Claims (28)
แก้ไข 12/04/2560 (สูตรเคมี) (I) (สูตรเคมี) (II) ในที่ซึ่ง A แทนราดิคัล C1-C5-อัลคิลีนที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้ R แทนราดิคัล C1-C18-อัลคิลที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้ที่เป็นเส้นตรง หรือ มีกิ่ง, ราดิคัล C5-C12- ไซโคลอัลคิลที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้, ราดิคัล C6-C14-อะริลที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้, ราดิคัล C7-C18- อะราลคิลที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้, ราดิคัล C1-C4-ไฮดรอกซีอัลคิลที่ถูกแทนที่อย่างเลือกได้ หรือ ราดิคัลไฮดรอกซิล x แทนจำนวนเต็มตั้งแต่ 0 ถึง 8 และ ในกรณีที่ซึ่งราดิคัล R หลายราดิคัลถูกเชื่อมพันธะเข้ากับ A, ราดิคัล R เหล่านี้สามารถ เหมือนกัน หรือ แตกต่างกัน 9. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 8 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษคือพอลิเมอร์ซึ่งนำมีอยู่ใน อนุภาค B) เป็น พอลิ(3,4-เอธิลีนไดออกซีไธโอฟีน) 10. กระบวนการตามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 9 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษคือ อนุภาค B) โดยเพิ่มเติมประกอบด้วยแอนไอออนที่เป็นพอลิเมอร์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด 11. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 10 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษคือแอนไอออนที่เป็นพอลิ- เมอร์เป็นแอนไออนของกรดคาร์บอกซิลิก หรือ กรดซัลโฟนิกที่เป็นพอลิเมอร์, นิยมกรดพอลิสไตรีน- ซัลโฟนิก 12. กระบวนการตามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 11 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษ คือสารกระจาย A) ประกอบด้วยตัวทำละลายอินทรีย์, น้ำ หรือ ของผสมของตัวทำละลายอินทรีย์ และ น้ำในฐานะเป็นสารทำกระจาย D) 13. กระบวนการตามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 12 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษ คือสารกระจาย A) โดยเพิ่มเติมประกอบด้วยสารเชื่อมขวาง และ/หรือ สารลดแรงตึงผิว และ/หรือ สารเติมแต่งเพิ่มเติม 14. กระบวนการตามข้อถือสิทธิข้อ 13 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษคือสารทำกระจาย A) ประกอบด้วยในฐานะเป็นสารประกอบเติมแต่งเพิ่มเติมที่มีหมู่อีเธอร์, หมู่แลคโทน, หมู่เอไมด์ หรือ หมู่แลคแทม, ซัลโฟน, ซัลฟอกไซด์, น้ำตาล, อนุพันธ์ของน้ำตาล, ชูการ์แอลกอฮอล์, อนุพันธ์ฟิวราน และ/หรือ ไดแอลกอฮอล์หรือ พอลิแอลกอฮอล์ 15. กระบวนการตามอย่างน้อยที่สุดหนึ่งในข้อถือสิทธิข้อ 1 ถึง 14 ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษ คือสารกระจาย A) ถูกปรับไปยัง pH เป็นตั้งแต่ 4 ถึง 8 ในกรณีของไดอิเล็กทริกซึ่งไวต่อ pH -----------------Revised 12/04/2017 (Chemical Formula) (I) (Chemical Formula) (II) where A represents selectively substituted C1-C5-alkylean radicals, R represents selectively substituted linear or branched C1-C18-alkyl radicals, selectively substituted C5-C12-cycloalkyl radicals, selectively substituted C6-C14-aryl radicals, selectively substituted C7-C18-aralkyl radicals, selectively substituted C1-C4-hydroxyalkyl radicals, or hydroxyl radicals, x represents an integer from 0 to 8, and where multiple radicals R are bonded to A, these radicals R can be identical or different. 9. The process according to claim 8, which is characterized by the polymerization of which is present in particle B) is 10. A process according to at least one of the claims 1 through 9, characterized by the dispersion A) containing at least one polymerizing anion. 11. A process according to claim 10, characterized by the polymerizing anion being a polymerizing carboxylic acid or sulfonic acid anion, preferably polystyrene-sulfonic acid. 12. A process according to at least one of the claims 1 through 11, characterized by the dispersion A) containing an organic solvent, water, or a mixture of organic solvents and water as a dispersing agent D). 13. A process according to at least one of the claims 1 through 12, characterized by the dispersion A) containing a crosslinking agent and/or a surfactant and/or an additive. 14. A process according to claim 13, characterized by the dispersion A) containing an additive containing an ether group. Lactone groups, amide groups, or lactam groups; sulfones; sulfoxides; sugars; sugar derivatives; sugar alcohols; furan derivatives and/or dialcohols or polyalcohols. 15. A process pursuant to at least one of the claims 1 through 14, which is characterized by the dispersion of substance A), is adjusted to a pH of 4 to 8 in the case of a pH-sensitive dielectric.
1. กระบวนการสำหรับการผลิตตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์อย่างน้อยที่สุดซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนซึ่ง a) การใส่สารกระจายA) ไปยังตัวพรุนอย่างน้อยที่สุดซึ่งประกอบด้วยตัวอิเล็กโทรด พรุน (2) ที่มีวัสดุอิเล็กโทรด และอิเล็ดทริก (3) ซึ่งปกคลุมผิวหน้าของวัสดุอิเล็กโทรดนี้ ซึ่งประกอบด้วยอย่างน้อยที่สุดอนุภาค B) ที่มีพอลิเมอร์นำไฟฟ้า และสารทำกระจาย D) b) และสำหรับการก่อรูปอิเล็กโทรไลต์แข็ง (4) ซึ่งปกคลุมผิวหน้าไดอิเล็กทริกอย่างสมบูรณ์ หรือ อย่างบางส่วน, สารทำกระจาย D) ถูกเอาออกอย่างน้อยที่สุดอย่างบางส่วน และ/หรือ ถูกบ่ม ซึ่งมีลักษณะเฉพาะพิเศษคืออนุภาค B) ของพอลิเมอร์ซึ่งนำในสารกระจาย A) มี เส้นผ่าศูนย์กลางเฉลี่ยเป็น 1-100 นาโนเมตรตามที่กำหนดโดยการวัดด้วยการหมุนเหวี่ยงด้วยความเร็ว สูงพิเศษ และซึ่สารกระจาย A) ถูกประยุกต์ใช้, ฟิล์มซึ่งมีสภาพนำจำเพาะในสภาพที่แห้งมากกว่า 10S/cm1. A process for the fabrication of at least one electrolytic capacitor consisting of the following steps: a) the application of dispersion A) to a porous material (2) containing an electrode material and a dielectric (3) covering the surface of this electrode material containing at least one conductive polymer B) particle and dispersion D); b) and for the formation of a solid electrolyte (4) covering the dielectric surface completely or partially, dispersion D) is removed at least partially and/or cured, characterized by the presence of polymer B) particles in dispersion A) having an average diameter of 1–100 nm as determined by ultra-high-speed centrifugation measurements, and by the application of dispersion A), a film with a dry specific conductivity greater than 10 S/cm.
2. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งอนุภาค B) ของพอลิเมอร์ ซึ่งนำในสารกระจาย A) มีค่า d90 ของการกระจายเส้นผ่าศูนย์กลางน้อยกว่า 150 นาโนเมตร2. A process in compliance with claim 1, where the polymer particles B) carried in dispersion A) have a dispersion diameter d90 less than 150 nm.
3. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งอนุภาค B) ของพอลิเมอร์ ซึ่งนำในสารกระจาย A) มีค่า d10 ของการกระจายเส้นผ่าศูนย์กลางมากกว่า 1 นาโนเมตร3. A process consistent with claim 1, where polymer particles B) carried in dispersion A) have a dispersion diameter d10 greater than 1 nm.
4. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารกระจาย A) มีปริมาณของ แคตไอออนของโลหะน้อยกว่า 5,000 มิลลิกรัม/กิโลกรัม4. A process in compliance with claim 1, where dispersed substance A) contains less than 5,000 mg/kg of metal cations.
5. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารกระจาย A) มีปริมาณของ โลหะแทรนสิชันน้อยกว่า 1,000 มิลลิกรัม/กิโลกรัม5. Process in compliance with claim 1, where dispersion A) contains less than 1,000 mg/kg of transition metals.
6. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารกระจาย A) มีปริมาณของ ไอร์ออนน้อยกว่า 1,000 มิลลิกรัม/กิโลกรัม6. Process in compliance with claim 1, where dispersant A) contains less than 1,000 mg/kg of iron.
7. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งอนุภาค B) ของพอลิเมอร์ ซึ่งนไฟฟ้าประกอบด้วยพอลิไธโอฟีน พอลิไพร์โรล หรือพอลิอะนิลีนอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ชนิด ซึ่งได้รับการแทนที่อย่างเลือกได้7. A process in accordance with claim 1, where the B) particles of the electrically conductive polymer consist of at least one of the following: polythiophene, polypyrrole, or polyaniline, which are selectively replaced.
8. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งอนุภาค B) ของพอลิเมอร์ซึ่ง นำไฟฟ้าประกอบด้วยพอลิไธโอฟีนอย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดซึ่งมีหน่วยซ้ำที่มีสูตรทั่วไป (I) หรือสูตร (II) หรือหน่วยซ้ำที่มีสูตรทั่วไป (I) และ (II) (สูตรเคมี) (I) (สูตรเคมี) (II) ในที่ซึ่ง A แทนราดิคัล C1-C5-อัลคิลีนที่ได้รับการแทนที่อย่างเลือกได้ R แทนราดิคัล C1-C18-อัลคิลที่ด้รับการแทนที่อย่างเลือกได้ที่เป็นเส้นตรงหรือมีกิ่ง ราดิคัล C5-C12-ไซโคลอัลคิลที่ได้รับการแทนที่อย่างเลือกได้ ราดิคัล C6-C14-อะริล ที่ได้รับการแทนที่อย่างเลือกได้ ราดิคัล C7-C18-อะราลคิลที่ได้รับการแทนที่อย่าง- เลือกได้ ราดิคัล C1-C4-ไฮดรอกซีอัลคิลที่ได้รับการแทนที่อย่างเลือกได้หรือ ราดิคัลไฮดรอกซิล x แทนจำนวนเต็มตั้งแต่ 0 ถึง 8 และ ในกรณีที่ซึ่งราดิคัล R หลายราดิคัลได้รับการสร้างพันธะเข้ากับ A ราดิคัล R เหล่านี้ สามารถเหมือนกันทุกประการหรือแตกต่างกัน8. A process in compliance with claim 1, where the particles B) of the electrically conductive polymer consist of at least one polythiophene which has repeating units of general formula (I) or formula (II) or repeating units of general formula (I) and (II) (chemical formula) (I) (chemical formula) (II), where A represents selectively substituted C1-C5-alkylene radicals, R represents selectively substituted linear or branched C1-C18-alkyl radicals, selectively substituted C5-C12-cycloalkyl radicals, selectively substituted C6-C14-aryl radicals, selectively substituted C7-C18-aralkyl radicals, selectively substituted C1-C4-hydroxyalkyl radicals, or The radical hydroxyl x represents an integer from 0 to 8, and in the case where multiple radical R are bonded to A, these radical R can be exactly the same or different.
9. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 8, ในที่ซึ่งพอลิเมอร์ซึ่งนำมีอยู่ใน อนุภาค B) เป็น พอลิ(3,4-เอธิลีนไดออกซีไธโอฟีน)9. The process in accordance with claim 8, where the polymer contained in particle B) is poly(3,4-ethylenedioxythiophene).
10. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งอนุภาค B) อย่างเพิ่มเติม ประกอบด้วยแอนไอออนที่เป็นพอลิเมอร์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิด10. A process in accordance with claim 1, where the additional particle B) contains at least one polymeric anion.
11. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 10, ในที่ซึ่งแอนไอออนที่เป็นพอลิเมอร์ เป็นแอนไออนของกรดคาร์บอกซิลิกหรือกรดซัลโฟนิกที่เป็นพอลิเมอร์ อย่างพึงประสงค์ กรดพอลิสไตรีนซัลโฟนิก11. A process in accordance with claim 10, where the polymerizing anion is a polymerized carboxylic acid or sulfonic acid anion, is desirable for polymerization of polystyrene-sulfonic acid.
12. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารทำกระจาย D) ประกอบ ด้วยตัวทำละลายอินทรีย์อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดหรือน้ำ12. A process in accordance with claim 1, where the dispersant D) contains at least one organic solvent or water.
13. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารกระจาย A) นอกจากนี้ ประกอบด้วยสารเชื่อมขวาง สารลดแรงตึงผิวหรือสารเติมแต่งเพิ่มเติมอย่างน้อยที่สุด หนึ่งชนิด13. A process in compliance with claim 1, where dispersant A) also contains at least one crosslinking agent, surfactant or additional additive.
14. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 13, ในที่ซึ่งสารเติมแต่งเพิ่มเติมดังกล่าว เป็นสารประกอบซึ่งมีหมู่อีเธอร์ หมู่แลคโทน หมู่อะมีด หมู่แลคแทม ซัลโฟน ซัลฟอกไซด์ น้ำตาล อนุพันธ์ของน้ำตาล ชูการ์แอลกอฮอล์ อนุพันธ์ฟิวราน ไดแอลกอฮอล์หรือพอลิแอลกอฮอล์หรือสารผสมของสิ่งเหล่านี้14. A process in accordance with claim 13, where such additional additive is a compound containing an ether group, a lactone group, an amide group, a lactam group, a sulfone, a sulfoxide, a sugar, a sugar derivative, a sugar alcohol, a furan derivative, a dialcohol or a polyalcohol or a mixture of these.
15. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งสารกระจาย A) ได้รับการ ปรับไปยัง pH เป็นตั้งแต่ 8 ในกรณีของไดอิเล็กทริกซึ่งไวต่อ pH15. A process in accordance with claim 1, where dispersion A) is adjusted to a pH of 8 or higher in the case of a pH-sensitive dielectric.
16. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งความหนืดของสารกระจาย A) เป็นตั้งแต่ 1 ถึง 200 mPa's (ที่ได้รับการวัดที่ 20 ํC และอัตราเฉือนเป็น 100 s-1)16. A process in accordance with claim 1, where the viscosity of dispersion A) is between 1 and 200 mPa's (measured at 20 °C and the shear rate is 100 s⁻¹).
17. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งวัสดุอิเล็กโทรดของลำตัว อิเล็กโทรดเป็นโลหะที่ใช้ทำวาล์ว หรือสารประกอบซึ่งมีสมบัติทางไฟฟ้าที่เทียบเคียงได้ กับโลหะที่ใช้ทำวาล์ว17. A process in accordance with claim 1, where the electrode body material is a valve metal or a compound with electrical properties comparable to that of the valve metal.
18. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 17, ในที่ซึ่งโลหะที่ใช้ทำวาล์วหรือ สารประกอบซึ่งมีสมบัติทางไฟฟ้าที่เทียบเคียงได้กับโลหะที่ใช้ทำวาล์วเป็นแทนทาลัม ไนโอเบียม อะลูมิเนียม ไทเทเนียม เซอร์โคเนียม ฮาฟเนียม วานาเดียม โลหะเจือหรือ สารประกอบของโลหะเหล่านี้อย่างน้อยที่สุดหนึ่งชนิดกับธาตุอื่นๆ หรือ NbO หรือโลหะ- เจือหรือสารประกอบของ NbO กับธาตุอื่นๆ18. A process in accordance with claim 17, where the valve metal or a compound with electrical properties comparable to that of the valve metal is tantalum, niobium, aluminum, titanium, zirconium, hafnium, vanadium, an alloy or compound of at least one of these metals with another element, or NbO, or an alloy or compound of NbO with another element.
19. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 17, ในที่ซึ่งวัสดุอิเล็กโทรดมีพื้นฐาน บนไนโอเบียมหรือ NbO19. A process in accordance with claim 17, where the electrode material is based on niobium or NbO.
20. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 19, ในที่ซึ่งวัสดุอิเล็กโทรดที่มีพื้นฐาน บนไนโอเบียมหรือไนโอเบียมออกไซด์เป็นไนโอเบียม ไนโอเบียมออกไซด์ NbOx, ในที่ ซึ่ง x สามารถประมาณค่าเป็นตั้งแต่ 0.8 ถึง 1.2 ไนโอเบียมไนไทรด์ ไนโอเบียมออกซีไน ไทรด์หรือสารผสมของวัสดุเหล่านี้หรือโลหะเจือหรือสารประกอบของวัสดุเหล่านี้อย่าง น้อยที่สุดหนึ่งชนิดกับธาตุอื่นๆ20. A process in compliance with claim 19, where the electrode material based on niobium or niobium oxide is niobium oxide NbOx, where x can be approximated from 0.8 to 1.2 niobium nitride, niobium oxynitride, or a mixture of these materials, or at least one alloy or compound of these materials with another element.
21. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งได้อิเล็กทริกเป็นออกไซด์ ของโลหะ valve หรือออกไซด์ของสารประกอบซึ่งมีสมบัติทางไฟฟ้าที่เทียบเคียงได้กับ โลหะที่ใช้ทำวาล์ว21. A process in accordance with claim 1, where the dielectric is obtained is an oxide of the valve metal or an oxide of a compound whose electrical properties are comparable to those of the valve metal.
22. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งการใส่ของสารกระจาย A) และการดึงออกอย่างน้อยที่สุดบางส่วนและ/หรือการบ่มของสารทำกระจายได้รับการ ดำเนินการหลายครั้ง22. A process in accordance with claim 1, where the insertion of dispersant A) and at least partial removal and/or curing of the dispersant are performed multiple times.
23. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งหลังจากการใส่ของ สารกระจาย A) , อย่างน้อยที่สุดบางส่วนของอนุภาค B) ที่มีพอลิเมอร์ซึ่งนำซึ่งอยู่บนผิว ภายนอกของลำตัวอิเล็กโทรดที่ได้รับการปกคลุมด้วยได้อิเล็กทริกได้รับการดึงออก23. A process in accordance with claim 1, where after the insertion of dispersant A), at least some of the particles B) containing the conductive polymer that are on the outer surface of the electrode body covered with the dielectric is removed.
24. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 1, ในที่ซึ่งหลังจากการใส่ของ สารกระจาย A) และการก่อรูปของอิเล็กโทรไลต์แข็ง ตัวเก็บประจุได้รับการจัดเตรียม อย่างเลือกได้ด้วยหน้าสัมผัสภายนอกซึ่งนำไฟฟ้าอีก ได้รับการสัมผัสอย่างเลือกได้และได้ รับการผนึกหุ้ม24. The process in accordance with claim 1, where after the insertion of disperse A) and the formation of the solid electrolyte, the capacitor is selectively prepared with external conductive contacts that are selectively made and sealed.
25. กระบวนการตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 10, ในที่ซึ่งแอนไอออนที่เป็นพอลิเมอร์ เป็นกรดพอลิสไตรีนซัลโฟนิก25. A process in accordance with claim 10, where the polymeric anion is polystyrene sulfonic acid.
26. ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ที่ได้รับการผลิตด้วยกระบวนการตามความสอดคล้องกับ ข้อถือสิทธิข้อ 126. Electrolytic capacitors manufactured using processes in compliance with Claim 1.
27. ตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ตามความสอดคล้องกับข้อถือสิทธิข้อ 26, ในที่ซึ่งตัวเก็บ ประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์มีประจุจำเพาะเป็นตั้งแต่ 500 ถึง 500,000 มิวC/g ที่มีพื้นฐานบน น้ำหนักของลำตัวอิเล็กโทรดที่ได้รับการปกคลุมด้วยไดอิเล็กทริก27. Electrolytic capacitors in accordance with claim 26, where the electrolytic capacitor has a specific charge of 500 to 500,000 μC/g based on the weight of the electrode body covered with a dielectric.
28. วงจรอิเล็กทรอนิกส์ซึ่งประกอบด้วยตัวเก็บประจุชนิดอิเล็กโทรไลต์ดังที่ได้รับการขอถือ สิทธิในข้อถือสิทธิข้อ 2628. An electronic circuit containing electrolytic capacitors as claimed in claim 26.