TH45548A - Solder terminals that are electrical plates - Google Patents

Solder terminals that are electrical plates

Info

Publication number
TH45548A
TH45548A TH9901004128A TH9901004128A TH45548A TH 45548 A TH45548 A TH 45548A TH 9901004128 A TH9901004128 A TH 9901004128A TH 9901004128 A TH9901004128 A TH 9901004128A TH 45548 A TH45548 A TH 45548A
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
layer
solder
crcu
bonding layer
bonding
Prior art date
Application number
TH9901004128A
Other languages
Thai (th)
Other versions
TH45548A3 (en
TH1004128B (en
Inventor
แอทคินสัน ไน ไอไอไอ นายเฮนรี่ย์
Original Assignee
อินเตอร์เนชั่นแนล บิชสิเนส์ส แมชชีนส์ คอร์ปอเรชั่น
Filing date
Publication date
Publication of TH1004128B publication Critical patent/TH1004128B/en
Application filed by อินเตอร์เนชั่นแนล บิชสิเนส์ส แมชชีนส์ คอร์ปอเรชั่น filed Critical อินเตอร์เนชั่นแนล บิชสิเนส์ส แมชชีนส์ คอร์ปอเรชั่น
Publication of TH45548A3 publication Critical patent/TH45548A3/en
Publication of TH45548A publication Critical patent/TH45548A/en

Links

Abstract

DC60 (04/11/42) กระบวนการและโครงสร้างสำหรับขั้วบัดกรีที่ปรับปรุงแล้วมีเปิดเผยในคำ ของรับสิทธิบัตรฉบับนี้ ขั้วบัดกรีที่ปรับปรุง แล้วประกอบด้วยชั้นยึดประสานที่เป็นโลหะด้านล่าง และชั้น คั่นกลาง CrCu บนด้านบนของชั้นยึดประสาน และชั้นเชื่อมยึด จับด้วยตัวบัดกรีเหนือชั้น CrCu และชั้นด้านบนของตัวบัดกรี ชั้นยึดประสานจะเป็น TiW หรือ TiN ก็ได้ กระบวน การสำหรับ ประกอบโลหะที่เป็นเทอร์มินับที่ปรับปรุงแล้วประกอบด้วย การ เคลือบติดชั้นโลหะยึด ประสาน และชั้นของ CrCu เหนือชั้นยึด ประสานและชั้นรองวัสดุเชื่อมยึดจับด้วยตัวบัดกรี เหนือชั้น ที่มีชั้นของตัวบัดกรี ที่ซึ่งจะสร้างเป็นจุด ๆ เฉพาะจุดและ ชั้นที่อยู่ใต้ลงไป จะถูกกัด ผิวโดยใช้จุดบัดกรี เป็นมาสค์ กระบวนการและโครงสร้างสำหรับขั้วบัดกรีที่ปรับปรุงแล้วมีเปิดเผยในคำ ของรับสิทธิบัตรฉบับนี้ ขั้วบัดกรีที่ปรับปรุง แล้วประกอบด้วยชั้นยึดประสานที่เป็นโลหะด้านล่าง และชั้น คั่นกลาง CrCu บนด้านบนของชั้นยึดประสาน และชั้นเชื่อมยึด จับด้วยตัวบัดกรีเหนือชั้น CrCu และชั้นด้านบนของตัวบัดกรี ชั้นยึดประสานจะเป็น TiW หรือ TiN ก็ได้ กระบวน การสำหรับ ประกอบโลหะที่เป็นเทอร์มินับที่ปรับปรุงแล้วประกอบด้วย การ เคลือบติดชั้นโลหะยึด ประสาน และชั้นของ CrCu เหนือชั้นยึด ประสานและชั้นรองวัสดุเชื่อมยึดจับด้วยตัวบัดกรี เหนือชั้น ที่มีชั้นของตัวบัดกรี ที่ซึ่งจะสร้างเป็นจุด ๆ เฉพาะจุดและ ชั้นที่อยู่ใต้ลงไป จะถูกกัด ผิวโดยใช้จุดบัดกรี เป็นมาสค์DC60 (04/11/42) The process and structure for an improved solder terminal are disclosed in the word of this patent. The improved solder terminal consists of a bottom metallic solder layer and a CrCu interlayer on top of the solder layer, and a solder bonding layer above the CrCu layer and a top layer of solder. The solder layer may be TiW or TiN. The process for assembling the improved metal terminal consists of a coating of a metallic solder layer and a layer of CrCu above the solder layer and a solder bonding layer above the layer containing the solder, which is then dotted and the layer below is etched using the solder dots as a mask. The process and structure for an improved solder terminal are disclosed in the word of this patent. The improved solder terminal consists of a bottom metallic solder layer and a CrCu interlayer on top of the solder layer, and a solder bonding layer above the CrCu layer and a top layer of solder. The solder layer can be either TiW or TiN. The improved terminal assembly process involves coating the solder layer and a layer of CrCu over the solder, and a secondary solder layer is applied over the solder layer, which is then dotted to create specific areas. The layer below is then etched using the solder dots as a mask.

