TH3704A - อิมพีแดนซ์ชนิดตัวจุไฟฟ้าเชิงซ้อน - Google Patents
อิมพีแดนซ์ชนิดตัวจุไฟฟ้าเชิงซ้อนInfo
- Publication number
- TH3704A TH3704A TH8401000479A TH8401000479A TH3704A TH 3704 A TH3704 A TH 3704A TH 8401000479 A TH8401000479 A TH 8401000479A TH 8401000479 A TH8401000479 A TH 8401000479A TH 3704 A TH3704 A TH 3704A
- Authority
- TH
- Thailand
- Prior art keywords
- resistor
- impedance
- complex
- voltage
- capacitor
- Prior art date
Links
Abstract
อิมพีแดนซ์ชนิดตัวจุไฟฟ้าเชิงซ้อน (Z) ซึ่งความจุไฟฟ้าของอิมพีแดนซ์นี้มีค่าสูงกว่าความจุไฟฟ้าทั้งหมดของส่วนประกอบต่าง ๆ ที่ใช้ทำเป็นตัวมันขึ้นมาพอสมควร การใช้งานทำโดยการนำอิมพี แดนซ์ชนิดตัวตัวจุไฟฟ้า (Z3) มาต่อแบบอนุกรม เข้ากับตัวต้านทาน ตัวแรก (R1) เพื่อให้เกิดเป็นตัวแบ่งแรงดันไฟฟ้า และผ่านวงจร (bypassing) ของตัวต้านทานตัวแรก (R1) ด้วยวงจรแปรตาม แรงดันไฟฟ้า (SFS)
Claims (4)
1. อิมพีแดนซ์ชนิดตัวจุไฟฟ้าเชิงซ้อน ซึ่งได้กำหนดคุณลักษณะไว้โดยจัดให้อิมพีแดนซ์ชนิดตัวจุไฟฟ้า (Z3) ต่อแบบอนุกรมเข้า
กับตัวต้านทานตัวแรก (R1) เพื่อให้เกิดเป็นตัวแบ่งแรงดันไฟฟ้า
และให้มีวงจรแปรตามแรงดันไฟฟ้า (SFS) ต่อคร่อมขนานเข้ากับ
ตัวต้านทาน (R1) นั้น
2.อิพีแดนซ์ชนิดตัวจุไฟฟ้าเชิงซ้อนตามข้อถือสิทธิ (1)
ซึ่งได้กำหนดคุณลักษณะไว้โดยจัดให้วงจรแปรตามแรงดัน
ไฟฟ้า (SFS) มีเครื่องขยาย (OP1) เป็นตัวแปรตาม
แรงดันไฟฟ้าซึ่งที่ทางนำออก(F) ของมันนั้นมีตัวด้านทาน
ที่สอง (R20 ต่ออยู่ และจัดให้ตัวต้านทานที่สอง(R2)
มีค่านัอยกว่าตัวต้านทานตัวแรก(R1) ของตัวแบ่งแรงดันไฟฟ้า
มากพอสมควร
3.อิมพีแดนซ์ชนิดตัวจุไฟฟ้าเชิ้งซ้อนตามข้อถือสิทธิ (1)
หรือ (2) ซึ่งได้กำหนดคุณลักษณะไว้โดยจัดให้มีอิมพีแดนซ์
ชนิดตัวจุไฟฟ้า (Z3) ของตัวแบ่งแรงดันไฟฟ้านั้นประกอบ
ด้วยตัวต้านทานที่สาม (R3) ต่อขนานเข้ากับตัวจุไฟฟ้า (C3)
4.อิมพีแดนซ์ชนิดตัวจุไฟฟ้าเชิงซ้อนตามข้อถือสิทธิ (3)
ซึ่งให้กำหนดคุณลักษณะไว้โดยจัดให้ตัวต้านทานทีสี่ (R4) ต่อ
แบบอนุกรมเข้ากับชุดตัวต้านทานที่สมา (R3)และตัวจุไฟฟ้า
(C3) ที่ต่อเข้าด้วยกันแบบขนาน
(ข้อถือสิทธิ 4 ข้อ ,รูปเขียน 4 รูป)
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TH3704A true TH3704A (th) | 1986-12-01 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NO843684L (no) | Kapasitiv impedans. | |
| DE3368360D1 (en) | Integrated semiconductor amplifier circuit | |
| JPS56134815A (en) | Filter circuit | |
| JPS5648186A (en) | Photodetector | |
| JPS56164605A (en) | Multistage amplifying circuit | |
| JPS5443662A (en) | Transistor amplifier | |
| DE3168657D1 (en) | Filter circuit suitable for being fabricated into integrated circuit | |
| SU673930A1 (ru) | Имитатор емкости | |
| SU675586A1 (ru) | Гиратор | |
| JPS56153257A (en) | Voltage dividing circuit for measurement of high voltage | |
| JPS57121322A (en) | Time limit relay | |
| JPS55149516A (en) | Low pass filter | |
| SU688933A1 (ru) | Дугогасительный контур | |
| JPS5527723A (en) | Tone control circuit | |
| JPS56103509A (en) | Phase compensating circuit | |
| JPS62169531U (th) | ||
| JPS5750462A (en) | Integrated circuit | |
| JPS59179389U (ja) | 衝撃電圧発生装置 | |
| JPS55105711A (en) | Power supply unit | |
| JPH0313513U (th) | ||
| JPH01162672U (th) | ||
| ES436809A1 (es) | Una resistencia electronica mejorada | |
| JPS635721U (th) | ||
| JPS5482644A (en) | Active filter | |
| JPH0177017U (th) |