TH158530A - การใช้สารผสมของโพลีเมอร์ตัวนำที่กระตุ้นตัวเอง และที่กระตุ้นด้วยสารอื่น ในตัวเก็บประจุ - Google Patents

Abstract

แก้ไขบทสรุปการประดิษฐ์ 22/06/2558 การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับ กระบวนการสำหรับการผลิตตัวเก็บประจุ ที่ประกอบรวมด้วย ขั้นตอนกระบวนการ: a) การจัดให้มีลำตัวอิเล็กโทรด (1) ของวัสดุอิเล็กโทรด (2), ที่ซึ่งไดอิเล็กเล็กตริค (3) ปกคลุมหนึ่งพื้นผิว (4) ของวัสดุอิเล็กโทรดนี้ (2) อย่างน้อยบางส่วนอยู่ภายใต้การสร้างขึ้นของลำตัว แอโนด (5); b) การชักนำสารกระจายตัวที่ประกอบรวมด้วยสารช่วยกระจายตัว และสารเชิงซ้อนของ โพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน, ที่ซึ่งอัตราส่วนของน้ำหนักของ โพลีไธโอฟีน:โพลีแอนไอออน ในสารกระจายตัวนั้นมีค่ามากกว่า 0.5, เข้าสู่ส่วนหนึ่งลำตัวแอโนด (5); c) การกำจัดออกอย่างน้อยส่วนหนึ่งของสารช่วยกระจายตัว เพื่อการได้มาซึ่งอิเล็กโตรไลต์ ชนิดแข็ง (6) ในลำตัวของตัวเก็บประจุ การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับตัวเก็บประจุที่สามารถรับมาโดยกระบวนการนี้, ตัวเก็บประจุ, วงจรอิเล็กโทรนิก, การใช้ของตัวเก็บประจุ, กระบวนการสำหรับการเตรียมสารกระจายตัว, สารกระจายตัวที่ได้มาโดยกระบวนการนี้, กระบวนการสำหรับการผลิตเซลล์พลังงานแสงอาทิตย์ อินทรีย์, เซลล์พลังงานแสงอาทิตย์อินทรีย์ที่ได้มาโดยกระบวนการนี้ และ การใช้สารกระจายตัว สำหรับการผลิตเซลล์พลังงานแสงอาทิตย์อินทรีย์ --------------------------------------------------------------------------- การประดิษฐ์นี้เกี่ยวข้องกับ กระบวนการสำหรับการผลิตตัวเก็บประจุ ที่ประกอบรวมด้วย ขั้นตอนกระบวนการ: a) การจัดให้มีลำตัวอิเล็กโทรด (1) ของวัสดุอิเล็กโทรด (2), ที่ซึ่งไดอิเล็กเล็กตริค (3) ปกคลุมหนึ่งพื้นผิว (4) ของวัสดุโทรดนี้ (2) อย่างน้อยบางส่วนอยู่ภายใต้การสร้างขึ้นของลำตัว แอโนด (5); b) การชักนำสารกระจายตัวที่ประกอบรวมด้วยสารช่วยกระจายตัว และสารเชิงซ้อนของ โพลีไธโอฟิน และ โพลีแอนไอออน. ที่ซึ่งอัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธไอฟีน:โพลีแอนไอออน ในสารกระจายตัวนั้นมีค่ามากกว่า 0.5, เข้าสู่ส่วนหนึ่งลำตัวแอโนด (5); c) การกำจัดออกอย่างน้อยส่วนหนึ่งของสารช่วยกระจายตัว เพื่อการได้มาซึ่งอิเล็กโตรไลต์ ชนิดแข็ง (6) ในลำตัวของตัวเก็บประจุ การประดิษฐ์ยังเกี่ยวข้องกับตัวเก็บประจุที่สามารถรับมาโดยกระบวนการนี้, ตัวเก็บประจุ วงจรอิเล็กโทรนิก, การใช้ของตัวเก็บประจุ, กระบวนการสำหรับการเตรียมสารกระจายตัว, สารกระจายตัวที่ได้มาโดยกระบวนการนี้, กระบวนการสำหรับการผลิตเซลล์พลังงานแสงอาทิตย์ อินทรีย์, เซลล์พลังงานแสงอาทิตย์อินทรีย์ที่ได้มาโดยกระบวนการนี้ และ การใช้สารกระจายตัว สำหรับการผลิตเซลล์พลังงานแสงอาทิตย์อินทรีย์

Claims (25)

