TH40698A3 - อุปกรณ์กึ่งตัวนำและวิธีการผลิต - Google Patents
อุปกรณ์กึ่งตัวนำและวิธีการผลิตInfo
- Publication number
- TH40698A3 TH40698A3 TH9901000184A TH9901000184A TH40698A3 TH 40698 A3 TH40698 A3 TH 40698A3 TH 9901000184 A TH9901000184 A TH 9901000184A TH 9901000184 A TH9901000184 A TH 9901000184A TH 40698 A3 TH40698 A3 TH 40698A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- high resistance
- iii
- nitride
- areas
- semiconductor layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 claims abstract 6
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims abstract 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 abstract 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 abstract 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (18/03/42) การประดิษฐ์นี้ตั้งใจที่จะจัดให้มีอุปกรณ์กึ่งตัวนำและวิธีการผลิต ซึ่งภายในมีบริเวณที่มีความ ต้านทานสูงที่รักษาความต้านทานสูงไว้ได้ ถึงแม้จะ อยู่ภายใต้อุณหภูมิสูงก็ตามถูกสร้างขึ้นในชั้นกึ่ง ตัว นำที่เป็นสารประกอบไนไตรด์ III-V ซึ่งมีอำนาจ การนำไฟฟ้าโดยการฝังไอออน หลังจากชั้นกึ่งตัว นำ ที่เป็นสารประกอบไนไตรด์ III-V ซึ่งมีอำนาจการนำ ไฟฟ้าถูกทำให้ขยายตัว บริเวณที่มีความต้าน ทานสูง จะถูกสร้างขึ้นในชั้นกึ่งตัวนำที่เป็นสารประกอบ ไนไตรด์ III-V โดยการฝังไอออนของโบรอน เฉพาะ ที่ในนั้น ปริมาณโบรอนที่ถูกฝังไม่ควรจะน้อยกว่า 1/30 หรือทางที่ดีกว่านั้น ไม่ควรจะน้อย กว่า 1/15 ของความเข้มข้นของพาหะของชั้นกึ่งตัวนำที่เป็นสาร ประกอบไนไตรด์ III-V บริเวณที่มี ความต้านทานสูง จะถูกใช้เป็นบริเวณในการแยกอุปกรณ์ของอุปกรณ์ เลื่อนอิเล็กตรอน หรือเป็นชั้นสกัด กั้นกระแสของ เลเซอร์กึ่งตัวนำ การประดิษฐ์นี้ตั้งใจที่จะจัดให้มีอุปกรณ์กึ่งตัวนำและวิธีการผลิต ซึ่งภายในมีบริเวณที่มีความ ต้านทานสูงที่รักษาความต้านทานสูงไว้ได้ ถึงแม้จะ อยู่ภายใต้อุณหภูมิสูงก็ตามถูกสร้างขึ้นในชั้นกึ่ง ตัวนำที่เป็นสารประกอบไนไตรด์ III-V ซึ่งมีอำนาจ การนำไฟฟ้าโดยการฝังไอออน หลังจากชั้นกึ่งตัวนำ ที่เป็นสารประกอบไนไตรด์ III-V ซึ่งมีอำนาจการนำ ไฟฟ้าถูกทำให้ขยายตัว บริเวณที่มีความต้านทานสูง จะถูกสร้างขึ้นในชั้นกึ่งตัวนำที่เป็นสารประกอบ ไนไตรด์ III-V โดยการฝังไอออนของโบรอนเฉพาะ ที่ในนั้น ปริมาณโบรอนที่ถูกฝังไม่ควรจะน้อยกว่า 1/30 หรือทางที่ดีกว่านั้น ไม่ควรจะน้อยกว่า 1/15 ของความเข้มข้นของพาหะของชั้นกึ่งตัวนำที่เป็นสาร ประกอบไนไตรด์ III-V บริเวณที่มีความต้านทานสูง จะถูกใช้เป็นบริเวณในการแยกอุปกรณ์ของอุปกรณ์ เลื่อนอิเล็กตรอน หรือเป็นชั้นสกัดกั้นกระแสของ เลเซอร์กึ่งตัวนำ
Claims (1)
1. อุปกรณ์กึ่งตัวนำซึ่งมีส่วนที่เป็นบริเวณที่มีความต้านทานสูงที่ถูกสร้างเฉพาะที่ในชั้นกึ่ง ตัวนำที่เป็นสารประกอบไนไตรด์ III-V ที่นำไฟฟ้า ซึ่งประกอบด้วย บริเวณที่มีความต้านทานสูงดังกล่าว ที่ถูก สร้างขึ้นโดยการฝังไอออนของโบรอน รูปภาพ (ข้อถือสิทธิ 8 ข้อ, รูปเขียน 11 รูป) แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH40698A3 true TH40698A3 (th) | 2000-10-11 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4339869A (en) | Method of making low resistance contacts in semiconductor devices by ion induced silicides | |
| CN107683530B (zh) | 电力用半导体装置 | |
| TW430950B (en) | Semiconductor device having reduced effective substrate resistivity and associated methods | |
| EP2259327A3 (en) | Insulated gate power semiconductor device with Schottky diode and manufacturing method thereof | |
| KR970067933A (ko) | 절연 게이트형 반도체 장치 및 그 제조방법 | |
| WO2002054495A3 (en) | Metal oxynitrides on monocrystalline substrates | |
| TW200609995A (en) | Semiconductor device and method of forming the same | |
| MY120791A (en) | Semiconductor device and its manufacturing method | |
| WO2001099148A3 (en) | Electrical fuses employing reverse biasing to enhance programming | |
| US4561168A (en) | Method of making shadow isolated metal DMOS FET device | |
| CN101211983A (zh) | 半导体器件及其制造方法 | |
| JP2003007843A5 (th) | ||
| KR970063571A (ko) | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US6693024B2 (en) | Semiconductor component with a semiconductor body having a multiplicity of pores and method for fabricating | |
| TW200929552A (en) | Mesa type semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US20160141286A1 (en) | Carrier For An Optoelectronic Semiconductor Chip And Optoelectronic Component | |
| CN105409006B (zh) | 半导体装置 | |
| TH40698A3 (th) | อุปกรณ์กึ่งตัวนำและวิธีการผลิต | |
| CN106298899B (zh) | 整合于垂直栅鳍式场效二极管的静电放电及被动结构 | |
| KR20150053493A (ko) | 열전 소자 및 그의 제조방법 | |
| US6933562B1 (en) | Power transistor structure with non-uniform metal widths | |
| WO2001059850A3 (en) | Structures and methods for improved capacitor cells | |
| KR920010962A (ko) | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 | |
| US20070145407A1 (en) | Thyristor and method of manufacture | |
| TW200501435A (en) | Semiconductor component and method of manufacturing same |