TH5050A - ผลิตภัณฑ์ของเซรามิคและวัตถุที่ประกอบด้วยเซรามิค-โลหะ ที่มีวัสดุเติมให้เต็ม - Google Patents

ผลิตภัณฑ์ของเซรามิคและวัตถุที่ประกอบด้วยเซรามิค-โลหะ ที่มีวัสดุเติมให้เต็ม

Info

Publication number
TH5050A
TH5050A TH8701000591A TH8701000591A TH5050A TH 5050 A TH5050 A TH 5050A TH 8701000591 A TH8701000591 A TH 8701000591A TH 8701000591 A TH8701000591 A TH 8701000591A TH 5050 A TH5050 A TH 5050A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
filler
parent metal
pressure
oxidant
particles
Prior art date
Application number
TH8701000591A
Other languages
English (en)
Other versions
TH3502B (th
TH5050EX (th
Inventor
เดนนิส แคลร์ นายที.
เจ.เจสซิง นายอดัม
เอส.รากาวัน นายนาราซิมฮา
เอส.เนเกลเบิร์ก นายอลัน
ดี.โพสร์ นายสตีเวน
เจ.ซอบซิค นายมาเร็ค
เค. แคร์เบอร์ นายเดฟ
Original Assignee
นายสุวิทย์ สุวรรณ
Filing date
Publication date
Application filed by นายสุวิทย์ สุวรรณ filed Critical นายสุวิทย์ สุวรรณ
Publication of TH5050A publication Critical patent/TH5050A/th
Publication of TH5050EX publication Critical patent/TH5050EX/th
Publication of TH3502B publication Critical patent/TH3502B/th

Links

Abstract

วิธีการผลิตส่วนประกอบซึ่งประกอบด้วยวัสดุพวกโพลีคริสตัลไลน์ที่ยึดได้ในตัวเอง ที่เกิดจากปฏิกิริยาออก ซิเดชั่นของโลหะแม่ที่หลอมเหลวกับออกซิแดนท์ที่อยู่ในสภาพ ที่เป็นไอ ซึ่งมีการแทรกซึมตัวเติมให้เต็มที่มีปริมาตรของ ช่องว่างระหว่างอนุภาคด้วยโลหะแม่ภายใต้สภาวะซึ่งควบคุม อัตราการแทรกซึมของโลหะดังกล่าวและการเกิดปฏิกิริยาออก ซิเดชั่นดังกล่าว

Claims (3)

