคือ 1.6 ถึง 3.0 เมื่อพลังงานของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สองคือ I 8. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแต่ละตำแหน่งที่กำหนดที่ อยู่จุดลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งย่านใกล้เคียงจะมีระยะทาง 24 ไมโครเมตรถึง 70 ไมโครเมตรอยู่ระหว่างนั้น 9. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งจะกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสง ของแสงเลเซอร์ที่ตำแหน่งที่มีระยะทาง 50 ไมโครเมตรถึง [(ความหนาซับสเตรท) x 0.9] ไมโครเมตร จากผิวหน้าท้ายเมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง 1 0. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งจะกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้า แสงของแสงเลเซอร์ที่ตำแหน่งที่มีระยะทาง 20 ไมโครเมตรถึง 110 ไมโครเมตรจากผิวหน้าท้ายเมื่อ ขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง 1

1. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งเมื่อขึ้นรูปแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปร ที่สอง แสงเลเซอร์เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะมีพลังงานมากกว่าเมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่ สองที่ใกล้ที่สุดกับผิวหน้าท้ายของซับสเตรท 1

2. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 11 ที่ซึ่งเมื่อขึ้นรูปแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัด แปรที่สอง พลังงานของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สองที่ไกลออกไปจากผิวหน้าท้าย ของซับสเตรทคือ 1.3 ถึง 3.3 เมื่อพลังงานของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สองที่ใกล้ที่ สุดกับผิวหน้าท้ายของซับสเตรทคือ I 1

3. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 11 ที่ซึ่งเมื่อขึ้นรูปแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัด แปรที่สอง พลังงานของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งคือ 1.3 ถึง 3.3 เมื่อพลังงาน ของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สองที่ใกล้ที่สุดกับผิวหน้าท้ายของซับสเตรทคือ I 1

4. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งเมื่อขึ้นรูปแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปร ที่สอง ตำแหน่งซึ่งกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปปที่สองที่ใกล้ที่สุด กับผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะมีระยะทางจากผิวหน้าท้าย 20 ไมโครเมตรถึง 110 ไมโครเมตร และ ตำแหน่งซึ่งกำหนดที่อยุ่จุดลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สองที่ใกล้ที่สุดลำดับที่ สองกับผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะมีระยะทางจากผิวหน้าท้าย 140 ไมโครเมตรหรือต่ำกว่า 1

5. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 14 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งประกอบอีกต่อไปด้วยขั้น ตอนในการตัดซับสเตรทและส่วนลามิเนตไปตามเส้นเพื่อตัด 1

6. ชิบสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนต ที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า ของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะ ถูกขึ้นรูปอยู่ในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรทเพื่อที่จะให้เป็นแบบอนุกรมอยู่ในทิศทางความหนาของ ซับสเตรท และ ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดบริเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายจะถูกขึ้นรูป อยู่ที่ตำแหน่งระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่งที่ใกล้ที่สุดกับผิวหน้าท้ายและผิวหน้าท้ายในผิวหน้าด้าน ข้าง 1

7. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 16 ที่ซึ่งซับสเตรทคือซับสเตรทสารกึ่งตัวนำ และที่ซึ่งบริเวณดัด แปรที่หนึ่งและที่สองนะรวมทั้งบริเวณทำให้ผ่านกรรมวิธีหลอมเหลว 1

8. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 16 หรือ 17 ที่ซึ่งส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งบนด้านผิว หน้าท้ายและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่สองบนด้านผิวหน้าด้านหน้าซึ่งตรงข้ามกันจะมีระยะทาง 15 ไมโครเมตรถึง 60 ไมโครเมตรอยู่ระหว่างนั้น 1

9. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 16 ถึง 18 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะมีความกว้าง ทั้งหมด 40 ไมโครเมตรถึง [(ความหนาซับสเตรท) x 0.9] ไมโครเมตรในทิศทางความหนาของซับสเต รท