TH40872B - ซัสเตรทแก้วสำหรับตัวกลางในการบันทึกที่เป็นแม่เหล็ก, ตัวกลางในการบันทึกที่เป็นแม่เหล็ก และวิธีการผลิตสิ่งเหล่านี้ - Google Patents

ซัสเตรทแก้วสำหรับตัวกลางในการบันทึกที่เป็นแม่เหล็ก, ตัวกลางในการบันทึกที่เป็นแม่เหล็ก และวิธีการผลิตสิ่งเหล่านี้

Info

Publication number
TH40872B
TH40872B TH1001061A TH0001001061A TH40872B TH 40872 B TH40872 B TH 40872B TH 1001061 A TH1001061 A TH 1001061A TH 0001001061 A TH0001001061 A TH 0001001061A TH 40872 B TH40872 B TH 40872B
Authority
TH
Thailand
Prior art keywords
glass substrate
recording medium
magnetic recording
stress distribution
residual stress
Prior art date
Application number
TH1001061A
Other languages
English (en)
Other versions
TH48067A (th
Inventor
เบสส์ลิง นายฟรานส์ แวนซันท์ นายเกอร์ฮาร์ด ไธส์ นายฮันส์ ฮาสเซอ นายทิลล์ เอเดรียน นายเบิร์นด์
Original Assignee
นายวินยาธกร ใจเอก นายปรารถนา อุบลสุวรรณ
บีเอเอสเอฟ อัคเทียนเกเซลล์ชาฟท์
Filing date
Publication date
Application filed by นายวินยาธกร ใจเอก นายปรารถนา อุบลสุวรรณ, บีเอเอสเอฟ อัคเทียนเกเซลล์ชาฟท์ filed Critical นายวินยาธกร ใจเอก นายปรารถนา อุบลสุวรรณ
Publication of TH48067A publication Critical patent/TH48067A/th
Publication of TH40872B publication Critical patent/TH40872B/th

Links

Abstract

DC60 (29/09/43) ในวิธีการผลิตซับสเตรทแก้ว สำหรับทำตัวกลางในการบันทึกที่เป็นแม่เหล็ก เพื่อทำ ให้เกิดความหยาบตามที่กำหนดไว้ล่วงหน้า ผิวหลักของซับสเตรทแก้วได้รับการขัดเงาอย่างเที่ยงตรง โดยใช้วัสดุขัดเงา ที่มีเม็ดวัสดุขัดถูอิสระเป็นองค์ประกอบการกระจายความเค้นหลงเหลือสำหรับส่วน หนึ่งของรอยเล็ก ๆ ในการขัดเงา อันเนื่องมาจากเม็ดวัสดุขัดถูอิสระถูกทำให้เกิดขึ้นบนผิวของซับ สเตรทแก้ว กระบวนการที่ทำกับผิว ได้รับการดำเนินกระบวนการอย่างน้อยที่ผิวหลักของซับสเตรท แก้ว โดยการใส่กรดไฮโดรซิลิโคฟลูออริค ส่วนหนึ่งที่มีความเพี้ยนหลงเหลือค่อนข้างสูง ในการ กระจายความเค้นที่หลงเหลือที่ทำให้เกิดขึ้นได้รับการกำหนดให้เป็นส่วนเกาะซับสเตรทแก้วนั้น ได้ รับความร้อนหลังจากการขัดเงาอย่างเที่ยงตรงก่อนการดำเนินกระบวนการกับผิวโดยการใช้กรด ไฮโดรซิลิโคฟลูออริค ในวิธีการผลิตซับสเตรทแก้ว สำหรับทำตัวกลางในการบันทึกที่เป็นแม่เหล็ก เพื่อทำ ให้เกิดความหยาบตามที่กำหนดไว้ล่วงหน้า ผิวหลักของซับสเตรทแก้วได้รับการขัดเงาอย่างเที่ยงตรง โดยใช้วัสดุขัดเงา ที่มีเม็ดวัสดุขัดถูอิสระเป็นองค์ประกอบการกระจายความเค้นหลงเหลือสำหรับส่วน หนึ่งของรอยเล็ก ๆ ในการขัดเงา อันเนื่องมาจากเม็ดวัสดุขัดถูอิสระถูกทำให้เกิดขึ้นบนผิวของซับ สเตรทแก้ว กระบวนการที่ทำกับผิว ได้รับการดำเนินกระบวนการอย่างน้อยที่ผิวหลักของซับสเตรท แก้ว โดยการใส่กรดไฮโดรซิลิโคฟลูออริค ส่วนหนึ่งที่มีความเพี้ยนหลงเหลือค่อนข้างสูง ในการ กระจายความเค้นที่หลงเหลือที่ทำให้เกิดขึ้นได้รับการกำหนดให้เป็นส่วนเกาะซับสเตรทแก้วนั้น ได้ รับความร้อนหลังจากการขัดเงาอย่างเที่ยงตรงก่อนการดำเนินกระบวนการกับผิวโดยการใช้กรด ไฮโดรซิลิโคฟลูออริค