1. วิธีการผลิตส่วนประกอบที่มีวัสดุพวกโพลีคริสตัลไลน์ที่ยึดได้ในตัวเอง ที่เผกิผดจากปฏิกิริยาออกซิเดชั่นของโลหะ แม่ที่หลอมเหลวกับออกซิแดนท์ที่อยู่ในสภาพที่เป็นไอ ซึ่ง ประกอบด้วย: (a) การเลือกโลหะแม่ขึ้นตัวหนึ่ง (b) ให้ความร้อนแก่โลหะแม่ดังกล่าวในบรรยากาศที่เกิดออก ซิไดซ์ที่อุณหภูมิสูงกว่าจุดหลอมเหลวของมัน และทำให้วัตถุ หลอมเหลวที่ได้สัมผัสเข้ากับมวลที่ซึมผ่านได้ของตัวเติมให้ เต็ม มวลดังกล่าวจะมีลักษณะที่เป็นปริมาตรของช่องว่างหรือ รูพรุนระหว่างอนุภาค (c) คงระดับอุณหภูมิดังกล่าวไว้เป็นเวลานานพอที่จะช่วยให้ (i) เกิดการแทรกซึมของตัวเติมให้เต็มดังกล่าวโดยโลหะที่ หลอมเหลวดังกล่าว และ (ii) เกิดปฏิกิริยาออกซิเดชั่นของ โลหะแม่ดังกล่าวกับออกซิแดนท์ที่อยู่ในสภาพที่เป็นไอดัง กล่าว ภายใต้สภาวะซึ่งควบคุมอัตราของการเกิดการแทรกซึมของ โลหะดังกล่าวและการเกิดปฏิกิริยาออกซิเดชั่นดังกล่าว เพื่อ ที่ปฏิกิริยาออกซิเดชั่นที่เกิดขึ้นระหว่างโลหะแม่ที่หลอม เหลวและออกซิแดนท์ภายในอย่างน้อยส่วนหนึ่งของปริมาตรที่ เป็นช่องว่างหรือรูพรุนระหว่างอนุภาคดังกล่าวของมวลที่ถูก แทรกซึมของตัวเติมให้เต็มดังกล่าว ซึ่งผลิตภัณฑ์จาก ปฏิกิริยาออกซิเดชั่นจะถูกทำให้เกิดขึ้นภายในมวลดังกล่าว ซึ่งจะมีแมทริกซ์ที่ยึดเข้ากับอนุภาคตัวเติมให้เต็มดัง กล่าว และ (d) การทำให้ได้ส่วนประกอบดังกล่าวขึ้น 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 ที่ซึ่งมวลที่ซึมผ่านได้ ของตัวเติมให้เต็มดังกล่าว ซึ่งมีปริมาตรที่เป็นช่องว่าง หรือรูภายในอนุภาคและการเกิดขึ้นของผลิตภัณฑ์จากปฏิกิริยา ออกซิเดชั่นของโลหะแม่ที่เกิดขึ้นภายใน ทั้งปริมาตรช่อง ว่างระหว่างอนุภาคและปริมาตรของช่องว่างภายในอนุภาคของมวล ที่ถูกแทรกซึมดังกล่าว 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่ซึ่งส่วนช่องว่างหรือรู พรุนทั้งหมดของอนุภาคตัวเติมให้เต็มดังกล่าวจะอยู่ในช่วง 20 ถึง 80% 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 2 ที่ซึ่งส่วนช่องว่างหรือรู พรุนทั้งหมดของอนุภาคตัวเติมให้เต็มดังกล่าวจะเป็นประมาณ 50% 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ ซึ่งตัวเติมให้เต็มดังกล่าว จะประกอบด้วยส่วนฐานที่รวมกัน ของอนุภาคที่ไม่ยึดเกาะกัน 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ ซึ่งตัวเติมให้เต็มดังกล่าว จะประกอบด้วยต้นแบบที่กำหนด ขึ้นก่อนของอนุภาคที่ยึดเกาะกัน 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 6 ซึ่งตัวเติมให้เต็มจะ ประกอบด้วยพวกโครงสร้างแบบรูพรุนหรือฟองน้ำ 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 5 ที่ซึ่งอนุภาคที่ไม่ยึด เกาะกันจะอยู่ในรูปของเส้นปลายแหลม แท่งกลม หรือแผ่นเกล็ด 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ ซึ่งความดันของของไหลจะถูกให้เข้ากับโลหะแม่ที่หลอมเหลวดัง กล่าว ในช่วงของขั้นตอน (c) เพื่อจะให้ควบคุมอัตราการแทรก ซึมดังกล่าว 1 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งความดันดังกล่าวจะ เพิ่มขึ้นโดยการให้ความดันของก๊าซไปบนวัตถุพวกโลหะแม่ดัง กล่าว เพื่อทำให้อัตราการแทรกซึมเพิ่มขึ้น 1 1. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 9 ที่ซึ่งความดันดังกล่าวจะ เพิ่มขึ้นโดยแท่งของโลหะแม่ที่หลอมเหลวที่สูงขึ้นต่อเชื่อม เข้ากับวัตถุดังกล่าว โลหะดังกล่าวในส่วนที่สูงขึ้นดัง กล่าวจะมีผิวหน้าที่สูงกว่าของวัตถุดังกล่าว 1 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่ ซึ่งความดันของของไหลดังกล่าวจะลดลงเหลือน้อยกว่า 1 ความ ดันบรรยากาศ เพื่อที่จะลดอัตราของการแทรกซึมดังกล่าว 1 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 12 ที่ซึ่งการลดลงดังกล่าว จะเกิดโดยการจัดตำแหน่งของวัตถุดังกล่าวให้อยู่ข้างใต้และ สัมผัสกับตัวเติมให้เต็มดังกล่าว เพื่อที่ว่าแรงโน้มถ่วง และแรงดึงดูดจะตรงกันข้าม 1 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่ ซึ่งความดันบางส่วนของออกซิแดนท์ที่อยู่ในสภาพที่เป็นไอดัง กล่าวจะลดลงเหลือ 0.1-1 ความดันบรรยากาศ 1 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่งความดันบางส่วน ที่ลดลงดังกล่าว จะเกิดขึ้นโดยการทำให้ออกซิแดนท์ดังกล่าว เจือจางด้วยก๊าซเฉื่อย 1 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 