Claims (21)
1. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนต ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ : การขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้าน หน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 15 ไมโครเมตร และ การขึ้นรูปอย่างน้อยที่สุดบิเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งระหว่าง บริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผึวหน้าท้ายของซับสเตรท1. Laser processing method: A laminated substrate with a pre-formed front surface, incorporating several functional components, is laser-curved to form modified regions within the substrate, shaping them into starting points for cutting along the substrate's cutting line. The process consists of the following steps: shaping the first modified region along the cutting line at a location where the distance between the front surface and the end of the front surface is 5 to 15 micrometers; and shaping at least a second modified region along the cutting line between the first modified region and the end surface of the substrate.
2. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนตซึ่งรวม ทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการขึ้นรูปบริเวณดัดแปรหนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่ง ระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 15 ไมโครเมตร2. Laser processing method: A substrate with a laminated front surface incorporating several functional components is laser-cured while the laser converges within the substrate to form a modified region that serves as a starting point for cutting along the substrate's cutting line. This method involves a step of shaping a modified region along the cutting line at a position where the distance between the front surface and the top edge of the front surface is 5 to 15 micrometers.
3. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูป อยู่ที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 10 ไมโครเมตร3. Laser processing method according to patent 1 or 2, where the first modified area is formed at a location where the distance between the front surface and the top edge on the front surface is 5 micrometers to 10 micrometers.
4. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนตซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ : การขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้าน หน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [20+(ความ หนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร และ การขึ้นรูปอย่างน้อยที่สุดบริเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งระหว่าง บริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผิวหน้าท้ายของซับสเตรท4. Laser processing method: A substrate with a laminated front surface, incorporating several functional components, is laser-treated while the convergence point is located within the substrate to form modified regions that serve as starting points for cutting within the substrate along the substrate's cutting line. The method consists of the following steps: Forming the first modified region along the cutting line at a position where the distance between the front and rear surfaces is [(substrate thickness) x 0.1] micrometers to [20 + (substrate thickness) x 0.1] micrometers, and forming at least one second modified region along the cutting line between the first modified region and the substrate's rear surface.
5. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนต ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่ง ระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร5. Laser processing method for laminated substrates with a pre-formed front surface, incorporating several functional components, using a laser beam to shape the convergence point within the substrate to form a modified region as a starting point for cutting within the substrate along the substrate's cutting line. The method consists of a step to form the first modified region along the cutting line at a position where the distance between the front and rear surfaces is [(substrate thickness) x 0.1] micrometers [20 + (substrate thickness) x 0.1] micrometers.
6. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 4 หรือ 5 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูป อยู่ที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าของซับสเตรทและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่ หนึ่งบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [5 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [20+ (ความหนา ซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร6. Laser processing method according to patent 4 or 5 where the first modified region is formed at a position where the distance between the substrate front surface and the end of the first modified region on the end surface is [5 + (substrate thickness) x 0.1] micrometers to [20 + (substrate thickness) x 0.1] micrometers.
7. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 6 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าของซับสเตรทและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งบน ด้านผิวหน้าท้ายคือ [5 + (ความหนาของซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [10 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร7. Laser processing method according to patent 6, where the first modified region is formed at a position where the distance between the substrate front surface and the end of the first modified region on the end surface is [5 + (substrate thickness) x 0.1] micrometers to [10 + (substrate thickness) x 0.1] micrometers.
8. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งซับสเตรทคือ ซับสเตรทสารกึ่งตัวนำ และที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองจะรวมทั้งบริเวณทำให้ผ่านกรรมวิธี หลอมเหลว8. A method of laser processing pursuant to any one of the claims 1 through 7, where the substrate is a semiconductor substrate and where the first and second modification regions include the melting processing region.
9. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง และที่สองจะถูกขึ้นรูปอย่างต่อเนื่องตามลำดับจากด้านข้างที่ไกลออกไปจากผิวหน้าท้ายขณะที่ใช้ผิวหน้า ท้ายเป็นพื้นผิวทางเข้าแสงเลเซอร์9. A method of laser processing under one of the patents 1 through 8, where the first and second modified regions are progressively and sequentially shaped from the farther side of the end surface while using the end surface as the laser entry surface.
10. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์มีพลัง งาน 2 ไมโครจูล ถึง 50 ไมโครจูล เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง10. A method of laser processing according to any one of the patents 1 through 9, where the laser beam has an energy of 2 microjoules to 50 microjoules when shaping the first modified area.
11. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 10 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์มีพลัง งาน 1 ไมโครจูล ถึง 50 ไมโครจูล เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง11. A method for laser processing according to any one of the claims 1 through 10, where the laser beam has an energy of 1 microjoule to 50 microjoules when shaping the second modified area.
12. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งจะกำหนดที่อยู่จุด ลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์อยู่ที่ตำแหน่งที่มีระยะทาง 50 ไมโครเมตร ถึง [(ความหนาซับสเตรท) x0.9] ไมโครเมตรจากผิวหน้าท้ายเมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง12. A method to achieve laser processing according to one of the claims 1 through 11, in which the laser convergence point is located at a distance of 50 micrometers to [(substrate thickness) x 0.9] micrometers from the end surface when forming the second modified region.
13. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งจะกำหนดที่อยู่จุด ลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์อยู่ที่ตำแหน่งที่มีระยะทาง 20 ไมโครเมตร ถึง 110 ไมโครเมตร จากผิวหน้าท้าย เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง13. A method to achieve laser processing according to one of the patents 1 through 11, which determines the location of the laser convergence point at a distance of 20 micrometers to 110 micrometers from the end surface when the second modified area is formed.
14. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 13 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งประกอบอีกต่อไป ด้วยขั้นตอนในการตัดซับสเตรทและส่วนลามิเนตไปตามเส้นเพื่อตัด14. A method for laser processing under any of the patents 1 through 13, which further includes steps for cutting the substrate and laminate along a cutting line.
15. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า ของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 15 ไมโครเมตรในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท และ ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดบริเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผิวหน้าท้ายในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท15. A semiconductor chip consisting of a substrate and laminates arranged on the front surface of the substrate, including functional devices, where a first modified region extending along the end surface of the substrate is formed at a position where the distance between the front surface and the top end of the front surface is 5 micrometers to 15 micrometers on the side surface of the substrate, and where at least one second modified region extending along the end surface is formed at a position between the first modified region and the end surface on the side surface of the substrate.
16. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้าน หน้าของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตร ถึง 15 ไมโครเมตรในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท16. A semiconductor chip consisting of a substrate and laminates arranged on the substrate's front surface, including functional devices, where a first modified region extending along the substrate's end surface is formed at a position where the distance between the front surface and the end surface is 5 micrometers to 15 micrometers on the substrate's side surface.
17. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้าน หน้าของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้าย [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1]ไมโครเมตร ในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท และ ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดบริเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผิวหน้าท้ายในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท17. A semiconductor chip consisting of a substrate and laminates arranged on the substrate face, including functional devices, where a first modified region extending along the substrate end surface is formed at a position between the distance between the front face and the end surface [(substrate thickness) x 0.1] micrometers to [20 + (substrate thickness) x 0.1] micrometers on the substrate side surface, and where at least one second modified region extending along the end surface is formed between the first modified region and the end surface on the substrate side surface.
18. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า ของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร ถึง [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร ในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท18. A semiconductor chip consisting of a substrate and laminates arranged on the front surface of the substrate, including functional devices, where a first modified region extending along the end surface of the substrate is formed at a position where the distance between the front surface and the end surface is [(substrate thickness) x 0.1] micrometers to [20 + (substrate thickness) x 0.1] micrometers on the side surface of the substrate.
19. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 17 หรือ 18 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าของซับสเตรทและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งบน ด้านผิวหน้าท้ายคือ [5 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร ถึง [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร19. A semiconductor chip pursuant to claim 17 or 18 where the first modified region is formed at a position where the distance between the substrate front surface and the end of the first modified region on the end surface is [5 + (substrate thickness) x 0.1] micrometers to [20 + (substrate thickness) x 0.1] micrometers.
20. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 15 ถึง 19 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งซับสเตรทคือซับสเตรทสารกึ่ง ตัวนำ และที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองจะรวมทั้งบริเวณทำให้ผ่านกรรมวิธีหลอมเหลว20. A semiconductor chip pursuant to any of the claims 15 through 19 where the substrate is a semiconductor substrate and where the first and second modification regions include the melting region.
21. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 15 ถึง 20 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งระยะทางระหว่างส่วนปลาย ของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งบนด้านผิวหน้าท้ายและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่สองบนด้านผิวหน้าด้าน หน้าซึ่งตรงข้ามกันคือ 0 ไมโครเมตร ถึง [(ความหนาซับสเตรท) - (ความหนาซับสเตรท) x 0.6] ไมโครเมตร21. A semiconductor chip according to any of the claims 15 through 20 where the distance between the end of the first modified region on the end surface and the end of the second modified region on the opposite front surface is between 0 µm and [(substrate thickness) - (substrate thickness) x 0.6] µm.