Claims (16)

1. วิธีการของการประกอบขั้วบัดกรีที่ปรับปรุงแล้ว บนซับสเตรทที่ ประกอบชิ้นส่วนตัวนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ตัว และยังมีบริเวณจุดเชื่อมต่อของ ไฟฟ้าจำนวนหนึ่งซึ่งถูก แยกออกโดยฉนวน ซึ่งประกอบด้วย การเคลือบยึดติด ชั้นโลหะเชื่อมประสาน ซึ่งวางทับฉนวนดัง กล่าว และสัมผัส กับบริเวณจุดเชื่อมต่อไฟฟ้า ซึ่งถูกเลือก จากกลุ่มซึ่งประกอบด้วย TiWและ TiN เป็นหลัก การเคลือบยึดติดชั้นอัลลอย CrCu เหนือ และสัมผัสกับชิ้น โลหะยึดประสาน ดังกล่าว ชั้นโลหะยึดประสานดังกล่าว ถูกกำหนดคุณลักษณะโดยการกัดผิว ให้ตามเลือก เฉพาะแห่ง เหนือชิ้นส่วนตัวนำไฟฟ้าดังกล่าว และ ชั้นอัลลอย CrCu ดังกล่าว การเคลือบยึดติดชั้นโลหะที่ยึดจับกันได้ ด้วยตัวบัดกรี เหนือ และสัมผัสกับชั้น CrCu ดังกล่าว การสร้างตัวบัดกรีเฉพาะแห่งตามเลือกเหนือชั้นที่ยึดจับกันได้ ด้วยตัวบัดกรี ดังกล่าว ในจุดที่เลือก การกัดชั้นที่ยึดจับกัน ได้ด้วยตัวบัดกรีดังกล่าว และชั้นของ CrCu ที่โดยใช้ตัว บัดกรีดังกล่าวเป็นมาสค์ และการหยุดบนชั้นประสานดังกล่าว การกัดชั้นยึดประสานที่เป็นโลหะดังกล่าว โดยการใช้กระบวนการตามที่เลือก กับตัวบัดกรี ชั้นอัลลอยของ CrCu ชั้นเชื่อมยึดของตัวบัดกรีและชิ้นส่วนตัวนำไฟฟ้าใน ซับสเตรท1. An improved method of assembling soldered electrodes on a substrate containing at least one conductive element and a number of electrical junction areas separated by insulation, consisting of: a bonding layer; a braze layer placed over the insulation and in contact with the electrical junction areas, selected from a group primarily composed of TiW and TiN; a CrCu alloy layer bonded over and in contact with the braze; the braze layer being characterized by selective etching over the conductive element and the CrCu alloy layer; a solder-bonded bonding layer bonded over and in contact with the CrCu layer; selective solder jointing over the solder-bonded bonding layer at selected points; etching of the solder-bonded bonding layer and the CrCu layer using the solder as a mask and stopping on the braze layer; and etching of the solder-bonded bonding layer. By applying the chosen process, the solder bonds the CrCu alloy layer to the solder joint and the conductive components in the substrate. 2. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นโลหะเชื่อม ประสานดังกล่าว จะถูกทำขึ้น โดยกระบวนการที่ถูกเลือกจาก ฉีด กระจายออกไป คือ การขึ้นรูปเป็นแผ่นและ การเคลือบยึดติดด้วย โอเคมี2. Method of Claim 1 where the said bonded metal layer shall be made by a process of choice from injection molding, sheet forming and chemical bonding. 3. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นอัลลอยของ CrCu ดังกล่าว จะถูกเคลือบติดโดยการฉีดกระจายจากเป้าหมายอัล ลอยที่ประกอบด้วย Cr และ Cu3. Method of Claim 1 where the said CrCu alloy layer is to be coated by diffusion injection from an alloy target composed of Cr and Cu. 4. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นอัลลอยของ CrCu ดังกล่าวจะ ถูกสร้างขึ้นโดยการฉีดกระจายร่วมกันจากเป้า หมาย Cr และเป้าหมาย Cu4. Method of Claim 1 in which the said CrCu alloy layer is created by co-injection from a Cr target and a Cu target. 5. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นอัลลอยของ CrCu ดังกล่าวจะ ถูกสร้างขึ้นโดยการระเหยร่วมกันจากแหล่งของ Cr และ Cu5. Method of Claim 1: Where that such CrCu alloy layer is created by co-evaporation from a source of Cr and Cu. 6. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ในที่ซึ่ง ตัวบัดกรีดัง กล่าวสร้างโดยการ ขึ้นรูปเป็นแผ่นด้วยไฟฟ้า ตลอดชั้นของ มาสค์ที่เป็นฉนวนซึ่งมีช่องเปิด6. Method of Claim 1 where such solder is formed by electrically forming a sheet over an insulating mask containing openings. 7. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นอัลลอย CrCu ดังกล่าวและชั้น เชื่อมยึดจัลด้วยตัวบัดกรีจะถูกกัดผิวโดย กระบวนการกัดผิวด้วยไฟฟ้า7. Method of Claim 1 where the aforementioned CrCu alloy layer and the solder bonding layer are etched by an electro-etching process. 8. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 1 ในที่ซึ่ง ชั้นยึดประสานดัง กล่าว จะถูกกัด ผิวโดยกระบวนการที่ใช้สารเคมี หรือพลาสมา เปียก8. Method of Claim 1: Where such bond layer is etched by a chemical or wet plasma process. 