15 ที่ซึ่งก๊าซดังกล่าวคือ อาร์กอน 1 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 14 ที่ซึ่งความดันบางส่วน ที่ลดลงดังกล่าวจะเกิดขึ้นโดยการทำขบวนการดังกล่าวในห้อง ที่ปิดผนึกแน่น ซึ่งออกซิแดนท์ดังกล่าวจะถูกใช้ในระหว่าง ปฏิกิริยาออกซิเดชั่น โดยการเกิดของผลิตภัณฑ์จากปฏิกิริยา ที่เป็นของแข็ง และการใส่ออกซิแดนท์ดังกล่าวเข้าไปในอัตรา ที่ควบคุมไปยังห้องที่ปิดผนึกแน่นดังกล่าว 1 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่ ซึ่งความดันบางส่วนของออกซิแดนท์ที่อยู่ในสภาพที่เป็นไอดัง กล่าว จะเพิ่มขึ้นโดยการทำขบวนการดังกล่าวในภาชนะที่มีความ ดันที่จัดเตรียมให้มีวิถีทางสำหรับเพิ่มความดันดังกล่าวให้ เป็น 1-2 ความดันบรรยากาศ 1 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่ ซึ่งตัวกระตุ้นจะถูกนำไปให้เข้ากับบริเวณหนึ่งของปฏิกิริยา ออกซิเดชั่นดังกล่าว เพื่อเร่งการเกิดปฏิกิริยาดังกล่าว 2 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 19 ที่ซึ่งตัวกระตุ้นดัง กล่าวเป็นอัลลอยด์ของโลหะแม่ดังกล่าว 2 1. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ที่ซึ่งตัวกระตุ้นดัง กล่าวถูกให้เข้าไปเคลือบอยู่บนผิวหน้าโลหะแม่ดังกล่าว และ อยู่ตรงตำแหน่งระหว่างผิวหน้าดังกล่าวและตัวเติมให้เต็มดัง กล่าว 2 2. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ที่ซึ่งตัวกระตุ้นดัง กล่าวถูกให้เข้าไปในรูปของอนุภาคที่ผสมอยู่กับตัวเติมให้ เต็มดังกล่าว 2 3. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 18 ที่ซึ่งตัวกระตุ้นดัง กล่าวจะถูกแขวนลอยอยู่ในของเหลวหรือตัวกลางที่เป็นของเหลว พวกอินทรีย์และสิ่งแขวนลอยนั้นจะถูกให้เข้าไปในลักษณะที่ เคลือบผิวหน้าของอนุภาคตัวเติมให้เต็มดังกล่าว 2 4. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่งที่ ซึ่งออกซิแดนท์ที่อยู่ในสภาพที่เป็นไอดังกล่าว จะเป็นสาร พวกไนไตรเดชั่นและส่วนประกอบดังกล่าวจะประกอบด้วยโลหะแม่ พวกไนไตรด์ 2 5. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 24 ที่ซึ่งโลหะแม่ดังกล่าว จะถูกเลือกมาจากพวกซิลิคอน อะลูมินัม และ ติตาเนียม 2 6. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 24 ที่ซึ่งสารดังกล่าวจะ ประกอบด้วยการไนโตรเจนที่มีความบริสุทธิ์สูง หรือสารประกอบ ที่ไวต่อปฏิกิริยาของมัน 2 7. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 24 ที่ซึ่งก่อนที่จะเกิดไน ไตรเดชั่นที่เป็นสภาพไอดังกล่าว ตัวเติมให้เต็มดังกล่าวจะ ถูกปฏิบัติการด้วยก๊าซไนโตรเจน, ไฮโดรเจน หรือก๊าซเฉื่อย เพื่อแยกออกซิเจน และ/หรือ ความชื้นที่ปิดกั้นที่ผิวหน้า ออก 2 8. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ที่ซึ่งการปฏิบัติการ ก่อนดังกล่าวจะกระทำที่อุณหภูมิ 1550-1800 C. เป็นเวลานาน 1 ถึง 5 ชั่วโมง 2 9. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 27 ที่ซึ่งตัวเติมให้เต็ม ดังกล่าวประกอบด้วยพวกไนไตรด์ของซิลิคอน อะลูมินัม หรือติ ตาเนียม 3 0. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 24 ที่ซึ่งตัวเติมให้เต็ม ดังกล่าวคือ ซิลิคอน ไนไตรด์ หรืออะลูมินัม ไนไตรด์ ที่ เกิดขึ้นโดยการไนไตรเดชั่นที่อยู่ในสภาพที่เป็นไอของวัตถุ ที่เป็นรูพรุนของโลหะเริ่มต้นพวกซิลิคอน หรือ 3
1. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 24 ที่ซึ่งโลหะแม่ดังกล่าว คือ ซิลิคอน และทองแดง หรือ เหล็ก ถูกใช้เป็นตัวกระตุ้น 3
2. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 29 ที่ซึ่งโลหะแม่ดังกล่าว คือ อะลูมินัม และแมกเนเซียม ถูกใช้เป็นตัวกระตุ้น 3
3. วิธีการตามข้อถือสิทธิข้อ 1 หรือ 2 ข้อใดข้อหนึ่ง ที่ ซึ่งส่วนของโลหะแม่จะถูกออกซิไดซ์ และตัวเติมพวกอัลลอยด์ ถูกจัดเตรียมขึ้นเพื่อทำให้เกิดเป็นอัลลอยด์กับส่วนที่ไม่ ถูกออกซิไดซ์ของโลหะแม่ดังกล่าวเพื่อให้เกิดผลการเปลี่ยน แปลงที่ต้องการในด้านคุณสมบัติของมัน (ข้อถือสิทธิ 33 ข้อ, 5 หน้า, 5 รูป)
TH8701000591A 1987-09-15 ผลิตภัณฑ์ของเซรามิคและวัตถุที่ประกอบด้วยเซรามิค-โลหะ ที่มีวัสดุเติมให้เต็ม TH3502B (th)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH5050A true TH5050A (th) 1988-08-01
TH5050EX TH5050EX (th) 1988-08-01
TH3502B TH3502B (th) 1993-12-06