แก้ไข 22/06/2558 1. กระบวนการสำหรับการผลิตตัวเก็บประจุ ที่ประกอบรวมด้วยขั้นตอนกระบวนการ: a) การจัดให้มีลำตัวอิเล็กโทรด (1) ของวัสดุอิเล็กโทรด (2), ที่ซึ่งไดอิเล็กเล็กตริค (3) ปกคลุมหนึ่งพื้นผิว (4) ของวัสดุอิเล็กโทรดนี้ (2) อย่างน้อยบางส่วนอยู่ภายใต้การสร้างขึ้นของลำตัว แอโนด (5); b) การชักนำสารกระจายตัวที่ประกอบรวมด้วยสารช่วยกระจายตัว และสารเชิงซ้อนของ โพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน, ที่ซึ่งอัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธโอฟิน:โพลีแอนไอออน ในสารกระจายตัวนั้นมีค่ามากกว่า 0.5, เข้าสู่ส่วนหนึ่งลำตัวแอโนด (5); c) การจำกัดออกอย่างน้องหนึ่งส่วนของสารช่วยกระจายตัว เพื่อการได้มาซึ่งอิเล็กโตรไลต์ ชนิดแข็ง (6) ในลำตัวของตัวเก็บประจุ 2. กระบวนการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่ง อัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธโอฟีน:โพลี แอนไอออน ในสารกระจายตัวนั้นมีค่า อย่างน้อย 0.67 และมีค่าน้อยกว่า 1.5 3. กระบวนการตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง โพลีไธโอฟีน คือ โพลี(3,4-เอธิลี ไดออกซีไธโอฟีน) 4. กระบวนการตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิก่อนหน้า ที่ซึ่ง โพลีแอนไอออน คือ กรดโพลีสไตรีนซัลโฟนิก 5. กระบวนการตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิก่อนหน้า ที่ซึ่ง สารกระจายตัวนั้น ประกอบ รวมด้วย อย่างน้อย แอลคิลีน ไกลคอล, โพลีแอลคิลีน ไกลคอล, โพลีกลีเซอรอล หรือ สารผสมของ อย่างน้อยสองชนิดของสารเหล่านี้ 6. กระบวนการตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิก่อนหน้า ที่ซึ่ง ปริมาณของแข็งในสาร กระจายตัวมีค่าอยู่ในช่วงตั้งแต่ 0.1 ถึง 10% โดยน้ำหนัก 7. ตัวเก็บประจุที่สามารถได้รับมาโดยกระบวนการตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 6 8. ตัวเก็บประจุที่ประกอบรวมด้วย ลำตัวอิเล็กโทรด (1) ของวัสดุอิเล็กโทรด (2), ที่ซึ่ง ไดอิเล็กเล็กตริค (3) ปกคลุมพื้นที่ผิว (4) ของวัสดุอิเล็กโทรดนี้ (2) อย่างน้อยบางส่วน และก่อให้เกิด ลำตัวแอโนด (5), ที่ซึ่ง ลำตัวแอโนด (5) ถูกเคลือบอย่างน้อยบางส่วนด้วย อิเล็กโตรไลต์ชนิดแข็ง (6) ซึ่งประกอบรวมด้วย โพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน ที่ซึ่ง อัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธโอฟีน:โพลีนแอนไอออน ในอิเล็กโตรไลต์ชนิดแข็ง (6) มีค่ามากกว่า 0.5 9. ตัวเก็บประจุตามข้อถือสิทธิที่ 8 ที่ซึ่ง อัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธโอฟีน:โพลีแอน ไอออน ในสารกระจายตัวนั้นมีค่า อย่างน้อย 0.67 และ มีค่าน้อยกว่า 1.5 10. ตัวเก็บประจุตามข้อถือสิทธิที่ 8 หรือ 9 ที่ซึ่ง โพลีไธโอฟีน คือ โพลี(3,4-เอธิลีนไดออก ซีไธโอฟีน) 11. ตัวเก็บประจุตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 8 ถึง 10 ที่ซึ่ง โพลีแอนไอออน คือ กรดโพลีสไตรีนซัลโฟนิก 12.ตัวเก็บประจุตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 8 ถึง 11 ที่ซึ่ง อิเล็กโตรไลต์ชนิดแข็ง (6) ประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่ง โพลีแอลคิลีน ไกลคอล, อย่างน้อยหนึ่งโพลีกลีเซอรอล หรือ สารผสมของอย่างน้อยหนึ่งโพลีแอลคิลีน ไกลคอล, และ อย่างน้อยหนึ่งโพลีกลีเซอรอล 13. ตัวเก็บประจุตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 8 ถึง 12 ที่ซึ่ง ตัวเก็บประจุนั้น เป็นตัว เก็บประจุที่พันด้วนอลูมินัม, ตัวเก็บประจุแบบแทนทาลัมอิเล็กโตรไลติก หรือ ตัวเก็บประจุที่วาง ซ้อนด้วยอลูมินัม 14. วงจรอิเล็กโทรนิกที่ประกอบรวมด้วย ตัวเก็บประจุตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 7 ถึง 13 15. การใช้ตัวเก็บประจุตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 