TH40095B - วิธีดำเนินการกระบวนการด้วยแสงเลเซอร์และชิปสารกึ่งตัวนำ - Google Patents
วิธีดำเนินการกระบวนการด้วยแสงเลเซอร์และชิปสารกึ่งตัวนำInfo
- Publication number
- TH40095B TH40095B TH501001471A TH0501001471A TH40095B TH 40095 B TH40095 B TH 40095B TH 501001471 A TH501001471 A TH 501001471A TH 0501001471 A TH0501001471 A TH 0501001471A TH 40095 B TH40095 B TH 40095B
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- substrate
- micrometers
- modified region
- front surface
- distance
- Prior art date
Links
Abstract
DC60 (11/02/54) จัดให้มีวิธีดำเนินการกระบวนการด้วยแสงเลเซอร์ ซึ่งแม้ว่าซับสเตรทที่ขึ้นรูปด้วยส่วนลามิเนต ซึ่งรวมถึงอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งจะหนา ก็สามารถตัดซับสเตรทและส่วนลามิเนตด้วยความ เที่ยงสูงได้ วิธีดำเนินการกระบวนการด้วยแสงเลเซอร์นี้จะอาบซับสเตรท 4 ด้วยแสงเลเซอร์ L ขณะที่ใช้ ผิวหน้าท้าย 21 เป็นพื้นผิวทางเข้าแสงเลอเซอร์และกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสง P อยู่ภายในซับสเตรท 4 เพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปร 71, 72, 73 อยู่ภายในซับสเตรท 4 ในที่นี้ บริเวณดัดแปรคุณภาพ 71 จะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้า 3 ของซับสเตรท 4 และส่วนปลายของ บริเวณดัดแปรคุณภาพ 71 บนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตร ถึง 15 ไมโครเมตร เมื่อบริเวณ ดัดแปรคุณภาพ 71 ถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่งนั้น ส่วนลามิเนต 16 (ในที่นี้ประกอบขึ้นโดยฟิล์มฉนวน ระหว่างชั้น 17a, 17b) ที่ขึ้นรูปอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า 3 ของซับสเตรท 4 จะถูกตัดไปตามเส้นเพื่อตัด ด้วยความเที่ยงสูงพร้อมกับซับสเตรท 4 อีกด้วย จัดให้มีวิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ ซึ่งแม้ว่าซับสเตรทที่ขึ้นรูปด้วยส่วนลามิเนตซึ่งรวมทั้ง อุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งจะหนา ก็สามารถตัดซับสเตรทและส่วนลามิเนตด้วยความเที่ยงสูงได้ วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์นี้จะอาบซับสเตรท 4 ด้วยแสงเลเซอร์ L ขณะที่ใช้ผิวหน้าท้าย 21 เป็นพื้นผิวทางเข้าแสงเลอเซอร์และกำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสง P อยู่ภายในซับสเตรท 4 เพื่อที่จะขึ้น รูปบริเวณดัดแปร 71, 72, 73 อยู่ภายในซับสเตรท 4 ในที่นี้ บริเวณดัดแปรคุณภาพ 71 จะถูกขึ้นรูป อยู่ที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้า 3 ของซับสเตรท 4 และส่วนปลายของบริเวณ ดัดแปรคุณภาพ 71 บนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตร ถึง 15 ไมโครเมตร เมื่อบริเวณดัดแปร คุณภาพ 71 ถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่งนั้น ส่วนลามิเนต 16 (ในที่นี้ประกอบขึ้นโดยฟิล์มฉนวนระหว่าง ชั้น 17a, 17b) ที่ขึ้นรูปอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า 3 ของซับสเตรท 4 จะถูกตัดไปตามเส้นเพื่อตัดด้วย ความเที่ยงสูงพร้อมกับซับสเตรท 4 อีกด้วย
Claims (21)
1. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนต ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ : การขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้าน หน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 15 ไมโครเมตร และ การขึ้นรูปอย่างน้อยที่สุดบิเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งระหว่าง บริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผึวหน้าท้ายของซับสเตรท
2. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนตซึ่งรวม ทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการขึ้นรูปบริเวณดัดแปรหนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่ง ระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 15 ไมโครเมตร
3. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 หรือ 2 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูป อยู่ที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 10 ไมโครเมตร
4. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนตซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของ : การขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้าน หน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [20+(ความ หนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร และ การขึ้นรูปอย่างน้อยที่สุดบริเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งระหว่าง บริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผิวหน้าท้ายของซับสเตรท
5. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ด้วยการอาบซับสเตรทที่มีผิวหน้าด้านหน้าที่ขึ้นรูปด้วยส่วน ลามิเนต ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่จำนวนหนึ่งด้วยแสงเลเซอร์ขณะที่กำหนดที่อยู่จุดลู่เข้าแสงอยู่ ภายในซับสเตรทเพื่อที่จะขึ้นรูปบริเวณดัดแปรให้กลายเป็นจุดเริ่มสำหรับการตัดภายในซับสเตรทไป ตามเส้นเพื่อตัดของซับสเตรท วิธีซึ่งประกอบด้วยขั้นตอนของการขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่งไปตามเส้นเพื่อตัดที่ตำแหน่งซึ่ง ระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร
6. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 4 หรือ 5 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูป อยู่ที่ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าของซับสเตรทและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่ หนึ่งบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [5 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [20+ (ความหนา ซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร
7. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 6 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าของซับสเตรทและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งบน ด้านผิวหน้าท้ายคือ [5 + (ความหนาของซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [10 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร
8. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 7 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งซับสเตรทคือ ซับสเตรทสารกึ่งตัวนำ และที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองจะรวมทั้งบริเวณทำให้ผ่านกรรมวิธี หลอมเหลว
9. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 8 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง และที่สองจะถูกขึ้นรูปอย่างต่อเนื่องตามลำดับจากด้านข้างที่ไกลออกไปจากผิวหน้าท้ายขณะที่ใช้ผิวหน้า ท้ายเป็นพื้นผิวทางเข้าแสงเลเซอร์
10. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 9 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์มีพลัง งาน 2 ไมโครจูล ถึง 50 ไมโครจูล เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่หนึ่ง
11. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 10 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งแสงเลเซอร์มีพลัง งาน 1 ไมโครจูล ถึง 50 ไมโครจูล เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง
12. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งจะกำหนดที่อยู่จุด ลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์อยู่ที่ตำแหน่งที่มีระยะทาง 50 ไมโครเมตร ถึง [(ความหนาซับสเตรท) x0.9] ไมโครเมตรจากผิวหน้าท้ายเมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง
13. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 11 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งจะกำหนดที่อยู่จุด ลู่เข้าแสงของแสงเลเซอร์อยู่ที่ตำแหน่งที่มีระยะทาง 20 ไมโครเมตร ถึง 110 ไมโครเมตร จากผิวหน้าท้าย เมื่อขึ้นรูปบริเวณดัดแปรที่สอง
14. วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ตามข้อถือสิทธิ 1 ถึง 13 ข้อใดข้อหนึ่ง ซึ่งประกอบอีกต่อไป ด้วยขั้นตอนในการตัดซับสเตรทและส่วนลามิเนตไปตามเส้นเพื่อตัด
15. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า ของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตรถึง 15 ไมโครเมตรในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท และ ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดบริเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผิวหน้าท้ายในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท
16. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้าน หน้าของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าด้านหน้าคือ 5 ไมโครเมตร ถึง 15 ไมโครเมตรในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท
17. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้าน หน้าของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้าย [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตรถึง [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1]ไมโครเมตร ในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท และ ที่ซึ่งอย่างน้อยที่สุดบริเวณดัดแปรที่สองหนึ่งแถวซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งระหว่างบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและผิวหน้าท้ายในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท
18. ชิปสารกึ่งตัวนำซึ่งประกอบด้วยซับสเตรท และส่วนลามิเนตที่จัดวางอยู่บนผิวหน้าด้านหน้า ของซับสเตรท ซึ่งรวมทั้งอุปกรณ์เชิงหน้าที่ ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งซึ่งทอดตัวไปตามผิวหน้าท้ายของซับสเตรทจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ตำแหน่ง ซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าและส่วนปลายบนด้านผิวหน้าท้ายคือ [(ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร ถึง [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร ในผิวหน้าด้านข้างของซับสเตรท
19. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 17 หรือ 18 ที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งจะถูกขึ้นรูปอยู่ที่ ตำแหน่งซึ่งระยะทางระหว่างผิวหน้าด้านหน้าของซับสเตรทและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งบน ด้านผิวหน้าท้ายคือ [5 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร ถึง [20 + (ความหนาซับสเตรท) x 0.1] ไมโครเมตร
20. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 15 ถึง 19 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งซับสเตรทคือซับสเตรทสารกึ่ง ตัวนำ และที่ซึ่งบริเวณดัดแปรที่หนึ่งและที่สองจะรวมทั้งบริเวณทำให้ผ่านกรรมวิธีหลอมเหลว
21. ชิปสารกึ่งตัวนำตามข้อถือสิทธิ 15 ถึง 20 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งระยะทางระหว่างส่วนปลาย ของบริเวณดัดแปรที่หนึ่งบนด้านผิวหน้าท้ายและส่วนปลายของบริเวณดัดแปรที่สองบนด้านผิวหน้าด้าน หน้าซึ่งตรงข้ามกันคือ 0 ไมโครเมตร ถึง [(ความหนาซับสเตรท) - (ความหนาซับสเตรท) x 0.6] ไมโครเมตร
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH73580A TH73580A (th) | 2005-12-15 |
| TH40095B true TH40095B (th) | 2014-05-21 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1811551A4 (en) | LASER BEAM PROCESSING AND SEMICONDUCTOR CHIP | |
| JP2006068816A5 (th) | ||
| MY146899A (en) | Laser processing method and semiconductor chip | |
| EP3664131A3 (en) | Substrate dividing method | |
| TWI447964B (zh) | LED wafer manufacturing method | |
| MY165400A (en) | Laser processing method and object to be processed | |
| TWI346593B (en) | Laser processing method and semiconductor chip | |
| IL216690A (en) | Semiconductor substrate cutting method and method of manufacturing a semiconductor device | |
| EP2216805A3 (en) | Method of cutting semiconductor substrate | |
| JP2003334812A5 (th) | ||
| CN101480758A (zh) | 一种紫外激光切割挠性印刷电路板的工艺方法 | |
| WO2012059187A1 (de) | Laminat mit integriertem elektronischen bauteil | |
| TH73580A (th) | วิธีดำเนินการกระบวนการด้วยแสงเลเซอร์และชิปสารกึ่งตัวนำ | |
| JP2018527757A5 (th) | ||
| US20240113072A1 (en) | Singulation of integrated circuit package substrates with glass cores | |
| EP3881962A3 (en) | Adhesive bonded composite-to-metal hybrid vanes and method of manufacture | |
| US20240112970A1 (en) | Singulation of integrated circuit package substrates with glass cores | |
| US20240112971A1 (en) | Singulation of integrated circuit package substrates with glass cores | |
| JP7490934B2 (ja) | 回路基板の製造方法及び回路基板 | |
| EP2762286B1 (en) | Dicing method | |
| JPWO2022172900A5 (th) | ||
| TH62030B (th) | วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ | |
| TH73736A (th) | วิธีทำให้ผ่านกรรมวิธีเลเซอร์ | |
| JP7484109B2 (ja) | 窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法及び回路基板の製造方法 | |
| JP7580188B2 (ja) | 窒化珪素セラミックス焼結基板の製造方法及び回路基板の製造方法 |