TH5051A - วิธีการที่ได้ปรับปรุงแล้วสำหรับการผลิตโครงสร้าง?ที่มีเซรามิคเป็นส่วนประกอบที่ใช้ขี้ตะกรัน - Google Patents

วิธีการที่ได้ปรับปรุงแล้วสำหรับการผลิตโครงสร้าง?ที่มีเซรามิคเป็นส่วนประกอบที่ใช้ขี้ตะกรัน

Info

Publication number
TH5051A
TH5051A TH8701000593A TH8701000593A TH5051A TH 5051 A TH5051 A TH 5051A TH 8701000593 A TH8701000593 A TH 8701000593A TH 8701000593 A TH8701000593 A TH 8701000593A TH 5051 A TH5051 A TH 5051A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
filler
oxidation products
method specified
metal
oxidant
Prior art date
Application number
TH8701000593A
Other languages
English (en)
Other versions
TH3708B (th
Inventor
เค นัดคานี นายซาดาชีพ
เอสรากาวัน นายนาราซิมฮา
Original Assignee
นายสุวิทย์ สุวรรณ
แลนโซด์ เทคโนโลยี่ คำปะนี
Filing date
Publication date
Application filed by นายสุวิทย์ สุวรรณ, แลนโซด์ เทคโนโลยี่ คำปะนี filed Critical นายสุวิทย์ สุวรรณ
Publication of TH5051A publication Critical patent/TH5051A/th
Publication of TH3708B publication Critical patent/TH3708B/th

Links

Abstract

กระบวนการผลิตวัตถุที่มีเซรามิคเป็นส่วนประกอบ โดยการซึมผ่านของฐานที่ซึมผ่านได้ ที่เป็นอนุภาคเล็กละเอียดหรือส่วน ที่กำหนดไว้ก่อนที่ซึมผ่านได้ด้วยแมทริกซ์จำพวกโพลีค ริสตัลไลน์ที่ผลิตขึ้นเป็นผลผลิตจากการทำปฏิกิริยาออกซิ แดนท์ของโลหะ โดยที่ฐานหรือส่วนที่กำหนดไว้ก่อนประกอบด้วย ขี้ตะกรัน

Claims (16)