7 ถึง 13 ในวงจรไฟฟ้า 16. กระบวนการสำหรับการเตรียมสารกระจายตัวที่ประกอบรวมด้วย สารช่วยกระจายตัว และสารเชิงซ้อนของ โพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน, ที่ประกอบรวมด้วย ขั้นตอน กระบวนการของการสร้างโพลีเมอร์แบบออกซิเดชั่นของ ไธโอฟีน โมโนเมอร์ ในการปรากฏอยู่ ของโพลีแอนไอออน ในเฟสการทำปฎิกิริยาของเหลวที่ประกอบรวมด้วย สารช่วยกระจายตัว, ที่ซึ่ง ไธโอฟีน โมโนเมอร์ และโพลีแอนไอออน ถูกนำมาใช้ในปริมาณสัมพัทธ์ในลักษณะ ที่ อัตราส่วนน้ำหนักของไธโอฟีน โมโนเมอร์: โพลีแอนไอออน ในเฟสการทำปฎิกิริยาของเหลว มีค่ามากกว่า 0.5 17. กระบวนการตามข้อถือสิทธิที่ 16 ที่ซึ่ง ไธโอฟีน โมโนเมอร์ และ โพลีแอนไอออน ถูกใช้ในปริมาณสัมพัทธ์ในลักษณะที่อัตราส่วนน้ำหนักของ ไธโอฟีน โมโนเมอร์: โพลีแอน ไอคอน ในเฟสการทำปฎิกิริยาของเหลว มีค่า 0.67 และ มีค่า น้อยกว่า 15 18. กระบวนการตามข้อถือสิทธิที่ 16 หรือ 17 ที่ซึ่งโพลีไธโอฟีน เป็น โพลี(3,4-เอธิลีนได ออกซีไธโอฟีน) และ ไธโอฟีน โมโนเมอร์ คือ 3,4-เอธิลีนไดออกซี-ไธโอฟีน 19. กระบวนการตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 16 ถึง 18 ที่ซึ่ง โพลีแอนไอออน คือ กรดโพลีสไตรีนซัลโฟนิก 20. กระบวนการตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 16 ถึง 19 ที่ซึ่ง การสร้างโพลีเมอร์แบบ ออกซิเดชั่น ของไธโอฟีน โมโนเมอร์ ถูกดำเนินการโดยมีโพลีแอนไอออน ในน้ำ เป็นสารช่วย กระจายตัว และ โดยมีสารประกอบของสูตรทั้วไป (I) (สูตรเคมี) (I) ในที่ซึ่ง X แทน หมู่ OH, อนุมูล อะลิฟาติก หรืออะโรมาติก C1-C10 -แอลคิล หรือ อนุมูลอะลิฟาติก หรืออะโรมาติก C1-C10 -แอลคอกซี (-OR) 21. กระบวนการตามข้อถือสิทธิที่ 20 ที่ซึ่ง ความเข้มข้นของสารประกอบของสูตรทั่วไป (I) ในเฟสการทำปฏิกิริยาที่เป็นน้ำมีค่าอยู่ในช่วงตั้งแต่ 0.01 ถึง 5% โดยน้ำหนัก บนพื้นฐานของน้ำหนัก ทั้งหมดของเฟสที่เป็นน้ำ 22. สารกระจายตัวที่ได้มาโดยกระบวนการตามข้อใดข้อหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 16 ถึง 21 23. กระบวนการสำหรับการผลิตเซลล์พลังงานแสงอาทิตย์อินทรีย์ ที่ประกอบรวมด้วย A) ชั้นสับสเตรท; B) ชั้นแอโนดโปร่งใส่; C) ชั้นกึ่งตัวนำ; D) ชั้นแคโธด; ที่ซึ่ง โดยการเคลือบด้วย สารกระจายตัว ที่ประกอบรวมด้วย สารช่วยกระจายตัว และ สารเชิงซ้อนของโพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน, ที่ซึ่งอัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธโอฟีน: โพลีแอนไอออน ในสารกระจายตัวนั้นมีค่ามากกว่า 0.5, ต่อมา การกำจัดออกของสารช่วย กระจายตัว หรือ โดยการเคลือบด้วยสารกระจายตัวตามข้อถือสิทธิที่ 22 และต่อ การกำจัดออกของ สารช่วยกระจายตัว, i) ชั้นซึ่งประกอบรวมด้วย สารเชิงซ้อนของโพลไธโอฟีน และ โพลีเเอนไอออน ถูกประยุกต์ใช้กับชั้นสับสเตรท ii) ชั้นซึ่งประกอบรวมด้วย สารเชิงซ้อนของโพลีไธโอฟีน และ โพลีเเอนไอออน ถูกประยุกต์ใช้เป็นชั้นด้านนอกของ ชั้นกึ่งตัวนำ, หรือ iii) ชั้นซึ่งประกอบรวมด้วย สารเชิงซ้อนของโพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน ถูกประยุกต์ใช้ระหว่าง ชั้นแอโนดโปร่งใส่และชั้นกึ่งตัวนำ 24. เซลล์พลังงานแสงอาทิตย์อินทรีย์ ที่สามารถได้รับมาโดยกระบวนการตามข้อถือสิทธิ ที่ 23 25. การใช้สารกระจายตัว ที่ประกอบรวมด้วย สารช่วยกระจายตัว และ สารเชิงซ้อนของ โพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน ที่ซึ่งอัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธโอฟีน: โพลีแอนไอออน ในสถานะกระจายตัวนั้นมีค่ามากกว่า 0.5, หรือ ของสารกระจายตัว ตามข้อถือสิทธิที่ 22 สำหรับการ ผลิตของชั้นตัวนำโปร่งใส่ ในเซลล์พลังงานแสงอาทิตย์อินทรีย์ -------------------------------------------------------------

