TH53288A - ตัวรับสัญญาณที่มีการเปลี่ยนความต้านทานด้วยแม่เหล็กที่มีขนาดใหญ่ที่มีชั้นอิสระ Hk ต่ำที่ถูกต่อแบบต้านการขนาน - Google Patents
ตัวรับสัญญาณที่มีการเปลี่ยนความต้านทานด้วยแม่เหล็กที่มีขนาดใหญ่ที่มีชั้นอิสระ Hk ต่ำที่ถูกต่อแบบต้านการขนานInfo
- Publication number
- TH53288A TH53288A TH101002647A TH0101002647A TH53288A TH 53288 A TH53288 A TH 53288A TH 101002647 A TH101002647 A TH 101002647A TH 0101002647 A TH0101002647 A TH 0101002647A TH 53288 A TH53288 A TH 53288A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- layer
- parallel
- ferrous
- magnetic layer
- immobilized
- Prior art date
Links
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 1
- 229910020672 Co—Fe—Hf—O Inorganic materials 0.000 abstract 4
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910017106 Fe—Hf—O Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 abstract 2
Abstract
DC60 (15/08/44) (SV) ตัวรับสัญญาณที่มีการเปลี่ยนความต้านทานด้วยแม่เหล็กแบบวาล์วหมุน จะถูกจัดให้มีขึ้นซึ่งมีชั้นที่ถูกตรึงแบบต้านการขนาน, ชั้นอิสระที่ถูกต่อแบบต้านการขนาน และชั้นคั่นที่นำไฟฟ้าที่ไม่เป็นแม่เหล็กที่ถูกหนีบคร่อมระหว่างชั้นที่ถูกตรึงแบบต้าน การขนานและชั้นอิสระ ชั้นที่ถูกตรึงแบบต้านการขนานจะประกอบด้วยชั้นแม่เหล็ก เฟอร์โรที่หนึ่งและที่สองที่ถูกแยกโดยชั้นต่อประกบแบบต้านการขนาน (APC) ชั้นอิสระ ที่ถูกต่อแบบต้านการขนานจะประกอบด้วยชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สามที่ทำด้วย Co-Fe ที่ อยู่ถัดไปจากชั้นคั่น, ชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สี่ที่ทำด้วย Co-Fe-Hf-O และชั้น APC ที่ถูก หนีบคร่อมระหว่างชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สามและที่สี่ แกนที่จัดการได้ง่ายของชั้น แม่เหล็กเฟอร์โรที่สามที่ทำด้วย Co-Fe มีการปรับตามแนวขวางขณะที่แกนที่จัดการ ได้ง่ายของชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สี่ที่ทำด้วย Co-Fe-Hf-O มีการปรับแนวทิศตามแนวยาว เนื่องมาจากความเสถียรต่อความร้อนที่สูงกว่าที่ยังผลให้เกิดคุณสมบัติทางกายภาพ ที่แตกต่างกันที่มีแกนเดียวที่มีอยู่ภายในที่สุทธิต่ำ Hk ของมันสำหรับชั้นอิสระที่ถูกต่อแบบ ต้านการขนาน วัสดุ Co-Fe-Hf-O ของชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สี่มีอำนาจการต้านทานที่สูง ที่ยังผลให้เกิดการต่อกระแสตรวจรู้แบบขนานที่ถูกลดลงโดยชั้นอิสระ นอกจากนี้ เป็นที่รู้กันว่าวัสดุที่เป็นออกไซด์ของโลหะของชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สี่จะทำให้เกิด การกระจายแบบกระจกเงาของอิเล็กตรอน การต่อกระแสตรวจรู้แบบขนานที่ถูกลด และการกระจายแบบกระจกเงาของอิเล็กตรอนทั้งสองจะมีส่วนส่งเสริมในการปรับปรุง สัมประสิทธิ์ GMR ของตัวรับสัญญาณ SV (SV) ตัวรับสัญญาณที่มีการเปลี่ยนความต้านทานด้วยแม่เหล็กแบบวาล์วหมุน จะถูกจัดให้มีขึ้นซึ่งมีชั้นที่ถูกตรึงแบบต้านการขนาน, ชั้นอิสระที่ถูกต่อแบบต้านการขนาน และชั้นคั่นที่นำไฟฟ้าที่ไม่เป็นแม่เหล็กที่ถูกหนีบคร่อมระหว่างชั้นที่ถูกตรึงแบบต้าน การขนานและชั้นอิสระ ชั้นที่ถูกตรึงแบบต้านการขนานจะประกอบด้วยชั้นแม่เหล็ก เฟอร์โรที่หนึ่งและที่สองที่ถูกแยกโดยชั้นต่อประกบแบบต้านการขนาน (APC) ชั้นอิสระ ที่ถูกต่อแบบต้านการขนานจะประกอบด้วยชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สามที่ทำด้วย Co-Fe ที่ อยู่ถัดไปจากชั้นคั่น, ชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สี่ที่ทำด้วย Co-Fe-Hf-O และชั้น APC ที่ถูก หนีบคร่อมระหว่างชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สามและที่สี่ แกนที่จัดการได้ง่ายของชั้น