กรรมวิธีสำหรับการกัดขึ้นรอยด้วยแอริโซทรอปิคพลาสมาให้มีร่องลึกของผลึกซิลิคอนเดี่ยว โดยผ่านจากแผ่นครอบที่เจาะ ช่องของ SiO2 หรือ Si3N4 โดยการใช้บรรยากาศที่ประกอบด้วย ส่วนผสมของ NF3 ฮาโลฟลูออโรคาร์บอน และก๊าซเฉื่อยตัวใด ๆ A method for etching with anisotropic plasma into a single crystal silicon trench. It is passed from a cavity-punched cover plate of SiO2 or Si3N4 by using an atmosphere containing NF3 halofluorocarbon mixture. And any inert gas
Claims (1)
1. กรรมวิธีสำหรับการทำการกัดขึ้นรอย (etehing) ของผลึกซิลิคอนเดี่ยวด้วยพลาสมาโดยวิธีรีแอคทีฟอิออน แอนิโซทรอปิค และความเร็วสูง โดยผ่านจากแผ่นครอบที่เจาะช่องเพื่อผลิต ร่องลึกที่มีผนังด้านข้างเป็นแนวตั้ง โดยส่วนสำคัญซึ่ง ประกอบด้วยขั้นตอนของ (ก) กำหนดให้มีซับสเตรทผลึกซิลิคอนเดี่ยวที่มีแผ่นครอบที่ เจาะช่องที่เลือกจากหมู่ที่ประกอบด้วย ซิลิคอนไดออกไซด์ และซิลิคอนไนไทรด์ (ข) ให้ซับสเตรทนั้นทำปฏิกิริยากับบรรยากาศของไนโตรเจน ไตรฟลูออไรด์ (NF3) และสารประกอบฮาโลฟลูออโรคาร์บอน (HFC) ที่มีคาร์บอนเพียงอะตอมเดี1. Method for etehing of single crystal silicon by plasma by reactive, anisotropic and high speed methods. Through from the cover plate that has been punched for production Trench with vertical side walls By the essence of which It consists of steps of (a) requiring a single crystal silicon substrate with a shield that Drill the selected channel from the group that includes Silicon dioxide And silicon nitride (b), the substrate reacts with the atmosphere of nitrogen trifluoride (NF3) and halofluorocarbon (HFC) compounds with only one carbon atom
TH8701000283A1987-05-15
Vibrant flute milling of a single solid silicon fruit.
TH5487A
(en)