1. กระบวนการสำหรับการผลิตตัวเก็บประจุ ที่ประกอบรวมด้วยขั้นตอนกระบวนการ: a) การจัดให้มีลำตัวอิเล็กโทรด (1) ของวัสดุอิเล็กโทรด (2), ที่ซึ่งไดอิเล็กเล็กตริค (3) ปกคลุมหนึ่งพื่นผิว (4) ของวัสดุอิเล็กโทรดนี้ (2) อย่างน้อยบางส่วนอยู่ภายใต้การสร้างขึ้นของลำตัว แอโนด (5); b) การชักนำสารกระจายตัวที่ประกอบรวมด้วยสารช่วยกระจายตัว และสารเชิงซ้อนของ โพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน, ที่ซึ่งอัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธโอฟิน:โพลีแอนไอออน ในสารกระจายตัวนั้นมีค่ามากกว่า 0.5, เข้าสู่ส่วนหนึ่งลำตัวแอโนด (5); c) การจำกัดออกอย่างน้องหนึ่งส่วนของสารช่วยกระจายตัว เพื่อการได้มาซึ่งอิเล็กโตรไลต์ ชนิดแข็ง (6) ในลำตัวของตัวเก็บประจุ

2. กระบวนการตามข้อถือสิทธิที่ 1 ที่ซึ่ง อัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธโอฟีน:โพลี แอนไอออน ในสารกระจายตัวนั้นมีค่า อย่างน้อย 0.67 และมีค่าน้อยกว่า 1.5

3. กระบวนการตามข้อถือสิทธิที่ 1 หรือ 2 ที่ซึ่ง โพลีไธโอฟีน คือ โพลี(3,4-เอธิลีนไดออก ซีไธโอฟีน)

4. กระบวนการตามหนึ่งในข้อถือสิทธิก่อนหน้า ที่ซึ่ง โพลีแอนไอออน คือ กรดโพลี สไตรีนซัลโฟนิก

5. กระบวนการตามหนึ่งในข้อถือสิทธิก่อนหน้า ที่ซึ่ง สารกระจายตัวนั้น ประกอบรวมด้วย อย่างน้อย แอลคิลีน ไกลคอล, โพลีแอลคิลีน ไกลคอล, โพลีกลีเซอรอล หรือ สารผสมของ อย่างน้อยสองชนิดของสารเหล่านี้