แม่เหล็กเฟอร์โรที่สามที่ทำด้วย Co-Fe มีการปรับตามแนวขวางขณะที่แกนที่จัดการ ได้ง่ายของชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สี่ที่ทำด้วย Co-Fe-Hf-O มีการปรับแนวทิศตามแนวยาว เนื่องมาจากความเสถียรต่อความร้อนที่สูงกว่าที่ยังผลให้เกิดคุณสมบัติทางกายภาพ ที่แตกต่างกันที่มีแกนเดียวที่มีอยู่ภายในที่สุทธิต่ำ Hk ของมันสำหรับชั้นอิสระที่ถูกต่อแบบ ต้านการขนาน วัสดุ Co-Fe-Hf-O ของชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สี่มีอำนาจการต้านทานที่สูง ที่ยังผลให้เกิดการต่อกระแสตรวจรู้แบบขนานที่ถูกลดลงโดยชั้นอิสระ นอกจากนี้ เป็นที่รู้กันว่าวัสดุที่เป็นออกไซด์ของโลหะของชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สี่จะทำให้เกิด การกระจายแบบกระจกเงาของอิเล็กตรอน การต่อกระแสตรวจรู้แบบขนานที่ถูกลด และการกระจายแบบกระจกเงาของอิเล็กตรอนทั้งสองจะมีส่วนส่งเสริมในการปรับปรุง สัมประสิทธิ์ GMR ของตัวรับสัญญาณ SV
Claims (1)
1. ตัวรับสัญญาณที่มีการเปลี่ยนความต้านทานด้วยแม่เหล็กวาล์วหมุน (SV) ซึ่งมี ส่วนประกอบดังนี้ ชั้นต่อต้านสนามแม่เหล็ก (AFM) ชั้นที่ถูกตรึงไว้ถัดไปจากชั้น AFM ดังกล่าว โดยที่ชั้น AFM ดังกล่าวจะตรึงทิศทาง ของการสร้างภาพแม่เหล็กของชั้นที่ถูกตรึงไว้ดังกล่าว ชั้นที่เป็นอิสระที่ต้านการขนาน (ที่ถูกต่อแบบต้านการขนาน) ซึ่งมีส่วนประกอบ ดังต่อไปนี้ ชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สาม ชั้นแม่เหล็กเฟอร์โรที่สี่ ที่ทำด้วยวัสดุซึ่งมีอำนาจการต้านทานไฟฟ้าที่สูง แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH53288A true TH53288A (th) | 2002-09-26 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5297075B2 (ja) | 磁気センサおよびその製造方法、並びに電流検出方法および電流検出装置 | |
| CN102339638B (zh) | 具有电子反射绝缘间隔层的stram | |
| CN103267955B (zh) | 单芯片桥式磁场传感器 | |
| US6577124B2 (en) | Magnetic field sensor with perpendicular axis sensitivity, comprising a giant magnetoresistance material or a spin tunnel junction | |
| US9632150B2 (en) | Magnetic field sensor with increased field range | |
| EP1296331A2 (en) | Method of performing MRAM read operation | |
| EP1571712A1 (en) | Spin-injection device and magnetic device using spin-injection device | |
| KR960018612A (ko) | 자계 센서, 브리지 회로 자계 센서 및 그 제조 방법 | |
| CN105185655B (zh) | 一种磁电阻继电器 | |
| EP1298669A2 (en) | Magnetic memory device | |
| WO2005029497A3 (en) | Current confined pass layer for magnetic elements utilizing spin-transfer and an mram device using such magnetic elements | |
| WO2003104829A1 (en) | Sensor and method for measuring a current of charged particles | |
| WO2009084433A1 (ja) | 磁気センサ及び磁気センサモジュール | |
| KR20010092286A (ko) | 자기저항소자 및 자기저항효과형 기억소자 | |
| JP4741152B2 (ja) | 磁場を測定する装置および磁場を測定する装置を作製する方法 | |
| JPH11194161A (ja) | 磁気抵抗式センサ素子により外部磁界の方向を検出するためのセンサ装置 | |
| JPH11505966A (ja) | 磁気抵抗性ブリッジ素子のブリッジ回路を有する磁界センサ | |
| Tehrani et al. | High density nonvolatile magnetoresistive RAM | |
| JP2002522866A (ja) | スピントンネル接合素子を具える磁界センサ | |
| JP3587678B2 (ja) | 磁界センサ | |
| JP2003188357A (ja) | 導体を埋め込まれた磁気的に軟らかい基準層を含む磁気抵抗素子 | |
| JP2000035343A (ja) | 巨大磁気抵抗効果素子を備えたエンコーダ | |
| TW200414191A (en) | Antiferromagnetically coupled bi-layer sensor for magnetic random access memory | |
| US20230066027A1 (en) | Magnetoresistive sensor element having compensated temperature coefficient of sensitivity and method for manufacturing said element | |
| JP2001266566A (ja) | 磁気メモリ素子及びそれを用いた磁気メモリ |