9. วิธีการของการประกอบขั้วบัดกรีที่ปรับปรุงแล้ว บน ซับสเตรทประกอบ ด้วยชิ้นส่วนตัวนำไฟฟ้าอย่างน้อยที่สุดหนึ่ง ตัว และยังมีบริเวณจุดเชื่อมต่อของไฟฟ้า จำนวนหนึ่งซึ่งถูก แยกออกโดยฉนวน ซึ่งประกอบด้วย การเคลือบยึดติดชั้นโลหะเชื่อมประสาน ซึ่งวางทับฉนวนดัง กล่าว และสัมผัสกับ บริเวณจุดเชื่อมต่อไฟฟ้า ชั้นยึดประสาน ดังกล่าวถูกทำเป็นสองชั้น ชั้น Ti ด้านล่าง และ ชั้นด้านบน ซึ่งถูกเลือกจากกลุ่ม ซึ่งประกอบด้วย W, TIW และ TiN เป็นหลัก การเคลือบยึดติดชั้นอัลลอย CrCu เหนือ และสัมผัสกับชิ้น โลหะยึดประสาน ดังกล่าว ชั้นโลหะยึดประสานดังกล่าว ถูกกำหนดคุณลักษณะโดยการกัดผิว ได้ตามเลือก เฉพาะแห่ง เหนือชิ้นส่วนตัวนำไฟฟ้าดังกล่าว และ ชั้นอัลลอย CrCu ดังกล่าว การเคลือบยึดติดชั้นโลหะที่ยึดจับกันได้ด้วยตัวบัดกรี เหนือ และสัมผัสกับชั้น CrCu ดังกล่าว การสร้างบัดกรีเฉพาะ แห่งตามเลือก เหนือชั้นที่ยึดจับกันได้ด้วยตัว บัดกรีดังกล่าว ในจุดที่เลือก การกัดชั้นที่ยึดจับกันได้ด้วยตัวบัดกรี และชั้นของ CrCu โดยการใช้ตัวบัดกรี ดังกล่าว เป็นมาสค์และการหยุดบน ชั้นประสานดังกล่าว และ การกัดชั้นยึดประสานที่เป็นโลหะดังกล่าว โดยการใช้กระบวน การตามที่เลือกกับ ตัวบัดกรี ชั้นอัลลอย CrCu ชั้นเชื่อม ยึดของตัวบัดกรี และชิ้นส่วนตัวนำไฟฟ้าในชั้น ซับสเตรท9. Method of assembling an improved solder joint on a substrate consisting of at least one conductive element and several electrical junction areas separated by an insulator. This insulator consists of a bonding layer applied over the insulator and in contact with the electrical junction areas. This bonding layer is made in two layers: a lower Ti layer and an upper Ti layer, primarily selected from the group consisting of W, TIW, and TiN. A CrCu alloy bonding layer is applied above and in contact with the bonding layer. This bonding layer is characterized by selective etching over the conductive element and the CrCu alloy layer. A solder bonding layer is applied above and in contact with the CrCu layer. Selective solder jointing is performed over the solder bonding layer at selected points. Etching of the solder bonding layer and the CrCu layer is performed using the solder as a mask and a stop on the bonding layer. Etching of the solder bonding layer and the CrCu layer is performed using a process. The chosen solder joint, CrCu alloy layer, bonding layer, solder joint holder, and conductive components in the substrate layer. 10. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 9 ในที่ซึ่ง ชั้นโลหะเชื่อม ประสานดังกล่าว จะถูกทำขึ้นโดยกระบวนการที่ถูกเลือกจาก ฉีด กระจายออกไป คือ การขึ้นรูปเป็นแผ่นและ การเคลือบยึดติดด้วย ไอเคมี10. Method of claim under clause 9 where such bonded metal layer shall be made by a process of choice from injection molding, spreading, sheet forming and chemical vapor deposition. 11. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 9 ในที่ซึ่ง ชั้นอัลลอย CrCu ดังกล่าวจะถูก เคลือบยึดติด โดยการฉีดกระจายจากเป้าหมายอัล ลอยที่ประกอบด้วย Cr และ Cu11. Method of Claim No. 9 where the said CrCu alloy layer is to be bonded by diffusion injection from an alloy target composed of Cr and Cu. 12. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 9 ในที่ซึ่ง ชั้นอัลลอย CrCu ดังกล่าวจะถูก สร้างขึ้นโดยการฉีดกระจายร่วมกันจากเป้าหมาย Cr และเป้าหมาย Cu12. Method of Claim Clause 9 in which the said CrCu alloy layer is created by co-injection from a Cr target and a Cu target. 13. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 9 ในที่ซึ่ง ชั้นอัลลอย CrCu ดังกล่าวจะถูก สร้างขึ้นโดยการระเหยร่วมกับจากแหล่งของ Cr และ Cu13. Method of claim under clause 9 in which the said CrCu alloy layer is to be created by co-evaporation from a source of Cr and Cu. 14. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 9 ในที่ซึ่ง ตัวบัดกรีซึ่ง ถูกสร้างขึ้นโดยการ ขึ้นรูปเป็นแผ่นด้วยไฟฟ้า ตลอดชั้นของ มาสค์ที่เป็นฉนวนซึ่งมีช่องเปิด14. Method of claim, clause 9, where the solder is formed by electrically shaping it into a sheet over a layer of insulating mask containing openings. 15. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 9 ในที่ซึ่ง ชั้นอัลลอย CrCu ดังกล่าวและ ชั้นเชื่อมยึดจับกันด้วยตัวบัดกรี จะถูกกัดผิว โดยกระบวนการกัดผิวด้วยไฟฟ้า15. Method of Claim Clause 9 where the aforementioned CrCu alloy layer and the solder bonding layer are etched by an electro-etching process. 16. วิธีการของข้อถือสิทธิ ข้อ 9 ในที่ซึ่ง ช้นยึดประสาน ดังกล่าวจะถูกกัด ผิวโดยกระบวนการที่ใช้สารเคมี หรือพลาสมา เปียก16. Method of Claim Clause 9 where the bonding material is etched by a chemical or wet plasma process.
TH9901004128A 1999-11-04 Solder terminals that are electrical plates TH45548A (en)

