TH48787A - ผงไนโอเบียมและแอโนดตัวเก็บประจุชนิดอิเลคโตรไลติคที่มีความจุไฟฟ้าสูง - Google Patents

ผงไนโอเบียมและแอโนดตัวเก็บประจุชนิดอิเลคโตรไลติคที่มีความจุไฟฟ้าสูง

Info

Publication number
TH48787A
TH48787A TH1001649A TH0001001649A TH48787A TH 48787 A TH48787 A TH 48787A TH 1001649 A TH1001649 A TH 1001649A TH 0001001649 A TH0001001649 A TH 0001001649A TH 48787 A TH48787 A TH 48787A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
niobium powder
niobium
powder
anode
deoxidation
Prior art date
Application number
TH1001649A
Other languages
English (en)
Other versions
TH22214B (th
Inventor
เอ. ฮาเบ็คเกอร์ นายคูร์ท
เอ. ไฟฟ นายเจมส์
Original Assignee
นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
นายธเนศ เปเรร่า
นางสาววิภา ชื่นใจพาณิชย์
นางสาวสนธยา สังขพงศ์
นายมนูญ ช่างชำนิ
Filing date
Publication date
Application filed by นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า, นายธเนศ เปเรร่า, นางสาววิภา ชื่นใจพาณิชย์, นางสาวสนธยา สังขพงศ์, นายมนูญ ช่างชำนิ filed Critical นายโรจน์วิทย์ เปเรร่า
Publication of TH48787A publication Critical patent/TH48787A/th
Publication of TH22214B publication Critical patent/TH22214B/th

Links

Abstract

DC60 (23/11/43) ผงไนโอเบียมจะถูกอธิบายโดยที่เมื่อถูกสร้างไปเป็นแอโนดตัวเก็บประจุชนิดอิเลค โตรไลติคแล้ว, แอโนดจะมีความจุไฟฟ้าอย่างน้อย 62,000 CV/ กรัม วิธีการของการทำผง ไนโอเบียมที่เป็นเกล็ด ซึ่งมีประสิทธิภาพความจุไฟฟ้าที่สูงเมื่อถูกสร้างไปเป็นแอโนดตัวเก็บประจุ ชนิดอิเลคโตรไลติคจะถูกอธิบายไว้ด้วย นอกจากไนโอเบียม, การประดิษฐ์นี้สามารถประยุกต์ใช้ กับโลหะอื่น ๆ ได้ด้วย, รวมถึงโลหะวาล์ว ผงไนโอเบียมจะถูกอธิบายโดยที่เมื่อถูกสร้างไปเป็นแอโนดตัวเก็บประจุชนิดอิเลค โตรไลติคแล้ว, แอโนดจะมีความจุไฟฟ้าอย่างน้อย 62,00 CV/ กรัม วิธีการของการทำผง ไนโอเบียมที่เป็นเกล็ด ซึ่งมีประสิทธิภาพความจุไฟฟ้าที่สูงเมื่อถูกสร้างไปเป็นแอโนดตัวเก็บประจุ ชนิดอิเลคโตรไลติคจะถูกอธิบายไว้ด้วย นอกจากไนโอเบียม, การประดิษฐ์นี้สามารถประยุกต์ใช้ กับโลหะอื่น ๆ ได้ด้วย, รวมถึงโลหะวาล์ว

Claims (8)

