Claims (2)
1. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ โดยใช้เทปกาวสำหรับป้องกันที่มีความสามารถใน การหดตัวได้เมื่อถูกความร้อน ซึ่งประกอบด้วย (a) การติดเทปกาวกับพื้นผิวของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งวงจรรวมถูกติดตั้งอยู่บนนั้น (b) การบดพื้นผิวด้านหลังของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำโดยใช้เครื่องบด, และ (c) การให้ความร้อนอย่างต่อเนื่อง และการลอดออกของเทปกาวจากพื้นผิวของเวเฟอร์ของ สารกึ่งตัวนำในเครื่องบด 2. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ พื้นผิวด้านหลังของเว เฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งมีเส้นผ่าศูนย์กลางในช่วง 6 ถึง 16 นิ้ว ถูกบด ซึ่งดังนั้น จะลดความ หนาของเวเฟอร์ให้อยู่ในช่วง 80 ถึง 400 ไมครอน (มิวm) 3. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 2 โดยที่ พื้นผิวด้านหลังของเว เฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งมีเส้นผ่านศูนย์กลางในช่วง 6 ถึง 16 นิ้ว ถูกบด ซึ่งดังนั้น จะลดความ หนาของเวเฟอร์อยู่ในช่วง 80-200 ไมครอน 4. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 3 โดยที่ พื้นผิวด้านหลังของเว เฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ซึ่งมีเส้นผ่าศูนกลางในช่วง 6 ถึง 12 นิ้ว ถูกบด ซึ่งดังนั้น จะลดความ หนาของเวเฟอร์ให้อยู่ในช่วง 80 ถึง 200 ไมครอน 5. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ เทปกาวถูกทำให้ร้อน จนมีอุณหภูมิอยู่ในช่วง 50 ถึง 99 ํซ. โดยใช้ตัวกลางให้ความร้อนตัวใดตัวหนึ่งเป็นอย่างน้อย ซึ่ง ถูกเลือกจากกลุ่มที่ประกอบด้วยน้ำอุ่นและอากาศอุ่น 6. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 5 โดยที่ อุณหภูมิของตัวกลาง ให้ความร้อนมีค่าตั้งแต่ 50 ถึง 80 ํซ. 7. วิธีการผลิตของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 5 โดยที่ เทปกาวถูกทำให้ร้อน จนมีอุณหภูมิอยู่ในช่วงตั้งแต่ 50 ถึง 99 ํซ. โดยใช้น้ำอุ่น 8. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 7 โดยที่ เทปกาวถูกทำให้ร้อน จนมีอุณหภุมิอยู่ในช่วงตั้งแต่ 50 ถึง 80 ํซ. โดยใช้น้ำอุ่น 9. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ เวเฟอร์ของสารกึ่งตัว นำถูกทำให้ร้อน ด้วยการทำให้หมุนด้วยความเร็๋วรอบหมุนในช่วง 5 ถึง 500 รอบต่อนาที 1 0. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ แฟคเตอร์การหดตัว ด้วยความร้อนของเทปกาวมีค่าตั้งแต่ 5 ถึง 50 % ในช่วงอุณหภูมิ 50 ถึง 99 ํซ. 11.Method for producing semiconductor wafers Using adhesive tape for protective ability Shrinkage when heated Which consists of (a) the sticking of tape to the surface of the semiconductor wafer. The integrated circuit is mounted on it (b) grinding the back surfaces of the semiconductor wafer using a grinder, and (c) continuous heating. And ejection of the adhesive tape from the surface of the wafer of The semiconductor in the grinder 2. Method for producing semiconductor wafers. According to claim 1, where the back surface of the Fir of the semiconductor Which has a diameter in the range of 6 to 16 inches, is crushed, thus reducing the thickness of the wafer to the range of 80 to 400 microns (mu m). 3. Method for producing semiconductor wafers. According to claim 2, where the back surface of the Fir of the semiconductor Which has a diameter range of 6 to 16 inches is crushed, thus reducing the thickness of the wafer in the range of 80-200 microns. 4. Method of producing semiconductor wafers. According to claim 3, where the back surface of the Fir of the semiconductor Which has a diameter of 6 to 12 inches, is crushed, thus reducing the thickness of the wafer to the range of 80 to 200 microns. 5. Methods for producing semiconductor wafers. According to claim 1, with the adhesive tape being heated The temperature was in the range of 50 to 99 ํ C using at least one heating medium, which was selected from a group containing warm water and warm air. 6. Method for producing semiconductor wafers. According to claim 5, where at the temperature of the medium The heat is from 50 to 80 ํ C. 7. Manufacturing method of semiconductor wafers. According to claim 5, with the adhesive tape being heated Until the temperature is in the range from 50 to 99 ํ C using warm water. 8. Method for producing semiconductor wafers. According to claim 7, with the adhesive tape being heated Until the temperature is in the range from 50 to 80 ํ C using warm water. 9. Method for producing semiconductor wafers. According to claim 1, where the wafer of the semi Lead is heated By making rotation with a speed of rotation in the range of 5 to 500 rpm 1 0. Method for producing semiconductor wafers. According to claim 1, where the shrinkage factor The heat of the adhesive tape ranges from 5 to 50% in the temperature range of 50 to 99 ํ 1.
1. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 10 โดยที่ แฟคเตอร์การหดตัว ด้วยความร้อนของเทปกาวมีค่าตั้งแต่ 5 ถึง 50 % ที่อุณหภูมิในช่วง 50 ถึง 80 ํซ. 11.Method for producing semiconductor wafers According to claim 10, where the shrinkage factor The heat of the adhesive tape ranges from 5 to 50% at a temperature range of 50 to 80 ํ 1.
2. วิธีการผลิตเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ ตามข้อถือสิทธิที่ 1 โดยที่ เทปกาวถูกลอกออก จากพื้นผิวของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำ และนอกจากนั้น พื้นผิวของเวเฟอร์ของสารกึ่งตัวนำจะถูก ล้างด้วยของเหลวที่ใช้ล้าง2.Method for producing semiconductor wafers According to claim 1, with the adhesive tape removed From the surface of the semiconductor wafer And besides The surface of the semiconductor wafer is Wash with liquid