TH3708B - วิธีการที่ได้ปรับปรุงแล้วสำหรับการผลิตโครงสร้างที่มีเซรามิคเป็นส่วนประกอบที่ใช้ขี้ตะกรัน - Google Patents

วิธีการที่ได้ปรับปรุงแล้วสำหรับการผลิตโครงสร้างที่มีเซรามิคเป็นส่วนประกอบที่ใช้ขี้ตะกรัน

Info

Publication number
TH3708B
TH3708B TH8701000593A TH8701000593A TH3708B TH 3708 B TH3708 B TH 3708B TH 8701000593 A TH8701000593 A TH 8701000593A TH 8701000593 A TH8701000593 A TH 8701000593A TH 3708 B TH3708 B TH 3708B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
clause
oxidation
filler
specified
mass
Prior art date
Application number
TH8701000593A
Other languages
English (en)
Other versions
TH5051EX (th
TH5051A (th
Inventor
เค นัดคานี นายซาดาชีพ
เอสรากาวัน นายนาราซิมฮา
Original Assignee
นายสุวิทย์ สุวรรณ
Filing date
Publication date
Application filed by นายสุวิทย์ สุวรรณ filed Critical นายสุวิทย์ สุวรรณ
Publication of TH5051EX publication Critical patent/TH5051EX/th
Publication of TH5051A publication Critical patent/TH5051A/th
Publication of TH3708B publication Critical patent/TH3708B/th

Links

Abstract

กระบวนการผลิตวัตถุที่มีเซรามิคเป็นส่วนประกอบ โดยการซึมผ่านของฐานที่ซึมผ่านได้ ที่เป็นอนุภาคเล็กละเอียดหรือส่วน ที่กำหนดไว้ก่อนที่ซึมผ่านได้ด้วยแมทริกซ์จำพวกโพลีค ริสตัลไลน์ที่ผลิตขึ้นเป็นผลผลิตจากการทำปฏิกิริยาออกซิ แดนท์ของโลหะ โดยที่ฐานหรือส่วนที่กำหนดไว้ก่อนประกอบด้วย ขี้ตะกรัน

Claims (6)