1. ผงไนโอเบียมที่มีพื้นที่ผิว BET อย่างน้อย 6.0 ม2/กรัม 2. ผงไนโอเบียมของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งผงไนโอเบียมดังกล่าวมีพื้นที่ผิว BET อย่างน้อย 7.0 ม2/กรัม 3. ผงไนโอเบียมของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งผงไนโอเบียมดังกล่าวมีพื้นที่ผิว BET อย่างน้อย 10 ม2/กรัม 4. ผงไนโอเบียมของข้อถือสิทธิ 1 ที่ซึ่งผงไนโอเบียมดังกล่าวมีพื้นที่ผิว BET ตั้งแต่ 6.0 ม2/กรัม ถึง 12 ม2/กรัม 5. ผงไนโอเบียมของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 ถึง 4 ที่ระดับฟอสฟอรัสน้อยกว่า 400 ส่วนในล้านส่วน 6. ผงไนโอเบียมของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 ถึง 5 ที่ซึ่งผงไนโอเบียมดังกล่าวถูกเจือ ปนด้วยไนโตรเจน 7. ผงไนโอเบียมของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 ถึง 5 ที่ซึ่งผงไนโอเบียมดังกล่าวมีอย่าง น้อย 100 ส่วนในล้านส่วนของไนโตรเจนปรากฏอยู่ 8. ผงไนโอเบียมของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 ถึง 5 ที่ซึ่งผงไนโอเบียมดังกล่าวมี ไนโตรเจนปรากฏอยู่ในปริมาณตั้งแต่ 100 ส่วนในล้านส่วน ถึง 5,000 ส่วนในล้านส่วน 9. ผงไนโอเบียมของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 ถึง 5 ที่ซึ่งผงไนโอเบียมดังกล่าวมี ไนโตรเจนปรากฏอยู่ในปริมาณตั้งแต่ 100 ส่วนในล้านส่วน ถึง 20,000 ส่วนในล้านส่วน 1 0. ผงไนโอเบียมของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 ถึง 9 ที่ซึ่งผงไนโอเบียมดังกล่าว ประกอบด้วยผงไนโอเบียมที่เป็นเกล็ด 1 1. ผงไนโอเบียมของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 ถึง 10 ที่ซึ่งเมื่อผงดังกล่าวถูกก่อรูปไป เป็นแอโนดตัวเก็บประจุชนิดอิเลกโทรไลติค และถูกเผาที่อุณหภูมิ 1300 ํซ เป็นระยะเวลา 10 นาที และทำการแอโนดไดซ์ไนโอเบียมที่ถูกเผาโดยใช้ฟอร์เมชันโวลเทจที่ 35 V ที่ 60 ํซ ใน H3PO4 อิเลก โทรไลด์ 0.1% แอโนดดังกล่าวมีความจุไฟฟ้าอย่างน้อย 65,000 CV/กรัม 1 2. ผงไนโอเบียมของข้อถือสิทธิ 11 ที่ซึ่งแอโนดดังกล่าวมีความจุไฟฟ้าตั้งแต่ 65,000 ถึง 250,000 CV/กรัม 1 3. ผงไนโอเบียมของข้อถือสิทธิ 11 ที่ซึ่งแอโนดดังกล่าวมีความจุไฟฟ้าตั้งแต่ 75,000 ถึง 250,000 CV/กรัม 1 4.ผงไนโอเบียมของข้อถือสิทธิ 11 ที่ซึ่งแอโนดดังกล่าวมีความจุไฟฟ้าตั้งแต่ 100,000 ถึง 250,000 CV/กรัม 1 5. ผงไนโอเบียมของข้อถือสิทธิ 11 ที่ซึ่งแอโนดดังกล่าวมีความจุไฟฟ้าตั้งแต่ 125,000 ถึง 250,000 CV/กรัม 1 6. ผงไนโอเบียมของข้อถือสิทธิ 11 ที่ซึ่งแอโนดดังกล่าวมีความจุไฟฟ้าตั้งแต่ 100,000 ถึง 210,000 CV/กรัม 1 7. แอโนดตัวเก็บประจุที่ถูกเตรียมจากสูตรผสมที่ประกอบด้วยผงไนโอเบียมของข้อใดข้อ หนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 ถึง 16 1 8. แอโนดตัวเก็บประจุของข้อถือสิทธิ 17 ซึ่งถูกเตรียมโดยการเผาผงดังกล่าวที่อุณหภูมิ ตั้งแต่ 1200 ํซ ถึง 1750 ํซ 1 9. วิธีการของการทำผงไนโอเบียมที่เป็นเกล็ดประกอบด้วยขั้นตอนที่ประกอบด้วยการบด แผ่นไนโอเบียมเพื่อก่อรูปผงไนโอเบียมที่เป็นเกล็ด จากนั้นนำผงไนโอเบียมที่เป็นเกล็ดเข้าสู่การตี ออกซิเดชัน โดยทางเลือก และทำการชะล้าง และจากนั้นทำการบดผงไนโอเบียมที่เป็นเกล็ดต่อไป 2 0. วิธีการของข้อถือสิทธิ 19 ที่ซึ่งขั้นตอนของการนำผงไนโอเบียมที่เป็นเกล็ดเข้าสู่การดี ออกซิเดชันจะถูกทำซ้ำหนึ่งครั้งหรือมากกว่าในระหว่างการบดผงไนโอเบียมที่เป็นเกล็ด 2
1. วิธีการของข้อถือสิทธิ 19 ที่ซึ่งการดีออกซิเดชันดังกล่าวประกอบด้วยการดีออกซิเดชัน ด้วยสารอนินทรีย์ 2
2. วิธีการของข้อถือสิทธิ 19 ที่ซึ่งการดีออกซิเดชันดังกล่าว คือ การดีออกซิเดชันด้วย แมกนีเซียม 2
3. วิธีการของข้อถือสิทธิ 22 ที่ซึ่งแมกนีเซียมตั้งแต่ 4% ถึง 6% โดยน้ำหนักของไนโอเบียม ถูกใช้ในการดีออกซิเดชันด้วยแมกนีเซียม และที่ซึ่งการดีออกซิเดชันด้วยแมกนีเซียมเกิดขึ้นที่อุณหภูมิ ตั้งแต่ 700 ํซ ถึง 1600 ํซ 2
4. วิธีการของข้อถือสิทธิ 22 ที่ซึ่งก่อนที่จะทำการบดผงไนโอเบียมที่เป็นเกล็ดต่อไป แมกนีเซียมที่เหลืออยู่ใดๆ จะถูกขจัดออกอย่างแท้จริงโดยการชะล้างด้วยกรด 2
5. วิธีการของข้อถือสิทธิ 19 ที่ซึ่งการบดครั้งแรกดังกล่าวเกิดขึ้นเป็นระยะเวลา 2 ชั่วโมง ถึง 8 ชั่วโมง ก่อนที่จะนำผงไน โอเบียมที่เป็นเกล็ดเข้าสู่การดีออกซิเดชัน 2
6. วิธีการของข้อถือสิทธิ 19 ที่ซึ่งผงไนโอเบียมที่เป็นเกล็ดดังกล่าวได้รับพื้นที่ผิว BET อย่าง น้อย 1.5 ม2/กรัม ก่อนผงไนโอเบียมที่เป็นเกล็ดดังกล่าวจะถูกนำเข้าสู่การดีออกซิเดชัน 2
7. วิธีการของข้อถือสิทธิ 19 ที่ซึ่งการบดดังกล่าวถูกทำให้สำเร็จโดยเครื่องบดแอตไตรเตอร์ 2
8. การใช้ผงไนโอเบียมของข้อใดข้อหนึ่งของข้อถือสิทธิ 1 ถึง 16 สำหรับการผลิตแอโนดตัว เก็บประจุ
TH1001649A 2000-05-11 ผงไนโอเบียมและแอโนดตัวเก็บประจุชนิดอิเลคโตรไลติคที่มีความจุไฟฟ้าสูง TH22214B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH48787A true TH48787A (th) 2001-12-25
TH22214B TH22214B (th) 2007-07-26

