TH44805A - วงจรขยายสำหรับตรวจรู้แบบอัดประจุล่วงหน้าที่จับเวลาด้วยตัวเอง - Google Patents
วงจรขยายสำหรับตรวจรู้แบบอัดประจุล่วงหน้าที่จับเวลาด้วยตัวเองInfo
- Publication number
- TH44805A TH44805A TH9801002130A TH9801002130A TH44805A TH 44805 A TH44805 A TH 44805A TH 9801002130 A TH9801002130 A TH 9801002130A TH 9801002130 A TH9801002130 A TH 9801002130A TH 44805 A TH44805 A TH 44805A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- memory
- timer
- voltage
- self
- charged
- Prior art date
Links
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000006870 function Effects 0.000 claims 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 abstract 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 abstract 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 abstract 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (21/07/41) วงจรขยายสำหรับตรวจรู้แบบอัดประจุล่วงหน้าที่จับเวลาด้วยตัวเองสำหรับก่อ ให้เกิดการอ่านเซลล์หน่วยความจำของแถวลำดับ ของหน่วยความจำด้วยอัตราเร็วสูง วงจรขยายสำหรับตรวจรู้แบบ อัดประจุล่วงหน้าที่จับเวลาด้วยตัวเองจะใช้ อุปกรณ์อัด ประจุล่วงหน้า สำหรับให้กำเนิดแรงดันไฟฟ้าส่งออกซึ่งจะถูก ใช้ เพื่อเพิ่มระดับแรงดัน ไฟฟ้าของคอลัมน์ของแถวลำดับหน่วย ความจำ ที่ซึ่งเซลล์หน่วยความจำถูกกำหนด ตำแหน่งอยู่ ระบบวง จรควบคุมสภาวะจะถูกประกบกับอุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้า สำหรับ กระตุ้น และยับยั้งอุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้า วงจรขยายสำหรับ ตรวจรู้จะ ถูกประกบกับอุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้า และกับระบบวง จรควบคุมสภาวะสำหรับ ตรวจสังเกตแรงดัน ไฟฟ้าส่งออกของอุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้า และสำหรับส่ง สัญญาณ ให้ระบบวงจรควบคุมสภาวะยับยั้งอุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้า เมื่อแรงดันไฟ ฟ้าด้านออกไปถึงระดับแรงดันไฟฟ้าเริ่มเปลี่ยน ที่ถูกตั้งโดยวงจรขยายสำหรับตรวจรู้ซึ่ง เป็นปริมาณต่ำสุด ของแรงดันไฟฟ้าที่จำเป็นในการอ่านเซลล์หน่วยความจำอย่าง เหมาะสม วงจรขยายสำหรับตรวจรู้แบบอัดประจุล่วงหน้าที่จับเวลาด้วยตัวเองสำหรับก่อให้เกิดการอ่านเซลล์หน่วยความจำของแถวลำดับ ของหน่วยความจำด้วยอัตราเร็วสูงวงจรขยายสำหรับตรวจรู้แบบ อัดประจุล่วงหน้าที่จับเวลาด้วยตัวเองจะใช้ อุปกรณ์อัด ประจุล่วงหน้า สำหรับให้กำเนิดแรงดันไฟฟ้าส่งออกซึ่งจะถูก ใช้ เพื่อเพิ่มระดับแรงดันไฟฟ้าของคอลัมน์ของแถวลำดับหน่วย ความจำ ที่ซึ่งเซลล์หน่วยความจำถูกกำหนดตำแหน่งอยู่ ระบบวง จรควบคุมสภาวะจะถูกประกบกับอุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้าสำหรับ กระตุ้น และยับยั้งอุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้า วงจรขยายสำหรับ ตรวจรู้จะถูกประกบกับอุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้า และกับระบบวง จรควบคุมสภาวะสำหรับตรวจสังเกตแรงดัน ไฟฟ้าส่งออกของอุปกรณ์อัดประล่วงหน้า และสำหรับส่งสัญญาณ ให้ระบบวงจรควบคุมสภาวะยับยั้งอุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้า เมื่อแรงดันไฟฟ้าด้านออกไปถึงระดับแรงดันไฟฟ้าเริ่มเปลี่ยน ที่ถูกตั้งโดยวงจรขยายสำหรับตรวจรู้ซึ่งเป็นปริมาณต่ำสุด ของแรงดันไฟฟ้าที่จำเป็นในการอ่านเซลล์หน่วยความจำอย่าง เหมาะสม