1. วิธีการสำหรับการผลิตส่วนประกอบเซรามิคแบบยึดตัวเองได้ที่ซึ่งวัตถุที่ยึดตัวเองได้ ประกอบด้วย (1) แมทริกซ์พวกเซ รามิคที่ได้โดยการออกซิเดชั่นของโลหะแม่ เพื่อสร้างเป็น วัตถุพวกโพลีคริสตัลไลน์ที่ประกอบด้วย (i) ผลิตภัณฑ์จากการ ทำปฏิกิริยาออกซิเดชั่นของโลหะแม่กับออกซิแดนท์ตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด และ (2) ตัวเติมเต็มตัวหนึ่ง เป็น อย่างน้อยที่สุด ที่ฝังติดด้วยแมทริกซ์ของเซรามิคดังกล่าว วิธีการนี้ประกอบด้วยขั้นตอนของ: (a) การจัดให้มีวัตถุตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด เกาะ กระจายที่ผิวหน้าส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของมวลที่ซึม ผ่านได้ของวัตถุตัวเติมเต็ม โดยวัตถุที่เกาะกระจายจะได้จาก การหลอมเหลวโลหะ; (b) การนำเอาโลหะแม่และมวลที่ซึมผ่านได้ของวัตถุตัวเติม เต็มที่มีวัตถุเกาะกระจายมาสัมพันธ์ซึ่งกันและกัน ดังนั้น การสร้างตัวของผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออกซิเดชั่นจะ เกิดขึ้นในทิศทางมุ่งและเข้าไปในมวลของวัตถุตัวเติมเต็มดัง กล่าว; และ (c) การให้ความร้อนโลหะแม่จนมีอุณหภูมิเหนือจุดหลอมเหลวของ มัน แต่ต่ำกว่าจุดหลอมเหลวของผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยา ออกซิเดชั่น เพื่อสร้างโลหะแม่หลอมเหลวและการทำปฏิกิริยา โลหะแม่หลอมเหลวกับออกซิแดนท์ตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด ที่อุณหภูมิดังกล่าวเพื่อสร้างผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยา ออกซิเดชั่น และที่อุณหภูมิดังกล่าวจะรักษาส่วนหนึ่งเป็น อย่างน้อยที่สุดของผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออกซิเดชั่น ให้สัมผัสกับ และอยู่ระหว่างตัวโลหะแม่หลอมเหลวและออกซิแดนท์ เพื่อดึง โลหะหลอมเหลวผ่านตัวผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออกซิเดชั่น ไปทางออกซิแดนท์ตัวหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุด และมุ่งไปทาง และเข้าไปในมวลที่อยู่ชิดกันของวัตถุตัวเติมเต็มที่มีวัตถุ เกาะกระจายอยู่ ดังนั้น ผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออก ซิเดชั่นที่เกิดขึ้นใหม่จะสร้างตัวต่อเนื่องไปภายในมวลของ วัตถุตัวเติมเต็มที่มีวัตถุเกาะกระจายที่ผิวหน้าเชื่อม ระหว่างออกซิ แดนท์ตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด และผลิตภัณฑ์จากการทำ ปฏิกิริยาออกซิเดชั่นที่เกิดขึ้นก่อนหน้านี้ และทำให้การทำ ปฏิกิริยามีต่อเนื่องไปเป็นเวลาที่เพียงพอต่อการซึมแทรก ส่วนหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุดของมวลดังกล่าว ของวัตถุตัว เติมเต็มที่มีวัตถุเกาะกระจายกับผลิตภัณฑ์จากการทำ ปฏิกิริยาออกซิเดชั่น โดยที่วัตถุที่เกาะกระจายดังกล่าว จะ มีการเกาะฝังสำหรับผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออกซิเดชั่น ซึ่ง เป็นการขยายการสร้างตัวของผลิตภัณฑ์จากการทำปฏิกิริยาออก ซิเดชั่นเข้าไปในมวลของวัตถุตัวเติมเต็มที่มีวัตถุเกาะ กระจายอยู่ 2. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่งวัตถุที่ เกาะกระจายประกอบด้วยวัตถุเกาะกระจายจากโลหะสร้างรูปตัว หนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด ที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบ ด้วยอะลูมินัม, ไททาเนียม, สังกะสีล แมกนีเซียฒ่, ทองแดง และ อัลลอย ในที่นั้น 3. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 หรือข้อ 2 ข้อใด ข้อหนึ่ง ที่ซึ่งวัตถุกระจายจะได้จากการออกซิเดชั่นของ อากาศของโลหะตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด 4. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 2 ที่ซึ่งวัตถุเกาะ กระจายได้จากการเกาะยึดโลหะสร้างตัวที่เกาะกระจายในการหลอม เหลวโลหะภายในก๊าซในไทรด์ 5. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่งมวลที่ซึม ผ่านได้ของวัตถุตัวเติมเต็มจะสร้างจากตัวต้นแบบที่ซึมผ่าน ได้ 6. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1,2 หรือ 5 ข้อใด ข้อหนึ่ง ที่ซึ่งมวลที่ซึมผ่านได้ของวัตถุตัวเติมเต็ม ประกอบด้วยสารผสมของวัตถุเกาะกระจายและวัตถุตัวเติมเต็มตัว อื่น อีกตัวหนึ่ง เป็นอย่างน้อยที่สุด 7. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 6 ที่ซึ่งวัตถุตัว เติมเต็มตัวอื่น เป็นอย่างน้อยที่สุด ประกอบด้วยวัตถุที่ เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยวัตถุที่เป็นเกร็ด แผ่น วงกลม เส้นลวด แท่ง ผ้า เส้นใย ท่อ ผง และสารผสมในที่นั้น 8. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ที่ซึ่งโลหะแม่ ดังกล่าวประกอบด้วยอะลูมินัม 9. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 8 ที่ซึ่งออกซิ แดนท์ประกอบด้วยบรรยากาศของไนไทรด์ และผลิตภัณฑ์จากการทำ ปฏิกิริยาออกซิเดชั่น ประกอบด้วย อะลูมินัม ไนไทรด์ 1 0. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 8 ที่ซึ่งอกซิ แดนท์ ประกอบด้วย ก๊าซที่มีออกซิเจนและผลิตภัณฑ์จากการทำ ปฏิกิริยาออกซิเดชั่นดังกล่าว ประกอบด้วย อะลูมิน่า 1
1. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1,8,9 หรือ 10 ข้อ ใดข้อหนึ่งที่ซึ่งวัตถุที่เกาะกระจายดังกล่าว จะมีวัตถุตัว หนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุด ที่เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย แมกนีเซียม ซิลิคอน เหล็ก ซิลิคอน เหล็ก นิเกิล และสารผสม ในที่นั้น 1
2. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1,2,8,9 หรือ 10 ข้อใดข้อหนึ่งที่ซึ่งวัตถุตัวกระตุ้นจะใช้ร่วมกับโลหะแม่ ตัวหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุด และมวลที่ซึมผ่านได้ของวัตถุ ตัวเติมเต็ม 1
3. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 12 ที่ซึ่งวัตถุ เกาะกระจายดังกล่าวมีวัตถุกระตุ้นดังกล่าว 1
4. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 5 ที่ซึ่งตัวต้น แบบที่ซึมผ่านได้ จะรวมถึงวัตถุตัวขัดขวางซึ่งกำหนดผิวหน้า หรือขอบเขตเฉพาะสำหรับการเกิดขึ้นของผลิตภัณฑ์จากการทำ ปฏิกิริยาออกซิเดชั่น 1
5. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิ ข้อ 1 หรือ ข้อ 2 ข้อ ใดข้อหนึ่ง ที่ซึ่งออกซิแดนท์ดังกล่าว ประกอบด้วยวัตถุที่ เลือกจากกลุ่มซึ่งประกอบด้วยก๊าซที่มีออกซิเจนก๊าซที่มี ไนโตรเจน ฮาโลเจน ซัลเฟอร์ ฟอสฟอรัส อาร์เชนิด คาร์บอน โบรอน ซีลีเนียม เทลเลอเรียม สารผสม มีเทน อีเทน โพรเพน อา เซทติลีน เอททิลีน โพรพิลีน ซิลิก้า และสารผสมในที่นั้น 1
6. วิธีการตามที่ระบุในข้อถือสิทธิข้อ 6 ที่ซึ่งตัวเติม เต็มตัวหนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุด ประกอบด้วยเส้นเรียวเส้น หนึ่งเป็นอย่างน้อยที่สุด (ข้อถือสิทธิ 16 ข้อ, 3 หน้า, 0 รูป)
TH8701000593A 1987-09-15 วิธีการที่ได้ปรับปรุงแล้วสำหรับการผลิตโครงสร้างที่มีเซรามิคเป็นส่วนประกอบที่ใช้ขี้ตะกรัน TH3708B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH5051EX TH5051EX (th) 1988-08-01
TH5051A TH5051A (th) 1988-08-01
TH3708B true TH3708B (th) 1994-05-06

