Claims (19)
1. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรท(4)ที่มีผิวหน้าด้านหน้า(3) ที่ขึ้นรูปด้วยส่วนลามิเนต(16)ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่(15)จำนวนหนึ่ง และผิวหน้าด้านหลัง (21) ด้วยแสงเลเซอร์(L)ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสง(P)อยู่ภายในซับสเตรท(4)เพื่อที่จะขึ้นรูป บริเวณดัดแปร(7)ให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัด(8)ภายในซับสเตรท(4)ไปตามเส้นเพื่อตัด(5) ของซับสเตรท(4)นั้น, วิธีนั้นซึ่งประกอบรวมด้วยขั้นตอนของ : การขึ้นรูปแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง(72)ไว้ภายในซับสเตรท (4)ไปตามเส้น เพื่อตัด (5),และต่อจากนั้น การขึ้นรูปอย่างน้อยที่สุดที่หนึ่งแถวของบริเวณดัดแปรที่สอง (73) ไว้ภายในซับสเตรท (4) ไปตามเส้นเพื่อตัด (5) ที่ตำแหน่งระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง (72)ที่ใกล้ที่สุดกับผิวหน้าด้านหลัง และผิวหน้าด้านหลัง (21) นั้น เพื่อที่จะทำให้เกิดการแตกร้าวซึ่งขยายไปตามเส้นเพื่อตัด (5) จาก บริเวณดัดแปรที่สอง (73) ถึงผิวหน้าด้านหลังนั้น, ที่ซึ่งแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง (72)จะถูกขึ้นรูปเป็นแบบอนุกรมอยู่ในทิศทางความหนาของซับสเตรท (4)นั้น,และที่ซึ่งระยะห่าง ระหว่างแต่ละตำแหน่งที่ซึ่งจุดลู่เข้าแสง (P)ของแสงเลเซอร์ (L)ตั้งอยู่ เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง (72) ที่อยู่ข้างเคียง จะมีค่าเป็น 24 ไมโครเมตรถึง 70 ไมโครเมตรในทิศทาง ความหนาของซับสเตรท นั้น1. The method of laser processing involves bathing a substrate (4) with a front surface (3) formed by a laminate (16) incorporating several functional devices (15) and a back surface (21) with a laser beam (L) while the convergence point (P) is positioned within the substrate (4) to form a modified region (7) to become the starting point for cutting (8) within the substrate (4) along the line to cut (5) of the substrate (4). The method consists of the following steps: forming a number of rows of the first modified region (72) within the substrate (4) along the line to cut (5), and subsequently forming at least one row of the second modified region (73) within the substrate (4) along the line to cut (5) at the position between the first modified region (72) closest to the back surface. and the back surface (21) in order to cause cracks that extend along the cutting line (5) from the second modified region (73) to the back surface, where a number of rows of the first modified region (72) are formed in series in the direction of the substrate thickness (4), and where the distance between each position where the laser convergence point (P) (L) is located when forming the adjacent first modified region (72) is 24 micrometers to 70 micrometers in the direction of the substrate thickness.
2. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งซับสเตรทคือซับสเตรทสารกึ่งตัวนำ และที่ ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองจะรวมทั้งบริเวณทำให้ผ่านกรรมวิธีหลอมเหลว2. The laser processing method under Patent 1, where the substrate is a semiconductor substrate, and where the first and second modification regions include the melting processing region.
3. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองจะถูก ขึ้นรูปอย่างต่อเนื่องตามลำดับจากด้านที่ไกลออกไปจากผิวหน้าท้ายขณะที่ใช้ผิวหน้าท้ายเป็นพื้นผิว ทางเข้าแสงเลเซอร์3. Methods of laser processing according to patent 1 or 2, where the first and second modified areas are continuously and sequentially shaped from the side furthest from the end surface while using the end surface as the laser entry surface.
4. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 3 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์มีพลังงาน 2 ไม โครจูลถึง 50 ไมโครจูล เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง4. A method of laser processing according to one of the three patents 1 through 3, where the laser beam has an energy of 2 microjoules to 50 microjoules when shaping the first modified area.
5. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 4 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์มีพลังงาน 1 ไม โครจูลถึง 20 ไมโครจูล เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง5. A method of laser processing according to one of the claims 1 through 4, where the laser beam has an energy of 1 microjoule to 20 microjoules when shaping the first modified area.
6. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 5 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์เมื่อขึ้นรูป บริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะมีพลังงานมากกว่าเมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง6. A method of laser processing according to one of the claims 1 through 5, where the laser beam, when shaping the first modified region, has higher energy than when shaping the second modified region.
7. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 6 ที่ซึ่งพลังงานของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณ ดัดแปรที่หนึ่งคือ 1.6 ถึง 3.0 เมื่อพลังงานของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สองคือ I7. Laser processing method according to claim 6, where the laser energy for shaping the first modified zone is 1.6 to 3.0, and the laser energy for shaping the second modified zone is I.
8. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแต่ละตำแหน่งที่กำหนดที่ อยู่จุดลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งย่านใกล้เคียงจะมีระยะทาง 24 ไมโครเมตรถึง 70 ไมโครเมตรอยู่ระหว่างนั้น8. A method of laser processing according to any one of the claims 1 through 7 where each defined position at the laser convergence point when shaping a modified region has a distance between 24 micrometers and 70 micrometers therein.
9. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งจะกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสง ของแสงเลเซอร์ที่ตำแหน่งที่มีระยะทาง 50 ไมโครเมตรถึง [(ความหนาซับสเตรท) x 0.9] ไมโครเมตร จากผิวหน้าท้ายเมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง9. A method to achieve laser processing according to one of the claims 1 through 8, which determines the convergence point of the laser beam at a location 50 micrometers to [(substrate thickness) x 0.9] micrometers from the end surface after forming the first modified region.
10. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งจะกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้า แสงของแสงเลเซอร์ที่ตำแหน่งที่มีระยะทาง 20 ไมโครเมตรถึง 110 ไมโครเมตรจากผิวหน้าท้ายเมื่อ ขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง10. A method to achieve laser processing according to one of the patents 1 through 8, which specifies the convergence point of the laser beam at a location 20 micrometers to 110 micrometers from the end surface when forming the second modified zone.
11. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งเมื่อขึ้นรูปแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปร ที่สอง แสงเลเซอร์เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะมีพลังงานมากกว่าเมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่ สองที่ใกล้ที่สุดกับผิวหน้าท้ายของซับสเตรท11. The laser processing method under Patent 1, in which, when forming a certain number of rows of the second modified region, the laser beam when forming the first modified region has higher energy than when forming the second modified region closest to the end surface of the substrate.
12. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 11 ที่ซึ่งเมื่อขึ้นรูปแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัด แปรที่สอง พลังงานของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สองที่ไกลออกไปจากผิวหน้าท้าย ของซับสเตรทคือ 1.3 ถึง 3.3 เมื่อพลังงานของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สองที่ใกล้ที่ สุดกับผิวหน้าท้ายของซับสเตรทคือ I12. The laser processing method according to claim 11, where, when forming a certain number of rows of the second modified region, the laser energy for forming the second modified region furthest from the end surface of the substrate is 1.3 to 3.3, while the laser energy for forming the second modified region closest to the end surface of the substrate is I.
13. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 11 ที่ซึ่งเมื่อขึ้นรูปแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัด แปรที่สอง พลังงานของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งคือ 1.3 ถึง 3.3 เมื่อพลังงาน ของแสงเลเซอร์สำหรับขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สองที่ใกล้ที่สุดกับผิวหน้าท้ายของซับสเตรทคือ I13. The laser processing method according to claim 11, where, when forming a certain number of rows of the second modified region, the laser energy for forming the first modified region is 1.3 to 3.3, when the laser energy for forming the second modified region closest to the end surface of the substrate is I.
14. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งเมื่อขึ้นรูปแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปร ที่สอง ตำแหน่งซึ่งกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปปที่สองที่ใกล้ที่สุด กับผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะมีระยะทางจากผิวหน้าท้าย 20 ไมโครเมตรถึง 110 ไมโครเมตร และ ตำแหน่งซึ่งกำหนดที่อยุ่จุดลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สองที่ใกล้ที่สุดลำดับที่ สองกับผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะมีระยะทางจากผิวหน้าท้าย 140 ไมโครเมตรหรือต่ำกว่า14. The laser processing method under Patent 1 is such that when forming a number of rows of the second modified region, the position determining the laser convergence point when forming the second modified region closest to the end surface of the substrate is 20 to 110 micrometers from the end surface, and the position determining the laser convergence point when forming the second modified region closest to the end surface of the substrate is 140 micrometers or less from the end surface.
15. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 14 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งประกอบอีกต่อไปด้วยขั้น ตอนในการตัดซับสเตรทและส่วนลามิเนตไปตามเส้นเพื่อตัด15. A method for laser processing under any one of Patents 1 through 14, which further includes steps for cutting the substrate and laminate along a cutting line.
16. ชิบสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนต ที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า ของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งแถวจำนวนหนึ่งของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะ ถูกขึ้นรูปอยู่ในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรทเพื่อที่จะให้เป็นแบบอนุกรมอยู่ในทิศทางความหนาของ ซับสเตรท และ ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดบริเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายจะถูกขึ้นรูป อยู่ที่ตำแหน่งระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่งที่ใกล้ที่สุดกับผิวหน้าท้ายและผิวหน้าท้ายในผิวหน้าด้าน ข้าง16. A semiconductor chip consisting of a substrate and laminates arranged on the front surface of the substrate, including functional devices, where a number of rows of the first modified region extending along the end surface of the substrate are formed in series in the thickness direction of the substrate, and where at least one second modified region extending along the end surface is formed between the first modified region closest to the end surface and the end surface on the side surface.
17. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 16 ที่ซึ่งซับสเตรทคือซับสเตรทสารกึ่งตัวนำ และที่ซึ่งบริเวณดัด แปรที่หนึ่งและที่สองนะรวมทั้งบริเวณทำให้ผ่านกรรมวิธีหลอมเหลว17. Semiconductor chips under claim 16 where the substrate is a semiconductor substrate and where the first and second modification regions include the melting region.
18. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 16 หรือ 17 ที่ซึ่งส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งบนด้านผิว หน้าท้ายและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่สองบนด้านผิวหน้าด้านหน้าซึ่งตรงข้ามกันจะมีระยะทาง 15 ไมโครเมตรถึง 60 ไมโครเมตรอยู่ระหว่างนั้น18. A semiconductor chip pursuant to claim 16 or 17 where the end of the first modified region on the end face and the end of the second modified region on the opposite front face are separated by a distance of 15 micrometers to 60 micrometers.
19. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 16 ถึง 18 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะมีความกว้าง ทั้งหมด 40 ไมโครเมตรถึง [(ความหนาซับสเตรท) x 0.9] ไมโครเมตรในทิศทางความหนาของซับสเต รท19. A semiconductor chip pursuant to any of the claims 16 through 18 where the first modified region has a total width of 40 µm to [(substrate thickness) x 0.9] µm in the substrate thickness direction.