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI91611B (fi) Menetelmä metallimatriisi-komposiittikappaleen valmistamiseksi
Laurila et al. Effect of Ag, Fe, Au and Ni on the growth kinetics of Sn–Cu intermetallic compound layers
PT92246B (pt) Tecnica de moldacao de precisao pelo processo de corpos compositos com matriz de metal e produtos produzidos por esta tecnica
KR0121459B1 (ko) 방향성 응고 금속 매트릭스 복합체의 제조 방법
NO882093D0 (no) Framgangsmaate for framstilling av en metallmatrisekompositt.
KR890009809A (ko) 탄소 첨가 공정에 의한 자체 지지체의 개량방법 및 그 복합물
FI91724C (fi) Menetelmä metallimatriisikomposiitin valmistamiseksi negatiivista seosmuottia käyttäen
Heikinheimo et al. Reactions in the systems MoSi3N4 and NiSi3N4
JPH02240227A (ja) 金属マトリックス複合体の改質方法
PT92260B (pt) Processo para modelar um corpo composito com matriz de metal por uma tecnica de infiltracao espontanea
Pieczonka Disruption of an alumina layer during sintering of aluminium in nitrogen
US4209478A (en) Method of sintering ceramics
FI91491C (fi) Menetelmä metallimatriisikomposiittikappaleen valmistamiseksi uppovalumenetelmää käyttäen
US3151994A (en) Molding of refractory materials
TH5050A (th) ผลิตภัณฑ์ของเซรามิคและวัตถุที่ประกอบด้วยเซรามิค-โลหะ ที่มีวัสดุเติมให้เต็ม
JPH02240228A (ja) 自発浸透による金属マトリックス複合体の形成方法
TH3502B (th) ผลิตภัณฑ์ของเซรามิคและวัตถุที่ประกอบด้วยเซรามิค-โลหะ ที่มีวัสดุเติมให้เต็ม
US5165463A (en) Directional solidification of metal matrix composites
US3011982A (en) Refractory and method of making the same
JPH03138329A (ja) マクロ複合体の製造方法
US3801363A (en) Method for metalizing ceramic
US4803046A (en) Method for making targets
US6156091A (en) Controlled porosity for ceramic contact sheets and setter tiles
Swaminathan et al. The influence of oxygen impurities on the formation of AlN–Al composites by infiltration of molten Al–Mg
GB2302336A (en) Process for producing MMC components.