Publications (3)

Publication Number Publication Date
TH1004128B TH1004128B (en)
TH45548A3 TH45548A3 (en) 2001-06-01
TH45548A true TH45548A (en) 2001-06-01

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4480261A (en) Contact structure for a semiconductor substrate on a mounting body
US4862134A (en) Electrical fuse and method for its production
US8642408B2 (en) Semiconductor device
TWI260657B (en) Plated terminations
CN1117655A (en) Electroplated solder terminal
CN1082770A (en) Electronic devices with copper-semiconductor compound metallurgical materials
US4132341A (en) Hybrid circuit connector assembly
US20200273813A1 (en) Semiconductor packages including roughening features
US7626262B2 (en) Electrically conductive connection, electronic component and method for their production
CN108807322A (en) Package structure and method for manufacturing the same
JPS63177463A (en) Manufacture of contact electrode composed of fine structure for power semiconductor component
JPH081770B2 (en) Electrical contact structure
US3579375A (en) Method of making ohmic contact to semiconductor devices
US10897822B2 (en) Electronic device comprising an electronic component mounted on a support substrate and assembly method
US4164811A (en) Process for making a semiconductor component with electrical contacts
JPS63204620A (en) Method of forming connection between bonding wire and contact region in hybrid thick film circuit
JPH08195397A (en) Semiconductor device with bump and manufacturing method thereof
KR930000872B1 (en) Solid electrolytic capacitor
KR20180088798A (en) Electrical device having a thin solder stop layer and method for manufacturing
GB1559247A (en) Photovoltaic cell array
JP7274749B2 (en) Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion module manufacturing method
KR100282177B1 (en) Bonding structure of laser diode
JPH0344933A (en) Semiconductor device
JPS56142666A (en) Semiconductor device
JPS6311744Y2 (en)