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002544677A5 (th)
EP1194256B1 (en) High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
JP3817742B2 (ja) タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード
TW539585B (en) Nitrided valve metals and processes for making the same
EP1137021B1 (en) Sinter of niobium for capacitor, and method of manufacture thereof
RU2542866C2 (ru) Порошки агломератов вентильных металлов и оксидов вентильных металлов и способ их получения
WO1997038143A1 (en) Method for lowering the oxygen content in valve metal materials
AU2004203208A1 (en) Process for producing niobium suboxide
JP2010062580A (ja) ニオブ粉、ニオブ焼結体、該焼結体を用いたコンデンサおよびそのコンデンサの製造方法
JP5779728B2 (ja) タングステン微粉の製造方法
RU2015148481A (ru) Способ изготовления спеченных изделий из вентильного металла, обладающих большой удельной поверхностью и низким содержанием кислорода
WO2004110684A3 (en) Tantalum powders and methods of producing same
KR20060114391A (ko) 니오브합금분
KR100799634B1 (ko) 니오브분, 니오브분 소결체 및 그것을 사용한 콘덴서
RU2414990C2 (ru) Танталовый порошок для изготовления конденсаторов с твердым электролитом
JPWO2001006525A1 (ja) ニオブ粉、その焼結体およびそれを使用したコンデンサ
JP6977021B2 (ja) 薄片状タンタル粉末およびその調製方法
EP2866238B1 (en) Capacitor production method
TH22214B (th) ผงไนโอเบียมและแอโนดตัวเก็บประจุชนิดอิเลคโตรไลติคที่มีความจุไฟฟ้าสูง
TH48787A (th) ผงไนโอเบียมและแอโนดตัวเก็บประจุชนิดอิเลคโตรไลติคที่มีความจุไฟฟ้าสูง
US20040022008A1 (en) Powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
CN106663543A (zh) 钨电容器元件及其制造方法
US6960237B2 (en) Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using the same
DE60024591T2 (de) Kondensator-pulver-mischung, daraus hergestellter sinterkörper und aus dem sinterkörper hergestellter kondensator
EP1264321A1 (en) Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body