Claims (1)
1.วงจรขยายสำหรับตรวจรู้แบบอัดประจุล่วงหน้าที่จับเวลาด้วยตัวเองสำหรับก่อให้เกิดการอ่านเซลล์หน่วยความจำของแถวลำดับ หน่วยความจำด้วยอัตราเร็วสูงซึ่งโดยรวมกันแล้วจะประกอบด้วย อุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้าสำหรับให้กำเนิดแรงดันไฟฟ้าส่งออก ซึ่งจะถูกให้เพื่อเพิ่มระดับแรงดันไฟฟ้าของคอลัมน์ของแถวลำ ดับหน่วยความจำดังกล่าว ที่ซึ่งเซลล์หน่วยความจำดังกล่าว ถูกกำหนดตำแหน่งอยู่ ระบบวงจรควบคุมสภาวะที่ถูกประกบกับ อุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้าดังกล่าวสำหรับกระตุ้น และยับยั้ง การทำงานของอุปกรณ์อัดประจุล่วงหน้าดังกล่าว และ วงจรขแท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH44805A true TH44805A (th) | 2001-04-25 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920010617A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR950027821A (ko) | 기준전위발생장치 및 그것을 구비한 반도체메모리장치 | |
| KR930005030A (ko) | 반도체 메모리 | |
| KR890015267A (ko) | 다이나믹형 반도체기억장치 | |
| KR890015271A (ko) | 스태틱형 ram | |
| TW374930B (en) | A RAM device having a self-refresh mode | |
| EP0347935A3 (en) | Semiconductor memory device | |
| KR950007089A (ko) | 진폭이 작은 고속 입력 신호에 응답하는 저전력 소비 신호 입력 회로를 갖고 있는 반도체 집적 회로 장치 | |
| KR930018587A (ko) | 변화할 수 있는 전원전압하에 데이타를 정확하게 판독할 수 있는 반도체메모리장치 | |
| ATE243359T1 (de) | Wortleitungssignale einer flashspeicher bleiben überall auf dem chip verlustfrei | |
| KR910013285A (ko) | 불휘발성 반도체메모리 | |
| KR930003139A (ko) | 반도체 메모리 | |
| KR920006983A (ko) | 저잡음 감지 구조를 가진 반도체 메모리 장치 | |
| TW358946B (en) | Semiconductor memory having a fast operation circuit array structure | |
| TH44805A (th) | วงจรขยายสำหรับตรวจรู้แบบอัดประจุล่วงหน้าที่จับเวลาด้วยตัวเอง | |
| JPS5782279A (en) | Semiconductor storage device | |
| DE69125982D1 (de) | Halbleiterspeicheranordnung | |
| IT1258816B (it) | Disposizione di una schiera di celle ridondanti per un dispositivo di memoria a semiconduttore | |
| KR920020494A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| KR930003140A (ko) | 비트선의 한정된 전위진폭의 반도체 기억장치와 그의 동작방법 | |
| JPS54100232A (en) | Integrated memory | |
| TW358908B (en) | Data processing device | |
| KR950015392A (ko) | 다이내믹 메모리 | |
| KR970067336A (ko) | 판독 시간이 짧은 반도체 메모리 장치 | |
| EP0304591A3 (en) | Semiconductor memory with signal change detector circuit |