1. วิธีการสำหรับการผลิตส่วนประกอบเซรามิคแบบยึดตัวเองได้ที่ซึ่งวัตถุที่ยึดตัวเองได้ ประกอบด้วย (1) แมทริกซ์พวกเซ รามิคที่ได้โดยการออกซิเดชั่นของโลหะแม่ เพื่อสร้างเป็น วัตถุพวกโพลีคริสตัลไลน์ที่ประกอบด้วย (i) ผลิตภัณฑ์จากการ ทำปฏิกิริยาออกซิเดชั่นของโลหะแม่กับออกซิแดนท์ตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด และ (2) ตัวเติมเต็มตัวหนึ่ง เป็น อย่างน้อยที่สุด ที่ฝังติดด้วยแมทริกซ์ของเซรามิคดังกล่าว วิธีการนี้ประกอบด้วยขั้นตอนของ: (a) การจัดให้มีวัตถุตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด เกาะ กระจายที่ผิวหน้าส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของมวลที่ซึม ผ่านได้ของวัตถุตัวเติมเต็ม โดยวัตถุที่เกาะกระจายจะได้จาก การหลอมเหลวโลหะ; (b) การนำเอาโลหะแม่และมวลที่ซึมผ่านได้ของวัตถุตัวเติม เต็มที่มีวัตถุเกาะกระจายมาสัมพันธ์ซึ่งกันและกัน ดังนั้น การสร้างตัวของผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออกซิเดชั่นจะ เกิดขึ้นในทิศทางมุ่งและเข้าไปในมวลของวัตถุตัวเติมเต็มดัง กล่าว; และ (c) การให้ความร้อนโลหะแม่จนมีอุณหภูมิเหนือจุดหลอมเหลวของ มัน แต่ต่ำกว่าจุดหลอมเหลวของผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยา ออกซิเดชั่น เพื่อสร้างโลหะแม่หลอมเหลวและการทำปฏิกิริยา โลหะแม่หลอมเหลวกับออกซิแดนท์ตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด ที่อุณหภูมิดังกล่าวเพื่อสร้างผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยา ออกซิเดชั่น และที่อุณหภูมิดังกล่าวจะรักษาส่วนหนึ่งเป็น อย่างน้อยที่สุดของผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออกซิเดชั่น ให้สัมผัสกับ และอยู่ระหว่างตัวโลหะแม่หลอมเหลวและออกซิแดนท์ เพื่อดึง โลหะหลอมเหลวผ่านตัวผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออกซิเดชั่น ไปทางออกซิแดนท์ตัวหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุด และมุ่งไปทาง และเข้าไปในมวลที่อยู่ชิดกันของวัตถุตัวเติมเต็มที่มีวัตถุ เกาะกระจายอยู่ ดังนั้น ผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออก ซิเดชั่นที่เกิดขึ้นใหม่จะสร้างตัวต่อเนื่องไปภายในมวลของ วัตถุตัวเติมเต็มที่มีวัตถุเกาะกระจายที่ผิวหน้าเชื่อม ระหว่างออกซิ แดนท์ตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด และผลิตภัณฑ์จากการทำ ปฏิกิริยาออกซิเดชั่นที่เกิดขึ้นก่อนหน้านี้ และทำให้การทำ ปฏิกิริยามีต่อเนื่องไปเป็นเวลาที่เพียงพอต่อการซึมแทรก ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของมวลดังกล่าว ของวัตถุตัว เติมเต็มที่มีวัตถุเกาะกระจายกับผลิตภัณฑ์จากการทำ ปฏิกิริยาออกซิเดชั่น โดยที่วัตถุที่เกาะกระจายดังกล่าว จะ มีการเกาะฝังสำหรับผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออกซิเดชั่น ซึ่ง เป็นการขยายการสร้างตัวของผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออก ซิเดชั่นเข้าไปในมวลของวัตถุตัวเติมเต็มที่มีวัตถุเกาะ กระจายอยู่
2. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่งวัตถุที่ เกาะกระจายประกอบด้วยวัตถุเกาะกระจายจากโลหะสร้างรูปตัว หนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด ที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบ ด้วยอะลูมินัม, ไททาเนียม, สังกะสีล แมกนีเซียฒ่, ทองแดง และ อัลลอย ในที่นั้น
3. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 หรือข้อ 2 ข้อใด ข้อหนึ่ง ที่ซึ่งวัตถุกระจายจะได้จากการออกซิเดชั่นของ อากาศของโลหะตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด
4. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 2 ที่ซึ่งวัตถุเกาะ กระจายได้จากการเกาะยึดโลหะสร้างตัวที่เกาะกระจายในการหลอม เหลวโลหะภายในก๊าซในไทรด์
5. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่งมวลที่ซึม ผ่านได้ของวัตถุตัวเติมเต็มจะสร้างจากตัวต้นแบบที่ซึมผ่าน ได้
6. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1,2 หรือ 5 ข้อใด ข้อหนึ่ง ที่ซึ่งมวลที่ซึมผ่านได้ของวัตถุตัวเติมเต็ม ประกอบด้วยสารผสมของวัตถุเกาะกระจายและวัตถุตัวเติมเต็มตัว อื่น อีกตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด
7. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 6 ที่ซึ่งวัตถุตัว เติมเต็มตัวอื่น เป็นอย่างน้อยที่สุด ประกอบด้วยวัตถุที่ เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยวัตถุที่เป็นเกร็ด แผ่น วงกลม เส้นลวด แท่ง ผ้า เส้นใย ท่อ ผง และสารผสมในที่นั้น
8. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่งโลหะแม่ ดังกล่าวประกอบด้วยอะลูมินัม
9. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 8 ที่ซึ่งออกซิ แดนท์ประกอบด้วยบรรยากาศของไนไทรด์ และผลิตภัณฑ์จากการทำ ปฏิกิริยาออกซิเดชั่น ประกอบด้วย อะลูมินัม ไนไทรด์
10. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 8 ที่ซึ่งอกซิ แดนท์ ประกอบด้วย ก๊าซที่มีออกซิเจนและผลิตภัณฑ์จากการทำ ปฏิกิริยาออกซิเดชั่นดังกล่าว ประกอบด้วย อะลูมิน่า
11. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1,8,9 หรือ 10 ข้อ ใดข้อหนึ่งที่ซึ่งวัตถุที่เกาะกระจายดังกล่าว จะมีวัตถุตัว หนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุด ที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย แมกนีเซียม ซิลิคอน เหล็ก ซิลิคอน เหล็ก นิเกิล และสารผสม ในที่นั้น
12. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1,2,8,9 หรือ 10 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งวัตถุตัวกระตุ้นจะใช้ร่วมกับโลหะแม่ ตัวหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุด และมวลที่ซึมผ่านได้ของวัตถุ ตัวเติมเต็ม
13. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 12 ที่ซึ่งวัตถุ เกาะกระจายดังกล่าวมีวัตถุกระตุ้นดังกล่าว
14. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 5 ที่ซึ่งตัวต้น แบบที่ซึมผ่านได้ จะรวมถึงวัตถุตัวขัดขวางซึ่งกำหนดผิวหน้า หรือขอบเขตเฉพาะสำหรับการเกิดขึ้นของผลิตภัณฑ์จากการทำ ปฏิกิริยาออกซิเดชั่น
15. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 หรือ ข้อ 2 ข้อ ใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งออกซิแดนท์ดังกล่าว ประกอบด้วยวัตถุที่ เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยก๊าซที่มีออกซิเจนก๊าซที่มี ไนโตรเจน ฮาโลเจน ซัลเฟอร์ ฟอสฟอรัส อาร์เชนิด คาร์บอน โบรอน ซีลีเนียม เทลเลอเรียม สารผสม มีเทน อีเทน โพรเพน อา เซทติลีน เอททิลีน โพรพิลีน ซิลิก้า และสารผสมในที่นั้น
16. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 6 ที่ซึ่งตัวเติม เต็มตัวหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุด ประกอบด้วยเส้นเรียวเส้น หนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุด (ข้อถือสิทธิ 16 ข้อ, 3 หน้า, 0 รูป)
TH8701000593A 1987-09-15 วิธีการที่ได้ปรับปรุงแล้วสำหรับการผลิตโครงสร้าง?ที่มีเซรามิคเป็นส่วนประกอบที่ใช้ขี้ตะกรัน TH3708B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH5051A true TH5051A (th) 1988-08-01
TH3708B TH3708B (th) 1994-05-06