6. กระบวนการตามหนึ่งในข้อถือสิทธิก่อนหน้า ที่ซึ่ง ปริมาณของแข็งในสารกระจายตัว มีค่าอยู่ในช่วงตั้งแต่ 0.1 ถึง 10% โดยน้ำหนัก

7. ตัวเก็บประจุที่สามารถได้รับมาโดยกระบวนการตามหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 1 ถึง 6

8. ตัวเก็บประจุที่ประกอบรวมด้วย ลำตัวอิเล็กโทรด (1) ของวัสดุอิเล็กโทรด (2), ที่ซึ่ง ไดอิเล็กเล็กตริค (3) ปกคลุมพื้นที่ผิว (4) ของวัสดุอิเล็กโทรดนี้ (2) อย่างน้อยบางส่วน และก่อให้เกิด ลำตัวแอโนด (5), ที่ซึ่ง ลำตัวแอโนด (5) ถูกเคลือบอย่างน้อยบางส่วนด้วย อิเล็กโตรไลต์ชนิดแข็ง (6) ซึ่งประกอบรวมด้วย โพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน ที่ซึ่ง อัตราส่วนน้ำหนักของ โพลี ไธโอฟีน:โพลีนแอนไอออน ในอิเล็กโตรไลต์ชนิดแข็ง (6) มีค่ามากกว่า 0.5

9. ตัวเก็บประจุตามข้อถือสิทธิที่ 8 ที่ซึ่ง อัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธโอฟีน:โพลี แอนไอออน ในสารกระจายตัวนั้นมีค่า อย่างน้อย 0.67 และ มีค่าน้อยกว่า 1.5

10. ตัวเก็บประจุตามข้อถือสิทธิที่ 8 หรือ 9 ที่ซึ่ง โพลีไธโอฟีน คือ โพลี(3,4-เอธิลีนไดออก ซีไธโอฟีน)

11. ตัวเก็บประจุตามหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 8 ถึง 10 ที่ซึ่ง โพลีแอนไอออน คือ กรดโพลี สไตรีนซัลโฟนิก

12.ตัวเก็บประจุตามหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 8 ถึง 11 ที่ซึ่ง อิเล็กโตรไลต์ชนิดแข็ง (6) ประกอบรวมด้วย อย่างน้อยหนึ่ง โพลีแอลคิลีน ไกลคอล, อย่างน้อยหนึ่งโพลีกลีเซอรอล หรือสาร ผสมของอย่างน้อยหนึ่งโพลีแอลคิลีน ไกลคอล, และ อย่างน้อยหนึ่งโพลีกลีเซอรอลฃ

13. ตัวเก็บประจุตามหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 8 ถึง 12 ที่ซึ่ง ตัวเก็บประจุนั้น เป็นตัวเก็บประจุ ที่พันด้วนอลูมินัม, ตัวเก็บประจุแบบแทนทาลัมอิเล็กโตรไลติก หรือ ตัวเก็บประจุที่วางซ้อนด้วย อลูมินัม

14. วงจรอิเล็กโทรนิกที่ประกอบรวมด้วย ตัวเก็บประจุตามหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 7 ถึง 13

15. การใช้ตัวเก็บประจุตามหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 7 ถึง 13 ในวงจรไฟฟ้า

16. กระบวนการสำหรับการเตรียมสารกระจายตัวที่ประกอบรวมด้วย สารช่วยกระจายตัว และสารเชิงซ้อนของ โพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน, ที่ประกอบรวมด้วย ขั้นตอน กระบวนการของการสร้างโพลีเมอร์แบบออกซิเดชั่นของ ไธโอฟีน โมโนเมอร์ ในการปรากฏอยู่ ของโพลีแอนไอออน ในเฟสการทำปฎิกิริยาของเหลวที่ประกอบรวมด้วย สารช่วยกระจายตัว, ที่ซึ่ง ไธโอฟีน โมโนเมอร์ และโพลีแอนไอออน ถูกนำมาใช้ในปริมาณสัมพัทธ์ในลักษณะที่ อัตราส่วน น้ำหนักของไธโอฟีน โมโนเมอร์: โพลีแอนไอออน ในเฟสการทำปฎิกิริยาของเหลว มีค่า มากกว่า 0.5

17. กระบวนการตามข้อถือสิทธิที่ 16 ที่ซึ่ง ไธโอฟีน โมโนเมอร์ และ โพลีแอนไอออน ถูกใช้ในปริมาณสัมพัทธ์ในลักษณะที่อัตราส่วนน้ำหนักของ ไธโอฟีน โมโนเมอร์: โพลีแอน ไอคอน ในเฟสการทำปฎิกิริยาของเหลว มีค่า 0.67 และ มีค่า น้อยกว่า 15