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2645180B2 (ja) 自己保持性セラミック複合体
KR880007399A (ko) 자체-지지성 세라믹 합성체의 제조방법
KR870011061A (ko) 자체지지 세라믹 몸체를 만들기 위한 방법
US3246950A (en) Method of preparing fibrous silicon carbide
US3653851A (en) High-strength metal-silicon carbide article
US3386840A (en) Article containing silicon carbon fibers
US3676293A (en) Laminated article
KR880003859A (ko) 자체지지성 세라믹 또는 세라믹 복합구조를 제조하는 방법
US5866049A (en) Process and mixture for forming a coherent Refractory mass on a surface
TH3708B (th) วิธีการที่ได้ปรับปรุงแล้วสำหรับการผลิตโครงสร้างที่มีเซรามิคเป็นส่วนประกอบที่ใช้ขี้ตะกรัน
Yu et al. Synthesis and some properties of Al4SiC4-Al4O4C composites
TH5051A (th) วิธีการที่ได้ปรับปรุงแล้วสำหรับการผลิตโครงสร้างที่มีเซรามิคเป็นส่วนประกอบที่ใช้ขี้ตะกรัน
US4985382A (en) Improved ceramic composite structure comprising dross
US3362787A (en) Preparation of molybdenum silicides
US5134102A (en) Method for producing composite ceramic structures using dross
JPS5920634B2 (ja) 炭化珪素被覆炭素材の製造法
Weber et al. Silicon‐Base Cermets and Related Observations
Wang et al. Effect of Y2O3 additive on nitridation of diamond wire silicon cutting waste
US3056658A (en) Process for producing molybdenum disilicide
US745122A (en) Reduction of metals and alloys.
US4906324A (en) Method for the preparation of silicon carbide platelets
Bandyopadhyay et al. Fabrication of Al2O3-SICW in situ composite through a new combustion technique
US2467528A (en) Manufacture of shaped metal
US5227348A (en) Self-supporting ceramic bodies with altered microstructures
US5084425A (en) Self-supporting ceramic bodies with altered microstructures