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4701317A (en) Highly electroconductive films and process for preparing same
Jacobson et al. High‐temperature oxidation of boron nitride: I, monolithic boron nitride
US4585704A (en) Electrically conductive Si3 N4 --C series amorphous material and a method of processing the same
US3653851A (en) High-strength metal-silicon carbide article
US3095316A (en) Process for coating carbonaceous articles with silicon dioxide
KR870007087A (ko) 세라믹 복합체 물품의 반대 성형 복제 방법 및 이로서 제조된 물품
KR870011062A (ko) 성형된 세라믹 혼성물체 및 그 제조방법
KR880003865A (ko) 세라믹 합성체의 제조방법
KR880003877A (ko) 세라믹 포옴 및 그의 제조방법
KR880003859A (ko) 자체지지성 세라믹 또는 세라믹 복합구조를 제조하는 방법
JPS61256993A (ja) シリコン単結晶引上げ装置用黒鉛子るつぼ及びヒ−タ−
US3394991A (en) Manufacture of silicon nitride
TH3708B (th) วิธีการที่ได้ปรับปรุงแล้วสำหรับการผลิตโครงสร้าง?ที่มีเซรามิคเป็นส่วนประกอบที่ใช้ขี้ตะกรัน
US2996783A (en) Method of shaping sic by vaporization and condensation
US4906324A (en) Method for the preparation of silicon carbide platelets
JPS5920634B2 (ja) 炭化珪素被覆炭素材の製造法
KR880003873A (ko) 자체-지지성 세라믹 합성체 제조방법
US3375127A (en) Plasma arc spraying of hafnium oxide and zirconium boride mixtures
US4375443A (en) Process for producing electrically-conductive articles from silicon powder by treatment in the presence of boron oxide
JPH03187998A (ja) 窒化アルミニウムウィスカーの製造方法
JP3182907B2 (ja) 炭化硼素転化炭素材料の製造法及び該製造法で製造した炭化硼素転化炭素材料
Mori et al. Silicon nitride powder
JPS5645897A (en) Manufacture of silicon carbide crystal
Novikova et al. Some properties of pyrolitic boron nitride
TH6211A (th) วิธีการผลิตวัตถุเซรามิคที่มีช่องภายในและสิ่งที่?ทำขึ้นโดยวิธีดังกล่าว