TH58771B - กระบวนการสำหรับการผลิตตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ - Google Patents

Abstract

DC60 (06/10/49) การประดิษฐ์เกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตของตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ ซึ่งมีความต้านทานอนุกรมสมมูลและกระแสตกค้างต่ำ ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ที่ได้รับ การผลิตโดยกระบวนการนี้และการใช้ของตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์เช่นนั้น การประดิษฐ์เกี่ยวข้องกับกระบวนการสำหรับการผลิตของตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ ซึ่งมีความต้านทานอนุกรมสมมูลและกระแสตกค้างต่ำ ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ที่ได้รับ การผลิตโดยกระบวนการนี้และการใช้ของตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์เช่นนั้น

Claims (8)

ข้อถือสิทธฺ์ (ทั้งหมด) ซึ่งจะไม่ปรากฏบนหน้าประกาศโฆษณา :แก้ไข 12/04/2560 (สูตรเคมี) (I) (สูตรเคมี) (II) ในที่ซึ่ง A แทนราดิคัล C1-C5-อัลคิลีนที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้ R แทนราดิคัล C1-C18-อัลคิลที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้ที่เป็นเส้นตรง หรือ มีกิ่ง, ราดิคัล C5-C12- ไซโคลอัลคิลที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้, ราดิคัล C6-C14-อะริลที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้, ราดิคัล C7-C18- อะราลคิลที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้, ราดิคัล C1-C4-ไฮดรอกซีอัลคิลที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้ หรือ ราดิคัลไฮดรอกซิล x แทนจำนวนเต็มตั้งแต่ 0 ถึง 8 และ ในกรณีที่ซึ่งราดิคัล R หลายราดิคัลถูกเชื่อมพันธะเข้ากับ A, ราดิคัล R เหล่านี้สามารถ เหมือนกัน หรือ แตกต่างกัน 9. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษคือพอลิเมอร์ซึ่งนำมีอยู่ใน อนุภาค B) เป็น พอลิ(3,4-เอธิลีนไดออกซีไธโอฟีน) 1 0. กระบวนการตามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 9 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษคือ อนุภาค B) โดยเพิ่มเติมประกอบด้วยแอนไอออนที่เป็นพอลิเมอร์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด 1 1. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษคือแอนไอออนที่เป็นพอลิ- เมอร์เป็นแอนไออนของกรดคาร์บอกซิลิก หรือ กรดซัลโฟนิกที่เป็นพอลิเมอร์, นิยมกรดพอลิสไตรีน- ซัลโฟนิก 1 2. กระบวนการตามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 11 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษ คือสารกระจาย A) ประกอบด้วยตัวทำละลายอินทรีย์, น้ำ หรือ ของผสมของตัวทำละลายอินทรีย์ และ น้ำในฐานะเป็นสารทำกระจาย D) 1 3. กระบวนการตามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 12 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษ คือสารกระจาย A) โดยเพิ่มเติมประกอบด้วยสารเชื่อมขวาง และ/หรือ สารลดแรงตึงผิว และ/หรือ สารเติมแต่งเพิ่มเติม 1 4. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษคือสารทำกระจาย A) ประกอบด้วยในฐานะเป็นสารประกอบเติมแต่งเพิ่มเติมที่มีหมู่อีเธอร์, หมู่แลคโทน, หมู่เอไมด์ หรือ หมู่แลคแทม, ซัลโฟน, ซัลฟอกไซด์, น้ำตาล, อนุพันธ์ของน้ำตาล, ชูการ์แอลกอฮอล์, อนุพันธ์ฟิวราน และ/หรือ ไดแอลกอฮอล์หรือ พอลิแอลกอฮอล์ 1 5. กระบวนการตามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 14 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษ คือสารกระจาย A) ถูกปรับไปยัง pH เป็นตั้งแต่ 4 ถึง 8 ในกรณีของไดอิเล็กทริกซึ่งไวต่อ pH ----------------- 1. กระบวนการสำหรับการผลิตตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์อย่างน้อยที่สุดซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนซึ่ง a) การใส่สารกระจายA) ไปยังตัวพรุนอย่างน้อยที่สุดซึ่งประกอบด้วยตัวอิเล็กโทรด พรุน (2) ที่มีวัสดุอิเล็กโทรด และอิเล็ดทริก (3) ซึ่งปกคลุมผิวหน้าของวัสดุอิเล็กโทรดนี้ ซึ่งประกอบด้วยอย่างน้อยที่สุดอนุภาค B) ที่มีพอลิเมอร์นำไฟฟ้า และสารทำกระจาย D) b) และสำหรับการก่อรูปอิเล็กโทรไลต์แข็ง (4) ซึ่งปกคลุมผิวหน้าไดอิเล็กทริกอย่างสมบูรณ์ หรือ อย่างบางส่วน, สารทำกระจาย D) ถูกเอาออกอย่างน้อยที่สุดอย่างบางส่วน และ/หรือ ถูกบ่ม ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษคืออนุภาค B) ของพอลิเมอร์ซึ่งนำในสารกระจาย A) มี เส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ยเป็น 1-100 นาโนเมตรตามที่กำหนดโดยการวัดด้วยการหมุนเหวี่ยงด้วยความเร็ว สูงพิเศษ และซึ่สารกระจาย A) ถูกประยุกต์ใช้, ฟิล์มซึ่งมีสภาพนำจำเพาะในสภาพที่แห้งมากกว่า 10S/cm 2. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งอนุภาค B) ของพอลิเมอร์ ซึ่งนำในสารกระจาย A) มีค่า d90 ของการกระจายเส้นผ่าศูนย์กลางน้อยกว่า 150 นาโนเมตร 3. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งอนุภาค B) ของพอลิเมอร์ ซึ่งนำในสารกระจาย A) มีค่า d10 ของการกระจายเส้นผ่าศูนย์กลางมากกว่า 1 นาโนเมตร 4. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารกระจาย A) มีปริมาณของ แคตไอออนของโลหะน้อยกว่า 5,000 มิลลิกรัม/กิโลกรัม 5. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารกระจาย A) มีปริมาณของ โลหะแทรนสิชันน้อยกว่า 1,000 มิลลิกรัม/กิโลกรัม 6. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารกระจาย A) มีปริมาณของ ไอร์ออนน้อยกว่า 1,000 มิลลิกรัม/กิโลกรัม 7. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งอนุภาค B) ของพอลิเมอร์ ซึ่งนไฟฟ้าประกอบด้วยพอลิไธโอฟีน พอลิไพร์โรล หรือพอลิอะนิลีนอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด ซึ่งได้รับการแทนที่อย่างเลือกได้ 8. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งอนุภาค B) ของพอลิเมอร์ซึ่ง นำไฟฟ้าประกอบด้วยพอลิไธโอฟีนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งมีหน่วยซ้ำที่มีสูตรทั่วไป (I) หรือสูตร (II) หรือหน่วยซ้ำที่มีสูตรทั่วไป (I) และ (II) (สูตรเคมี) (I) (สูตรเคมี) (II) ในที่ซึ่ง A แทนราดิคัล C1-C5-อัลคิลีนที่ได้รับการแทนที่อย่างเลือกได้ R แทนราดิคัล C1-C18-อัลคิลที่ด้รับการแทนที่อย่างเลือกได้ที่เป็นเส้นตรงหรือมีกิ่ง ราดิคัล C5-C12-ไซโคลอัลคิลที่ได้รับการแทนที่อย่างเลือกได้ ราดิคัล C6-C14-อะริล ที่ได้รับการแทนที่อย่างเลือกได้ ราดิคัล C7-C18-อะราลคิลที่ได้รับการแทนที่อย่าง- เลือกได้ ราดิคัล C1-C4-ไฮดรอกซีอัลคิลที่ได้รับการแทนที่อย่างเลือกได้หรือ ราดิคัลไฮดรอกซิล x แทนจำนวนเต็มตั้งแต่ 0 ถึง 8 และ ในกรณีที่ซึ่งราดิคัล R หลายราดิคัลได้รับการสร้างพันธะเข้ากับ A ราดิคัล R เหล่านี้ สามารถเหมือนกันทุกประการหรือแตกต่างกัน 9. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 8, ในที่ซึ่งพอลิเมอร์ซึ่งนำมีอยู่ใน อนุภาค B) เป็น พอลิ(3,4-เอธิลีนไดออกซีไธโอฟีน) 1 0. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งอนุภาค B) อย่างเพิ่มเติม ประกอบด้วยแอนไอออนที่เป็นพอลิเมอร์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด 1 1. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 10, ในที่ซึ่งแอนไอออนที่เป็นพอลิเมอร์ เป็นแอนไออนของกรดคาร์บอกซิลิกหรือกรดซัลโฟนิกที่เป็นพอลิเมอร์ อย่างพึงประสงค์ กรดพอลิสไตรีนซัลโฟนิก 1 2. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารทำกระจาย D) ประกอบ ด้วยตัวทำละลายอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดหรือน้ำ 1 3. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารกระจาย A) นอกจากนี้ ประกอบด้วยสารเชื่อมขวาง สารลดแรงตึงผิวหรือสารเติมแต่งเพิ่มเติมอย่างน้อยที่สุด หนึ่งชนิด 1 4. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 13, ในที่ซึ่งสารเติมแต่งเพิ่มเติมดังกล่าว เป็นสารประกอบซึ่งมีหมู่อีเธอร์ หมู่แลคโทน หมู่อะมีด หมู่แลคแทม ซัลโฟน ซัลฟอกไซด์ น้ำตาล อนุพันธ์ของน้ำตาล ชูการ์แอลกอฮอล์ อนุพันธ์ฟิวราน ไดแอลกอฮอล์หรือพอลิแอลกอฮอล์หรือสารผสมของสิ่งเหล่านี้ 1 5. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารกระจาย A) ได้รับการ ปรับไปยัง pH เป็นตั้งแต่ 8 ในกรณีของไดอิเล็กทริกซึ่งไวต่อ pH 1 6. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งความหนืดของสารกระจาย A) เป็นตั้งแต่ 1 ถึง 200 mPa\'s (ที่ได้รับการวัดที่ 20 ํC และอัตราเฉือนเป็น 100 s-1) 1 7. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งวัสดุอิเล็กโทรดของลำตัว อิเล็กโทรดเป็นโลหะที่ใช้ทำวาล์ว หรือสารประกอบซึ่งมีสมบัติทางไฟฟ้าที่เทียบเคียงได้ กับโลหะที่ใช้ทำวาล์ว 1 8. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 17, ในที่ซึ่งโลหะที่ใช้ทำวาล์วหรือ สารประกอบซึ่งมีสมบัติทางไฟฟ้าที่เทียบเคียงได้กับโลหะที่ใช้ทำวาล์วเป็นแทนทาลัม ไนโอเบียม อะลูมิเนียม ไทเทเนียม เซอร์โคเนียม ฮาฟเนียม วานาเดียม โลหะเจือหรือ สารประกอบของโลหะเหล่านี้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดกับธาตุอื่นๆ หรือ NbO หรือโลหะ- เจือหรือสารประกอบของ NbO กับธาตุอื่นๆ 1 9. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 17, ในที่ซึ่งวัสดุอิเล็กโทรดมีพื้นฐาน บนไนโอเบียมหรือ NbO 2 0. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 19, ในที่ซึ่งวัสดุอิเล็กโทรดที่มีพื้นฐาน บนไนโอเบียมหรือไนโอเบียมออกไซด์เป็นไนโอเบียม ไนโอเบียมออกไซด์ NbOx, ในที่ ซึ่ง x สามารถประมาณค่าเป็นตั้งแต่ 0.8 ถึง 1.2 ไนโอเบียมไนไทรด์ ไนโอเบียมออกซีไน ไทรด์หรือสารผสมของวัสดุเหล่านี้หรือโลหะเจือหรือสารประกอบของวัสดุเหล่านี้อย่าง น้อยที่สุดหนึ่งชนิดกับธาตุอื่นๆ 2

1. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งได้อิเล็กทริกเป็นออกไซด์ ของโลหะ valve หรือออกไซด์ของสารประกอบซึ่งมีสมบัติทางไฟฟ้าที่เทียบเคียงได้กับ โลหะที่ใช้ทำวาล์ว 2

2. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งการใส่ของสารกระจาย A) และการดึงออกอย่างน้อยที่สุดบางส่วนและ/หรือการบ่มของสารทำกระจายได้รับการ ดำเนินการหลายครั้ง 2

3. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งหลังจากการใส่ของ สารกระจาย A) , อย่างน้อยที่สุดบางส่วนของอนุภาค B) ที่มีพอลิเมอร์ซึ่งนำซึ่งอยู่บนผิว ภายนอกของลำตัวอิเล็กโทรดที่ได้รับการปกคลุมด้วยได้อิเล็กทริกได้รับการดึงออก 2

4. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งหลังจากการใส่ของ สารกระจาย A) และการก่อรูปของอิเล็กโทรไลต์แข็ง ตัวเก็บประจุได้รับการจัดเตรียม อย่างเลือกได้ด้วยหน้าสัมผัสภายนอกซึ่งนำไฟฟ้าอีก ได้รับการสัมผัสอย่างเลือกได้และได้ รับการผนึกหุ้ม 2

5. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 10, ในที่ซึ่งแอนไอออนที่เป็นพอลิเมอร์ เป็นกรดพอลิสไตรีนซัลโฟนิก 2

6. ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ที่ได้รับการผลิตด้วยกระบวนการตามความสอดคล้องกับ ข้อถือสิทธิข้อ 1 2

7. ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 26, ในที่ซึ่งตัวเก็บ ประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์มีประจุจำเพาะเป็นตั้งแต่ 500 ถึง 500,000 มิวC/g ที่มีพื้นฐานบน น้ำหนักของลำตัวอิเล็กโทรดที่ได้รับการปกคลุมด้วยไดอิเล็กทริก 2

8. วงจรอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบด้วยตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ดังที่ได้รับการขอถือ สิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 26