18. กระบวนการตามข้อถือสิทธิที่ 16 หรือ 17 ที่ซึ่งโพลีไธโอฟีน เป็น โพลี(3,4-เอธิลีน ไดออกซีไธโอฟีน) และ ไธโอฟีน โมโนเมอร์ คือ 3,4-เอธิลีนไดออกซี-ไธโอฟีน

19. กระบวนการตามหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 16 ถึง 18 ที่ซึ่ง โพลีแอนไอออน คือ กรดโพลีส ไตรีนซัลโฟนิก

20. กระบวนการตามหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 16 ถึง 19 ที่ซึ่ง การสร้างโพลีเมอร์แบบ ออกซิเดชั่น ของไธโอฟีน โมโนเมอร์ ถูกดำเนินการโดยมีโพลีแอนไอออน ในน้ำ เป็นสารช่วย กระจายตัว และ โดยมีสารประกอบของสูตรทั้วไป (I) (สูตรเคมี) (I) ในที่ซึ่ง X แทน หมู่ OH, อนุมูล อะลิฟาติก หรืออะโรมาติก C1-C10 -แอลคิล หรือ อนุมูลอะลิฟาติก หรืออะโรมาติก C1-C10 -แอลคอกซี (-OR)

21. กระบสสนการตามข้อถือสิทธิที่ 20 ที่ซึ่ง ความเข้มข้นของสารประกอบของสูตรทั่วไป (I) ในเฟสการทำปฏิกิริยาที่เป็นน้ำมีค่าอยู่ในช่วงตั้งแต่ 0.01 ถึง 5% โดยน้ำหนัก บนพื้นฐานของน้ำหนัก ทั้งหมดของเฟสที่เป็นน้ำ

22. สารกระจายตัวที่ได้มาโดยกระบวนการตามหนึ่งในข้อถือสิทธิที่ 16 ถึง 21

23. กระบวนการสำหรับการผลิตเซลล์พลังงานแสงอาทิตย์อินทรีย์ ที่ประกอบรวมด้วย A) ชั้นสับสเตรท; B) ชั้นแอโนดโปร่งใส่; C) ชั้นกึ่งตัวนำ; D) ชั้นแคโธด; ที่ซึ่ง โดยการเคลือบด้วย สารกระจายตัว ที่ประกอบรวมด้วย สารช่วยกระจายตัว และ สารเชิงซ้อนของโพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน, ที่ซึ่งอัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธโอฟีน: โพลีแอนไอออน ในสารกระจายตัวนั้นมีค่ามากกว่า 0.5, ต่อมา การกำจัดออกของสารช่วย กระจายตัว หรือ โดยการเคลือบด้วยสารกระจายตัวตามข้อถือสิทธิที่ 22 และต่อ การกำจัดออกของ สารช่วยกระจายตัส i) ชั้นซึ่งประกอบรวมด้วย สารเชิงซ้อนของโพลไธโอฟีน และ โพลีเเอนไอออน ถูกประยุกต์ใช้กับชั้นสักสเตรท ii) ชั้นซึ่งประกอบรวมด้วย สารเชิงซ้อนของโพลีไธโอฟีน และ โพลีเเอนไอออน ถูกประยุกต์ใช้เป็นชั้นด้านนอกของ ชั้นกึ่งตัวนำ, หรือ iii) ชั้นซึ่งประกอบรวมด้วย สารเชิงซ้อนของโพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน ถูกประยุกต์ใช้ระหว่าง ชั้นแอโนดโปร่งใส่และชั้นกึ่งตัวนำ

24. เซลล์พลังงานเเสงอาทิตย์ ที่สามารถได้รับมาโดยกระบวนการตามข้อถือสิทธิ ที่ 23

25. การใช้สารกระจายตัว ที่ประกอบรวมด้วย สารช่วยกระจายตัว และ สารเชิงซ้อนของ โพลีไธโอฟีน และ โพลีแอนไอออน ที่ซึ่งอัตราส่วนน้ำหนักของ โพลีไธโอฟีน: โพลีแอนไอออน ในสถานะกระจายตัวนั้นมีค่ามากกว่า 0.5, หรือ ของสารกระจายตัว ตามข้อถือสิทธิที่ 22 สำหรับการ ผลิตของชั้นตัวนำโปร่งใส่ ในเซลล์พลังงานเเสงอาทิตย์อินทรีย์