TH40095B - วิธีดำเนินการกระบวนการด้วยแสงเลเซอร์และชิปสารกึ่งตัวนำ - Google Patents

Abstract

DC60 (11/02/54) จัดให้มีวิธีดำเนินการกระบวนการด้วยแสงเลเซอร์ ซึ่งแม้ว่าซับสเตรทที่ขึ้นรูปด้วยส่วนลามิเนต ซึ่งรวมถึงอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งจะหนา ก็สามารถตัดซับสเตรทและส่วนลามิเนตด้วยความ เที่ยงสูงได้ วิธีดำเนินการกระบวนการด้วยแสงเลเซอร์นี้จะอาบซับสเตรท 4 ด้วยแสงเลเซอร์ L ขณะที่ใช้ ผิวหน้าท้าย 21 เป็นพื้นผิวทางเข้าแสงเลอเซอร์และกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสง P อยู่ภายในซับสเตรท 4 เพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปร 71, 72, 73 อยู่ภายในซับสเตรท 4 ในที่นี้ บริเวณดัดแปรคุณภาพ 71 จะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้า 3 ของซับสเตรท 4 และส่วนปลายของ บริเวณดัดแปรคุณภาพ 71 บนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตร ถึง 15 ไมโครเมตร เมื่อบริเวณ ดัดแปรคุณภาพ 71 ถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่งนั้น ส่วนลามิเนต 16 (ในที่นี้ประกอบขึ้นโดยฟิล์มฉนวน ระหว่างชั้น 17a, 17b) ที่ขึ้นรูปอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า 3 ของซับสเตรท 4 จะถูกตัดไปตามเส้นเพื่อตัด ด้วยความเที่ยงสูงพร้อมกับซับสเตรท 4 อีกด้วย จัดให้มีวิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ ซึ่งแม้ว่าซับสเตรทที่ขึ้นรูปด้วยส่วนลามิเนตซึ่งรวมทั้ง อุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งจะหนา ก็สามารถตัดซับสเตรทและส่วนลามิเนตด้วยความเที่ยงสูงได้ วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์นี้จะอาบซับสเตรท 4 ด้วยแสงเลเซอร์ L ขณะที่ใช้ผิวหน้าท้าย 21 เป็นพื้นผิวทางเข้าแสงเลอเซอร์และกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสง P อยู่ภายในซับสเตรท 4 เพื่อที่จะขึ้น รูปบริเวณดัดแปร 71, 72, 73 อยู่ภายในซับสเตรท 4 ในที่นี้ บริเวณดัดแปรคุณภาพ 71 จะถูกขึ้นรูป อยู่ที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้า 3 ของซับสเตรท 4 และส่วนปลายของบริเวณ ดัดแปรคุณภาพ 71 บนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตร ถึง 15 ไมโครเมตร เมื่อบริเวณดัดแปร คุณภาพ 71 ถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่งนั้น ส่วนลามิเนต 16 (ในที่นี้ประกอบขึ้นโดยฟิล์มฉนวนระหว่าง ชั้น 17a, 17b) ที่ขึ้นรูปอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า 3 ของซับสเตรท 4 จะถูกตัดไปตามเส้นเพื่อตัดด้วย ความเที่ยงสูงพร้อมกับซับสเตรท 4 อีกด้วย

Claims (1)

1. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนต ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ : การขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้าน หน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 15 ไมโครเมตร และ การขึ้นรูปอย่างน้อยที่สุดบิเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งระหว่าง บริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผึวหน้าท้ายของซับสเตรท 2. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนตซึ่งรวม ทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการขึ้นรูปบริเวณดัดแปรหนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่ง ระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 15 ไมโครเมตร 3. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูป อยู่ที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 10 ไมโครเมตร 4. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนตซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ : การขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้าน หน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [20+(ความ หนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร และ การขึ้นรูปอย่างน้อยที่สุดบริเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งระหว่าง บริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผิวหน้าท้ายของซับสเตรท 5. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนต ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่ง ระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร 6. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 4 หรือ 5 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูป อยู่ที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าของซับสเตรทและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่ หนึ่งบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [5 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [20+ (ความหนา ซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร 7. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 6 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าของซับสเตรทและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งบน ด้านผิวหน้าท้ายคือ [5 + (ความหนาของซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [10 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร 8. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งซับสเตรทคือ ซับสเตรทสารกึ่งตัวนำ และที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองจะรวมทั้งบริเวณทำให้ผ่านกรรมวิธี หลอมเหลว 9. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง และที่สองจะถูกขึ้นรูปอย่างต่อเนื่องตามลำดับจากด้านข้างที่ไกลออกไปจากผิวหน้าท้ายขณะที่ใช้ผิวหน้า ท้ายเป็นพื้นผิวทางเข้าแสงเลเซอร์ 1 0. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์มีพลัง งาน 2 ไมโครจูล ถึง 50 ไมโครจูล เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง 1 1. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 10 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์มีพลัง งาน 1 ไมโครจูล ถึง 50 ไมโครจูล เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง 1 2. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งจะกำหนดที่อยู่จุด ลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์อยู่ที่ตำแหน่งที่มีระยะทาง 50 ไมโครเมตร ถึง [(ความหนาซับสเตรท) x0.9] ไมโครเมตรจากผิวหน้าท้ายเมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง 1 3. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งจะกำหนดที่อยู่จุด ลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์อยู่ที่ตำแหน่งที่มีระยะทาง 20 ไมโครเมตร ถึง 110 ไมโครเมตร จากผิวหน้าท้าย เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง 1 4. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 13 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งประกอบอีกต่อไป ด้วยขั้นตอนในการตัดซับสเตรทและส่วนลามิเนตไปตามเส้นเพื่อตัด 1 5. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า ของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 15 ไมโครเมตรในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท และ ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดบริเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผิวหน้าท้ายในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท 1 6. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้าน หน้าของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตร ถึง 15 ไมโครเมตรในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท 1 7. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้าน หน้าของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้าย [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1]ไมโครเมตร ในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท และ ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดบริเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผิวหน้าท้ายในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท 1 8. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า ของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร ถึง [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร ในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท 1 9. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 17 หรือ 18 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าของซับสเตรทและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งบน ด้านผิวหน้าท้ายคือ [5 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร ถึง [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร 2 0. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 15 ถึง 19 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งซับสเตรทคือซับสเตรทสารกึ่ง ตัวนำ และที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองจะรวมทั้งบริเวณทำให้ผ่านกรรมวิธีหลอมเหลว 2

1. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 15 ถึง 20 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งระยะทางระหว่างส่วนปลาย ของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งบนด้านผิวหน้าท้ายและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่สองบนด้านผิวหน้าด้าน หน้าซึ่งตรงข้ามกันคือ 0 ไมโครเมตร ถึง [(ความหนาซับสเตรท) - (ความหนาซับสเตรท) x 0.6] ไมโครเมตร