Claims (1)

1. กระบวนการสำหรับการฟื้นสภาพโมโนเอธิลีนไกลคอลที่มีความบริสุทธิ์สูงจากผลิตภัณฑ์ ที่ได้จากการแยกสลายด้วยน้ำของ เอธิลีนออกไซด์โดยการกำจัดน้ำด้วยความดัน ถ้าจะให้ดีคือโดย ชุด ที่ทำงานประสานกันเพื่อการกำจัดน้ำแบบสุญญากาศและการก ลั่นเพื่อทำให้บริสุทธิ์แบบเป็นลำดับ ซึ่งประกอบรวมด้วยการ นำออกของกระแสที่มีน้ำซึ่งมีโมโนเอธิลีนไกลคอลที่มีความ เข้มข้น 1% โดย น้ำหนัก ถ้าจะให้ดีคือ 0.1% โดยน้ำหนักใน ระหว่างการกำจัดน้ำแบบสุญญากาศ โดยอย่างที่เลือกได้ ภายหลัง การดำเนินการที่นอกเหนือจากนั้น สารที่มีจุดเดือดป
TH1001061A 2000-03-30 ซัสเตรทแก้วสำหรับตัวกลางในการบันทึกที่เป็นแม่เหล็ก, ตัวกลางในการบันทึกที่เป็นแม่เหล็ก และวิธีการผลิตสิ่งเหล่านี้ TH40872B (th)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TH48067A TH48067A (th) 2001-11-05
TH40872B true TH40872B (th) 2014-07-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101656193B (zh) 一种硅片加工工艺
JP4532521B2 (ja) 研磨した半導体ウェーハの製造方法
CN103757707B (zh) 一种蓝宝石材质手机屏幕盖板的加工工艺
TW229324B (en) Low cost method of fabricating epitaxial semiconductor devices
CN102172879B (zh) 基于固结磨料抛光垫的软脆lbo晶体的加工方法
US20110189505A1 (en) Method for manufacturing glass substrate for magnetic recording medium
MY127275A (en) Glass substrate for magnetic recording medium, magnetic recording medium, and method of manufacturing the same
JP2003249466A (ja) シリコンからなる半導体ウェーハ、多数の半導体ウェーハの製造方法及びその使用
WO2003046968A1 (fr) Procede de production d'une tranche de silicone, tranche de silicone et tranche soi
CN106057647A (zh) 一种蓝宝石加工方法
CN103847032A (zh) 一种大直径超薄石英晶片的生产工艺
CN102172859B (zh) 基于固结磨料的超薄平面玻璃的加工方法
CN104842225A (zh) 大尺寸蓝宝石衬底片表面的湿法处理方法
CN110779782B (zh) 一种pcb微切片分析制样方法
JP2002338283A (ja) ガラス基板の製造方法及び該製造方法により製造されたガラス基板
CN107775521A (zh) 一种太阳能级单晶硅片表面处理方法
CN115938927B (zh) 一种超薄晶圆减薄工艺
JP5283247B2 (ja) ガラス基板用研磨液組成物
TH40872B (th) ซัสเตรทแก้วสำหรับตัวกลางในการบันทึกที่เป็นแม่เหล็ก, ตัวกลางในการบันทึกที่เป็นแม่เหล็ก และวิธีการผลิตสิ่งเหล่านี้
CN101498055A (zh) 一种太阳能级单晶硅棒的抛光处理方法
CN205600999U (zh) 高边缘质量蓝宝石晶片的加工装置
KR20170105419A (ko) 합성 석영 유리 기판의 제조 방법
CN118181129A (zh) 一种减薄辅助氮化镓单晶的化学机械抛光方法
WO2013118648A1 (ja) ガラス製品の製造方法および磁気ディスクの製造方法
CN110977629B (zh) 蓝宝石窗口片及其抛光工艺