TH38273A3 - วิธีการสำหรับการผลิตสารเคลือบชนิดไดอิเล็กทริกต่ำจากไฮโดรเจนซิลซีสควิออกเซนเรซิน - Google Patents
วิธีการสำหรับการผลิตสารเคลือบชนิดไดอิเล็กทริกต่ำจากไฮโดรเจนซิลซีสควิออกเซนเรซินInfo
- Publication number
- TH38273A3 TH38273A3 TH9901002386A TH9901002386A TH38273A3 TH 38273 A3 TH38273 A3 TH 38273A3 TH 9901002386 A TH9901002386 A TH 9901002386A TH 9901002386 A TH9901002386 A TH 9901002386A TH 38273 A3 TH38273 A3 TH 38273A3
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- resin
- hydrogen
- heating
- film
- low dielectric
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims abstract 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 4
- 238000001723 curing Methods 0.000 abstract 2
- 241000283725 Bos Species 0.000 abstract 1
Abstract
DC60 (11/08/42) การประดิษฐ์นี้ได้อธิบายถึง วิธีการของการผลิต สารเคลือบไดอิเล็กทริกต่ำจาก ไฮโดรเจนซิลซีสคิวออกเซนเรซิน วิธีการดังกล่าว ประกอบด้วยการประยุกต์ใช้ฟิล์มของไฮโดรเจน ซิลซีสคิวออกเซนเรซิน บนซับสเตรต และหลังจากนั้น ทำการบ่ม ฟิล์ม โดยการให้ความร้อนครั้งแรก ที่อุณหภูมิ 325 องศา เซลเซียส ถึง 350 องศาเซลเซียส และหลังจากนั้นให้ความร้อนที่อุณหภูมิ 400 องศาเซลเซียส ถึง 450 องศาเซลเซียส จน กระทั่งได้ความหนาแน่นพันธะของ SiH ที่ถูกทำให้เป็น กลาง เท่ากับ 50 ถึง 80% กรรมวิธีการของการบ่มเหล่านี้ โดยที่ น่าประหลาดใจ ได้ผลิตให้เกิดฟิล์ม ซึ่ง มีค่าคงที่ ไดอิ เล็กทริก ต่ำ และคุณสมบัติทางเชิงกลที่ดีเยี่ยม การประดิษฐ์นี้ได้อธิบายถึง วิธีการของการผลิต สารเคลือบไดอิเล็กทริกต่ำจาก ไฮโดรเจนซิลซีสควิออกเซนเรซิน วิธีการดังกล่าว ประกอบด้วยการประยุกต์ใช้ฟิล์มของไฮโดรเจน ซิลซีสคิวออกเซนเรซิน บนซับสเตรต และหลังจากนั้น ทำการบ่ม ฟิล์ม โดยการให้ความร้อนครั้งแรก ที่อุณหภูมิ 325 องศา เซลเซียส ถึง 350 องศาเซลเซียส และหลังจากนั้นให้ความร้อน ที่อุณหภูมิ 400 องศาเซลเซียส ถึง 450 องศาเซลเซียส จน กระทั่งได้ความหนาแน่นพันธะของ SiH ที่ถูกทำให้เป็น กลาง เท่ากับ 50 ถึง 80% กรรมวิธีการของการบ่มเหล่านี้ โดยที่ น่าประหลาดใจ ได้ผลิตให้เกิดฟิล์ม ซึ่ง มีค่าคงที่ ไดอิ เล็กทริก ต่ำ และคุณสมบัติทางเชิงกลที่ดีเยี่ยม
Claims (1)
1. วิธีการของการ ทำให้เกิดการเคลือบ ที่ไม่สามารถละลายได้บนซับสเตรต ที่ซึ่งวิธีการดังกล่าว ประกอบด้วย (A) การเคลือบซับสเตรต ด้วยองค์ประกอบ ของการเคลือบที่ ประกอบด้วย ไฮโดรเจนซิลซีสคิวออกเซนเรซิน (H-เรซิน) เพื่อ ทำให้เกิดเป็นการเคลือบที่ละลายได้บนซับสเตรต (B) ทำการให้ความร้อนครั้งแรกแก่ การเคลือบของ H-เรซิน ที่อุณหภูมิ 325 องศาเซลเซียส ถึง 350 องศาเซลเซียส เป็น คาบเวลานาน 15 นาที ถึง 1 ชั่วโมง (C) หลังจากนั้นทำการให้ความร้อน ที่อุณหภูมิ 400 องศา แท็ก :
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH38273A3 true TH38273A3 (th) | 2000-04-28 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6660875B2 (ja) | 熱可塑性物質をマイクロ波エネルギーで硬化させる方法 | |
| DE59910943D1 (de) | Verfahren zur herstellung von pulverüberzügen | |
| WO2000075975A3 (en) | Low dielectric constant polyorganosilicon coatings generated from polycarbosilanes | |
| ATE369624T1 (de) | Verfahren zur hochtemperatur- kurzzeithärtung von materialen mit niedrieger dielektrizitätskonstante unter verwendung eines schnellen thermischen prozesses | |
| TW200600557A (en) | Composition for forming silica based coating film, silica based coating film and method for preparation thereof, and electronic parts | |
| JP2016520417A5 (th) | ||
| PL371488A1 (en) | Hot melt coating composition for film transfer and casting process | |
| TW200641075A (en) | Film, silica film and method of forming the same, composition for forming silica film, and electronic part | |
| ATE305057T1 (de) | Durch polymerabbau erhältliches nano-poröses material mit niedriger dielektrizitätskonstante | |
| EP0971400A3 (en) | Method for producing low dielectric coatings from hydrogen silsesquioxane resin | |
| TW200721524A (en) | Method of releasing high temperature films and/or devices from metallic substrates | |
| Wang et al. | The conversion of perhydropolysilazane into SiON films characterized by X‐ray photoelectron spectroscopy | |
| KR940009312A (ko) | 피복 연마품 및 그 제조 방법 | |
| EP1375595A4 (en) | PRECURSOR SOLUTION OF POLYIMIDE RESINS, LAMINATES FOR ELECTRONIC COMPONENTS MADE THEREFROM, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME | |
| KR960022871A (ko) | 복합 전자 피막 | |
| DK1399271T3 (da) | Fremgangsmåde til coating af substrater | |
| EP0883165A3 (en) | Method for producing thick crack-free coatings from hydrogen silsesquioxane resin | |
| TH38273A3 (th) | วิธีการสำหรับการผลิตสารเคลือบชนิดไดอิเล็กทริกต่ำจากไฮโดรเจนซิลซีสควิออกเซนเรซิน | |
| ATE366146T1 (de) | Verfahren zum beschichten von substraten | |
| EP0917184A3 (en) | Electronic coatings having low dielectric constant | |
| EP0899780A3 (en) | Method for forming insulating thin films | |
| TW200513510A (en) | High-temperature resistance adhesive tape and fabrication method thereof | |
| KR20170050165A (ko) | 실리카 막의 제조방법, 실리카 막 및 전자소자 | |
| ATE373059T1 (de) | Verfahren zur mehrschichtbeschichtung von substraten | |
| KR101573137B1 (ko) | 전기기기 표면보호용 세라믹코팅제 |